JPH02384A - 太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
太陽電池およびその製造方法Info
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- JPH02384A JPH02384A JP63020109A JP2010988A JPH02384A JP H02384 A JPH02384 A JP H02384A JP 63020109 A JP63020109 A JP 63020109A JP 2010988 A JP2010988 A JP 2010988A JP H02384 A JPH02384 A JP H02384A
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、裏面に陽極及び陰極の２つの電極を有する
太陽電池及びその製造方法に関するものである。
太陽電池及びその製造方法に関するものである。
セルの裏面に陽極及び陰極の２つの電極を有する太陽電
池はその配線をセルの裏面で行なうことができるため、
宇宙用太陽電池を構成する場合に導体部分を宇宙空間プ
ラズマと絶縁することが比較的容易である。
池はその配線をセルの裏面で行なうことができるため、
宇宙用太陽電池を構成する場合に導体部分を宇宙空間プ
ラズマと絶縁することが比較的容易である。
第８図はテクニカル ダイジェスト オブ ジインター
ナショナル ホトポルクイック サイエンス アンド
エンジニアリング コンファレンス、 １９８４年１１
月、 ｐ、１３７に掲載された、裏面に陽極及び陰極の
２つの電極を有する従来の太陽電池を示す図であり、図
において、２０はｐ形基板、２１はｎ１拡散層、２２は
ｐ゛拡散層、２３はｐ形電極、２４はｎ形電極である。
ナショナル ホトポルクイック サイエンス アンド
エンジニアリング コンファレンス、 １９８４年１１
月、 ｐ、１３７に掲載された、裏面に陽極及び陰極の
２つの電極を有する従来の太陽電池を示す図であり、図
において、２０はｐ形基板、２１はｎ１拡散層、２２は
ｐ゛拡散層、２３はｐ形電極、２４はｎ形電極である。
次に本従来例の製造方法について説明する。
まず予め所望の大きさ、厚さに加工されたｐ形基板２０
の全面をＳｉ、０２等の拡散マスクで覆った後、該拡散
マスクの裏面の所定領域を除去して窓を形成し、該窓よ
りＢＳＦ拡散を行なってｐ゛拡散層２２を形成する。そ
の後、再び基板２０の全面をＳｔｏｗ等の拡散マスクで
覆った後、該拡散マス゛りの前の工程で窓となった領域
及びその周辺を除く領域を除去し、この拡散マスクをマ
スクとしてｎ゛拡散行ない、ｎ゛拡散１１２１を形成す
る。これによりｐ形基板２０とｎ゛拡散１ｉ２１の境界
にｐ−ｎ接合゛が形成される。そして、マスクを６用い
た蒸着法等によって電極２３．２４を形成してセルが完
成する。
の全面をＳｉ、０２等の拡散マスクで覆った後、該拡散
マスクの裏面の所定領域を除去して窓を形成し、該窓よ
りＢＳＦ拡散を行なってｐ゛拡散層２２を形成する。そ
の後、再び基板２０の全面をＳｔｏｗ等の拡散マスクで
覆った後、該拡散マス゛りの前の工程で窓となった領域
及びその周辺を除く領域を除去し、この拡散マスクをマ
スクとしてｎ゛拡散行ない、ｎ゛拡散１１２１を形成す
る。これによりｐ形基板２０とｎ゛拡散１ｉ２１の境界
にｐ−ｎ接合゛が形成される。そして、マスクを６用い
た蒸着法等によって電極２３．２４を形成してセルが完
成する。
従来の裏面に陽極及び陰極の２つの電極を有する太陽電
池は以上のように構成されており、そのｐ−ｎ接合が不
純物拡散によって形成されているため、必ずしも性能の
良いものではなく、またその製造においては、できあが
りの形状でセルプロセスを行なう必要があるため処理数
量が増え、プロセス処理が面倒なものとなり、コストが
高（つ（という問題点があった。
池は以上のように構成されており、そのｐ−ｎ接合が不
純物拡散によって形成されているため、必ずしも性能の
良いものではなく、またその製造においては、できあが
りの形状でセルプロセスを行なう必要があるため処理数
量が増え、プロセス処理が面倒なものとなり、コストが
高（つ（という問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、低コストで製造でき２、高効率で高耐放射線
性を有する、裏面に陽極及び陰極の２つの電極を有する
太陽電池とその製造方法を得ることを目的とする。
たもので、低コストで製造でき２、高効率で高耐放射線
性を有する、裏面に陽極及び陰極の２つの電極を有する
太陽電池とその製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る太陽電池は、裏面に陽極及び陰極の２つ
の電極を有する太陽電池において、分離拡散した基板と
、少なくとも分離層の一部を除いた上記基板上にエピタ
キシャル成長により形成した該基板と同じ導電形を有す
る第１の半導体層と、該第１の半導体層上に上記分離層
と接続してエピタキシャル成長により形成された導電形
の異なる第２の半導体層とを備え、該第２の半導体層表
面の電極と分離層裏面の電極とを接続したものである。
の電極を有する太陽電池において、分離拡散した基板と
、少なくとも分離層の一部を除いた上記基板上にエピタ
キシャル成長により形成した該基板と同じ導電形を有す
る第１の半導体層と、該第１の半導体層上に上記分離層
と接続してエピタキシャル成長により形成された導電形
の異なる第２の半導体層とを備え、該第２の半導体層表
面の電極と分離層裏面の電極とを接続したものである。
