JPH0239854B2 - - Google Patents
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- JPH0239854B2 JPH0239854B2 JP57212673A JP21267382A JPH0239854B2 JP H0239854 B2 JPH0239854 B2 JP H0239854B2 JP 57212673 A JP57212673 A JP 57212673A JP 21267382 A JP21267382 A JP 21267382A JP H0239854 B2 JPH0239854 B2 JP H0239854B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、コンデンサ用金属蒸着フイルムの製
造方法に関し、特に金属蒸着された部分のうちリ
ード線を溶着するメタリコン層からなる電極導出
部に接続する端部の金属蒸着層の厚さと対向電極
部の金属蒸着層の厚さとの差を効率良く調節で
き、且つ電極導出部に接続する端部の金属蒸着層
部分の幅を狭く調節し、その境界を明確に形成す
ることのできる方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for manufacturing a metal vapor deposited film for a capacitor, and in particular to a metal vapor deposited layer at an end portion of the metal vapor deposited portion that connects to an electrode lead-out portion made of a metallikon layer to which a lead wire is welded. To efficiently adjust the difference between the thickness of the metal vapor deposited layer and the thickness of the metal vapor deposited layer of the counter electrode part, and to narrowly adjust the width of the metal vapor deposited layer part at the end connected to the electrode lead-out part, and to form a clear boundary therebetween. This is related to the method by which this can be done.
コンデンサ用金属蒸着フイルムは、プラスチツ
クフイルムにマージンと呼ばれる非蒸着部を残し
て、アルミニウムや亜鉛等の金属を真空蒸着して
製造されている。通常、蒸着装置の内部は蒸発源
のある蒸着室と長帯状のフイルムの巻取りがなさ
れる巻取室とに分離されており、フイルムは巻取
られながら蒸着室を通過して、この際にフイルム
上に蒸発源からの金属が蒸着される。フイルム上
に非蒸着部を形成するためには、フイルムが蒸着
室を通過する際にフイルム表面にテープやオイル
等でマスキングを行ない、マスキングされた部分
への蒸着を防いでいる。テープは通常エンドレス
テープを用いてフイルム表面を密着状態でマスキ
ングしている。このようにして製造される金属蒸
着フイルムはスリツターマシーン等を用いて切断
して、通常、一方の端部に連続的非蒸着部を有す
る細長い帯状体とし、２枚の金属蒸着フイルムを
蒸着面を同一方向として非蒸着部が互いに反対側
となるようにして１mm前後わずかにずらした状態
で重ね合せて巻き、円筒型や扁平な円筒型に加工
して後、両端にメタリコン加工を行ないリード線
をつけることによりいわゆる巻回型コンデンサと
される。この場合、２枚のフイルムの金属が蒸着
されている方の端部は、各々巻体の対向端におい
て、他方のフイルムの非蒸着部に相対することと
なり、巻体の両端面に金属が溶射されてリード線
を溶着するためのメタリコン層が形成され、各電
極端部がそれぞれ電極導出部に接続される。 Metal-deposited films for capacitors are manufactured by vacuum-depositing metals such as aluminum and zinc on plastic films, leaving non-vapor-deposited areas called margins. Usually, the inside of a vapor deposition apparatus is separated into a vapor deposition chamber containing an evaporation source and a winding chamber where a long strip of film is wound.The film passes through the vapor deposition chamber while being wound. Metal from an evaporation source is deposited onto the film. In order to form non-evaporated areas on the film, the surface of the film is masked with tape, oil, etc. when the film passes through the deposition chamber to prevent deposition on the masked areas. Endless tape is usually used to mask the film surface in close contact. The metal-deposited film produced in this way is cut using a slitter machine or the like into a long and narrow strip with a continuous non-deposited part at one end, and the two metal-deposited films are cut on the deposition surface. The wires are wound in the same direction with the non-evaporated parts facing away from each other, slightly shifted by around 1 mm, and then processed into a cylindrical or flat cylinder shape. After that, metallized on both ends to form the lead wire. By adding , it becomes a so-called wound type capacitor. In this case, the metal-deposited ends of the two films are opposed to the non-vapor-deposited parts of the other film at opposite ends of the roll, and the metal is sprayed on both end faces of the roll. A metallicon layer for welding the lead wires is formed, and each electrode end is connected to an electrode lead-out portion.
