JPH023969A - コンパクトイメージセンサ - Google Patents
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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-
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
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- Power Engineering (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はコンパクトイメージセンサに係る。該センサは
特に内視鏡検査法に適用され得る。この用途では、感光
表面、解像度、感度等の電気−光学性能特徴を許容可能
なレベルにｔｒｌｉ持しながら、センサが占めるスペー
スをできるだけ小さくする必要があることは自明である
。
特に内視鏡検査法に適用され得る。この用途では、感光
表面、解像度、感度等の電気−光学性能特徴を許容可能
なレベルにｔｒｌｉ持しながら、センサが占めるスペー
スをできるだけ小さくする必要があることは自明である
。
２・【胆良九へＬ覧
第１図及び第２図は従来技術のコンパクトイメージセン
サの概略図である。第１図はこのセンサの概略横断面図
、第２図は第１図のセンサの＾＾における１（χ略凹面
図である。第１図及び第２図中、同一要素については同
一の参照番号を１・ｔシた。
サの概略図である。第１図はこのセンサの概略横断面図
、第２図は第１図のセンサの＾＾における１（χ略凹面
図である。第１図及び第２図中、同一要素については同
一の参照番号を１・ｔシた。
このセンサは電気絶縁材料、例えば成形プラスチック材
料から１乍成された気密パッケージ１を有している。こ
のパッケージは、画像を得ようとする人体の器官又は物
体の一部からくる光線Ｒに対して透過性の電気絶縁材ｔ
１から作成された窓：３企備える前面２を有している。
料から１乍成された気密パッケージ１を有している。こ
のパッケージは、画像を得ようとする人体の器官又は物
体の一部からくる光線Ｒに対して透過性の電気絶縁材ｔ
１から作成された窓：３企備える前面２を有している。
窓３を形成する材料は例えはガラス又は透明プラスチッ
ク材料から成る。
ク材料から成る。
自明のことであるが、人体の器官の内側の画像を得るた
めにこのセンサ３使用する場合、この器官の内側はセン
サから独立した光源により照射さｉする。
めにこのセンサ３使用する場合、この器官の内側はセン
サから独立した光源により照射さｉする。
このセンサは更に、パッケージ１の背部を形成する後面
４含有している。この後面は前面に平行である。
４含有している。この後面は前面に平行である。
背部４及び窓３の間のパッケージの内側には、図面に概
略的に示すように、例えばセラミックから形成された絶
縁サポート５、及び半導体基板７上に配置された感光ニ
レメン１〜アセンブリ６を含むスタック構造が収容され
ている。
略的に示すように、例えばセラミックから形成された絶
縁サポート５、及び半導体基板７上に配置された感光ニ
レメン１〜アセンブリ６を含むスタック構造が収容され
ている。
この基板は例えばシリコンであり得、一方、感光エレメ
ントは場合によって電荷結合デバイス（ＣＣＤ）と連合
され得るフォトダイオードから構成される７トリツクス
を形成する。
ントは場合によって電荷結合デバイス（ＣＣＤ）と連合
され得るフォトダイオードから構成される７トリツクス
を形成する。
第２図により明確に示すように、感光エレメ、ンｊ・は
８のような接触エレメント又は接点を有する周囲Ｐによ
り画成された表面Ｓを形成する。これらの接点は例えば
９のような接続１〜ラツクによりアセンブリ６の感光エ
レメントに接続されている。
８のような接触エレメント又は接点を有する周囲Ｐによ
り画成された表面Ｓを形成する。これらの接点は例えば
９のような接続１〜ラツクによりアセンブリ６の感光エ
レメントに接続されている。
このセンサは更に、接点８を接続端子１０に接続するた
めに使用される接続手段を有している。これらの接続端
子はパッケージ１の背部４を貫通している。ここでは、
各接点８及び対応する各端子１０毎に導電ストラップ１
１及び中間導電部分１２が設けられている。導電ストラ
ップ１１は金、属製で弾性であり、例えば銅から作成さ
れている。このストラップは接触エレメント８及び中間
部分１２と接触し、該中間部分それ自体は端子ＩＯと接
触している。この中間部分も同様に銅から作成され得る
。こうして端子１０と接点８との間が導通する。センサ
の夫々の端子は各接点に対応する感光エレメントに給電
する。端子１０は更に、感光表面Ｓが光線Ｉ（により照
射されるときに、感光エレメントにより与えられる電気
信号の収集を可能にする。各接触エレメント８、ストラ
ップ１１、中間部分１２及び端子１０の間の電気的接触
は、パッケージの成形時に該パッケージにより窓３に加
