JPH02310951A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JPH02310951A
JPH02310951A JP1132151A JP13215189A JPH02310951A JP H02310951 A JPH02310951 A JP H02310951A JP 1132151 A JP1132151 A JP 1132151A JP 13215189 A JP13215189 A JP 13215189A JP H02310951 A JPH02310951 A JP H02310951A
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JP
Japan
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fin
fins
heat dissipation
radiating
interfin
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JP1132151A
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Japanese (ja)
Inventor
Yukinori Sumi
幸典 角
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To increase a surface area and to enhance a heat-dissipating property at a sufficient strength by a method wherein a radiating fin is connected to a radiating-fin fixation implement on the surface of a package by means of a fin support part and an interfin connection part is installed, between their fins, at a peripheral part at the side outside of the fin support part. CONSTITUTION:A radiating fin 10 is provided, at a fin support part 10e on one end-face of a central axis 10b, with a hole 10a which is fitted to a stud 3a formed on a face opposite to a fixation face of an IC chip of a radiating-fin fixation implement 3 and by which the radiating fin 10 is fixed to the radiating- fin fixation implement 3. A plurality of disk-shaped fins 10c are fixed to the central axis 10b so as to be nearly perpendicularly to this axis at equal intervals. Interfin connection parts 10d which connect a plurality of faced fins and which are composed of pillar-shaped aluminum heat-dissipating bodies are installed in positions at equal intervals on an identical circumference whose center is the central axis 10b. A surface area is increased by the interfin connection parts 10d; the individual faced fins are fixed to each other by the interfin connection parts 10d; the individual fins are reinforced in terms of their strength. As a result, it is possible to realize an efficient cooling effect.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 ゛要〕 放熱フ・インを備えた半導体装置に関し、パッケージ表
面に良好に接続でき、表面積を増やし且つ十分な強度が
得られる放熱フィンによって半導体装置を効率よく効果
的に冷却することを目的とし、 パッケージ表面上に互いに間隔をおいて上下方向に配置
された複数個のフィンと、該複数個のフィンの中の該パ
ッケージ表面と対向するフィンの中央部に設けられ、該
パッケージ表面に接続されるフィン支持部と、該複数個
のフィンの互いに対向するフィン表面であって、該フィ
ン支持部の設けられた部分より外側の周辺部に複数個設
けられ、互いに対向するフィン間を接続するフィン間接
続部とを備えた放熱フィンを有して構成する。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a semiconductor device equipped with a heat dissipation fin, the present invention relates to a semiconductor device equipped with a heat dissipation fin, which can be connected well to the package surface, increase the surface area, and provide sufficient strength. The package includes a plurality of fins arranged vertically at intervals on the package surface, and a central part of the fin facing the package surface among the plurality of fins. a fin support section connected to the package surface; a fin surface of the plurality of fins facing each other; The heat dissipation fin includes a fin-to-fin connection portion that connects opposing fins.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は放熱フィンを備えた半導体装置に係り、特に使
用時の該半導体装置を効率よく効果的に冷却して特性お
よび生産性の向上を図った半導体装置に関する。
The present invention relates to a semiconductor device equipped with heat dissipation fins, and more particularly to a semiconductor device that efficiently and effectively cools the semiconductor device during use to improve its characteristics and productivity.

最近の半導体装置の分野では、高集積度化や高速度化が
進むにつれて使用時におけるパッケージとしての低熱抵
抗化が求められるようになっており、効率よく効果的に
冷却できる半導体装置が強く望まれている。
In recent years, in the field of semiconductor devices, as the degree of integration and speed has increased, there has been a demand for lower thermal resistance in packages during use, and there is a strong desire for semiconductor devices that can be cooled efficiently and effectively. ing.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第3図は従来の半導体装置の例を示す構成図である。 FIG. 3 is a configuration diagram showing an example of a conventional semiconductor device.