このメタリコン層との接続を良好とし、一方電
極対向部はセルフヒーリング作用を良好とするた
めに薄くする必要があるので、金属蒸着フイルム
のメタリコン層との接続側端部となる部分の金属
蒸着層の厚さを電極対向部となる他の部分より厚
くすることが要請され、即ち、金属蒸着される部
分について蒸着層の厚さに差を設けることが必要
となる。このため、従来は、メタリコン層との接
続側端部となる部分以外の対向電極部、つまり薄
い蒸着層を形成する部分に対しては、蒸着時間が
短くなるように、フイルムが蒸着室を通過すると
ころに部分的にフイルムを覆う固定マスクを取り
付けており、固定マスクによつて覆われている間
だけ蒸着がなされず、その分だけ蒸着層が薄くな
るようにしている（例えば特公昭34−1835号公
報、特公昭55−42492号公報）。 In order to have a good connection with this metallicon layer, and to have a good self-healing effect, the part facing the electrode needs to be thin, so the metal vapor deposition layer at the end of the metallized film on the connection side with the metallicon layer needs to be made thin. It is required that the thickness of the metal layer be made thicker than the other portions that will be the electrode facing portions, that is, it is necessary to provide a difference in the thickness of the vapor deposited layer between the portions on which the metal is vapor deposited. For this reason, conventionally, the film was passed through the vapor deposition chamber so that the vapor deposition time was shortened for the opposing electrode part other than the part that would be the connection side end with the metallicon layer, that is, the part where a thin vapor deposition layer was formed. A fixed mask that partially covers the film is attached to the fixed mask, and the vapor deposition layer is made thinner by that amount (for example, the film is covered by the fixed mask). 1835 Publication, Special Publication No. 55-42492).
このような固定マスクはフイルムに密着してい
ないため、金属蒸着層の厚い部分と薄い部分との
境界がほやけてしまうことに加えて、固定マスク
の縁には蒸着金属が徐々に付着成長して巾寸法が
変化してしまうため、メタリコン層との接続側端
部として必要な厚い蒸着層を確保するためには、
固定マスクによつて覆われない部分を広目にと
り、且つ蒸着量を多くしなければならない。ま
た、複数個の蒸発源を用いて蒸着を行なうために
固定マスクの場合マスクに厚みがあるので蒸発源
直上の厚蒸着部が比較的ぼやけることの少ない状
態で蒸着されるが、蒸発源直上から離れるに従つ
てぼやけることが多くなり、しかも所要の膜厚に
なりにくい。また、固定マスクの縁に付着した蒸
着金属が剥離してフイルムを傷める原因ともな
り、更に固定マスクに付着した蒸着金属を取り除
くための定期的削除作業も必要である。本発明者
の経験によれば、不満足な膜厚でしかも8000〜
10000ｍの蒸着が限度であり、削除作業及びマス
クの取り付け調整に長時間を要し、生産性も低い
ものであつた。 Since such a fixed mask does not adhere closely to the film, the boundary between the thick and thin parts of the metal vapor deposition layer becomes blurred, and the vapor deposited metal gradually grows on the edge of the fixed mask. Therefore, in order to secure the thick vapor deposited layer necessary for the connection side edge with the metallicon layer,
The area not covered by the fixed mask must be made wide and the amount of vapor deposition must be increased. In addition, in the case of a fixed mask for vapor deposition using multiple evaporation sources, the mask is thick, so the thick vapor deposition area directly above the evaporation source is vapor-deposited with relatively little blurring, but from directly above the evaporation source As the distance increases, it often becomes blurred and it is difficult to achieve the required film thickness. Further, the vapor-deposited metal attached to the edge of the fixed mask may peel off and damage the film, and furthermore, periodic removal work is required to remove the vapor-deposited metal attached to the fixed mask. According to the experience of the present inventor, the film thickness is unsatisfactory and is 8000 ~
The vapor deposition distance was limited to 10,000 m, and it took a long time to remove the mask and adjust the attachment of the mask, resulting in low productivity.