えられる機械的圧力を介して確保される。
めに使用される接続手段を有している。これらの接続端
子はパッケージ１の背部４を貫通している。ここでは、
各接点８及び対応する各端子１０毎に導電ストラップ１
１及び中間導電部分１２が設けられている。導電ストラ
ップ１１は金、属製で弾性であり、例えば銅から作成さ
れている。このストラップは接触エレメント８及び中間
部分１２と接触し、該中間部分それ自体は端子ＩＯと接
触している。この中間部分も同様に銅から作成され得る
。こうして端子１０と接点８との間が導通する。センサ
の夫々の端子は各接点に対応する感光エレメントに給電
する。端子１０は更に、感光表面Ｓが光線Ｉ（により照
射されるときに、感光エレメントにより与えられる電気
信号の収集を可能にする。各接触エレメント８、ストラ
ップ１１、中間部分１２及び端子１０の間の電気的接触
は、パッケージの成形時に該パッケージにより窓３に加
えられる機械的圧力を介して確保される。
この型のセンサでは、感光表面Ｓの面積は外縁部Ｆによ
り画成されるパッケージ１の面表面の面積の２分の１未
満である。例えば前表面の面積が１６Ｉｎｆｆ１２のパ
ッケージでは、感光表面Ｓはこの前表面の４３％しか占
めない。残りの部分はかなりの程度までが接点８を対応
する端子１０に接続する全接続ニレメン１〜（スｌ〜ラ
ップ１１、中間部分１２）により占められる。前表面の
面積が１６ＩＩｌｌ１２のパッケージの場合、端子１０
の個数は６に制限され、センサの前表面の面積を増加せ
ずにこの数を増加することは不可能であるが、これは、
パッケージ中で接続エレメントにより占められるスペー
スが極めて大きいためであることは自明である。特に内
視鏡検査法では前表面の面積を増加することは望ましく
ない。この結果、従来技術では、前表面の面積が同一て
感光表面が遥かに広く且つ接続端子の数も多いような上
記構造の型のセンサは知られていない。このセンサの性
能特徴は制限されているので、このことは大きな欠点で
ある。
り画成されるパッケージ１の面表面の面積の２分の１未
満である。例えば前表面の面積が１６Ｉｎｆｆ１２のパ
ッケージでは、感光表面Ｓはこの前表面の４３％しか占
めない。残りの部分はかなりの程度までが接点８を対応
する端子１０に接続する全接続ニレメン１〜（スｌ〜ラ
ップ１１、中間部分１２）により占められる。前表面の
面積が１６ＩＩｌｌ１２のパッケージの場合、端子１０
の個数は６に制限され、センサの前表面の面積を増加せ
ずにこの数を増加することは不可能であるが、これは、
パッケージ中で接続エレメントにより占められるスペー
スが極めて大きいためであることは自明である。特に内
視鏡検査法では前表面の面積を増加することは望ましく
ない。この結果、従来技術では、前表面の面積が同一て
感光表面が遥かに広く且つ接続端子の数も多いような上
記構造の型のセンサは知られていない。このセンサの性
能特徴は制限されているので、このことは大きな欠点で
ある。
本発明の特定の目的は、前表面の面積を増加せずに、感
光表面及び接続端子の数を著しく増加することか可能な
コンパクトイメージセンサを作成することにより、上記
欠点を解決することである。
光表面及び接続端子の数を著しく増加することか可能な
コンパクトイメージセンサを作成することにより、上記
欠点を解決することである。
これらの目的は以下に詳細に説明するように、パッケー
ジ内に適切なスタック構造を配置し且つ極めてコンパク
トな接続エレメントを使用することにより達成される。
ジ内に適切なスタック構造を配置し且つ極めてコンパク
トな接続エレメントを使用することにより達成される。
１匪へｉ法
本発明の目的は、電気絶縁材料から作成された気密パッ
ケージを備えるコンパクトイメージセンサを提供するこ
とであり、該パッケージは光線に対して透過性の電気絶
縁材料から作成された窓を備える前面と、パッケージの
背部を形成する後面とを有しており、該センサは更に該
パッケージ中のパッケージの背部と窓との間に、絶縁サ
ポート、半導体基板を備える感光エレメントアセンブリ
を含むスタック構造を有しており、該感光エレメントは
、感光エレメントとの接続用接点及び該接点を接続端子
に接続するための接続手段を備える周囲により画成され
た感光表面を形成しており、該端子は感光エレメントへ
の給電を可能にすると共に、該エレメントの照射時に該
エレメントにより与えられる電気信号の収集を可能にす
るものであり、該接続端子はパッケージの背部を貫通し
ており、半導体基板は窓に対向するように配置されてお
り、感光エレメントは絶縁サポートに対向するように配
置されており且つ窓及び基板を透過した光線を受は取り
、接続端子は絶縁ザボーＩ・を貫通し、夫々の端部が感
光表面及び接点に対向する該サポートの面に露出してお
り、接続手段は端子の該端部及び対応する接点の間に挿
入されている。
ケージを備えるコンパクトイメージセンサを提供するこ
とであり、該パッケージは光線に対して透過性の電気絶
縁材料から作成された窓を備える前面と、パッケージの
背部を形成する後面とを有しており、該センサは更に該
