JPH0232610A - Agc回路 - Google Patents
Agc回路Info
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- JPH0232610A JPH0232610A JP18261588A JP18261588A JPH0232610A JP H0232610 A JPH0232610 A JP H0232610A JP 18261588 A JP18261588 A JP 18261588A JP 18261588 A JP18261588 A JP 18261588A JP H0232610 A JPH0232610 A JP H0232610A
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- transistors
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- transistor
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- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明はAGC回路に関する。
この発明は、AGC回路において、コレクタ電流の比が
1:Nの差動アンプと、N:1の差動アンプとを並列接
続するとともに、同様の並列回路を差動アンプの入力端
に接続することにより、妨害特性やS/Nなどを改善し
たものである争〔従来の技術〕 ラジオ受信機などに使用されるAGC回路として、例え
ば第8図に示すようなものがある。
1:Nの差動アンプと、N:1の差動アンプとを並列接
続するとともに、同様の並列回路を差動アンプの入力端
に接続することにより、妨害特性やS/Nなどを改善し
たものである争〔従来の技術〕 ラジオ受信機などに使用されるAGC回路として、例え
ば第8図に示すようなものがある。
すなわち、同図において、(11)はアンテナ同調回路
、(12)は差動アンプを示し、このアンプ(12)は
差動増幅用のトランジスタQa、Qbと、定電流源用の
トランジスタQcとにより構成されている。また、Da
、l)bはシャント用のダイオード、Qdはその制御用
のトランジスタで、そのベースにはAGC電圧Vaが供
給される。
、(12)は差動アンプを示し、このアンプ(12)は
差動増幅用のトランジスタQa、Qbと、定電流源用の
トランジスタQcとにより構成されている。また、Da
、l)bはシャント用のダイオード、Qdはその制御用
のトランジスタで、そのベースにはAGC電圧Vaが供
給される。
したがって、量刑回路(11)において目的とする放送
波信号が選択され、この信号が差動アンプ(12)に供
給されて増幅され、トランジスタQa。
波信号が選択され、この信号が差動アンプ(12)に供
給されて増幅され、トランジスタQa。
Qbのコレクタから電流出力として取り出される。
そして、この場合、AGC電圧Vaに対応してトランジ
スタQdのコレクタ電流が変化し、このコレクタ電流に
対応してダイオードDa、Dbのインピーダンスが変化
するとともに、このダイオードDa、Dbにより、同調
回路(11)からトランジスタQa+Qbのベースに供
給される放送波信号がシャントされるので、トランジス
タQa、Qbのコレクタ出力はAGCが行われているこ
とになる。
スタQdのコレクタ電流が変化し、このコレクタ電流に
対応してダイオードDa、Dbのインピーダンスが変化
するとともに、このダイオードDa、Dbにより、同調
回路(11)からトランジスタQa+Qbのベースに供
給される放送波信号がシャントされるので、トランジス
タQa、Qbのコレクタ出力はAGCが行われているこ
とになる。
あるいは、ダイオードDa、Dbと、トランジスタQa
、Qbとは、それぞれダイオードDa、Dbを入力側と
したカレントミラー回路を構成していると考えることも
できる。したがって、トランジスタQc、Qdのコレク
タ電流が等しいときには、タイオードD a * D
bに流れる信号電流と、トランジスタQ a + Q
bのコレクタに流れる信号電流とは等しく、電流利得は
1倍である。
、Qbとは、それぞれダイオードDa、Dbを入力側と
したカレントミラー回路を構成していると考えることも
できる。したがって、トランジスタQc、Qdのコレク
タ電流が等しいときには、タイオードD a * D