このように従来の方法においては、メタリコン
層からなる電極導出部との接続側端部に厚めの金
属蒸着を行なうについては種々の問題があつた。
そしてまた、これらをコンデンサとした場合、端
部の厚い蒸着部を相対するフイルムの非蒸着部内
に完全に入れ、対向電極部にかからないようにす
る様な端部の厚い蒸着部の形成は不可能であつ
た。本発明は、これらの問題を解決すべくなされ
たものであり、電極導出部との接続側端部となる
部分の金属蒸着層の厚さとそれ以外の部分の金属
蒸着層の厚さの差を効率良く調節することがで
き、且つ電極導出部に接続する端部の金属蒸着層
部分の幅を狭く調節し、その境界を明確に形成す
ることのできる方法を提供すべくなされたもので
ある。 As described above, in the conventional method, there were various problems in performing thick metal vapor deposition on the end portion on the connection side with the electrode lead-out portion made of the metallicon layer.
Furthermore, when these are used as a capacitor, it is impossible to form a thick vapor-deposited part at the end in such a way that the thick vapor-deposited part at the end is completely inserted into the non-evaporated part of the opposing film and does not cover the opposing electrode part. It was hot. The present invention has been made to solve these problems, and is aimed at reducing the difference between the thickness of the metal vapor deposited layer at the end of the connection side with the electrode lead-out part and the thickness of the metal vapor deposited layer at other parts. The purpose of this invention is to provide a method that can be efficiently adjusted, narrow the width of the metal vapor deposited layer portion at the end connected to the electrode lead-out portion, and clearly form the boundary.
本発明は、プラスチツクフイルム表面上に金属
を蒸着して形成されるコンデンサ用金属蒸着フイ
ルムの金属蒸着層のうち、電極導出部との接続側
端部の金属蒸着層を対向電極部の金属蒸着層より
も厚く且つ相対する金属蒸着フイルムの非蒸着部
内にのみ位置するように形成するに際して、電極
導出部との接続側端部となる部分以外のプラスチ
ツクフイルム表面をエンドレステープで密着状態
にマスキングして第１段目の金属蒸着を行ない、
該テープを取り除いて後、非蒸着部となる部分の
プラスチツクフイルム表面をエンドレステープで
密着状態に又はオイルでマスキングして第２段目
の金属蒸着を行なうことを特徴とするコンデンサ
用金属蒸着フイルムの製造方法に関する。 In the present invention, among the metal vapor deposited layers of a metal vapor deposited film for a capacitor, which is formed by vapor depositing metal on the surface of a plastic film, the metal vapor deposited layer at the end on the connection side with the electrode lead-out part is replaced with the metal vapor deposited layer on the opposing electrode part. When forming the plastic film so that it is thicker than the metal evaporated film and located only in the non-evaporated part of the opposing metal evaporated film, the surface of the plastic film other than the part that will be the connection side end with the electrode lead-out part is masked tightly with endless tape. Perform the first stage metal deposition,
After removing the tape, the surface of the plastic film in the non-evaporated portion is tightly adhered with endless tape or masked with oil, and a second stage of metal deposition is performed. Regarding the manufacturing method.
以下図面に従つて本発明の一実施例について説
明する。第１図〜第６図は、本発明に係るコンデ
ンサ用金属蒸着フイルムの製造方法の各段階にお
ける長帯状のフイルムの横幅に沿つての断面図で
ある。第１図は、ベースとなるプラスチツクフイ
ルム１の表面をエンドレステープ２でマスキング
したところの断面図であり、厚い金属蒸着層を形
成する部分である、メタリコン層からなる電極導
出部との接続側端部となる複数の部分のプラスチ
ツクフイルム表面３を除いて、プラスチツクフイ
ルム表面が複数のエンドレステープ２でマスキン
グされている。第２図は、第１図に示される状態
で第１段目の金属蒸着を行なつたところの断面図
であり、テープでマスキングされなかつたフイル
ム表面上に金属蒸着層４及びテープ上に金属蒸着
層５が形成される。尚、金属蒸着層５はエンドレ
ステープ上に金属が蒸着されるものであるから、
長いフイルムに連続的に蒸着が行なわれるに従つ
て厚みが増加する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 6 are cross-sectional views taken along the width of a long strip-shaped film at each stage of the method for manufacturing a metal-deposited film for a capacitor according to the present invention. FIG. 1 is a cross-sectional view of the surface of a plastic film 1 serving as a base masked with an endless tape 2, and shows the connection side end to an electrode lead-out portion made of a metallikon layer, which is a portion where a thick metal vapor deposition layer will be formed. The surface of the plastic film is masked with a plurality of endless tapes 2, except for the plastic film surface 3 of a plurality of portions that will become the parts. FIG. 2 is a cross-sectional view of the first stage of metal evaporation in the state shown in FIG. A vapor deposited layer 5 is formed. In addition, since the metal vapor deposition layer 5 is a layer in which metal is vapor deposited on the endless tape,
Thickness increases as successive depositions are performed on longer films.