図で、ICチップ1はセラミック等からなるパッケージ
本体2のほぼ中央部に該パッケージ本体2を貫通するよ
うに形成されている銅(Cu)合金等からなる放熱フィ
ン固定具3の表面(図では上面)に例えば金(Au)薄
膜4等を介して固定されており、該ICチップ1上の複
数の電極1a、 lb・・・と上記パッケージ本体2に
予め形成されている上記ICチップ1の各電極1a、 
lb・・・に対応する複数の外部引出し電極5a、5b
・・・との間はボンディングワイヤ6a、6b・・・で
接続されている。
In the figure, an IC chip 1 is attached to the surface of a heat dissipation fin fixture 3 made of copper (Cu) alloy or the like (in the figure, A plurality of electrodes 1a, lb... on the IC chip 1 and a plurality of electrodes 1a, 1b, . Each electrode 1a,
A plurality of external extraction electrodes 5a, 5b corresponding to lb...
. . are connected by bonding wires 6a, 6b, .

また図の7は上記の如くパッケージ本体2に接続された
ICチップlを封入するためのセラミック等からなるパ
ッケージカバーを示している。
Further, 7 in the figure shows a package cover made of ceramic or the like for enclosing the IC chip 1 connected to the package body 2 as described above.

一方、上記放熱フィン固定具3の上記ICチップ1固定
面の反対側端面には該端面から突出するスタッド3aが
形成されており、該スタンド3aと嵌合して固定される
孔8aを中心軸8b上に備えると共に咳中心軸8bにほ
ぼ直交して等間隔に複数(図では4個)の円板状フィン
8cを持つアルミニウム(AI)からなる放熱フィン8
の上記孔8aを上記放熱フィン固定具3のスタッド3a
に嵌合させて両者を固定している。
On the other hand, a stud 3a is formed on the end surface of the radiation fin fixture 3 opposite to the surface on which the IC chip 1 is fixed, and the stud 3a protrudes from the end surface. radiating fins 8 made of aluminum (AI) and having a plurality of (four in the figure) disc-shaped fins 8c provided on the central cough axis 8b and at equal intervals substantially perpendicular to the central cough axis 8b.
The hole 8a is inserted into the stud 3a of the heat dissipation fin fixture 3.
The two are fixed by fitting together.

なお上記の円板状フィン8cは、通常機械加工によって
削り出すようにしている。
Note that the disk-shaped fins 8c described above are usually cut out by machining.

かかる構成になる半導体装置では、該放熱フィン部分に
例えば空気を吹き付けることにより該ICチップlから
発する熱を放熱フィン固定具3を経由して放熱フィン8
から大気中に放散させて効率的にICチップ1を冷却す
ることができる。
In a semiconductor device having such a configuration, the heat emitted from the IC chip l is transferred to the heat dissipation fin 8 via the heat dissipation fin fixture 3 by blowing air onto the heat dissipation fin portion.
The IC chip 1 can be efficiently cooled by dissipating it into the atmosphere.

〔発明が解決しようとする課題] しかし特に集積度が高い場合や動作速度が速い半導体装
置では、ICチップからの発熱量が多くなるため従来の
ような放熱フィンでは充分な冷却効果を得ることができ
ない。
[Problem to be solved by the invention] However, especially in semiconductor devices with a high degree of integration or high operating speeds, the amount of heat generated from the IC chip increases, so it is difficult to obtain a sufficient cooling effect with conventional heat dissipation fins. Can not.

そこで、 ■フィンの枚数を増やして放熱効果を上げる■個々のフ
ィンの表面積を増やして放熱効果を上げる ■空気の吹き付は速度を上げる 等の方法が考えられている。
Therefore, methods such as: 1) increasing the number of fins to improve the heat dissipation effect; 2) increasing the surface area of each fin to improve the heat dissipation effect; and 2) increasing the speed of air blowing.

しかし、■の場合には放熱フィンの高さが高くなるため
配置スペースに制約があってより高くできないときには
フィンを薄<シなければならず、フィンの機械的強度が
弱くなる欠点がある。
However, in case (2), the height of the radiation fins increases, and if the height cannot be increased due to space constraints, the fins must be made thinner, which has the disadvantage of weakening the mechanical strength of the fins.