また、この発明に係る太陽電池の製造方法は、予め分離
拡散をしたＧａＡｓ基板上にＭＯＣＶＤ法によってｐ−
ｎ接合を形成するものである。
拡散をしたＧａＡｓ基板上にＭＯＣＶＤ法によってｐ−
ｎ接合を形成するものである。
この発明における太陽電池は、分離拡散した基板と、少
なくとも分離層の一部を除いた上記基板上にエピタキシ
ャル成長により形成した該基板と同じ導電形を有する第
１の半導体層と、該第１の半導体層上に上記分離層と接
続してエピタキシャル成長により形成された導電形の異
なる第２の半導体層とを備え、該第２の半導体層表面の
電極と分離層裏面の電極とを接続した構成としたから、
１枚のウェハから複数個のセルが製作できるため、低コ
ストとなる。
なくとも分離層の一部を除いた上記基板上にエピタキシ
ャル成長により形成した該基板と同じ導電形を有する第
１の半導体層と、該第１の半導体層上に上記分離層と接
続してエピタキシャル成長により形成された導電形の異
なる第２の半導体層とを備え、該第２の半導体層表面の
電極と分離層裏面の電極とを接続した構成としたから、
１枚のウェハから複数個のセルが製作できるため、低コ
ストとなる。
またこの発明における太陽電池の製造方法では、予め分
離拡散をしたＧａＡｓ基板上にＭＯＣＶＤ法によってｐ
−ｎ接合を形成するようにしたから、ＧａＡｓ結晶の熱
処理による品質の劣化１ ｐ−ｎ接合の移動のない、
裏面に陽極及び陰極を有し、ＭＯＣＶＤ法による高品質
のＧａＡｓ結晶により形成された、深さ０．５μｍ程度
の浅いｐ−ｎ接合を持つ光電変換効率の高い、高耐放射
線性に秀れた、裏面だけで配線が可能な太陽電池を得る
ことができる。
離拡散をしたＧａＡｓ基板上にＭＯＣＶＤ法によってｐ
−ｎ接合を形成するようにしたから、ＧａＡｓ結晶の熱
処理による品質の劣化１ ｐ−ｎ接合の移動のない、
裏面に陽極及び陰極を有し、ＭＯＣＶＤ法による高品質
のＧａＡｓ結晶により形成された、深さ０．５μｍ程度
の浅いｐ−ｎ接合を持つ光電変換効率の高い、高耐放射
線性に秀れた、裏面だけで配線が可能な太陽電池を得る
ことができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の第１の実施例による太陽電池を示す断
面図であり、図において、１はｎ形ＧａＡｓ基板、２は
ｎ形ＧａＡｓ層、３はｐ形ＧａＡＳ＠、４はｐ−ｎ接合
、６はＺｎ拡散層、７はｎ形電極、８は表面のｎ形電極
、９は裏面のｎ形電極、１０は側面のｎ形電極である。
面図であり、図において、１はｎ形ＧａＡｓ基板、２は
ｎ形ＧａＡｓ層、３はｐ形ＧａＡＳ＠、４はｐ−ｎ接合
、６はＺｎ拡散層、７はｎ形電極、８は表面のｎ形電極
、９は裏面のｎ形電極、１０は側面のｎ形電極である。
また第２図は木筆１の実施例の製造工程を示す断面図で
ある。
ある。
次に製造工程について説明する。
まず第２図（ａ）に示すように、ｎ形ＧａＡｓ基板１上
に例えば有機金属熱分解気相成長法（以下ＭＯＣＶＤ法
と記す）によってｎ形ＧａＡｓ層２゜ｐ形ＧａＡｓ層３
を成長させ、光起電力効果をもたらすｐ−ｎ接合４を形
成する。通常ｎ形ＧａＡＳ基板１の厚みは３００μｍ、
ｎ形ＧａＡｓ層２の厚みは５．ｕｎ、ｐ形ＧａＡｓ層３
の厚みは０．５ｐｍ程度であり、ＭＯＣＶＤは７００〜
８００℃の温度範囲で行なうことにより良質のｐ−ｎ接
合４が得られる。次に第２図（ｂ）に示すように、いわ
ゆる分離拡散を行なう。すなわちｎ形ＧａＡｓ基板１の
裏面及びｐ形ＧａＡｓ層３の表面にＳｉ３Ｎ４膜５を形
成後、素子境界となるべき部分付近のＳｉ、Ｎ４膜５を
選択的に除去して、相対向するｎ形ＧａＡｓ基板ｌの裏
面とｐ形ＣｒａＡｓ層３表面の一部を露出する。この露
出した面から封管法によるＺｎ拡散によって分離層６を
形成する。３００μｍの厚みのｎ形ＧａＡｓ基板の分離
拡散を行なうには９００℃、５０時間の高温長時間の熱
処理が必要である。分離マスクとして使用したＳｉ、Ｎ
４膜５を除去した後、第２図（Ｃ１に示すようにｎ形Ｇ
ａＡｓ基板１の裏面のｎ形電極７．ｐ形ＧａＡｓ層３と
分離層６の表面に接触するｎ形電極８、分ＭＮ６の裏面
のｎ形電極９をそれぞれオーム性電極となる金属材料の
真空蒸着などの方法によって形成する。そして第２図（
ｄｌに示すように、少なくとも一つの分離層６を形成し
た部分をダイシングすることによってチップ分離を行な
う。最後にダイシングにより露出した分離Ｎ６の側面に
メツキなどの方法によって、表面のｎ形電極８゜裏面の
ｎ形電極９を接続する側面のｎ形電極１０を形成して第
１図に示す太陽電池が完成する。
に例えば有機金属熱分解気相成長法（以下ＭＯＣＶＤ法
と記す）によってｎ形ＧａＡｓ層２゜ｐ形ＧａＡｓ層３
を成長させ、光起電力効果をもたらすｐ−ｎ接合４を形
成する。通常ｎ形ＧａＡＳ基板１の厚みは３００μｍ、
ｎ形ＧａＡｓ層２の厚みは５．ｕｎ、ｐ形ＧａＡｓ層３
の厚みは０．５ｐｍ程度であり、ＭＯＣＶＤは７００〜
８００℃の温度範囲で行なうことにより良質のｐ−ｎ接
合４が得られる。次に第２図（ｂ）に示すように、いわ
ゆる分離拡散を行なう。すなわちｎ形ＧａＡｓ基板１の
裏面及びｐ形ＧａＡｓ層３の表面にＳｉ３Ｎ４膜５を形
成後、素子境界となるべき部分付近のＳｉ、Ｎ４膜５を
選択的に除去して、相対向するｎ形ＧａＡｓ基板ｌの裏
面とｐ形ＣｒａＡｓ層３表面の一部を露出する。この露
出した面から封管法によるＺｎ拡散によって分離層６を
形成する。３００μｍの厚みのｎ形ＧａＡｓ基板の分離
拡散を行なうには９００℃、５０時間の高温長時間の熱
処理が必要である。分離マスクとして使用したＳｉ、Ｎ
４膜５を除去した後、第２図（Ｃ１に示すようにｎ形Ｇ
ａＡｓ基板１の裏面のｎ形電極７．ｐ形ＧａＡｓ層３と
