KR880001346B1 - 다결정박막 태양전지의 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N cadmium telluride Chemical compound [Te]=[Cd] RPPBZEBXAAZZJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWLSQQRRSAWBOQ-UHFFFAOYSA-N dipotassioarsanylpotassium Chemical compound [K][As]([K])[K] KWLSQQRRSAWBOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 본 발명에 따른 태양전지의 단면도.
제2도는 본 발명에 따른 태양전지에 메탈네트를 설치하기 전상태의 평면도.
제3도는 종래의 태양전지 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 투광성기판 2 : 인듐(In)막
3 : Cds막 4 : CdTe막
5 : 은(Ag)막
본 발명은 태양에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양 전지에 관한 것으로, 특히 진공속에서 저온 열처리에 의한 확산방법을 이용하여 다결정박막을 형성하도록 된 다결정박막 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체를 이용한 태양전지로서는 규소(실리콘 : Si)를 소재로한 것과 비화칼륨(GaAs) 등 Ⅲ-Ⅴ족 물질을 소재로한 것 그리고, Ⅱ-Ⅵ족을 소재로한 것이 널리 알려져 있다.
이들 가운데 Ⅱ-Ⅵ족을 소재로한 것 중에서 종래에는 황화카드뮴(Cds : 이하 Cds라 함)물질에 1족 또는 7족의 불순물을 첨가하여 n형 Cad막을 형성시키고, 카드뮴텔루륨(CdTe : 이하 CdTe라 함)물질에 1족 또는 5족의 불순물을 첨가하여 p형 CdTe막을 형성시키는 한편 상기 n형 반도체에 인듐(IN)물질을 증착하여 전극을 형성시키고, p형 CdTe막에는 은(Ag)물질을 증착시켜 전극을 형성시키는 방법을 사용하였으나 n형 및 p형 반도체를 형성하는 불순물을 첨가시키고, 상기 각 형태의 반도체에 전극물질을 부착하는 공정을 구별하여 개별적으로 수행하여야 하는 문제점이 있었다.
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 제거하기 위하여 불순물이 함유되지 않은 Cds와 CdTe 물질에 인듐(In)및 은(Ag)을 각각 진공속에서 저온열처리를 하여 p형 n형 전극을 형성시킨 다결정박막 태양전지의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이하 본 발명의 구성 및 작용, 효과를 예시된 도면에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명은
a) 투광성기판(1) 상단에 인듐물질을 진공 증착하여 인듐막(2)을 형성시켜 전극을 뽑아내는 제1공정과
b) 상기 인듐막(2) 상단에 Cds 물질을 진공속에서 증착시킨후 저온열처리를 함으로써 n형 반도체인 Cds막(3)을 형성시키는 제2공정
c) 상기 Cds 막(3) 상단에 CdTe막 물질을 증착시켜 CdTe막(4)을 형성시키는 제3공정
d) 상기 CdTe막(4) 상단에 은을 진공중착시킨 후 진공저온 확산방법을 통해 상기 CdTd 막(4)을 p형 반도체로 형성시키는 한편 은막(5)에 전극을 뽑아내는 제4공정으로 구성되어 있다.
미설명부호 6은 전도성 테이프, 7은 n-Cds막, 8은 p-CdTe막이다.
제1도는 본 발명의 성층된 단면도를 나타낸 것으로 투광성기판(1) 상단에 인듐물질을 진공증착하여 인듐막(2)을 형성시켜 전극을 뽑아내고(제1공정), 상기 투광성기판(1) 상에 형성된 인듐(2) 상단에 Cds 물질을 진공도 10-(∼10-1torr인 진공상태에서 증착시킨후, 온도 100∼300℃로 30∼60분 동안 저온열처리에 의한 확산방법을 통하게 되면 n형 반도체인 Cds 막(3)이 형성되며(제2공정), 상기 Cds 막 (3) 상단에 CdTe 물질에 증착시켜 CdTe막(4)을 형성시키고 (제3공정), 상기 CdTe막(4) 상단에 은물질을 진공도 10-(∼10-1torr하에서 진공증착시킨 후 온도 150∼300℃로 60∼120분 동안 저온열처리에 의해 확산방법으로 p형 반도체인 CdTe막(4)을 형성(제4공정) 시키도록 되어 있다.
제2도는 성층이 완료된 소자의 평면도를 나타낸 것으로 인듐(2)에 전도성테이프(6)를 붙혀 단자를 형성시키고 다수의 형태로 이루어진 은막(5)에 전도성테이프(6)를 붙혀 단자로 형성시킨 구조를 잘 나타내고 있다.
제3도는 종래이 성층된 태양전지의 단면도를 나타낸 것으로, 투광성기판(1)상에 3족 또는 7족의 불순물이 첨가된 Cds 물질을 증착시켜 n형 반도체인 n-Cds막(7)을 형성시키되 상기 Cds막(3)상단에 인듐물질을 증착시켜 전극인 인듐막(2)을 형성시키고, 또한 상기 n-Cds막(7) 상단에 1족 또는 5족의 불순물이 첨가된 CdTe 물질을 증착시켜 p형 반도체인 p-CdTe막(8)을 형성시키되 상기 n- CdTe막(8) 상단에 은물질을 증착시켜 전극인 Ag 막(5)을 형성시키는데 이는 불순물첨가 및 전극물질을 부착하는 공정을 구별하여 개별적으로 수행하여야 하는 문제점이 있었다.
그러나 본 발명은 종래의 불순물을 사용하여 n형 및 p형 반도체를 제조하는 공정과 전극을 상기 각 반도체상에 부착시키는 공정을 하나로 줄일 수 있을 뿐만 아니라 열처리온도 및 시간에 의해 도우핑농도를 간편하게 조절할 수 있는 효과가 있다.
Claims (1)
- a) 투광성기판(1)상단에 인듐물질을 진공증착하여 인듐막(2)을 형성시켜 전극을 뽑아내는 제1공정과, b) 상기 인듐막(2) 상단에 Cds 물질을 진공증착시킨 다음 진공속에서 저온열처리를 하여 n형 반도체인 Cds막(3)을 형성시키는 제2공정, c) 상기 Cds 막(3) 상단에 CdTe 물질을 증착시켜 CdTe막(4)을 형성시키는 제3공정.d) 상기 CdTe막(4) 상단에 은을 진공증착시킨 다음 진공저온 확산방법을 통해 CdTe막(4) p형 반도체로 형성시키는 한편 은막(5)에 전극을 형성시키는 제4공정으로 구성된 것을 특징으로 하는 다결정박막 태양전지의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019850008112A KR880001346B1 (ko) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | 다결정박막 태양전지의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019850008112A KR880001346B1 (ko) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | 다결정박막 태양전지의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR870004532A KR870004532A (ko) | 1987-05-11 |
| KR880001346B1 true KR880001346B1 (ko) | 1988-07-25 |
Family
ID=19243456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019850008112A KR880001346B1 (ko) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | 다결정박막 태양전지의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR880001346B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9263608B2 (en) | 2007-11-02 | 2016-02-16 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices including doped semiconductor films |
-
1985
- 1985-10-31 KR KR1019850008112A patent/KR880001346B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9263608B2 (en) | 2007-11-02 | 2016-02-16 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices including doped semiconductor films |
| US10319873B2 (en) | 2007-11-02 | 2019-06-11 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices including doped semiconductor films |
| US10861994B2 (en) | 2007-11-02 | 2020-12-08 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices including doped semiconductor films |
| US11843070B2 (en) | 2007-11-02 | 2023-12-12 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices including doped semiconductor films |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR870004532A (ko) | 1987-05-11 |
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