第３図は、エンドレステープ２を取り除いたと
ころの断面図であり、テープでマスキングされな
かつた部分の金属蒸着層４のみがプラスチツクフ
イルム１上に形成されている。第４図は、非蒸着
部（マージン）となる複数の部分のプラスチツク
フイルムの表面上をエンドレステープ６でマスキ
ングしたところの断面図である。第５図は、第４
図に示される状態で第２段目の金属蒸着を行なつ
たところの断面図であり、テープでマスキングさ
れなかつたプラスチツクフイルムの表面上に薄い
金属蒸着層７が形成され、第１段目の蒸着で金属
蒸着層４が形成されていた部分には、厚い金属蒸
着層８が形成され、またエンドレステープ６上に
は金属蒸着層９が形成される。ここでもエンドレ
ステープ６上の金属蒸着層９は蒸着に従つて厚み
が増加する。第６図は、エンドレステープ６を取
り除いた後の断面図であり、プラスチツクフイル
ム１の表面上には、連続的な薄い金属蒸着層７と
連続的な厚い金属蒸着層８、及び連続的な非蒸着
部１０がそれぞれ複数形成される。 FIG. 3 is a cross-sectional view with the endless tape 2 removed, and only the metal vapor deposited layer 4 in the portion not masked by the tape is formed on the plastic film 1. FIG. 4 is a cross-sectional view of the surface of the plastic film at a plurality of portions that will be non-evaporated portions (margins), which are masked with endless tape 6. Figure 5 shows the fourth
This is a cross-sectional view of the second stage of metal vapor deposition in the state shown in the figure, in which a thin metal vapor deposition layer 7 is formed on the surface of the plastic film that was not masked with tape, and the first stage of metal vapor deposition is performed. A thick metal vapor deposition layer 8 is formed on the portion where the metal vapor deposition layer 4 was formed by vapor deposition, and a metal vapor deposition layer 9 is formed on the endless tape 6. Here again, the thickness of the metal vapor deposition layer 9 on the endless tape 6 increases as the metal vapor deposition layer 9 is vapor deposited. FIG. 6 is a cross-sectional view after the endless tape 6 is removed. On the surface of the plastic film 1, there are a continuous thin metal vapor deposition layer 7, a continuous thick metal vapor deposition layer 8, and a continuous non-continuous metal vapor deposition layer 8. A plurality of vapor deposition portions 10 are each formed.
上記のようにして製造された金属蒸着フイルム
は、第６図におけるＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線の位置
をスリツターマシーン等で切断され、一方の端部
に連続的非蒸着部１０を有し、他方の端部に連続
的な厚い金属蒸着層８を有する細長い帯状体の金
属蒸着フイルムとされる。このようにして作られ
る金属蒸着フイルムは、その２枚のフイルムが第
７図に示されるように、非蒸着面を同方向とし非
蒸着部１０が互いに反対側となるようにして１mm
前後わずかにずらした状態で重ね合わせて巻かれ
る。このようにずらした状態で巻くのは次のメタ
リコン層形成の際のメタリコン金属の食い込みを
良くするためであり、巻かれた円筒体の両端部に
は金属が溶射されてメタリコン層が形成され、リ
ード線が接続される。第８図は、２枚のフイルム
の部分を表わす断面図であり（実際には２枚のフ
イルムは密着状態である）、図において１１はメ
タリコン層である。シヤープに形成された厚い蒸
着層８は、メタリコン層１１と良好に接続される
とともに、各々他方のフイルムの非蒸着部１０の
部分にのみ相対し、他方のフイルムの薄い蒸着層
７の部分とは重ならない。このようにすることに
より、厚い蒸着部と薄い蒸着部との役割が理想的
に行なわれるコンデンサが製造される。 The metal-deposited film produced as described above is cut by a slitter machine or the like at the positions of line A-A and line B-B in FIG. 6, and has a continuous non-deposited portion 10 at one end. However, it is made into an elongated strip-shaped metallized film having a continuous thick metallized layer 8 at the other end. The metal vapor-deposited film produced in this way is made by arranging the two films so that the non-vapor deposited surfaces are in the same direction and the non-vapor deposited parts 10 are on opposite sides of each other, as shown in FIG.
