JPH0235576B2 - - Google Patents
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- JPH0235576B2 JPH0235576B2 JP57150563A JP15056382A JPH0235576B2 JP H0235576 B2 JPH0235576 B2 JP H0235576B2 JP 57150563 A JP57150563 A JP 57150563A JP 15056382 A JP15056382 A JP 15056382A JP H0235576 B2 JPH0235576 B2 JP H0235576B2
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- JP
- Japan
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- touch
- laser beam
- mosfet
- terminals
- laser
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Landscapes
- Radiation-Therapy Devices (AREA)
- Finger-Pressure Massage (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザ光線を用い、はり治療のような
ことをする医療器の誤動作防止に関する。
ことをする医療器の誤動作防止に関する。
従来例の構成とその問題点
現在、レーザ光線を用いた医療への応用の一例
として、わずかな出力のレーザ光線をはりのよう
に用いて肩こりや頭痛等の神経痛や、ねんざ、腰
痛等の筋肉痛を訴える患者の患部、またはツボに
数分間レーザ光線を照射することによつて、痛み
が和らぐかあるいは治ることが医学上の臨床結果
でわかつている。この臨床結果では、レーザ光線
の出力パワーが数mWから数十mW程でも効果が
あることから、半導体レーザダイオード(以下
LDと呼ぶ)でもレーザ光線の出力パワーの点か
ら十分に対応できる。
として、わずかな出力のレーザ光線をはりのよう
に用いて肩こりや頭痛等の神経痛や、ねんざ、腰
痛等の筋肉痛を訴える患者の患部、またはツボに
数分間レーザ光線を照射することによつて、痛み
が和らぐかあるいは治ることが医学上の臨床結果
でわかつている。この臨床結果では、レーザ光線
の出力パワーが数mWから数十mW程でも効果が
あることから、半導体レーザダイオード(以下
LDと呼ぶ)でもレーザ光線の出力パワーの点か
ら十分に対応できる。
したがつて、レーザ光線を用いた医療器は現在
では医者の資格を持つた人が細心の注意を払つて
使用しなければならない。しかしLDを用いた医
療器では、取り扱いが簡単なため、十分に安全対
索を施せば簡単に取り扱うことができ、一般の人
が十分使用することができる。
では医者の資格を持つた人が細心の注意を払つて
使用しなければならない。しかしLDを用いた医
療器では、取り扱いが簡単なため、十分に安全対
索を施せば簡単に取り扱うことができ、一般の人
が十分使用することができる。
一方、レーザ光線は一般の光と異なつてコヒー
レント光であるため簡単に集光でき、照射面積を
数mm2とすれば単位面積あたりのパワー密度は非常
に大きなものとなる。また集光されたレーザ光は
距離が離れてもパワー密度は大きい。さらに、一
般のLDは可視光でなく波長の長い光を用いてい
るので見ることができず、さらに皮膚に吸収され
やすい。したがつて、集光されたレーザ光線が目
に入ると、目の網膜が破壊され失明の危険性があ
る。
レント光であるため簡単に集光でき、照射面積を
数mm2とすれば単位面積あたりのパワー密度は非常
に大きなものとなる。また集光されたレーザ光は
距離が離れてもパワー密度は大きい。さらに、一
般のLDは可視光でなく波長の長い光を用いてい
るので見ることができず、さらに皮膚に吸収され
やすい。したがつて、集光されたレーザ光線が目
に入ると、目の網膜が破壊され失明の危険性があ
る。
この危険を防止したレーザ医療器は既に提案さ
れている。それを第1図と第2図にもとづいて説
明する。このLD医療器は、本体部101とプロ
ーブ部102とからなり、このプローブ部102
にLDが1個または複数個組込まれており、レー
ザ光線は、この先端穴から照射される。aは腕に
レーザ光を照射しているとき、プローブ部102
を動かした際、先端穴からのレーザ光線が腕時計
または指輪などに反射して目に入り危険であるこ
とを示すものである。またbはプローブ部102
を人体より遠ざけて他の方向に向けた場合、遠方
の花びん等によつて反射されて目にレーザ光が入
ることもあることを示す。これらのことから、プ
ローブ部102の先端穴が患部の皮膚にあてられ
ている場合にのみレーザ光が照射できればよい。
れている。それを第1図と第2図にもとづいて説
明する。このLD医療器は、本体部101とプロ
ーブ部102とからなり、このプローブ部102
にLDが1個または複数個組込まれており、レー
ザ光線は、この先端穴から照射される。aは腕に
レーザ光を照射しているとき、プローブ部102