bに流れる信号電流と、トランジスタQ a + Q
bのコレクタに流れる信号電流とは等しく、電流利得は
1倍である。
しかし、トランジスタQc、Qdのコレクタ電流が異な
るときには、ダイオードDa、Dbに流れる信号電流と
、トランジスタQa、Qbのコレクタに流れる信号電流
との比率は、トランジスタQc、Qdのコレクタ電流の
比率となる。
るときには、ダイオードDa、Dbに流れる信号電流と
、トランジスタQa、Qbのコレクタに流れる信号電流
との比率は、トランジスタQc、Qdのコレクタ電流の
比率となる。
したがって、このAGC回路においては、トランジスタ
Qc、Qdのコレクタ電流の比率にしたがった電流利得
となってAGCが行われる。
Qc、Qdのコレクタ電流の比率にしたがった電流利得
となってAGCが行われる。
ところが、一般に、ダイオードの順方向電圧対順方向電
流特性や、トランジスタのベース・エミッタ間電圧対ベ
ース電流(コレクタ電流)特性は、指数関数特性であり
、非直線性である。
流特性や、トランジスタのベース・エミッタ間電圧対ベ
ース電流(コレクタ電流)特性は、指数関数特性であり
、非直線性である。
このため、上述のAGC回路において、ダイオードDa
、Dbの端子間電圧がlQmV程度以上になると、その
非直線性により混*調特性やスプリアス特性などが悪化
してしまう。
、Dbの端子間電圧がlQmV程度以上になると、その
非直線性により混*調特性やスプリアス特性などが悪化
してしまう。
したがって、上述のAGC回路においては、ダイオード
Da、l)bの端子間電圧がlQmVに達する人力レベ
ル(受信電界レベル)からAGCをかける必要がある。
Da、l)bの端子間電圧がlQmVに達する人力レベ
ル(受信電界レベル)からAGCをかける必要がある。
すなわち、第9図に示すように、比較的小さい人力レベ
ルEx (このとき、ダイオードDa、Dbの端子間
電圧がlQmVになる)からAGCをかけて検波出力を
一定レベルにすると同時に、ダイオードDa、Dbの端
子間電圧がlQmVを越えないようにする必要がある。
ルEx (このとき、ダイオードDa、Dbの端子間
電圧がlQmVになる)からAGCをかけて検波出力を
一定レベルにすると同時に、ダイオードDa、Dbの端
子間電圧がlQmVを越えないようにする必要がある。
しかし、このようにすると、入力レベルが小さいにもか
かわらず、そのレベルをAGCにより制限しているので
、後段の利得を大きくする必要があり、この結果、出力
信号(検波出力)のノイズレベルが同図に破線で示すよ
うな特性となり、AM受信機の場合、最大S/Nが悪く
なってしまう。
かわらず、そのレベルをAGCにより制限しているので
、後段の利得を大きくする必要があり、この結果、出力
信号(検波出力)のノイズレベルが同図に破線で示すよ
うな特性となり、AM受信機の場合、最大S/Nが悪く
なってしまう。
つまり、上述のAGC回路では、妨害特性とS/Nとを
両立させることができない。
両立させることができない。
この発明は、このような問題点を解決しようとするもの
である。
である。
このため、この発明においては、コレクタ電流の比が1
:Nの差動アンプと、N:1の差動アンブとを並列接続
するとともに、電流の比が1:nの1対のダイオードと
、n:1の1対のダイオードとにより、AGCを行うよ
うにしたものである。
:Nの差動アンプと、N:1の差動アンブとを並列接続
するとともに、電流の比が1:nの1対のダイオードと
、n:1の1対のダイオードとにより、AGCを行うよ
うにしたものである。
(作用)
差動アンプ及びダイオードの直線性が改善されて大入力
特性が良好となり、妨害特性及びS/Nの両者が改善さ
れる。
特性が良好となり、妨害特性及びS/Nの両者が改善さ
れる。
まず、基本となる差動アンプについて第2図により説明
しよう。
しよう。
第5図において、トランジスタQ1.Q2のエミッタが
互いに接続され、このエミッタと接地との間に、定電流
源用のトランジスタQ3のコレクタ・エミッタ間が接続
されるとともに、そのベースにバイアス電圧vbが供給
されて差動アンプ(1)が構成される。
互いに接続され、このエミッタと接地との間に、定電流
源用のトランジスタQ3のコレクタ・エミッタ間が接続
されるとともに、そのベースにバイアス電圧vbが供給
されて差動アンプ(1)が構成される。
また、トランジスタQ3〜Q5により同様にして差動ア
ンプ(2)が構成される。
ンプ(2)が構成される。