They are rolled on top of each other with the front and back slightly shifted. The purpose of winding in this staggered state is to improve the penetration of the metallicon metal when forming the next metallicon layer, and metal is sprayed on both ends of the wound cylinder to form a metallicon layer. Lead wires are connected. FIG. 8 is a sectional view showing a portion of two films (actually, the two films are in close contact with each other), and in the figure, 11 is a metallicon layer. The sharply formed thick vapor deposited layer 8 is well connected to the metallicon layer 11, and faces only the non-deposited portion 10 of the other film, and is different from the thin vapor deposited layer 7 of the other film. Do not overlap. By doing so, a capacitor is manufactured in which the roles of the thick evaporation part and the thin evaporation part are ideally performed.
本発明において用いられるベースとなるプラス
チツクフイルムは、ポリエチレンテレフタレート
等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアミ
ド、塩化ビニル、塩化ビニリデン及びフツ素系樹
脂等からなる誘電フイルムであり、厚さは、材質
によつても異なるが一般に２〜25μｍ程度のもの
が用いられる。 The base plastic film used in the present invention is a dielectric film made of polyester such as polyethylene terephthalate, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polycarbonate, polyamide, vinyl chloride, vinylidene chloride, fluorine resin, etc., and has a thickness of: Generally, a thickness of about 2 to 25 μm is used, although it varies depending on the material.
プラスチツクフイルム上に蒸着される金属は主
としてアルミニウム又は亜鉛であるが、銅その他
の導電性を有し蒸着可能な金属を使用することも
可能である。 The metal deposited on the plastic film is primarily aluminum or zinc, but it is also possible to use copper or other conductive metals that can be deposited.
蒸着は、３×10-4〜１×10-5Torr程度の真空
下で行なわれ、蒸発源の温度は、金属にもよる
が、例えばアルミニウムの場合は1400〜1500℃程
度である。金属蒸着層の厚さは一般に200〜500Å
程度の範囲であるが、対向電極部となる薄い金属
蒸着層の部分では、厚くなると絶縁破壊が生じた
場合のセルフヒーリング作用がなくなるし、薄す
ぎると抵抗値が大きくなりすぎてコンデンサとし
ての特性を悪化させるので、抵抗値で表わして３
〜10Ω／□程度が望ましい。また、メタリコン層
と接続される端部の厚い金属蒸着層は、接続を良
好とするためには抵抗値で2Ω／□以下の厚さと
するが、あまり多すぎると金属を多量に要し、蒸
着されるフイルムの長さに制限が加わるので、
1Ω／□以上程度である。 The vapor deposition is performed under a vacuum of about 3×10 −4 to 1×10 −5 Torr, and the temperature of the evaporation source depends on the metal, but for example, in the case of aluminum, it is about 1400 to 1500°C. The thickness of metal deposition layer is generally 200~500Å
However, if the thin metal evaporated layer that becomes the counter electrode becomes too thick, there will be no self-healing effect in the event of dielectric breakdown, and if it is too thin, the resistance value will become too large and the characteristics of the capacitor will deteriorate. 3, expressed in resistance value.
~10Ω/□ is desirable. In addition, the thick metal evaporated layer at the end that is connected to the metallicon layer should have a thickness of 2Ω/□ or less in terms of resistance to ensure a good connection, but if it is too thick, a large amount of metal will be required and the evaporation Since there are restrictions on the length of the film that can be made,
It is about 1Ω/□ or more.
対向電極部となる薄い蒸着層は第２段目の蒸着
量によりその厚さが制御され、端部の厚い蒸着層
は第１段目の蒸着と第２段目の蒸着の合計になる
ので、第１段目の蒸着量と第２段目の蒸着量の組
み合せにより薄い蒸着層と厚い蒸着層の抵抗値が
適宜調節される。 The thickness of the thin vapor deposition layer that will become the counter electrode part is controlled by the amount of vapor deposition in the second stage, and the thick vapor deposition layer at the end is the sum of the vapor deposition in the first stage and the second stage. The resistance values of the thin vapor deposited layer and the thick vapor deposited layer are appropriately adjusted by the combination of the first vapor deposition amount and the second vapor deposition amount.