パッケージ中のパッケージの背部と窓との間に、絶縁サ
ポート、半導体基板を備える感光エレメントアセンブリ
を含むスタック構造を有しており、該感光エレメントは
、感光エレメントとの接続用接点及び該接点を接続端子
に接続するための接続手段を備える周囲により画成され
た感光表面を形成しており、該端子は感光エレメントへ
の給電を可能にすると共に、該エレメントの照射時に該
エレメントにより与えられる電気信号の収集を可能にす
るものであり、該接続端子はパッケージの背部を貫通し
ており、半導体基板は窓に対向するように配置されてお
り、感光エレメントは絶縁サポートに対向するように配
置されており且つ窓及び基板を透過した光線を受は取り
、接続端子は絶縁ザボーＩ・を貫通し、夫々の端部が感
光表面及び接点に対向する該サポートの面に露出してお
り、接続手段は端子の該端部及び対応する接点の間に挿
入されている。
本発明の別の特徴によると、接続手段は夫々端子の端部
及び対応する接点の間に挿入された電気絶縁材料から作
成されたスペーサを含んでおり、これらのスペーサはこ
れらの端部及びこれらの端子と接触する。
及び対応する接点の間に挿入された電気絶縁材料から作
成されたスペーサを含んでおり、これらのスペーサはこ
れらの端部及びこれらの端子と接触する。
別の特徴によると、これらのスペーサはインジウムボー
ルである。
ルである。
別の特徴によると、該スペーサは導電性接着剤により形
成される。
成される。
別の特徴によると、接続手段は夫々該接点及び該端子の
対応する端部に対向するように配置された導電性材料ゾ
ーンを有する絶縁シートを有している。
対応する端部に対向するように配置された導電性材料ゾ
ーンを有する絶縁シートを有している。
別の特徴によると、該導電性材料は金属である。
本発明の特徴及び利点は添付図面に関する以下の説明に
より詳細に明示される。
より詳細に明示される。
Ｗ木昨
第３図の横断面図に概略的に示した本発明のセンサは、
電気絶縁材料、例えばプラスチック材料から作成された
密閉パッケージ２０から構成される。
電気絶縁材料、例えばプラスチック材料から作成された
密閉パッケージ２０から構成される。
このパッケージはプラスチック材料又はガラスのような
電気絶縁性で且つ透明な材料から作成された窓２２を備
える前面２１を有している。パッケージ２０及び窓２２
の間の密封は、例えば接着のような適当な手段により確
保される。窓２２は物体又は人体の器官の内側の一部か
らくる光線Ｒを受は取る。
電気絶縁性で且つ透明な材料から作成された窓２２を備
える前面２１を有している。パッケージ２０及び窓２２
の間の密封は、例えば接着のような適当な手段により確
保される。窓２２は物体又は人体の器官の内側の一部か
らくる光線Ｒを受は取る。
このパッケージの後面２３は窓２２に平行であり、パッ
ケージの背部を形成する。
ケージの背部を形成する。
パッケージの内側の背部２３及び窓２２の間には、例え
ばセラミックから作成された絶縁サポート２４、及び半
導体基板２６を備える感光エレメントアセンブリ２５を
含むスタック構造が収容されている。
ばセラミックから作成された絶縁サポート２４、及び半
導体基板２６を備える感光エレメントアセンブリ２５を
含むスタック構造が収容されている。
感光エレメントは、第３図のＢＢにおける第４図に明示
するような感光表面Ｓ１を形成する。この表面は感光エ
レメント２５との接続のための接点（例えば２７〉を有
する周囲Ｐ１により画成されている。
するような感光表面Ｓ１を形成する。この表面は感光エ
レメント２５との接続のための接点（例えば２７〉を有
する周囲Ｐ１により画成されている。
これらのエレメントは詳細には示していない。該ニレメ
ン１−は、場合によって表面Ｓ１の感光マトリックスを
形成する電荷結合デバイス（ＣＣＤ）に連合され得るフ
ォトダイオードから構成され得る。
ン１−は、場合によって表面Ｓ１の感光マトリックスを
形成する電荷結合デバイス（ＣＣＤ）に連合され得るフ
ォトダイオードから構成され得る。
このセンサは更に、接点２７を接続端子２８に接続する
ための接続手段を有しており、該端子は感光エレメント
への給電のを可能にすると共に、画像を得ようとする物
体又は器官の内側からくる光線Ｈにより照射されるとき
にこれらのエレメントから与えられる電気信号の収集を
可能にする。当然のことながら、この画像は端子２８で
収集された信号を処理することにより得られる。接続端
子２８はパッケージ２０の背部２３を貫通し、更に本発
明に従って絶縁サボー）〜２４をπ通する。各端子の各
端部３０は絶縁サポートから露出し、感光ニレメンＩ・
２５及び接点２７に対向するこのサポートの面に到達す
る。
ための接続手段を有しており、該端子は感光エレメント
への給電のを可能にすると共に、画像を得ようとする物
体又は器官の内側からくる光線Ｈにより照射されるとき
にこれらのエレメントから与えられる電気信号の収集を
可能にする。当然のことながら、この画像は端子２８で
収集された信号を処理することにより得られる。接続端