そして、この場合、トランジスタuz、Qsのベース・
エミッタ間の接合面積と、トランジスタQ2 * Q4
のベース・エミッタ間の接合面積との比を1:Nとする
ことにより、トランジスタQL。
エミッタ間の接合面積と、トランジスタQ2 * Q4
のベース・エミッタ間の接合面積との比を1:Nとする
ことにより、トランジスタQL。
Q2 、Q4 、Qsのベース・エミッタ間電圧が互い
に等しいとき、トランジスタQl、QSのコレクタ電流
と、トランジスタQ2 * Q4のコレクタ電流との比
が1:Nとなるようにされる。なお、この比率Nについ
ては、後述する。また、トランジスタQ3.QGは互い
に等しい特性とされる。
に等しいとき、トランジスタQl、QSのコレクタ電流
と、トランジスタQ2 * Q4のコレクタ電流との比
が1:Nとなるようにされる。なお、この比率Nについ
ては、後述する。また、トランジスタQ3.QGは互い
に等しい特性とされる。
さらに、トランジスタQ1 、Q4のベースが入力端子
゛l゛1に接続され、トランジスタQ2.Q5のベース
が入力端子1゛2に接続される。そして、端子T1.i
’、には、振幅が互いに等しく、かつ、位相が互いに逆
相の入力信号電圧±V(バイアス電圧を含む)が供給さ
れる。
゛l゛1に接続され、トランジスタQ2.Q5のベース
が入力端子1゛2に接続される。そして、端子T1.i
’、には、振幅が互いに等しく、かつ、位相が互いに逆
相の入力信号電圧±V(バイアス電圧を含む)が供給さ
れる。
また、トランジスタQ1..Q4のコレクタが共通接続
されて出力端子゛r3とされるとともに、トランジスタ
Q2.Q5のコレクタが共通接続されて出力端子b このような構成によれば、差動アンプ(11,+2)は
入力端子’rx、72及び出力端子’I’s 、 T4
ニ対して並列接続されているとともに、トランジスタ
Q1.Q5とQ2 + Q4とでコレクタ電流の比が
逆関係とされているので、出力端子’l’31 T4に
は、直流レベルが互いに等しく、かつ、入力信号電圧上
■に対応して振幅が互いに等しいとともに、。
されて出力端子゛r3とされるとともに、トランジスタ
Q2.Q5のコレクタが共通接続されて出力端子b このような構成によれば、差動アンプ(11,+2)は
入力端子’rx、72及び出力端子’I’s 、 T4
ニ対して並列接続されているとともに、トランジスタ
Q1.Q5とQ2 + Q4とでコレクタ電流の比が
逆関係とされているので、出力端子’l’31 T4に
は、直流レベルが互いに等しく、かつ、入力信号電圧上
■に対応して振幅が互いに等しいとともに、。
位相が互いに逆相の出力信号電流±lが得られる。
すなわち、この回路は、入力信号電圧士■及びその出力
信号電流上■については一般の差動アンプと同様に動作
する。
信号電流上■については一般の差動アンプと同様に動作
する。
しかし、この場合、差動アンプ(11,(2)が並列接
続されているとともに、トランジスタQt + Qsと
Q2 * Q4とでコレクタ電流の比が逆関係とされて
いるので、アンプ+1)、 12)で偶数次の高調波歪
みが発生しても、これは出力電流±1においてはキャン
セルされ、出力電流±Iには偶数次の高調波歪みはほと
んど含まれない。
続されているとともに、トランジスタQt + Qsと
Q2 * Q4とでコレクタ電流の比が逆関係とされて
いるので、アンプ+1)、 12)で偶数次の高調波歪
みが発生しても、これは出力電流±1においてはキャン
セルされ、出力電流±Iには偶数次の高調波歪みはほと
んど含まれない。
また、コレクタ電流の比率Nを選定することにより、出
力電流±lには第3次の高調波歪みもほとんど含まれな
くなる。
力電流±lには第3次の高調波歪みもほとんど含まれな
くなる。
すなわち、第5図の差動アンプによれば、1 = Io
exp (KV) / (1+exp (KV)
)1o:トランジスタQ3.QGの 各コレクタ電流 K”q/(k’l’) であるから第3次の高調波歪みが発生する入力信号電圧
対出力信号電流特性の2階微分値は、ga+:相互コン
ダクタンス となる。したがって、 から exp (K V) = 2±「「 となる、したがって N!!2±、/7 のとき、第3次の高調波歪みは鰻小となる。
exp (KV) / (1+exp (KV)
)1o:トランジスタQ3.QGの 各コレクタ電流 K”q/(k’l’) であるから第3次の高調波歪みが発生する入力信号電圧