第１段目の蒸着においては、第２段目の蒸着で
蒸着されるフイルム表面をマスキングすることに
なるので、マスキングを取り除いた後フイルム表
面への金属蒸着が可能でなければならないから、
オイル等のマスキング剤を用いるのは適当でな
く、テープによるマスキングを必要とする。テー
プは耐熱性のプラスチツクス等からなるもの、或
いはステンレス等耐食性金属からなるものを用い
ることができるが、テープの厚さはプラスチツク
ス製で50〜150μｍ程度、ステンレス製で0.1〜0.3
mm程度である。このテープの幅は、切断されるフ
イルムの幅と厚い蒸着部の幅に応じて適宜選定さ
れる。厚い蒸着部の幅は第７図のような状態にし
たとき１〜２mmあればよい。第２段目の蒸着にお
いてマスキングするのは、最終的に非蒸着部とな
る部分であるから、上記のようなテープによる
他、オイル等のマスキング剤を用いることも可能
である。非蒸着部は、第７図に示すような状態に
したとき、通常0.5〜５mm、一般的には1.5〜３mm
程度であるから、これに応じてテープの幅又はオ
イルによるマスキング幅が決められる。尚、テー
プは巻取り式のものを用いることも可能である
が、経済的でないため、エンドレステープを回転
させて用いる。 In the first stage of evaporation, the surface of the film to be deposited in the second stage of evaporation is masked, so it must be possible to deposit metal onto the film surface after removing the masking.
It is not appropriate to use masking agents such as oil, and masking with tape is required. The tape can be made of heat-resistant plastic or corrosion-resistant metal such as stainless steel, but the thickness of the tape is about 50 to 150 μm for plastic and 0.1 to 0.3 μm for stainless steel.
It is about mm. The width of this tape is appropriately selected depending on the width of the film to be cut and the width of the thick vapor deposited portion. The width of the thick evaporated portion may be 1 to 2 mm when it is in the state shown in FIG. What is masked in the second stage of vapor deposition is the portion that will eventually become the non-evaporated portion, so in addition to using a tape as described above, it is also possible to use a masking agent such as oil. The non-evaporated area is usually 0.5 to 5 mm, generally 1.5 to 3 mm when it is in the state shown in Figure 7.
The width of the tape or the width of the masking with oil is determined accordingly. Although it is possible to use a winding tape, it is not economical, so an endless tape is used by rotating it.
本発明によれば、電極導出部との接続側端部の
厚い金属蒸着層と、対向電極部の薄い金属蒸着層
との境界及び厚さの差は、ベースとなるプラスチ
ツクフイルムをテープでマスキングして第１段目
の蒸着を行なうことにより設けられるためその幅
を狭くし、その境界がシヤープに形成されるとと
もに、厚さの調節が容易であり、長帯状のフイル
ムについて連続して一定な厚さの端部蒸着層を得
ることができる。また、金属蒸着が２段階に分け
て行なわれるため、厚い金属蒸着層と薄い金属蒸
着層各々についての抵抗値の設定を容易且つ効率
良く行なうことができることに加えて、一段階で
蒸着を行なう場合よりも蒸着された金属層が微細
となる効果もある。更に、テープは容易に交換で
きるので、固定マスクを用いる場合のように付着
金属の削除作業や固定マスクの取り付け、取りは
ずし、位置の調整等の作業も必要なく、作業効率
も優れている。 According to the present invention, the boundary and the difference in thickness between the thick metal vapor deposited layer at the end connected to the electrode lead-out part and the thin metal vapor deposited layer at the counter electrode part are masked by masking the base plastic film with tape. The width of the film is narrowed and the border is formed sharply, and the thickness can be easily adjusted. A thin end-deposited layer can be obtained. In addition, since the metal vapor deposition is performed in two stages, the resistance values for each of the thick metal vapor deposited layer and the thin metal vapor deposited layer can be easily and efficiently set. There is also the effect that the deposited metal layer becomes finer. Furthermore, since the tape can be easily replaced, there is no need to remove attached metal, attach, remove, or adjust the position of the fixed mask, which is required when using a fixed mask, and the work efficiency is excellent.