分離層６の表面に接触するｎ形電極８、分ＭＮ６の裏面
のｎ形電極９をそれぞれオーム性電極となる金属材料の
真空蒸着などの方法によって形成する。そして第２図（
ｄｌに示すように、少なくとも一つの分離層６を形成し
た部分をダイシングすることによってチップ分離を行な
う。最後にダイシングにより露出した分離Ｎ６の側面に
メツキなどの方法によって、表面のｎ形電極８゜裏面の
ｎ形電極９を接続する側面のｎ形電極１０を形成して第
１図に示す太陽電池が完成する。
木筆１の実施例による太陽電池は以上のように製造され
、１枚のウェハから複数個のセルが得られるため、従来
のものに比して低コストとなる。
、１枚のウェハから複数個のセルが得られるため、従来
のものに比して低コストとなる。
次に本発明の第２の実施例について説明する。
上記第１の実施例による製造方法には以下のような問題
点がある。すなわち上記第１の実施例の製造方法ではｐ
−ｎ接合を形成した後に分離拡散のための高温長時間の
熱処理を行なっているため、ｎ形ＧａＡｓ層２． ｐ形
ＧａＡｓ層３の結晶品質が劣化して太陽電池の光電変換
効率が大幅に低下してしまうという点、分離拡散中にｐ
形ＧａＡｓ層３内の不純物がｎ形ＧａＡｓ層２中に拡散
してｐ−ｎ接合が表面から２〜３μｍの所に移動して仕
舞う点である。宇宙用太陽電池として高耐放射線性を維
持するにはｐ−ｎ接合の深さは０．５μｍ程度に制御し
なければならず、上述のようにｐｎ接合が移動すること
で高耐放射線性は低下する。
点がある。すなわち上記第１の実施例の製造方法ではｐ
−ｎ接合を形成した後に分離拡散のための高温長時間の
熱処理を行なっているため、ｎ形ＧａＡｓ層２． ｐ形
ＧａＡｓ層３の結晶品質が劣化して太陽電池の光電変換
効率が大幅に低下してしまうという点、分離拡散中にｐ
形ＧａＡｓ層３内の不純物がｎ形ＧａＡｓ層２中に拡散
してｐ−ｎ接合が表面から２〜３μｍの所に移動して仕
舞う点である。宇宙用太陽電池として高耐放射線性を維
持するにはｐ−ｎ接合の深さは０．５μｍ程度に制御し
なければならず、上述のようにｐｎ接合が移動すること
で高耐放射線性は低下する。
第３図は上述のような第１の実施例の問題点を解消した
本発明の第２の実施例による太陽電池を示す断面図、第
４図はその製造工程を示す断面図であり、図において、
第１図、第２図と同一符号は同−又は相当部分である。
本発明の第２の実施例による太陽電池を示す断面図、第
４図はその製造工程を示す断面図であり、図において、
第１図、第２図と同一符号は同−又は相当部分である。
次に製造工程について説明する。
まず厚み３００μｍのｎ形ＧａＡｓ基板１の表面及び裏
面にＳ ｉ ３ Ｎ４１ｍ５を１０００人の厚みで形成
した後、素子境界となるべき部分のＳｔ。
面にＳ ｉ ３ Ｎ４１ｍ５を１０００人の厚みで形成
した後、素子境界となるべき部分のＳｔ。
Ｎ４膜５を除去してｎ形ＧａＡｓ基板１の表面と裏面の
一部を露出させる。この基板と拡散源のＺｎとＡｓ圧制
御のためのＡｓを石英管に真空封止し、９００℃で４８
時間の熱処理を加えることによって露出したＧａＡｓ面
からＺｎを拡散して、第４図（ａ）に示すようにｐ影領
域からなる分ＭＮ６を形成する。分離拡散マスクとして
使用したＳｉ３ Ｎ４膜５を除去して、適当な前処理（
成長面の表面処理等）を施した後、第４図（ｂ）に示す
ようにＭＯＣＶＤ法によって、分離層６が設けられたｎ
形ＧａＡｓ基板１の表面全体に厚み５μｍのｎ形ＧａＡ
ｓ層２を形成する０次に第４図（Ｃ１に示すように分離
層６上のｎ形Ｇ ａ Ａ ｓ Ｊｉｇ ２をエツチング
等の方法により選択的に除去する。この時図面の紙面と
直角の方向にメサストライプを形成する場合には、いわ
ゆる順メサ方向となるような基板面方位を用いることが
後の工程でｐ形電極８を形成する際、段差カバーの上で
効果的である０次に露出した分離１ｉ６表面とｎ形Ｇａ
Ａｓ層２上に厚み０．５μｍのｐ形ＧａＡｓ層３をＭＯ
ＣＶＤ法によって第４図Ｔｄ）に示すように成長させ、
光起電力効果をもたらすｐ−ｎ接合４を形成する。そし
て第４図ｔｅｌに示すようにｎ形ＧａＡｓ基板ｌの裏面
のｎ形電極？、 ｐ形ＧａＡｓ層３の表面のｐ形電極
８、分離層６の裏面のｐ形電極９を形成する。具体的に
はｎ形電極としてＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ、ｐ形電極としてＴ
ｉ／Ａｇを真空蒸着後、４００℃程度の熱処理を行なう
などの公知の方法によりオーム性電極を形成する。そし
て第４図（ｆ）に示すように、少なくとも一つの分離１
１６を形成した部分をダイシングすることによってチッ
プ分離を行なう。
一部を露出させる。この基板と拡散源のＺｎとＡｓ圧制
御のためのＡｓを石英管に真空封止し、９００℃で４８
時間の熱処理を加えることによって露出したＧａＡｓ面
からＺｎを拡散して、第４図（ａ）に示すようにｐ影領
域からなる分ＭＮ６を形成する。分離拡散マスクとして
使用したＳｉ３ Ｎ４膜５を除去して、適当な前処理（
成長面の表面処理等）を施した後、第４図（ｂ）に示す
ようにＭＯＣＶＤ法によって、分離層６が設けられたｎ
形ＧａＡｓ基板１の表面全体に厚み５μｍのｎ形ＧａＡ
ｓ層２を形成する０次に第４図（Ｃ１に示すように分離
層６上のｎ形Ｇ ａ Ａ ｓ Ｊｉｇ ２をエツチング
等の方法により選択的に除去する。この時図面の紙面と
直角の方向にメサストライプを形成する場合には、いわ
ゆる順メサ方向となるような基板面方位を用いることが
後の工程でｐ形電極８を形成する際、段差カバーの上で
効果的である０次に露出した分離１ｉ６表面とｎ形Ｇａ
Ａｓ層２上に厚み０．５μｍのｐ形ＧａＡｓ層３をＭＯ