対出力信号電流特性の2階微分値は、ga+:相互コン
ダクタンス となる。したがって、 から exp (K V) = 2±「「 となる、したがって N!!2±、/7 のとき、第3次の高調波歪みは鰻小となる。
第6図は、比率Nと、全高調波歪み量との関係を、コン
ピュータによりシミュレーションした結果を示す。そし
て、N−1が一般の差動アンプであるが、この図によれ
ば、一般の差動アンプ(N−1のとき)に比べ、N−2
+(’Nのときには、歪み量が30dB以上少なく、歪
み特性は大幅に改善されている。
ピュータによりシミュレーションした結果を示す。そし
て、N−1が一般の差動アンプであるが、この図によれ
ば、一般の差動アンプ(N−1のとき)に比べ、N−2
+(’Nのときには、歪み量が30dB以上少なく、歪
み特性は大幅に改善されている。
また、第7図は、比率Nをパラメータとし、入力信号電
圧■と、全高調波歪み量との関係をシミュレーションし
た結果を示す。なお、破線の直線Rは、一般の差動アン
プにおける定電流源を500Ωの抵抗器とした場合の特
性を、比較のために示すものである。
圧■と、全高調波歪み量との関係をシミュレーションし
た結果を示す。なお、破線の直線Rは、一般の差動アン
プにおける定電流源を500Ωの抵抗器とした場合の特
性を、比較のために示すものである。
そして、この図によれば、小振幅入力から大幅人力まで
入力信号電圧■にかかわらず、N−1(一般の差動アン
プ)のときよりもNζ2+(コのとき、歪み量が減少し
ているとともに、N−2+「3に近づくにつれて歪み量
は、より減少している。
入力信号電圧■にかかわらず、N−1(一般の差動アン
プ)のときよりもNζ2+(コのとき、歪み量が減少し
ているとともに、N−2+「3に近づくにつれて歪み量
は、より減少している。
そして、一般の差動アンプ(N−1)に比べて歪み量が
A、すなわち、−6dB以下であれば、その走率がほぼ
改善されたとみなすことができるので、そのときの比率
Nを第2図から求めると、N≒2.5〜6である。つま
り、比率Nをこのような値に設定すれば、一般の差動ア
ンプ(N−1)に比べて歪み量が〃以下(−6dB以下
)であり、歪率特性が改善されたとみることができる。
A、すなわち、−6dB以下であれば、その走率がほぼ
改善されたとみなすことができるので、そのときの比率
Nを第2図から求めると、N≒2.5〜6である。つま
り、比率Nをこのような値に設定すれば、一般の差動ア
ンプ(N−1)に比べて歪み量が〃以下(−6dB以下
)であり、歪率特性が改善されたとみることができる。
以上のように、コレクタ電流の比が1:N(N#2.5
〜6)の差動アンプ(1)と、N:1の差動アンプ(2
)とを並列接続すれば、歪率特性を改善できる。そして
、歪率特性が良好であるということは、直線性が良好で
あるということにほかならず、特に第7図によれば、小
振幅入力から大振幅入力まで直線性が良好である。
〜6)の差動アンプ(1)と、N:1の差動アンプ(2
)とを並列接続すれば、歪率特性を改善できる。そして
、歪率特性が良好であるということは、直線性が良好で
あるということにほかならず、特に第7図によれば、小
振幅入力から大振幅入力まで直線性が良好である。
この発明は、このような点を利用したもので、以下、そ
の−例について説明しよう。
の−例について説明しよう。
第1図において、差動アンプ+11. (21が上述の
ように構成されるとともに、トランジスタQ1.Q4の
ベースとトランジスタQ2.Q5のベースとの間に、同
調回路(11)からの放送波の信号電圧が供給される。
ように構成されるとともに、トランジスタQ1.Q4の
ベースとトランジスタQ2.Q5のベースとの間に、同
調回路(11)からの放送波の信号電圧が供給される。
なお、このとき、トランジスタQ3゜Qeのベースには
、端子゛r5を通じてAGCmJEVaが供給される。
、端子゛r5を通じてAGCmJEVaが供給される。
さらに、トランジスタQtt、 Q10のエミッタと接
地との間に定電流源用のトランジスタQ13のコレクタ
・エミッタ間が接続され、トランジスタQ1tのベース
及びコレクタがトランジスタQl、Q4のベースに共通
に接続され、トランジスタQL2のベース及びコレクタ
がトランジスタQ2 + Qsのベースに共通に接続さ
れるとともに、トランジスタQ13のベースに端子′l
′6を通じてAGC電圧Vdが供給される。
地との間に定電流源用のトランジスタQ13のコレクタ