実施例
蒸着室とフイルム巻取室に分離され、フイルム
が巻取られながら蒸着室を通過する方式の真空蒸
着装置において、フイルム幅630mm、長さ24000
ｍ、厚さ4μｍのポリエチレンテレフタレートフ
イルムに対し、第１図〜第６図に示されるような
工程で、真空度１×10-4Torr、蒸発源温度約
1450℃の条件下でアルミニウムの蒸着を行つた。Example In a vacuum evaporation apparatus that is separated into a evaporation chamber and a film winding chamber, and the film passes through the evaporation chamber while being wound, the film width is 630 mm and the length is 24,000 mm.
A polyethylene terephthalate film with a thickness of 4 μm and a vacuum level of 1×10 -4 Torr and an evaporation source temperature of approx.
Aluminum was deposited under conditions of 1450°C.
第１段目の蒸着に際しては、テープ幅56mm、厚
さ125μｍで、ポリイミドをフツ素系樹脂で被覆
した長さ３ｍのエンドレステープを11本使用し、
ベースフイルムが蒸着室を通過する際、テープが
ベースフイルムと密着状態となるように配置し
た。このようにして、ベースフイルムには60mm間
隔で幅４mmの蒸着層を形成した。蒸着層の厚さは
抵抗値で表わして2.5Ω／□（約330Å）に調整し
た。 For the first stage of vapor deposition, 11 endless tapes with a tape width of 56 mm and a thickness of 125 μm and a length of 3 m made of polyimide coated with fluorocarbon resin were used.
The tape was arranged so as to be in close contact with the base film when the base film passed through the deposition chamber. In this way, vapor deposited layers with a width of 4 mm were formed at intervals of 60 mm on the base film. The thickness of the deposited layer was adjusted to 2.5Ω/□ (approximately 330 Å) in terms of resistance.
第２段目の蒸着に際しては、第１段目の蒸着の
際に用いたのと同様のテープで幅４mmのものをフ
イルム上の非蒸着部とすべき位置に密着状態で配
置して第２段目の蒸着を行ない、ベースフイルム
に直接蒸着される部分及び、第１段目の蒸着によ
り形成された蒸着層の上に5Ω／□（約270Å）の
蒸着層を形成した。 For the second stage of vapor deposition, a tape similar to that used in the first stage, with a width of 4 mm, was placed in close contact with the non-evaporated area on the film. A second step of vapor deposition was performed to form a 5 Ω/□ (approximately 270 Å) vapor deposited layer on the portion directly deposited on the base film and on the vapor deposited layer formed by the first step of vapor deposition.
以上のようにして、対向電極部となる部分には
抵抗値5Ω／□、電極導出部との接続側端部とな
る部分には抵抗値1.7Ω／□のアルミニウム蒸着
層が形成された。 As described above, an aluminum vapor deposited layer having a resistance of 5 Ω/□ was formed on the portion that would become the counter electrode portion, and a resistance value of 1.7 Ω/□ was formed on the portion that would be the end on the connection side with the electrode lead-out portion.
1.7Ω／□の部分と5Ω／□の部分との境界は明
瞭でシヤープなものであつた。また、蒸着層は均
一で微細な表面を呈していた。 The boundary between the 1.7Ω/□ part and the 5Ω/□ part was clear and sharp. Furthermore, the deposited layer had a uniform and fine surface.
第１図〜第６図は、本発明の一実施例であるコ
ンデンサ用金属蒸着フイルムの製造方法の各段階
における長帯状フイルムの横幅に沿つての断面図
である。第７図は、本発明方法によつて製造され
る金属蒸着フイルムの使用状況の一例を示す斜視
図であり、第８図は、２枚の金属蒸着フイルムの
メタリコン層との接続状態を示す部分断面図であ
る。
１……プラスチツクフイルム、７……薄い金属
蒸着層、８……厚い金属蒸着層、１０……非蒸着
部。
1 to 6 are cross-sectional views along the width of a long strip-shaped film at each stage of a method for manufacturing a metallized film for a capacitor, which is an embodiment of the present invention. FIG. 7 is a perspective view showing an example of how the metallized film manufactured by the method of the present invention is used, and FIG. 8 is a portion showing how two metallized films are connected to the metallcon layer. FIG. 1... Plastic film, 7... Thin metal vapor deposited layer, 8... Thick metal vapor deposited layer, 10... Non vapor deposited part.