ＣＶＤ法によって第４図Ｔｄ）に示すように成長させ、
光起電力効果をもたらすｐ−ｎ接合４を形成する。そし
て第４図ｔｅｌに示すようにｎ形ＧａＡｓ基板ｌの裏面
のｎ形電極？、 ｐ形ＧａＡｓ層３の表面のｐ形電極
８、分離層６の裏面のｐ形電極９を形成する。具体的に
はｎ形電極としてＡｕ−Ｇｅ−Ｎｉ、ｐ形電極としてＴ
ｉ／Ａｇを真空蒸着後、４００℃程度の熱処理を行なう
などの公知の方法によりオーム性電極を形成する。そし
て第４図（ｆ）に示すように、少なくとも一つの分離１
１６を形成した部分をダイシングすることによってチッ
プ分離を行なう。
最後にダイシングにより露出した分離層６の側面にメツ
キなどの方法によって、表面のｐ形電極８゜裏面のｐ形
電極９を接続する側面のｐ形電極ｌＯを形成して第３図
に示す太陽電池が完成する。
キなどの方法によって、表面のｐ形電極８゜裏面のｐ形
電極９を接続する側面のｐ形電極ｌＯを形成して第３図
に示す太陽電池が完成する。
この第２の実施例の製造方法によれば、上記第１の実施
例同様、１枚のウェハから複数個のセルが得られ、太陽
電池の低コスト化が図れる効果がある。また、上述のよ
うに予め分離拡散をしたＧａＡｓ基板上にＭＯＣＶＤ法
によってｐ−ｎ接合を形成するようにしたから、上記第
１の実施例で問題となったＧａＡｓ結晶の熱処理による
品質の劣化、ｐ−ｎ接合の移動も生じない、従って、裏
面に陽極及び陰極を有し、ＭＯＣＶＤ法による高品質の
ＧａＡｓ結晶により形成された、深さ０．５μｍ程度の
浅いｐ−ｎ接合を持つ光電変換効率の高い、高耐放射線
性に秀れた太陽電池を得ることができる効果がある。
例同様、１枚のウェハから複数個のセルが得られ、太陽
電池の低コスト化が図れる効果がある。また、上述のよ
うに予め分離拡散をしたＧａＡｓ基板上にＭＯＣＶＤ法
によってｐ−ｎ接合を形成するようにしたから、上記第
１の実施例で問題となったＧａＡｓ結晶の熱処理による
品質の劣化、ｐ−ｎ接合の移動も生じない、従って、裏
面に陽極及び陰極を有し、ＭＯＣＶＤ法による高品質の
ＧａＡｓ結晶により形成された、深さ０．５μｍ程度の
浅いｐ−ｎ接合を持つ光電変換効率の高い、高耐放射線
性に秀れた太陽電池を得ることができる効果がある。
次に本発明の第３の実施例について説明する。
第５図は本発明の第３の実施例による太陽電池を示す断
面図、第６図はその製造工程を示す断面図であり、図に
おいて、第１図、第２図と同一符号は同−又は相当部分
である。
面図、第６図はその製造工程を示す断面図であり、図に
おいて、第１図、第２図と同一符号は同−又は相当部分
である。
次に製造工程について説明する。
先ず上記第２の実施例と同様の工程で、ｎ形ＧａＡｓ基
板ｌに第６図（ａｌに示すようにｐ影領域からなる分離
Ｎ６を形成する０分離拡散マスクとして使用した５ｉｉ
Ｎａ膜５を除去して、適当な前処理（成長面の表面処理
等）を施した後、第６図［ｂｌに示すようにＭＯＣＶＤ
法によって、分離層６が設けられたｎ形ＧａＡｓ基板１
の表面全体に厚み５μｍのｎ形ＧａＡｓ層２及びｐ形Ｇ
ａＡｓ層３を連続して形成する０次に第６図（Ｃ１に示
すように分離層６上のｎ形ＧａＡＳ層２及びｐ形ＧａＡ
ｓ Ｎ３をエツチング等の方法により選択的に除去する
。次に第６図（ｄｌに示すように、分離Ｍ６近傍以外の
ｐ形ＧａＡｓ層３表面に３ ｉ ２ Ｎａなどの拡散マ
スク１１を形成後、Ｚｎの封止拡散を行なって、ｐ形Ｇ
ａＡｓ層３と分離層６とを同一導電形層で接続する。こ
のＺｎの封止拡散は、分離拡散とは異なり、Ｚｎを深く
拡散させる必要はなく、６５０℃、１時間程度の低温短
時間ですむため、ＭＯＣＶＤによるＧａＡｓ層の結晶品
質の低下させることはない、その後、上記第２の実施例
同様、第６図ｔｅｌに示すようにｎ形ＧａＡｓ基板１の
裏面のｎ形電極Ｔ、ｐＹ３ＧａＡｓｌｉ３の表面のｐ形
電掻８１分離層６の裏面のｐ形電極９を形成し、さらに
第６図（ｆ）に示すように、チップ分離を行なった後、
ｐ形電極１０を形成して第５図に示す太陽電池が完成す
る。
板ｌに第６図（ａｌに示すようにｐ影領域からなる分離
Ｎ６を形成する０分離拡散マスクとして使用した５ｉｉ
Ｎａ膜５を除去して、適当な前処理（成長面の表面処理
等）を施した後、第６図［ｂｌに示すようにＭＯＣＶＤ
法によって、分離層６が設けられたｎ形ＧａＡｓ基板１
の表面全体に厚み５μｍのｎ形ＧａＡｓ層２及びｐ形Ｇ
ａＡｓ層３を連続して形成する０次に第６図（Ｃ１に示
すように分離層６上のｎ形ＧａＡＳ層２及びｐ形ＧａＡ
ｓ Ｎ３をエツチング等の方法により選択的に除去する
。次に第６図（ｄｌに示すように、分離Ｍ６近傍以外の
ｐ形ＧａＡｓ層３表面に３ ｉ ２ Ｎａなどの拡散マ
スク１１を形成後、Ｚｎの封止拡散を行なって、ｐ形Ｇ
ａＡｓ層３と分離層６とを同一導電形層で接続する。こ
のＺｎの封止拡散は、分離拡散とは異なり、Ｚｎを深く
拡散させる必要はなく、６５０℃、１時間程度の低温短
時間ですむため、ＭＯＣＶＤによるＧａＡｓ層の結晶品
質の低下させることはない、その後、上記第２の実施例
同様、第６図ｔｅｌに示すようにｎ形ＧａＡｓ基板１の
裏面のｎ形電極Ｔ、ｐＹ３ＧａＡｓｌｉ３の表面のｐ形
電掻８１分離層６の裏面のｐ形電極９を形成し、さらに
第６図（ｆ）に示すように、チップ分離を行なった後、
ｐ形電極１０を形成して第５図に示す太陽電池が完成す
る。
この第３の実施例の製造方法によれば、上記第１、第２
の実施例同様、１枚のウェハから複数個のセルが得られ
、太陽電池の低コスト化が図れる効果がある。また、第
２の実施例同様、ＧａＡｓ結晶の熱処理による品質の劣
化＊ ｐ ”接合の移動も生じない。従って、裏面に
賜極及び陰極を有し、ＭＯＣＶＤ法による高品質のＧａ
