JPH0233127A - 液晶用配向膜の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高分子樹脂からなる液晶用配向膜の製法に関
する。

従来の技術 液晶分子の配向膜は、液晶デイスプレィには必須のもの
である。

前記配向膜としては、無機質の斜方蒸着膜、ラビングさ
れた有機樹脂膜等が使われる（例えば、液晶エレクトロ
ニクスの基礎と応用、佐々木昭夫Ｗ＃）。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、無機質の斜方蒸着膜については、装置が
比較的高価なこと、真空プロセスなのでプロセス・コス
トが高くつくことに難がある。

一般にラビング法が産業界では多用されているが、液晶
分子の捻り角の大きいモード、すなわちスーパー・ツィ
スティッド・ネマティック・モードでは、ラビング圧が
軽く、密度の高いラビングが必要となる。この条件を得
るためには、厳格な管理が必要となる。

さらに、スーパー・ツィスティッド・ネマティック・モ
ードを用いた大容量表示においては、液品分子のブレ・
チルト角を大きくする必要がある。

今のところ、一致した考えはないが、ブレ・チルト角と
しては、１５＠〜２０°は欲しい、現在、配向膜材料と
してを機樹脂を用いた場合、ラビング法においては、再
現性と信頼性を考慮すると、約ｌＯ°が限度である。

また、強誘電性液晶を使った表面安定化表示モードにお
いても、液晶分子の配向のより精密な制御が望まれる。

課題を解決するための手段 本発明は前述のようなｔｌ、Ｎを解決するために、主た
る成分の樹脂高分子と遷移金属−ポリインポリマー高分
子とを溶媒に溶かし、基板上に塗布、その後静磁場に晒
し、同時に、又はこの後溶媒を除去し、必要ならば硬化
処理をなすことを特徴とする液晶用配向膜の製法を提供
するものである。

本発明はさらに、遷移金属−ポリインポリマーにおいて
遷移金属原子に２個の燐配位子が結合し、この燐配位子
にブチル基が結合して、側鎖となり、前記遷移金属のト
ランス位に、アセチレン結合を有する炭素原子が結合し
て主鎖となり、しかも主Ｉ中にはベンゼン環を、このベ
ンゼン環のパラ位が主鎖と結合しているように、含むこ
とを特徴とするような、前述の液晶用配向膜の製法を提
供するものである。

作用 液晶分子を配向させるためには、器壁界面での液晶分子
を配向させる必要がある。このために、界面に通常、配
向膜が設けられる。配向膜の表面は、分子レベル程度に
ミクロなある秩序が必要なのは理解される。この秩序は
、液晶分子と相互作用する基が規則的に並んでいる場合
もあるし、凸凹形状が規則的であって、結果として体積
排除効果による自由エネルギーの減少により液晶分子に
配向規制力を課することもあると考えられている。

本発明はこれらの配向メカニズムに関与していると考え
られる。

本発明が関わる遷移金属−ポリインポリマーにおいて、
白金、パラジウム等の遷移金属原子に２個の燐配位子が
結合し、この燐配位子にブチル基が結合して、ｍ鎖とな
り、前記遷移金属のトランス位に、アセチレン結合を有
する炭素原子が結合して主鎖となり、しかも主鎖中には
ベンゼン環を、このベンゼン環のパラ位が主鎖と結合し
ているような、しかも分子量が１万以上の高分子は、分
子形状が直線状であり、しかも溶媒中のこのような高分
子は磁場に対して、磁場方向に配列することが知られて
いる０本発明はこのような現象に関連している。

実施例 本発明が実施された場合、想定される配向膜表面の状況
を第１図に示す、第１図において、ｌはポリイミド等か
らなる帰脂層、２は磁場で配向され、更に周りの樹脂層
を固められた前記直線状の高分子、３は基板である。

この樹脂層の上に、ネマチック液晶分子やキラル・スメ
クチック・Ｃ液晶分子が来ると、この直線状分子との相
互作用により、液晶分子は配列する。特に、磁場方向に
より、直線状分子の基板に対する方向を任意に設定でき
る故に、いわゆる液晶分子のブレ・チルト角を任意に設
定できることが分かる。

以下、本発明の一実施例を説明する。・合成法は概略、
以下の通りである０例を示す。

遷移金属のアセチリド錯体のジハロゲン化物（ここでＭ
は遷移金属、Ｂｕはブチル基、Ｐはｔａ）ＰＢμ３ ＰＢμ。

ＣＱ−Ｍ−Ｃ＝：Ｃ−ＣミＣ−Ｍ−ＣＮＰａμ。

ＰＢμコ 但しＭのまわりの塩素Ｃ２と炭素ＣはＭのトランス位置
に結合している。

を当量ずつジエチルアミンに溶解し、それに触媒量のハ
ロゲン化銅を添加して攪拌するだけで、容易に脱ハロゲ
ン化水素による重縮合が起こり、高分子璽の遷移金属−
ポリインポリマー高分子が得られる。

合成した遷移金属−ポリインポリマー高分子の例を以下
に示す。

Ｏプ 日本合成ゴム■製の溶剤に溶解されたポリイミド高分子
（ＪＩＢ−１）に、さらに前記遷移金属−ポリインポリ
マー高分子のうち一種をほぼ、０．５重量％含む専用溶
剤を等量加え、スピン・コート法で基板上に塗布する。

この時、スピン・コートが終った段階で塗布膜が乾燥状
態にならぬよう、はぼ塗膜において、溶剤が５０％はふ
（むように、スピナーの回転数や、雰囲気を制御する。

次に、約１０にガウスの平行磁場に、しかも磁場の基板
を基準としての方向を所望のものになるように、基板を
磁場にさらし、同時に約１５０℃の基板を保った。

この様な基板２枚を、液晶分子がホモジニアス配向にな
るように貼り合わせ、液晶を注入し、液晶パネルを得た
。ネマチック液晶分子やキラル・スメクチック・Ｃ液晶
分子は良好な配向を示した。

磁場法によるプレ・チルト測定の結果、１５〜３０１の
プレ・チルトが容易に制御性良く得られた。実際のパネ
ルにおいても、従来に比べて液晶分子のツイストにおけ
る捻れ安定性は向上した。

これらから由来するＳＴＮパネルにおいては、緒特性は
優れたものであった。

発明の効果 以上本発明は液晶分子配向用膜を得るための方法を提供
するものであり、産業上の価値は大なるものがある。

【図面の簡単な説明】

第１図は配向膜表面の模式的構成図である。 １・・・・・・ポリイミド等からなる樹脂層、２・・・
・・・磁場で配向され、更に周りの樹脂層を固められた
前記直線状の高分子、３・・・・・・基板。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）主たる成分の樹脂高分子と遷移金属−ポリインポ
   リマー高分子とを溶媒に溶かし、基板上に塗布、その後
   静磁場に晒し、同時に、又はこの後溶媒を除去し、必要
   ならば硬化処理をなすことを特徴とする液晶用配向膜の
   製法。
2. （２）遷移金属−ポリインポリマーは、遷移金属原子に
   ２個の燐配位子が結合し、この燐配位子にブチル基が結
   合して、側鎖となり、前記遷移金属のトランス位に、ア
   セチレン結合を有する炭素原子が結合して主鎖となり、
   しかも主鎖中にはベンゼン環を、このベンゼン環のパラ
   位が主鎖と結合しているように、含むことを特徴とする
   請求項（１）記載の液晶用配向膜の製法。