Claims (1)
て形成されるコンデンサ用金属蒸着フイルムの金
属蒸着層のうち、電極導出部との接続側端部の金
属蒸着層を対向電極部の金属蒸着層よりも厚く且
つ相対する金属蒸着フイルムの非蒸着部内にのみ
位置するように形成するに際して、電極導出部と
の接続側端部となる部分以外のプラスチツクフイ
ルム表面をエンドレステープで密着状態にマスキ
ングして第１段目の金属蒸着を行ない、該テープ
を取り除いて後、非蒸着部となる部分のプラスチ
ツクフイルム表面をエンドレステープで密着状態
に又はオイルでマスキングして第２段目の金属蒸
着を行なうことを特徴とするコンデンサ用金属蒸
着フイルムの製造方法。 ２ コンデンサ用金属蒸着フイルムが長帯状であ
り、対向電極部となる連続状態の薄い金属蒸着層
の一方の側に電極導出部との接続側端部となる連
続状態の厚い金属蒸着層と他方の側に連続状態の
非蒸着部を有し、これらの薄い金属蒸着層、厚い
金属蒸着層及び非蒸着部が各々複数設けられてな
るフイルムである特許請求の範囲第１項記載のコ
ンデンサ用金属蒸着フイルムの製造方法。 ３ 対向電極部の金属蒸着層の抵抗値が３〜
10Ω／□であり、電極導出部との接続側端部の金
属蒸着層の抵抗値が１〜2Ω／□である特許請求
の範囲第１項又は第２項記載のコンデンサ用金属
蒸着フイルムの製造方法。[Scope of Claims] 1. Among the metal vapor deposited layers of the metal vapor deposited film for capacitors, which are formed by vapor depositing metal on the surface of a plastic film, the metal vapor deposited layer at the end on the connection side with the electrode lead-out portion is used as the metal vapor deposited layer on the side of the connection side with the electrode lead-out portion. When forming the plastic film so that it is thicker than the metal vapor deposition layer and located only in the non-vapor deposited part of the opposing metal vapor deposition film, the surface of the plastic film other than the part that will be the connection side end with the electrode lead-out part is tightly attached with endless tape. The first stage of metal deposition is performed by masking, and after removing the tape, the surface of the plastic film that will not be deposited is tightly adhered with endless tape or masked with oil, and the second stage of metal deposition is performed. A method for producing a metal-deposited film for a capacitor, the method comprising: 2. The metal vapor deposited film for capacitors is in the form of a long strip, with a continuous thin metal vapor deposited layer serving as the counter electrode part, a continuous thick metal vapor depositing layer serving as the connection side end to the electrode lead-out part on one side, and a continuous metal vapor depositing layer on the other side. The metal vapor deposited capacitor according to claim 1, which is a film having a non-vapor deposited part in a continuous state on the side, and each of a plurality of thin metal vapor deposited layers, thick metal vapor deposited layers, and non-vapor deposited parts are provided. Film manufacturing method. 3 The resistance value of the metal vapor deposited layer of the counter electrode part is 3~
10 Ω/□, and the resistance value of the metal evaporated layer at the end connected to the electrode lead-out portion is 1 to 2 Ω/□. Method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57212673A JPS59103323A (en) | 1982-12-06 | 1982-12-06 | Method of producing metal deposited film for condenser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57212673A JPS59103323A (en) | 1982-12-06 | 1982-12-06 | Method of producing metal deposited film for condenser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59103323A JPS59103323A (en) | 1984-06-14 |
| JPH0239854B2 true JPH0239854B2 (en) | 1990-09-07 |
Family
ID=16626500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57212673A Granted JPS59103323A (en) | 1982-12-06 | 1982-12-06 | Method of producing metal deposited film for condenser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59103323A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0433427U (en) * | 1990-07-04 | 1992-03-18 |
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| JPS6328021A (en) * | 1986-07-21 | 1988-02-05 | 松下電器産業株式会社 | Metallized film capacitor |
| JP6761939B2 (en) * | 2015-10-21 | 2020-09-30 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Manufacturing method of metallized film |
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| JPS5112942U (en) * | 1974-07-16 | 1976-01-30 | ||
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1982
- 1982-12-06 JP JP57212673A patent/JPS59103323A/en active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59103323A (en) | 1984-06-14 |
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