また■の場合にもフィンの外形を大きくすると機械的強
度が弱くなり、また半導体装置を高密度に並べて実装で
きるようにするにはフィンの外形はパッケージ本体の外
形と同じ程度とするのが限界である。
Also, in the case of (■), increasing the external size of the fins weakens the mechanical strength, and in order to be able to package semiconductor devices in a high-density array, the limit is to make the external size of the fins about the same as the external size of the package body. It is.

更に■の場合には空冷用の電動ファンから騒音が出たり
過大な風圧によって振動が発生したり、また他のデバイ
スを過冷却する等の欠点があってその適用に制約が生ず
る。
Furthermore, in the case of (2), there are drawbacks such as noise from the electric fan for air cooling, vibration caused by excessive wind pressure, and overcooling of other devices, which limits its application.

一方、厚さを薄くしたフィンにおいても十分な機械的強
度を得るために例えば中心軸を太くすることが考えられ
るが、この場合には放熱フィンとパッケージ本体に設け
られた放熱フィン固定具との接着面積が大きくなって放
熱フィンと放熱フィン固定具との熱膨張率の違いによっ
て接着材にクラックが発生し易くなり、放熱フィンのパ
ッケージ表面への接続不良が起こる。
On the other hand, in order to obtain sufficient mechanical strength even with thinned fins, it is possible to make the central axis thicker, for example, but in this case, the heat dissipation fins and the heat dissipation fin fixture provided on the package body As the adhesive area becomes larger, cracks tend to occur in the adhesive due to the difference in coefficient of thermal expansion between the heat dissipation fin and the heat dissipation fin fixture, resulting in poor connection of the heat dissipation fin to the package surface.

本発明では、パッケージ表面に良好に接続でき、表面積
を増やし且つ十分な強度で放熱性の優れた放熱フィンを
持つ半導体装置を得ることを目的とする。
An object of the present invention is to obtain a semiconductor device having heat dissipating fins that can be well connected to the package surface, have an increased surface area, have sufficient strength, and have excellent heat dissipation properties.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記問題点は、パッケージ表面上に互いに間隔をおいて
上下方向に配置された複数個のフィンと、該複数個のフ
ィンの中の該パッケージ表面と対向するフィンの中央部
に設けられ、該パッケージ表面に接続されるフィン支持
部と、 該複数個のフィンの互いに対向するフィン表面であって
、該フィン支持部の設けられた部分より外側の周辺部に
複数個設けられ、互いに対向するフィン間を接続するフ
ィン間接続部とを備えた放熱フィンを有する半導体装置
によって解決される。
The above problem is solved by a plurality of fins arranged vertically at intervals on the package surface, and a central part of the fin facing the package surface among the plurality of fins. A fin support part connected to the surface, and a plurality of fin surfaces of the plurality of fins facing each other, provided in a peripheral area outside the part where the fin support part is provided, and between the mutually facing fins. The present invention is solved by a semiconductor device having a heat dissipation fin with an inter-fin connection portion connecting the fins.

〔作 用〕[For production]

フィン中央部に設けられたフィン支持部により放熱フィ
ンをパッケージ表面の放熱フィン固定具へ接続するよう
にし且つ薄いフィン相互間にはフィン支持部より外側の
周辺部にフィン間接続部を設けるので、放熱フィンはパ
ッケージ表面に良好に接続できると共に薄いフィンは十
分に補強することができる。
The heat dissipation fin is connected to the heat dissipation fin fixture on the package surface by the fin support provided in the center of the fin, and inter-fin connections are provided between the thin fins at the periphery outside of the fin support. The radiation fins can be well connected to the package surface, and the thin fins can be sufficiently reinforced.

更にフィン間接続部は柱状の放熱体として働くと同時に
表面積の増加が図れるのでより効率的な冷却効果が得ら
れる。
Further, since the inter-fin connection portion functions as a columnar heat radiator and increases the surface area, a more efficient cooling effect can be obtained.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明になる半導体装置の構成例を説明する図
であり、(A)は全体構成図をまた(B)゛は放熱フィ
ン部分をそれぞれ示す図である。  、また第2図は他
の実施例を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating an example of the configuration of a semiconductor device according to the present invention, in which (A) is an overall configuration diagram, and (B) is a diagram showing a radiation fin portion. , and FIG. 2 is a diagram showing another embodiment.