Ａｓ結晶により形成された、深さ０．５μｍ程度の浅い
ｐ−ｎ接合を持つ光電変換効率の高い、高耐放射線性に
秀れた太陽電池を得ることができる効果がある。
の実施例同様、１枚のウェハから複数個のセルが得られ
、太陽電池の低コスト化が図れる効果がある。また、第
２の実施例同様、ＧａＡｓ結晶の熱処理による品質の劣
化＊ ｐ ”接合の移動も生じない。従って、裏面に
賜極及び陰極を有し、ＭＯＣＶＤ法による高品質のＧａ
Ａｓ結晶により形成された、深さ０．５μｍ程度の浅い
ｐ−ｎ接合を持つ光電変換効率の高い、高耐放射線性に
秀れた太陽電池を得ることができる効果がある。
さらに、この第３の実施例の製造方法では、ｎ形ＧａＡ
ｓ層２． ｐ形ＧａＡｓ層３を連続成長させているた
め、良質のｐ−ｎ接合が得られる効果がある。
ｓ層２． ｐ形ＧａＡｓ層３を連続成長させているた
め、良質のｐ−ｎ接合が得られる効果がある。
次に本発明の第４の実施例について説明する。
第７図は本発明の第４の実施例による太陽電池の製造方
法の一部を示す図であり、図において、第２図と同一符
号は同−又は相当部分である。
法の一部を示す図であり、図において、第２図と同一符
号は同−又は相当部分である。
次に製造工程について説明する。
まずｎ形ＧａＡｓ基板ｌの表面及び裏面にＳｉ、Ｎ４膜
５を１０００人の厚みで形成した後、素子境界となるべ
き部分の基板表面側の５ｔ３Ｎ４膜５を除去してｎ形Ｇ
ａＡｓ基板１の表面の一部を露出させる。そして該露出
面からＺｎを拡散させて第７図（ａｌに示すようにＺｎ
拡散層６を形成する。Ｓｉ３Ｎ、膜５を除去後、裏面を
研磨することにより、第７図（ｂｌに示すようにＺｎ拡
散層６を裏面に露出させる。この後は上記第２の実施例
の第４図（ｂ）以降、あるいは第３の実施例の第６図（
ｂ）以降の工程を経て太陽電池が完成する。
５を１０００人の厚みで形成した後、素子境界となるべ
き部分の基板表面側の５ｔ３Ｎ４膜５を除去してｎ形Ｇ
ａＡｓ基板１の表面の一部を露出させる。そして該露出
面からＺｎを拡散させて第７図（ａｌに示すようにＺｎ
拡散層６を形成する。Ｓｉ３Ｎ、膜５を除去後、裏面を
研磨することにより、第７図（ｂｌに示すようにＺｎ拡
散層６を裏面に露出させる。この後は上記第２の実施例
の第４図（ｂ）以降、あるいは第３の実施例の第６図（
ｂ）以降の工程を経て太陽電池が完成する。
この第４の実施例による製造方法は、裏面研磨して薄形
太陽電池を製作する場合に有用であり、研磨して除去さ
れるはずの裏面からの分離層を始めから設けないため、
第２．第３の実施例で必要とされる両面写真製版工程が
不要となり工程が簡略化される効果がある。
太陽電池を製作する場合に有用であり、研磨して除去さ
れるはずの裏面からの分離層を始めから設けないため、
第２．第３の実施例で必要とされる両面写真製版工程が
不要となり工程が簡略化される効果がある。
次に本発明の第５の実施例に２いて説明する。
第９図は本発明の第５の実施例による太陽電池の製造方
法を示す図であり、図において、第６図と同一符号は同
−又は相当部分であり、１２はｐ形ＡｌＧａＡｓ層、１
３は反射防止膜である。
法を示す図であり、図において、第６図と同一符号は同
−又は相当部分であり、１２はｐ形ＡｌＧａＡｓ層、１
３は反射防止膜である。
次に製造工程について説明する。
先ず上記第２．第３の実施例と同様の工程で、ｎ形Ｇａ
Ａｓ基板１に第９図（ａｌに示すようにｐ影領域からな
る分離層６を形成する０分離拡散マスクとして使用した
Ｓｉ、Ｎ、膜５を除去して、適当な前処理（成長面の表
面処理等）、を施した後、第９図中）に示すようにＭＯ
ＣＶＤ法によって、分離層６が設けられたｎ形ＧａＡｓ
基板ｌの表面全体に厚み５μｍのｎ形ＧａＡｓ層２及び
ｐ形ＧａＡ ｓ 暦３を連続して形成し、さらにその上
にｐ形ＡｌＧａＡｓ層１２を形成する。次に第９図（Ｃ
）に示すように分離層６上のｎ形ＧａＡｓＮ２．ｐ形Ｇ
ａＡｓ層３及びｐ形ＡｌＧａＡｓ層１２をｘ−）チング
等の方法により選択的に除去する０２次に第９図（ｄｌ
に示すように、分離層６近傍以外のｐ形ＡｌＧａＡｓ層
１２表面に３ ｉ ３ Ｎａなどの拡散マスク１１を形
成後、Ｚｎの封止拡散を行なって、ｐ形ｃ ａ Ａ ３
１１３と分離ＦＪ６とを同一導電形層で接続する。この
Ｚｎの封止拡散も上記第３の実施測量様、Ｚｎを深く拡
散させる必要はなく、６５０°ｃ、 １時間程度の低
温短時間ですむため、ＭＯＣＶＤによるＧａＡｓ層の結
晶品質の低下させることはない。その後、上記第２の実
施例同様、第９図ｔｅｌに示すようにｎ形電極７１表面
のｐ形電極８、裏面のｎ形電極９を形成するとともに反
射防止膜１３を形成する。この反射防止膜としては、通
常ＣＶＤによって形成された厚み７５０人の５４３Ｎ４
膜を用いる。この後は上記第２．第３の実施例と同様の
工程を経て、木筆５の実施例による太陽電池が完成する
。
Ａｓ基板１に第９図（ａｌに示すようにｐ影領域からな
る分離層６を形成する０分離拡散マスクとして使用した
Ｓｉ、Ｎ、膜５を除去して、適当な前処理（成長面の表
面処理等）、を施した後、第９図中）に示すようにＭＯ
ＣＶＤ法によって、分離層６が設けられたｎ形ＧａＡｓ
基板ｌの表面全体に厚み５μｍのｎ形ＧａＡｓ層２及び
ｐ形ＧａＡ ｓ 暦３を連続して形成し、さらにその上
にｐ形ＡｌＧａＡｓ層１２を形成する。次に第９図（Ｃ
）に示すように分離層６上のｎ形ＧａＡｓＮ２．ｐ形Ｇ
ａＡｓ層３及びｐ形ＡｌＧａＡｓ層１２をｘ−）チング
等の方法により選択的に除去する０２次に第９図（ｄｌ
に示すように、分離層６近傍以外のｐ形ＡｌＧａＡｓ層
１２表面に３ ｉ ３ Ｎａなどの拡散マスク１１を形