・エミッタ間が接続され、トランジスタQ1tのベース
及びコレクタがトランジスタQl、Q4のベースに共通
に接続され、トランジスタQL2のベース及びコレクタ
がトランジスタQ2 + Qsのベースに共通に接続さ
れるとともに、トランジスタQ13のベースに端子′l
′6を通じてAGC電圧Vdが供給される。
また、トランジスタQ14〜Qxeが、トランジスタQ
1.Q2 + Q4 、Qs及び端子T6に対してトラ
ンジスタQ1t〜Q工3と同様に接続される。
1.Q2 + Q4 、Qs及び端子T6に対してトラ
ンジスタQ1t〜Q工3と同様に接続される。
そして、この場合、トランジスタQtt+ QL21Q
L41 Qtsのベース・エミッタ間電圧が互いに等し
いとき、トランジスタQtt+ Qlsのコレクタ電
流と、トランジスタQ 12 、 Q 14のコレク
タ電流との比が、1:nとなるようにされる。なお、こ
の比率nについては、比率Nと同様の値をとることがで
き、この例においては、nwa Nである。
L41 Qtsのベース・エミッタ間電圧が互いに等し
いとき、トランジスタQtt+ Qlsのコレクタ電
流と、トランジスタQ 12 、 Q 14のコレク
タ電流との比が、1:nとなるようにされる。なお、こ
の比率nについては、比率Nと同様の値をとることがで
き、この例においては、nwa Nである。
このような構成によれば、同国回路(11)からの放送
波の信号電圧は、差動アンプ(11,(2)により増幅
されて出力端子T 31 T 4に電流±1として取り
出される。
波の信号電圧は、差動アンプ(11,(2)により増幅
されて出力端子T 31 T 4に電流±1として取り
出される。
そして、このとき、AGC電圧Vaによりトランジスタ
Qx、Qsのコレクタ電流が制御されるので、これによ
りAGCが行われる。
Qx、Qsのコレクタ電流が制御されるので、これによ
りAGCが行われる。
さらに、トランジスタQ111 Q141 Q121
Q15が、それぞれダイオード接続されているので
、AGC電圧VdにしたがってトランジスタQu、Q1
4゜Q121 Qtsのインピーダンスが変化してシャ
ントAGCが行われる。
Q15が、それぞれダイオード接続されているので
、AGC電圧VdにしたがってトランジスタQu、Q1
4゜Q121 Qtsのインピーダンスが変化してシャ
ントAGCが行われる。
あるいは、トランジスタQLII Q14とQ!、Q
4とがカレントミラー回路を構成し、トランジスタQ1
2. Q45とQ2.Q5とがカレントミラー回路を構
成するとともに、それらの入力側のトランジスタQll
l Q141 Q121 Qtsのコレクタ電流
と、出力側のトランジスタQl 、Q4 、Q2 、Q
sのコレクタ電流との比率が、AGC電圧Vdにしたか
って変化して電流利得が変化するので、AGCが行われ
る。
4とがカレントミラー回路を構成し、トランジスタQ1
2. Q45とQ2.Q5とがカレントミラー回路を構
成するとともに、それらの入力側のトランジスタQll
l Q141 Q121 Qtsのコレクタ電流
と、出力側のトランジスタQl 、Q4 、Q2 、Q
sのコレクタ電流との比率が、AGC電圧Vdにしたか
って変化して電流利得が変化するので、AGCが行われ
る。
そして、この場合、差動アンプ(1)、(2)は、上述
のように、小振幅入力から大振幅人力まで直線性が良好
であるとともに、トランジスタQIL〜Qtsも差動ア
ンプ(11,(2)のトランジスタQ1〜Q6と同じ接
続関係の差動アンプを構成しているので、やはり小振幅
人力から大振幅入力まで直線性は良好である。
のように、小振幅入力から大振幅人力まで直線性が良好
であるとともに、トランジスタQIL〜Qtsも差動ア
ンプ(11,(2)のトランジスタQ1〜Q6と同じ接
続関係の差動アンプを構成しているので、やはり小振幅
人力から大振幅入力まで直線性は良好である。
こうして、この発明によれば、トランジスタQt +
Q4 * Q2 r Q5及びQILI Ql41 Q
l2゜QLSが小振幅入力から大振幅入力まで低歪率で
AGCを行うことができるので、混*調特性やスプリア
ス特性などを改善できる。
Q4 * Q2 r Q5及びQILI Ql41 Q
l2゜QLSが小振幅入力から大振幅入力まで低歪率で
AGCを行うことができるので、混*調特性やスプリア
ス特性などを改善できる。
また、大振幅入力時でも直線性が良好なので、AGC4