子２８はパッケージ２０の背部２３を貫通し、更に本発
明に従って絶縁サボー）〜２４をπ通する。各端子の各
端部３０は絶縁サポートから露出し、感光ニレメンＩ・
２５及び接点２７に対向するこのサポートの面に到達す
る。
本発明によると、半導体基板２６（例えばシリコンから
作成されている）は窓２２に対向するように配置され、
感光エレメントは絶縁サボー）・２４に対向するように
配置されている。上記従来型のセンサでは、第１図に示
すように逆の構成が選択されている。半導体基板７は絶
縁サポー１〜５に対向してＪ３す、感光エレメント６は
窓３に対向している。その結果、１足来技術のセンサで
は、光線Ｒは窓３を透過後に感光エレメント６により直
接受は収られる。
作成されている）は窓２２に対向するように配置され、
感光エレメントは絶縁サボー）・２４に対向するように
配置されている。上記従来型のセンサでは、第１図に示
すように逆の構成が選択されている。半導体基板７は絶
縁サポー１〜５に対向してＪ３す、感光エレメント６は
窓３に対向している。その結果、１足来技術のセンサで
は、光線Ｒは窓３を透過後に感光エレメント６により直
接受は収られる。
これに対して本発明のセンサ（第３図及び第４図）では
、光線Ｒは窓２２及び半導体基板２６を透過した後に感
光エレメント２５により受は取られ、このような半導体
基板は標準半導体基板の厚さを薄くすることにより得ら
れ、この場合、既知のセンサの半導体基板よりも遥かに
小さい厚さ〈従来の数十ミクロンに対して１０〜１５ミ
クロン）を有する。第４図に示すように、この従来と逆
の構成では明らかにパッケージの内側の感光表面の面積
を大幅に増加することか可能である。これは、接点２７
がパッケージの背部及び対応する接続端子２８に対向す
るように配置されているからである。従って、以下に詳
述するように、これらの接点及びこれらの端子を夫々接
続するために使用される接続手段により占められるスペ
ースを減少させることが可能である。
、光線Ｒは窓２２及び半導体基板２６を透過した後に感
光エレメント２５により受は取られ、このような半導体
基板は標準半導体基板の厚さを薄くすることにより得ら
れ、この場合、既知のセンサの半導体基板よりも遥かに
小さい厚さ〈従来の数十ミクロンに対して１０〜１５ミ
クロン）を有する。第４図に示すように、この従来と逆
の構成では明らかにパッケージの内側の感光表面の面積
を大幅に増加することか可能である。これは、接点２７
がパッケージの背部及び対応する接続端子２８に対向す
るように配置されているからである。従って、以下に詳
述するように、これらの接点及びこれらの端子を夫々接
続するために使用される接続手段により占められるスペ
ースを減少させることが可能である。
本発明の接続手段は夫々これらの接点２７及び該接点に
対応する端子２８の間に挿入されている。
対応する端子２８の間に挿入されている。
第３図及び第４図に示すような本発明のセンサの第１の
具体例によると、これらの接続手段は導電性材料からｆ
ｆｆ成されたスペーサ２９を含んでいる。
具体例によると、これらの接続手段は導電性材料からｆ
ｆｆ成されたスペーサ２９を含んでいる。
これらのスペーサは夫々接点２７及び対応する端子２８
の端部３０の間に挿入されている。各スペーサは、それ
自体基板２６に支承されている窓２２にパッケージによ
り加えられる機械的圧力により、対応する端：Ｆ２８の
端部３０と接触する。これらのスペーサはこの具体例で
は接点２７上に真空下で成長させることにより得られる
インジウムのボールにより形成され得る。パッケージが
スタック構造の周囲に成形されると、これらのボールは
パッケージにより窓に加えられる機械的圧力によりやや
へこみ、こうしてこれらのボールと端子２８の端部３０
との間に良好な電気的接触が確保される。
の端部３０の間に挿入されている。各スペーサは、それ
自体基板２６に支承されている窓２２にパッケージによ
り加えられる機械的圧力により、対応する端：Ｆ２８の
端部３０と接触する。これらのスペーサはこの具体例で
は接点２７上に真空下で成長させることにより得られる
インジウムのボールにより形成され得る。パッケージが
スタック構造の周囲に成形されると、これらのボールは
パッケージにより窓に加えられる機械的圧力によりやや
へこみ、こうしてこれらのボールと端子２８の端部３０
との間に良好な電気的接触が確保される。
これらのスペーサは例えは銀を含有するエポキシ樹脂の
ような導電性接着剤により形成してもよい。
ような導電性接着剤により形成してもよい。
第５図は接点２７及び端子２８の端部３０の間に挿入さ
れた接続手段の別の具体例を示す概略斜視図である。こ
の具体例では、これらの接続手段は導電性材料のゾーン
３２を有する絶縁シート３１により形成されている。こ
れらのゾーン３２は夫々接点２７及び対応する端子２８
の端部３０に対向するように配置されている。導電ゾー
ンは金属（例えば１；Ｉ）である。
れた接続手段の別の具体例を示す概略斜視図である。こ
の具体例では、これらの接続手段は導電性材料のゾーン
３２を有する絶縁シート３１により形成されている。こ