成後、Ｚｎの封止拡散を行なって、ｐ形ｃ ａ Ａ ３
１１３と分離ＦＪ６とを同一導電形層で接続する。この
Ｚｎの封止拡散も上記第３の実施測量様、Ｚｎを深く拡
散させる必要はなく、６５０°ｃ、 １時間程度の低
温短時間ですむため、ＭＯＣＶＤによるＧａＡｓ層の結
晶品質の低下させることはない。その後、上記第２の実
施例同様、第９図ｔｅｌに示すようにｎ形電極７１表面
のｐ形電極８、裏面のｎ形電極９を形成するとともに反
射防止膜１３を形成する。この反射防止膜としては、通
常ＣＶＤによって形成された厚み７５０人の５４３Ｎ４
膜を用いる。この後は上記第２．第３の実施例と同様の
工程を経て、木筆５の実施例による太陽電池が完成する
。
この第５の実施例による太陽電池は、上記第３の実施例
と比して、ｐ形ＡＬＧａＡｓ層１２を設けたことにより
ｐ形ＧａＡｓ層３表面でのキャリアの再結合を低減でき
、光電流、ひいては光電変換効率を向上できる効果があ
る。これはいわゆる窓効果として知られているものであ
り、米国特許３．６７５，０２６号で開示されている。
と比して、ｐ形ＡＬＧａＡｓ層１２を設けたことにより
ｐ形ＧａＡｓ層３表面でのキャリアの再結合を低減でき
、光電流、ひいては光電変換効率を向上できる効果があ
る。これはいわゆる窓効果として知られているものであ
り、米国特許３．６７５，０２６号で開示されている。
また、反射防止膜１３は、半導体表面での光の反射を低
減させるために設けたものである。
減させるために設けたものである。
次に本発明の第６の実施例について説明する。
第１Ｏ図は本発明の第６の実施例による太陽電池の製造
方法を示す図であり、図において、第９図と同一符号は
同−又は相当部分である。
方法を示す図であり、図において、第９図と同一符号は
同−又は相当部分である。
次に製造工程について説明する。
第１０図（ａｌから第１０図（Ｃ１までは上記第５の実
施例の第９図（ａｌから第９図ＴＯ）までと全く同様で
ある０次に第１０図＋ｄ）に示すように、分離層６近傍
以外のｐ形ＡｌＧａＡｓＮｌ２表面に拡散マスクとして
ＣＶＤにより厚み７５０人のＳｉ３Ｎ４膜１３を形成後
、Ｚｎの封止拡散を行なう、このとき拡散マスクとして
用いるＳｉ、Ｎ４膜１３は後で反射防止膜としての作用
もする。Ｚｎ拡散後、第１０図ｔｅｌに示すように表面
のｐ形電極８を設けるべき部分の３１３ Ｎ４膜１３を
除去してｐ形ＡｌＧａＡｓ層表面１２ａを露出させ、ｎ
形電極７゜表面のｐ形電極８．裏面のｐ形電極９を形成
する。
施例の第９図（ａｌから第９図ＴＯ）までと全く同様で
ある０次に第１０図＋ｄ）に示すように、分離層６近傍
以外のｐ形ＡｌＧａＡｓＮｌ２表面に拡散マスクとして
ＣＶＤにより厚み７５０人のＳｉ３Ｎ４膜１３を形成後
、Ｚｎの封止拡散を行なう、このとき拡散マスクとして
用いるＳｉ、Ｎ４膜１３は後で反射防止膜としての作用
もする。Ｚｎ拡散後、第１０図ｔｅｌに示すように表面
のｐ形電極８を設けるべき部分の３１３ Ｎ４膜１３を
除去してｐ形ＡｌＧａＡｓ層表面１２ａを露出させ、ｎ
形電極７゜表面のｐ形電極８．裏面のｐ形電極９を形成
する。
この後は上記第２．第３の実施例と同様の工程を経て、
木筆６の実施例による太陽電池が完成する。
木筆６の実施例による太陽電池が完成する。
この第６の実施例による太陽電池の製造方法は、上記第
５の実施例の製造方法と比して、膜形成プロセスを１回
省略でき、簡略された工程で第５の実施例と同様の効果
を有する太陽電池を製造することができる。
５の実施例の製造方法と比して、膜形成プロセスを１回
省略でき、簡略された工程で第５の実施例と同様の効果
を有する太陽電池を製造することができる。
次に本発明の第７の実施例について説明する。
第１１図は本発明の第７の実施例による太陽電池の製造
方法を示す図であり、図において、第１０図と同一符号
は同−又は相当部分である。
方法を示す図であり、図において、第１０図と同一符号
は同−又は相当部分である。
次に製造工程について説明する。
第１１図ｔ８）から第１１図ｔｄ）までは上記第６の実
施例の第１０図（ａｌから第１０図（ｄ＋までと全く同
様である。Ｚｎ拡散後、第１１図（ｅ）に示すように表
面のｐ形電極８を設けるべき部分のＳ ｉ ３ Ｎ４膜
１３を除去し、さらにこの部分のｐ形ＡＩＧａＡｓＮ表
面１２も除去してｐ形ＧａＡｓ層３表面を露出させて、
ｎ形電極７２表面のｐ形電極８．裏面のｎ形電極９を形
成する。この後は上記第２゜第３の実施例と同様の工程
を経て、木筆６の実施例による太陽電池が完成する。
施例の第１０図（ａｌから第１０図（ｄ＋までと全く同
様である。Ｚｎ拡散後、第１１図（ｅ）に示すように表
面のｐ形電極８を設けるべき部分のＳ ｉ ３ Ｎ４膜
１３を除去し、さらにこの部分のｐ形ＡＩＧａＡｓＮ表
面１２も除去してｐ形ＧａＡｓ層３表面を露出させて、
ｎ形電極７２表面のｐ形電極８．裏面のｎ形電極９を形
成する。この後は上記第２゜第３の実施例と同様の工程
を経て、木筆６の実施例による太陽電池が完成する。
この第７の実施例による太陽電池は、ｐ形ＧａＡｓ層上
にコンタクトを設けているため、ｐ形ＡｌＧａＡｓ層上
にコンタクトを設けている上記第６の実施例の太陽電池
と比して、接触抵抗が低く、接着強度が大きいという利
点がある。
にコンタクトを設けているため、ｐ形ＡｌＧａＡｓ層上
にコンタクトを設けている上記第６の実施例の太陽電池
と比して、接触抵抗が低く、接着強度が大きいという利
点がある。
なお、上記１〜７の実施例ではｎ＠ＧａＡｓ基板を用い
たｐ／ｎ型ＧａＡｓ太陽電池の場合について説明したが
、これは任意の材料からなる半導体基板上に任意の半導
体層で構成された任意の構造の太陽電池であってもよく