圧VdによるAGCの開始レベルを、第9図にレベルE
2として示すように遅らせることができ、したがって、
ノイズレベルは同図に実線で示すような特性となり、S
/Nを改善できる。
圧VdによるAGCの開始レベルを、第9図にレベルE
2として示すように遅らせることができ、したがって、
ノイズレベルは同図に実線で示すような特性となり、S
/Nを改善できる。
さらに、AGC@圧VaによるAGC範囲を小人力振幅
側とし、AGC電圧VdによるAGC範囲を大入力1辰
幅側とすることにより、より広い範囲にわたってAGC
を行うことができる。
側とし、AGC電圧VdによるAGC範囲を大入力1辰
幅側とすることにより、より広い範囲にわたってAGC
を行うことができる。
なお、上述においては、トランジスタQL、Q5とQ2
.Q4とのベース・エミッタ間接合面積の比をにNとす
ることにより、それらのコレクタ電流の比をl:Nにし
た場合であるが、N−2+JTkq4 なので、第2図及び第3図においては、N−4とすると
ともに、これを実現する他の例を示す。
.Q4とのベース・エミッタ間接合面積の比をにNとす
ることにより、それらのコレクタ電流の比をl:Nにし
た場合であるが、N−2+JTkq4 なので、第2図及び第3図においては、N−4とすると
ともに、これを実現する他の例を示す。
すなわら、第2図に示す例においては、トランジスタQ
1と等しい特性のトランジスタQ21〜Q24を並列接
続することにより、N=4のトランジスタQ2 (ま
たはQ4)とした場合である。また、第4図に示す例に
おいては、トランジスタ。2のベース領域に、トランジ
スタQlのエミッタ領域と等しい大きさのエミッタ領域
を4つ形成してトランジスタQ2(またはQ4)を4エ
ミツタとするとともに、その4つのエミッタを共34接
続してN−4とした場合である。
1と等しい特性のトランジスタQ21〜Q24を並列接
続することにより、N=4のトランジスタQ2 (ま
たはQ4)とした場合である。また、第4図に示す例に
おいては、トランジスタ。2のベース領域に、トランジ
スタQlのエミッタ領域と等しい大きさのエミッタ領域
を4つ形成してトランジスタQ2(またはQ4)を4エ
ミツタとするとともに、その4つのエミッタを共34接
続してN−4とした場合である。
さらに、第4図に示す例においては、トランジスタのベ
ース領域に、等しい大きさのエミッタ領域を5つ形成す
るとともに、そのうちの4つのエミッタ領域を共通接続
してトランジスタQ2 * Q4 +QL2またはQl
4とし、残る1つのエミッタ領′域を取り出してトラン
ジスタQ1.Qs t QtiまたはQl5とした場合
である。
ース領域に、等しい大きさのエミッタ領域を5つ形成す
るとともに、そのうちの4つのエミッタ領域を共通接続
してトランジスタQ2 * Q4 +QL2またはQl
4とし、残る1つのエミッタ領′域を取り出してトラン
ジスタQ1.Qs t QtiまたはQl5とした場合
である。
なお、上述において、電圧Vaを固定として電圧Vaに
よるAGCを行わなくてもよい。また、Va =Vbと
して両AGCの開始レベルを等しくしてもよい。
よるAGCを行わなくてもよい。また、Va =Vbと
して両AGCの開始レベルを等しくしてもよい。
(発明の効果〕
この発明によれば、トランジスタ Ql、Q4゜Q2・
Q5及びQll、 Ql4・ Ql2・ CLtsが
小振幅入力から大振幅入力まで低歪率でAGCを行うこ
とができるので、混変調特性やスプリアス特性などを改
善できる。
Q5及びQll、 Ql4・ Ql2・ CLtsが
小振幅入力から大振幅入力まで低歪率でAGCを行うこ
とができるので、混変調特性やスプリアス特性などを改
善できる。
また、大振幅入力時でも直線性が良好なので、AGC電
圧VdによるAGCの開始レベルを、第9図にレベルE
2として示すように遅らせることができ、したがって、
ノイズレベルは同図に実線で示すような特性となり、S
/Nを改善できる。
圧VdによるAGCの開始レベルを、第9図にレベルE
2として示すように遅らせることができ、したがって、
ノイズレベルは同図に実線で示すような特性となり、S
/Nを改善できる。
さらに、AGC電圧VaによるAGC範囲を小入力振幅
側とし、AGC電圧VdによるAGC範囲を大人力振幅
側とすることにより、より広い範囲にわたってAGCを
行うことができる。
側とし、AGC電圧VdによるAGC範囲を大人力振幅
側とすることにより、より広い範囲にわたってAGCを