を動かした際、先端穴からのレーザ光線が腕時計
または指輪などに反射して目に入り危険であるこ
とを示すものである。またbはプローブ部102
を人体より遠ざけて他の方向に向けた場合、遠方
の花びん等によつて反射されて目にレーザ光が入
ることもあることを示す。これらのことから、プ
ローブ部102の先端穴が患部の皮膚にあてられ
ている場合にのみレーザ光が照射できればよい。
第2図は、このプローブ部の先端穴の概略図を
示したものである。プローブ部102にLD20
1が収納され、このLD201からのレーザ光は
レンズ202で集束され平行光線となつて先端穴
203より照射される。この先端穴203の対角
線上にタツチ端子204を2端子取り付ける。こ
のタツチ端子204は導電体の材料であり、先端
穴203よりやや突起させて、この両端子が患者
の患部の皮膚に触れると、LD201が動作する
ようにさせる。したがつてタツチ端子204の両
端子が皮膚に触れることは、先端穴203をふさ
ぐことになり安全性につながる。
示したものである。プローブ部102にLD20
1が収納され、このLD201からのレーザ光は
レンズ202で集束され平行光線となつて先端穴
203より照射される。この先端穴203の対角
線上にタツチ端子204を2端子取り付ける。こ
のタツチ端子204は導電体の材料であり、先端
穴203よりやや突起させて、この両端子が患者
の患部の皮膚に触れると、LD201が動作する
ようにさせる。したがつてタツチ端子204の両
端子が皮膚に触れることは、先端穴203をふさ
ぐことになり安全性につながる。
具体的には第3図に示すように、前記両端子2
04をスイツチ部301および302とするタツ
チセンサ回路をLD駆動点滅制御回路305と電
源間に介在させている。タツチ端子301と30
2とは、第2図で示したタツチ端子204の両端
子に対応する。回路構成は入力インピーダンスが
高いMOS型電界効果トランジスタ(以下
MOSFETという)303と、コンパレータ30
4とからなり、両タツチ端子301と302とが
人体の皮膚に触れると、その皮膚の状態、または
場所によつて異なるが数百KΩから数百MΩの皮
膚抵抗があり両タツチ端子301と302間に高
抵抗が接続されたことになる。その結果、電源+
Bより抵抗100KΩを通り人体の皮膚抵抗、抵抗
1MΩを通りMOSFET303のゲート・ソース
間の抵抗20MΩの両端に電圧が発生して、
MOSFET303のドレイン電流が変化する。こ
のドレイン電流の変化をドレイン抵抗1KΩで電
圧変化に変換し、コンパレータ304の一方の入
力端子へ入力するとコンパレータ304がスイツ
チング動作する。なお、コンパレータ304の他
方の入力端子に接続されている可変抵抗VRでコ
ンパレータ304のスイツチング動作点を調整
し、結果的にはタツチセンサ感度を調整すること
ができる。このコンパレータ304の出力電圧を
用いて、LD駆動および点滅制御回路305でLD
306を点滅制御することができる。ここではこ
のLD駆動および点滅制御回路の説明は除く。
04をスイツチ部301および302とするタツ
チセンサ回路をLD駆動点滅制御回路305と電
源間に介在させている。タツチ端子301と30
2とは、第2図で示したタツチ端子204の両端
子に対応する。回路構成は入力インピーダンスが
高いMOS型電界効果トランジスタ(以下
MOSFETという)303と、コンパレータ30
4とからなり、両タツチ端子301と302とが
人体の皮膚に触れると、その皮膚の状態、または
場所によつて異なるが数百KΩから数百MΩの皮
膚抵抗があり両タツチ端子301と302間に高
抵抗が接続されたことになる。その結果、電源+
Bより抵抗100KΩを通り人体の皮膚抵抗、抵抗
1MΩを通りMOSFET303のゲート・ソース
間の抵抗20MΩの両端に電圧が発生して、
MOSFET303のドレイン電流が変化する。こ
のドレイン電流の変化をドレイン抵抗1KΩで電
圧変化に変換し、コンパレータ304の一方の入
力端子へ入力するとコンパレータ304がスイツ
チング動作する。なお、コンパレータ304の他
方の入力端子に接続されている可変抵抗VRでコ
ンパレータ304のスイツチング動作点を調整
し、結果的にはタツチセンサ感度を調整すること
ができる。このコンパレータ304の出力電圧を
用いて、LD駆動および点滅制御回路305でLD
306を点滅制御することができる。ここではこ
のLD駆動および点滅制御回路の説明は除く。
したがつて、タツチ端子の両端301,302
を触れないかぎり、LDは点灯することはないが、
実際には、一方のタツチ端子302だけ指先で触
れると人体からの商用電源の誘導で誤動作するこ
とがある。このため、MOSFETのゲート側の抵
抗1KΩとコンデンサ0.0022μFおよびコンパレー
タの一方の入力端子の抵抗22KΩと1μFとでフイ
ルタを構成しているが、完全に除去できないばか
りか、フイルタの時定数を大きくして除去能力を
大きくすれば、タツチセンサの応答速度が悪くな
つて、皮膚からタツチ端子をはずしても、時定数
を持つて動作し、しばらくの間LDが点灯して危
険である。
を触れないかぎり、LDは点灯することはないが、
実際には、一方のタツチ端子302だけ指先で触