れらのゾーン３２は夫々接点２７及び対応する端子２８
の端部３０に対向するように配置されている。導電ゾー
ンは金属（例えば１；Ｉ）である。
絶縁シー１へ３１はエクスミーマー材利から１乍成され
得る。センサのアセンブリの間、この絶縁シート３１は
感光エレメントアセンブリ２５及び端子２８の端部：）
０の間に挿入される。パッケージにより窓２２に加えら
れる圧力は、導電ゾーン３２、端子２８の端部３０及び
接点２７の間に良好な接触念確保する。前記構造により
、感光ニレメン１〜のセラＩ・の表面Ｓ１の面積は従来
技術のセンサのこれらのエレメントの表面Ｓの面積の少
なくとも２分の１になり得る。接続端子の数についても
、従来技術のセンサより遥かに増加する。これらの［」
的は、センサの前表面を変えずに達せられる。
得る。センサのアセンブリの間、この絶縁シート３１は
感光エレメントアセンブリ２５及び端子２８の端部：）
０の間に挿入される。パッケージにより窓２２に加えら
れる圧力は、導電ゾーン３２、端子２８の端部３０及び
接点２７の間に良好な接触念確保する。前記構造により
、感光ニレメン１〜のセラＩ・の表面Ｓ１の面積は従来
技術のセンサのこれらのエレメントの表面Ｓの面積の少
なくとも２分の１になり得る。接続端子の数についても
、従来技術のセンサより遥かに増加する。これらの［」
的は、センサの前表面を変えずに達せられる。
第１図は従来技術のセンサの概略横断面図、第２図は第
１図のセンサの＾Δにおける概略断面図、第３図は本発
明のセンサの概略横断面図、第４図は第３図のＢＩＩに
おける概略断面図、第５図は本発明のセンサで使用され
る接続手段の１具体例の概略斜視図である。 ２０・・・・パッケージ、２１・・・・１１汀面、２２
・・ ・窓、２３・・・・・後面、２４・・・・・・絶
縁ザボート、２５・・・・・・感光エレメントアセンブ
リ、２６・・・・・半導体基板、２７・・・・・・接点
、２８・・・・・・接続端子、２９・・・・・・スペー
サ、３１・・・・・・絶縁シート、３２・・・・・・導
電ゾーン。
１図のセンサの＾Δにおける概略断面図、第３図は本発
明のセンサの概略横断面図、第４図は第３図のＢＩＩに
おける概略断面図、第５図は本発明のセンサで使用され
る接続手段の１具体例の概略斜視図である。 ２０・・・・パッケージ、２１・・・・１１汀面、２２
・・ ・窓、２３・・・・・後面、２４・・・・・・絶
縁ザボート、２５・・・・・・感光エレメントアセンブ
リ、２６・・・・・半導体基板、２７・・・・・・接点
、２８・・・・・・接続端子、２９・・・・・・スペー
サ、３１・・・・・・絶縁シート、３２・・・・・・導
電ゾーン。
Claims (6)
- （１）電気絶縁材料から作成された気密パッケージを含
むコンパクトイメージセンサであって、該パッケージは
光線に対して透過性の電気絶縁材料から作成された窓を
備える前面と、パッケージの背部を形成する後面とを有
しており、該センサは更に、該パッケージ中でパッケー
ジの背部と窓との間に、絶縁サポート、半導体基板を備
える感光エレメントのアセンブリを含むスタック構造を
有しており、該感光エレメントは、感光エレメントとの
接続用接点及び該接点を接続端子に接続させるための接
続手段を備える周囲により画成された感光表面を形成し
ており、該端子は、感光エレメントへの給電を可能にす
ると共に、該エレメントの照射時に該エレメントにより
与えられる電気信号の収集を可能にするものであり、該
接続端子はパッケージの背部を貫通しており、半導体基
板は窓に対向するように配置されており、感光エレメン
トは絶縁サポートに対向するように配置されており且つ
窓及び基板を透過した光線を受け取り、接続端子は絶縁
サポートを貫通し、夫々の端部が感光表面及び接点に対
向する該サポートの面に露出しており、接続手段は端子
の該端部及び対応する接点との間に挿入されている前記
コンパクトイメージセンサ。 - （２）接続手段が夫々端子の端部及び対応する接点の間
に挿入された導電性材料から作成されたスペーサを含ん
でおり、該スペーサがこれらの端部及びこれらの端子に
接触している請求項１に記載のイメージセンサ。 - （３）該スペーサがインジウムのボールである請求項１
に記載のセンサ。 - （４）該スペーサが導電性接着剤により形成されている
請求項１に記載のセンサ。 - （５）接続手段が夫々該接点及び該端子の対応する端部
に対向するように配置された導電性材料のゾーンを含む
絶縁シートを含んでいる請求項１に記載のセンサ。 - （６）該導電性材料が金属である請求項５に記載のセン
サ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8800679A FR2626408B1 (fr) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | Capteur d'image a faible encombrement |