第1図で、(A)は第3図における放熱フィン8のみを
放熱フィン10に置き換えたものであり、その他の部分
は第3図と全く同様である。
In FIG. 1, (A) shows a device in which only the radiation fins 8 in FIG. 3 are replaced with radiation fins 10, and the other parts are completely the same as in FIG. 3.

第1図(A) 、 CB)で、ICチップ1がセラミッ
ク等からなるパッケージ本体2のほぼ中央部に形成され
ている第3図同様の放熱フィン固定具3の表面(図では
上面)に金(Au)薄膜4を介して固定されており、該
ICチップl上の複数の電極と上記パッケージ本体2上
の複数の外部引出し電極との間がボンディングワイヤ6
a、6b・・・で接続されていることは第3図の場合と
同様である。なお図の7はセラミック等からなるパッケ
ージカバーを示′している。
In FIGS. 1(A) and CB), the IC chip 1 is formed approximately in the center of the package body 2 made of ceramic or the like, and the surface (upper surface in the figure) of the heat dissipation fin fixture 3 similar to that shown in FIG. 3 is coated with gold. (Au) is fixed via a thin film 4, and bonding wires 6 are connected between the plurality of electrodes on the IC chip l and the plurality of external lead-out electrodes on the package body 2.
The connection at points a, 6b, . . . is the same as in the case of FIG. Note that 7 in the figure shows a package cover made of ceramic or the like.

他方アルミニウム(A ffi )からなる放熱フィン
10は、上記放熱フィン固定具3の上記ICチップl固
定面の反対側の面に形成されているスタッド3aと嵌合
して該放熱フィンlOを放熱フィン固定具3に固定する
孔10aを中心軸10bの片側端面のフィン支持部10
eに備えると共に、該中心軸10bには該中裔軸10b
とほぼ直交して例えば2〜3III11程度の等間隔に
複数(図では4個)の円板状フィン10Cが固定・され
tお謬更に該円板状フィン19c上の上記中心軸tab
を中心とする同一円周上等間隔の位置には複数(図では
4個)の対面するフィン間を接続する柱状のアルミニウ
ム(A ffi )の放熱体からなるフィン間接続部1
0dが設けられている。
On the other hand, the heat dissipation fin 10 made of aluminum (Affi) is fitted with the stud 3a formed on the surface of the heat dissipation fin fixture 3 opposite to the IC chip l fixing surface, thereby fixing the heat dissipation fin lO to the heat dissipation fin. The hole 10a for fixing to the fixture 3 is connected to the fin support part 10 on one end surface of the central shaft 10b.
e, and the central shaft 10b is provided with the intermediate shaft 10b.
A plurality of disc-shaped fins 10C (four in the figure) are fixed at equal intervals of, for example, 2 to 3III11, substantially orthogonal to the central axis tab on the disc-shaped fins 19c.
At equidistant positions on the same circumference centered on , there are inter-fin connection parts 1 consisting of columnar aluminum (Affi) heat sinks that connect a plurality of (four in the figure) facing fins.
0d is provided.

円板状フィンの厚さは例えば0.5+w−、径はパッケ
ージ外形の一辺とほぼ等しい50ma+とじ、中心軸の
径は例えば10mmどし、フィン間接続部10dの径は
2〜5IIIll程度とする。
The thickness of the disc-shaped fin is, for example, 0.5+w-, the diameter is 50mm+, which is approximately equal to one side of the package outer shape, the diameter of the central axis is, for example, 10mm, and the diameter of the inter-fin connection part 10d is about 2 to 5IIIll. .

そこで該放熱フィン10の上記孔10aを上記放熱フィ
ン固定具3のスタッド3aに嵌合させて両者を熱伝導性
の樹脂例えばエポキシ樹脂等を接着材として介在させて
固着するようにしている。
Therefore, the hole 10a of the radiation fin 10 is fitted into the stud 3a of the radiation fin fixture 3, and the two are fixed together using a thermally conductive resin, such as an epoxy resin, as an adhesive.