、例えば基板としてＳｉを用い、半導体層にｍ−ｖ族化
合物半導体を用いた場合には、ＳＬへの分離拡散がＧａ
Ａｓ等のｍ−ｖ族化合物半導体にくらべて容易であると
いう利点を有している。
たｐ／ｎ型ＧａＡｓ太陽電池の場合について説明したが
、これは任意の材料からなる半導体基板上に任意の半導
体層で構成された任意の構造の太陽電池であってもよく
、例えば基板としてＳｉを用い、半導体層にｍ−ｖ族化
合物半導体を用いた場合には、ＳＬへの分離拡散がＧａ
Ａｓ等のｍ−ｖ族化合物半導体にくらべて容易であると
いう利点を有している。
以上のように、この発明によれば裏面に陽極及び陰極の
２つの電極を有する太陽電池において、分離拡散した基
板と、少なくとも分離層の一部を除いた上記基板上にエ
ピタキシャル成長により形成した該基板と同じ導電形を
有する第１の半導体層と、該第１の半導体層上に上記分
離層と接続してエピタキシャル成長により形成された導
電形の異なる第２の半導体層とを備え、該第２の半導体
層表面の電極と分離層裏面の電極とを接続した構成とし
たから、１枚のウェハから複数個のセルが製作できるた
め、低コストとなる効果がある。
２つの電極を有する太陽電池において、分離拡散した基
板と、少なくとも分離層の一部を除いた上記基板上にエ
ピタキシャル成長により形成した該基板と同じ導電形を
有する第１の半導体層と、該第１の半導体層上に上記分
離層と接続してエピタキシャル成長により形成された導
電形の異なる第２の半導体層とを備え、該第２の半導体
層表面の電極と分離層裏面の電極とを接続した構成とし
たから、１枚のウェハから複数個のセルが製作できるた
め、低コストとなる効果がある。
また本発明の太陽電池の製造方法によれば、予め分離拡
散をしたＧａＡｓ基板上にＭＯＣＶＤ法によってｐ−ｎ
接合を形成するようにしたから、ＧａＡｓ結晶の熱処理
による品質の劣化、 ｐ−ｎ接合の移動のない、ＭＯ
ＣＶＤ法による高品質のＧａＡｓ結晶により形成された
、深さ０．５μｍ程度の浅いｐ−ｎ結合を持つ光電変換
効率の高い、高耐放射線性に秀れた、裏面に陽極及び陰
極を有し裏面だけで配線が可能な太陽電池を得ることが
できるため、高性能太陽電池パドルを容易にかつ安価に
製作できる効果がある。
散をしたＧａＡｓ基板上にＭＯＣＶＤ法によってｐ−ｎ
接合を形成するようにしたから、ＧａＡｓ結晶の熱処理
による品質の劣化、 ｐ−ｎ接合の移動のない、ＭＯ
ＣＶＤ法による高品質のＧａＡｓ結晶により形成された
、深さ０．５μｍ程度の浅いｐ−ｎ結合を持つ光電変換
効率の高い、高耐放射線性に秀れた、裏面に陽極及び陰
極を有し裏面だけで配線が可能な太陽電池を得ることが
できるため、高性能太陽電池パドルを容易にかつ安価に
製作できる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例による太陽電池を示す断
面図、第２図は第１図の太陽電池の製造工程を示す図、
第３図は本発明の第２の実施例による太陽電池を示す断
面図、第４図は第３図の太陽電池の製造工程を示す図、
第５図は本発明の第３の実施例による太陽電池を示す断
面図、第６図は第５図の太陽電池の製造工程を示す図、
第７図は本発明の第４の実施例による太陽電池の製造工
程の一部を示す断面図、第８図は従来の裏面に陽極及び
陰極の２つの電極を有する太陽電池を示す断面図、第９
図は本発明の第５の実施例による太陽電池の製造工程を
示す図、第１０図は本発明の第６の実施例による太陽電
池の製造工程を示す図、第１１図は本発明の第７の実施
例による太陽電池の製造工程を示す図である。 １はｎ形ＧａＡｓ基板、２はｎ形ＱａＡｓ層、３はｐ形
ＧａＡｓ層、４はｐ−ｎ接合、６はＺｎ拡散層、７はｎ
形電極、８は表面のｎ形電極、９は裏面のｎ形電極、１
０は側面のｎ形電極。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
面図、第２図は第１図の太陽電池の製造工程を示す図、
第３図は本発明の第２の実施例による太陽電池を示す断
面図、第４図は第３図の太陽電池の製造工程を示す図、
第５図は本発明の第３の実施例による太陽電池を示す断
面図、第６図は第５図の太陽電池の製造工程を示す図、
第７図は本発明の第４の実施例による太陽電池の製造工
程の一部を示す断面図、第８図は従来の裏面に陽極及び
陰極の２つの電極を有する太陽電池を示す断面図、第９
図は本発明の第５の実施例による太陽電池の製造工程を
示す図、第１０図は本発明の第６の実施例による太陽電
池の製造工程を示す図、第１１図は本発明の第７の実施
例による太陽電池の製造工程を示す図である。 １はｎ形ＧａＡｓ基板、２はｎ形ＱａＡｓ層、３はｐ形
ＧａＡｓ層、４はｐ−ｎ接合、６はＺｎ拡散層、７はｎ
形電極、８は表面のｎ形電極、９は裏面のｎ形電極、１
０は側面のｎ形電極。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）第１導電形の第１の領域からなり、その上面に第
１導電形の第１の半導体層を有する半導体基板と、 該半導体基板上の端部にその表面から裏面の全幅にわた
って形成された第２導電形の第２の領域と、 該第１の半導体層の全面を覆うとともに上記第２の領域
に接続して形成された第２導電形の第２の半導体層と、 上記半導体基板の裏面の上記第１の領域部分に形成され
た第１極の電極と、 上記第２の半導体層上の一部及び上記半導体基板上の第
２の領域上に形成された第２極の表面電極と、 上記半導体基板の裏面の上記第２の領域部分に形成され
た第２極の裏面電極と、 上記半導体基板の上記第２の領域側の外側面に沿って形
成され、第２極の表面電極と裏面電極とを接続する第２