| FR8800679 | 1988-01-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH023969A true JPH023969A (ja) | 1990-01-09 |
Family
ID=9362509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1011780A Pending JPH023969A (ja) | 1988-01-22 | 1989-01-20 | コンパクトイメージセンサ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5051802A (ja) |
| EP (1) | EP0325525B1 (ja) |
| JP (1) | JPH023969A (ja) |
| DE (1) | DE68900072D1 (ja) |
| FR (1) | FR2626408B1 (ja) |
Families Citing this family (41)
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| US11631647B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-04-18 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Integrated device packages with integrated device die and dummy element |
| US11764177B2 (en) | 2020-09-04 | 2023-09-19 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Bonded structure with interconnect structure |
| US11728273B2 (en) | 2020-09-04 | 2023-08-15 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Bonded structure with interconnect structure |
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| JPS5840870A (ja) * | 1981-09-03 | 1983-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 受光装置の製造方法 |
| JPS58107788A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-27 | Mitsubishi Electric Corp | 固体カラ−イメ−ジセンサ |
| JPS5947774A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-17 | Fuji Electric Co Ltd | 光半導体装置 |
| JPS5996751A (ja) * | 1982-11-26 | 1984-06-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
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1988
- 1988-01-22 FR FR8800679A patent/FR2626408B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-01-17 EP EP89400130A patent/EP0325525B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-17 DE DE8989400130T patent/DE68900072D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-20 JP JP1011780A patent/JPH023969A/ja active Pending
-
1990
- 1990-08-06 US US07/563,826 patent/US5051802A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US5051802A (en) | 1991-09-24 |
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| DE68900072D1 (de) | 1991-06-13 |
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| EP0325525B1 (fr) | 1991-05-08 |
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