れると人体からの商用電源の誘導で誤動作するこ
とがある。このため、MOSFETのゲート側の抵
抗1KΩとコンデンサ0.0022μFおよびコンパレー
タの一方の入力端子の抵抗22KΩと1μFとでフイ
ルタを構成しているが、完全に除去できないばか
りか、フイルタの時定数を大きくして除去能力を
大きくすれば、タツチセンサの応答速度が悪くな
つて、皮膚からタツチ端子をはずしても、時定数
を持つて動作し、しばらくの間LDが点灯して危
険である。
発明の目的
本発明は前記のタツチセンサ部の欠点を除くも
ので、応答速度を変えずに、人体に商用電源が誘
導しても誤動作が起こらないようにした、より安
全性のあるレーザ医療器を提供するものである。
ので、応答速度を変えずに、人体に商用電源が誘
導しても誤動作が起こらないようにした、より安
全性のあるレーザ医療器を提供するものである。
発明の構成
本発明はLD駆動点滅制御回路と電源間に設け
たタツチセンサ回路に人体接触により誘導される
交流成分により起る誤動作を防止するために、タ
ツチセンサ回路を構成する差動増幅器の入力端を
交流的に短絡するものである。
たタツチセンサ回路に人体接触により誘導される
交流成分により起る誤動作を防止するために、タ
ツチセンサ回路を構成する差動増幅器の入力端を
交流的に短絡するものである。
実施例の説明
第4図は本発明のレーザ治療器のタツチセンサ
回路部の一例を具体的に示したものである。
MOSFET401と402とを差動増幅器として
使用し、タツチ端子403と404との間が開放
状態であれば両MOSFET401と402とのド
レイン電流は等しい。この状態から、タツチ端子
403と404との両端子が皮膚に触れると、電
源Bの電圧は、抵抗100KΩ、皮膚抵抗、抵抗1M
Ωを通つて、MOSFET401のゲート側に電圧
が加わり、MOSFET401のドレイン電流が多
くなる。したがつてソース側の電圧が高くなつ
て、MOSFET402のゲート側はソース電位に
固定されているので、ドレイン電流は逆にな少な
くなり、MOSFET402側のドレイン抵抗は
5.6KΩの両端は電圧変化して、この電圧変化を
コンパレータ405の一方の入力端子に入力す
る。以下第3図の説明と同じである。
回路部の一例を具体的に示したものである。
MOSFET401と402とを差動増幅器として
使用し、タツチ端子403と404との間が開放
状態であれば両MOSFET401と402とのド
レイン電流は等しい。この状態から、タツチ端子
403と404との両端子が皮膚に触れると、電
源Bの電圧は、抵抗100KΩ、皮膚抵抗、抵抗1M
Ωを通つて、MOSFET401のゲート側に電圧
が加わり、MOSFET401のドレイン電流が多
くなる。したがつてソース側の電圧が高くなつ
て、MOSFET402のゲート側はソース電位に
固定されているので、ドレイン電流は逆にな少な
くなり、MOSFET402側のドレイン抵抗は
5.6KΩの両端は電圧変化して、この電圧変化を
コンパレータ405の一方の入力端子に入力す
る。以下第3図の説明と同じである。
人体は、完全に空中に浮いている状態ではな
く、また商用電源の両端は完全に絶縁しているも
のではなく、一方は必ずアース電位としているこ
とから、床からまたは何らかの誘導で人体には必
ず商用電源の一方が誘導されている。このことか
ら、タツチ端子404のみを触れた場合、人体か
ら誘導される商用電源でタツチセンサ回路が誤動
作を起こす。この商用電源は交流でその振幅値
は、最大百数十Vp-pまで誘導することがある。
く、また商用電源の両端は完全に絶縁しているも
のではなく、一方は必ずアース電位としているこ
とから、床からまたは何らかの誘導で人体には必
ず商用電源の一方が誘導されている。このことか
ら、タツチ端子404のみを触れた場合、人体か
ら誘導される商用電源でタツチセンサ回路が誤動
作を起こす。この商用電源は交流でその振幅値
は、最大百数十Vp-pまで誘導することがある。
このためコンデンサ406は商用電源の誘導に
よる交流分を除くもので、さらに除ききれない交
流分をコンデンサ407でMOSFET402のゲ
ート側へも加える。つまり両方のMOSFET40
1と402とのゲートへ加えると、MOSFET4
02のゲートおよびMOSFET401のソース側
とは同じ交流成分が加わり、MOSFET402の
ドレイン電圧は交流分が表われないか、または交
流分の振幅は非常に小さくなる。さらには、両ド
レイン側に表われる交流分の位相は逆であるの
で、コンデンサ408によつて交流分は取り除く
ことができる。以上は差動増幅器の原理でもあ
る。
よる交流分を除くもので、さらに除ききれない交
流分をコンデンサ407でMOSFET402のゲ
ート側へも加える。つまり両方のMOSFET40
1と402とのゲートへ加えると、MOSFET4
02のゲートおよびMOSFET401のソース側
とは同じ交流成分が加わり、MOSFET402の
ドレイン電圧は交流分が表われないか、または交
流分の振幅は非常に小さくなる。さらには、両ド
レイン側に表われる交流分の位相は逆であるの
で、コンデンサ408によつて交流分は取り除く
ことができる。以上は差動増幅器の原理でもあ
る。
この回路構成により、タツチ端子404のみを
触れても誤動作を起こすことがなく、両タツチ端