極の側面電極とを備えたことを特徴とする太陽電池。 - （２）第１導電形の基板の一部に不純物を拡散する工程
を含み該基板の表面より裏面に貫通する第２導電形領域
を形成する第１の工程と、 上記基板上の全面に第１導電形の第１の半導体層を形成
する第２の工程と、 上記第２導電形領域上の第１の半導体層を除去して上記
第２導電形領域を露出させる第３の工程と、 上記第１の半導体層上および露出した上記第２導電形領
域上に第２導電形の第２の半導体層を形成する第４の工
程と、 上記基板の裏面の第１導電形領域に第１の電極を、上記
基板の裏面の第２導電形領域の第２の電極を、上記第２
導電形領域上に形成した上記第２の半導体層上及び上記
第１の半導体層上に形成した上記第２の半導体層上の一
部に第３の電極を形成する第５の工程と、 上記第２導電形領域の側面に上記第２の電極と第３の電
極を接続する第４の電極を形成する第６の工程とを含む
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - （３）第１導電形の基板の一部に不純物を拡散する工程
を含み該基板の表面より裏面に貫通する第２導電形領域
を形成する第１の工程と、 上記基板上の全面に第１導電形の第１の半導体層を形成
する第２の工程と、 上記第１の半導体層上に第２導電形の第２の半導体層を
形成する第３の工程と、 上記第２導電形領域上の第２の半導体層及び第１の半導
体層をエッチング除去して上記第２導電形領域を露出さ
せる第４の工程と、 上記エッチング工程で露出した上記第１の半導体層に第
２導電形として作用する不純物を拡散して上記第２の半
導体層と上記第２導電形領域とを同一導電形の半導体層
で接続する第５の工程と、上記基板の裏面の第１導電形
領域に第１の電極を、上記基板の裏面の第２導電形領域
の第２の電極を、上記第２導電形領域上に形成した上記
第２の半導体層上及び上記第１の半導体層上に形成した
上記第２の半導体層上の一部に第３の電極を形成する第
６の工程と、 上記第２導電形領域の側面に上記第２の電極と第３の電
極を接続する第４の電極を形成する第７の工程とを含む
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63020109A JPH02384A (ja) | 1987-11-28 | 1988-01-29 | 太陽電池およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-300975 | 1987-11-28 | ||
| JP30097587 | 1987-11-28 | ||
| JP63020109A JPH02384A (ja) | 1987-11-28 | 1988-01-29 | 太陽電池およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02384A true JPH02384A (ja) | 1990-01-05 |
Family
ID=26357001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63020109A Pending JPH02384A (ja) | 1987-11-28 | 1988-01-29 | 太陽電池およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02384A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5620904A (en) * | 1996-03-15 | 1997-04-15 | Evergreen Solar, Inc. | Methods for forming wraparound electrical contacts on solar cells |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5644584A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-23 | Babcock Hitachi Kk | Trapper for leak gas |
| JPS61292379A (ja) * | 1985-06-19 | 1986-12-23 | Sharp Corp | ラツパラウンドコンタクトセル |
-
1988
- 1988-01-29 JP JP63020109A patent/JPH02384A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5644584A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-23 | Babcock Hitachi Kk | Trapper for leak gas |
| JPS61292379A (ja) * | 1985-06-19 | 1986-12-23 | Sharp Corp | ラツパラウンドコンタクトセル |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5620904A (en) * | 1996-03-15 | 1997-04-15 | Evergreen Solar, Inc. | Methods for forming wraparound electrical contacts on solar cells |
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