行うことができる。
第1図及び第4図はこの発明の一例の接続図、第2図、
第3図、第5図〜第9図はその説明のための図である。 11)、 +2+は差動アンプである。
第3図、第5図〜第9図はその説明のための図である。 11)、 +2+は差動アンプである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第1及び第2のトランジスタのエミッタが、第1の定電
流源に共通に接続されて第1の差動アンプが構成され、 第3及び第4のトランジスタのエミッタが、第2の定電
流源に共通に接続されて第2の差動アンプが構成され、 上記第1及び第2の差動アンプが並列接続され、第5及
び第6のトランジスタのエミッタが、第3の定電流源に
共通に接続され、 第7及び第8のトランジスタのエミッタが、第4の定電
流源に共通に接続され、 上記第5及び第7のトランジスタのベース及びコレクタ
が上記第1及び第3のトランジスタのベースに共通に接
続され、 上記第6及び第8のトランジスタのベース及びコレクタ
が、上記第2及び第8のトランジスタのベースに共通に
接続され、 上記第1及び第4のトランジスタのコレクタ電流と、上
記第2及び第3のトランジスタのコレクタ電流との比が
1:N(N≒2−√3またはN≒2.5〜6)とされ、 上記第5及び第8のトランジスタのコレクタ電流と上記
第6及び第7のトランジスタのコレクタ電流との比が1
:n(n≒2−√3またはn≒2.5〜6)とされ、 上記第1及び第3のトランジスタのベースと、上記第2
及び第4のトランジスタのベースとの間に、入力信号電
圧が供給され、 上記第1〜第4の定電流源のうち、少なくとも上記第3
及び第4の定電流源の電流をAGC電圧にしたがって制
御することにより、 上記第1及び第3のトランジスタのコレクタと、上記第
2及び第4のトランジスタのコレクタとの少なくとも一
方からAGCの行われた出力信号電流が取り出されるよ
うにしたAGC回路。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18261588A JPH0232610A (ja) | 1988-07-21 | 1988-07-21 | Agc回路 |
DE68919383T DE68919383T2 (de) | 1988-07-18 | 1989-07-12 | Verstärkerschaltung. |
EP89307068A EP0352009B1 (en) | 1988-07-18 | 1989-07-12 | Amplifier circuit |
KR89009955A KR0139545B1 (en) | 1988-07-18 | 1989-07-13 | Amplifier circuit |
US07/379,110 US4965528A (en) | 1988-07-18 | 1989-07-13 | Cross-coupled differential amplifier |
MYPI89000971A MY104056A (en) | 1988-07-18 | 1989-07-18 | Amplifier circuit. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18261588A JPH0232610A (ja) | 1988-07-21 | 1988-07-21 | Agc回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0232610A true JPH0232610A (ja) | 1990-02-02 |
Family
ID=16121387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18261588A Pending JPH0232610A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-21 | Agc回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0232610A (ja) |
-
1988
- 1988-07-21 JP JP18261588A patent/JPH0232610A/ja active Pending
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