子403と404とを触れないかぎり、タツチセ
ンサ回路からの出力でLDが動作し照射すること
はない。
触れても誤動作を起こすことがなく、両タツチ端
子403と404とを触れないかぎり、タツチセ
ンサ回路からの出力でLDが動作し照射すること
はない。
なお、第4図の実施例においてMOSFETは入
力インピーダンスの高いトランジスタでもよい。
また各部の抵抗やコンデンサの定数は、一例を示
したものである。さらに本発明の上記例では2つ
のMOSFETまたはトランジスタを差動増幅器と
して使用したが、これに限定されるものではな
い。
力インピーダンスの高いトランジスタでもよい。
また各部の抵抗やコンデンサの定数は、一例を示
したものである。さらに本発明の上記例では2つ
のMOSFETまたはトランジスタを差動増幅器と
して使用したが、これに限定されるものではな
い。
発明の効果
以上のように本発明は、人体接触のためのタツ
チ端子に、入力端間を交流的に短絡した差動増幅
器を介してレーザ光源を点滅させているので、人
体接触により誘起される交流電圧による誤動作、
またそれによる人体への危険を防止できる。
チ端子に、入力端間を交流的に短絡した差動増幅
器を介してレーザ光源を点滅させているので、人
体接触により誘起される交流電圧による誤動作、
またそれによる人体への危険を防止できる。
第1図a,bはレーザ医療器の本体部とプロー
ブ部の使用状態を示す図、第2図a,bはプロー
ブ部のタツチセンサ端子の構成図、第3図は本発
明の前提となるタツチセンサ回路の具体的構成
図、第4図は、本発明の一実施例によるレーザ医
療器におけるタツチセンサ回路の具体的構成図で
ある。 101……本体、102……プローブ、201
……半導体レーザ、202……レンズ、203…
…穴、204……タツチ端子、401,402…
…MOSFET、403,404……タツチ端子、
405……コンパレータ、406,407……コ
ンデンサ。
ブ部の使用状態を示す図、第2図a,bはプロー
ブ部のタツチセンサ端子の構成図、第3図は本発
明の前提となるタツチセンサ回路の具体的構成
図、第4図は、本発明の一実施例によるレーザ医
療器におけるタツチセンサ回路の具体的構成図で
ある。 101……本体、102……プローブ、201
……半導体レーザ、202……レンズ、203…
…穴、204……タツチ端子、401,402…
…MOSFET、403,404……タツチ端子、
405……コンパレータ、406,407……コ
ンデンサ。
Claims (1)
- 1 レーザ光線の照射穴の軸と垂直な線上位置に
前記軸に対してほぼ対称の位置へ1対のセンサ端
子を設け、前記1対のセンサ端子の1つは直流電
源に接続し、他の1つのセンサ端子は差動増幅器
を介してレーザ光線駆動点滅回路に接続し、前記
差動増幅器の入力端間を交流的に短絡し、前記1
対のセンサ端子の両端が人体の皮膚に接触すると
前記レーザ光線が前記照射穴より照射されるレー
ザ医療器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57150563A JPS5940858A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | レ−ザ医療器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57150563A JPS5940858A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | レ−ザ医療器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5940858A JPS5940858A (ja) | 1984-03-06 |
JPH0235576B2 true JPH0235576B2 (ja) | 1990-08-10 |
Family
ID=15499608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57150563A Granted JPS5940858A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | レ−ザ医療器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5940858A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6434378A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-03 | Nagoya City | Treatment device using semiconductor laser |
-
1982
- 1982-08-30 JP JP57150563A patent/JPS5940858A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5940858A (ja) | 1984-03-06 |
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