なお放熱フィン10は、従来の機械加工による削り出し
の放熱フ、インにフィン間接続部を接着して一体化形成
することができるが、この場合にはフィンとフィン支持
部の繋がっている部分の強度を大きくすることができる
Note that the heat dissipation fins 10 can be integrally formed by gluing the inter-fin connection parts to heat dissipation fins and ins that are cut out by conventional machining, but in this case, the connecting parts between the fins and the fin support parts The strength of can be increased.

また放熱フィンの各部分を、通常の放電加・工技術また
は電解加工技術で一体化形成することもできるが、特に
この場合には従来の機械加工による削り出しの場合より
も各フィンの厚さを薄クシて個々のフィンの放熱効率を
高めることが容易である。
It is also possible to integrally form each part of the heat dissipation fins using normal electrical discharge machining technology or electrolytic machining technology. It is easy to increase the heat dissipation efficiency of individual fins by making them thinner.

この半導体装置によれば、上記フィン間接続部10dに
よる表面積の増加と共に対面する各フィンが該フィン間
接続部10dで相互に固定されて各フィンが強度的に補
強されることから効率的な冷却効果を実現させることが
できる。
According to this semiconductor device, the surface area is increased by the inter-fin connection portion 10d, and the facing fins are fixed to each other by the inter-fin connection portion 10d, and each fin is strengthened, so that efficient cooling is achieved. effect can be realized.

そこで結果的にかかる放熱フィン10を装着した半導体
装置では、半導体装置としての大きさを変えることなく
放熱フィン10の放熱面を増大させることができて、発
熱量の大きいICチップが搭載された場合でも効率的に
該ICチップを冷却することができる。
Therefore, in a semiconductor device equipped with such a heat dissipation fin 10, the heat dissipation surface of the heat dissipation fin 10 can be increased without changing the size of the semiconductor device, and when an IC chip with a large amount of heat is mounted. However, the IC chip can be efficiently cooled.

他の実施例を示す第2図は、搭載するICチップの発熱
量に対応した放熱フィンを備えた半導体装置を示したも
ので、(a)が全体構成図、(b)が放熱フィンの部分
を表わしていることは第1図と同様である。
FIG. 2 showing another embodiment shows a semiconductor device equipped with a heat dissipation fin that corresponds to the amount of heat generated by an IC chip mounted thereon, in which (a) is an overall configuration diagram and (b) is a portion of the heat dissipation fin. This is the same as in FIG. 1.

なお第2図は第1図における放熱フィン10の代わりに
放熱フィン11を放熱フィン固定具3のスタッド3aに
固着したものであり、その他の部分は第1図と同様であ
る。
In addition, in FIG. 2, a radiation fin 11 is fixed to a stud 3a of a radiation fin fixture 3 instead of the radiation fin 10 in FIG. 1, and other parts are the same as in FIG. 1.

図(a) 、 (b)で、アルミニウム(A1)からな
る放熱フィン11は、第1図と等しい放熱フィン10の
個々のフィン上に例えば複数の高さくh)の低いアルミ
ニウム(A f )の放熱体11aを追加して構成した
ものである。
In Figures (a) and (b), the radiation fins 11 made of aluminum (A1) are made of aluminum (A f ) with a plurality of low heights h) on the individual fins of the radiation fins 10, which are the same as in Figure 1. This is configured by adding a heat sink 11a.

かかる構成になる放熱フィン11を備えた半導体装置で
は、上記放熱体11aの高さくh)や径、数を変えるこ
とによって該放熱フィン11としての表面積を変えるこ
とができることから、搭載されるICチップの発熱量に
合わせて該半導体装置としての放熱効率を調整すること
が可能となり、放熱効果ひいては冷却効果のよい半導体
装置を得ることができる。
In a semiconductor device equipped with a heat dissipation fin 11 having such a configuration, the surface area of the heat dissipation fin 11 can be changed by changing the height (h), diameter, and number of the heat dissipation body 11a, so that the IC chip mounted thereon can be changed. It becomes possible to adjust the heat dissipation efficiency of the semiconductor device in accordance with the amount of heat generated, and it is possible to obtain a semiconductor device with good heat dissipation effect and thus good cooling effect.

なお本発明の説明に当たっては、完成した状態の放熱フ
ィンを放熱フィン固定具に嵌合固定する場合について行
っているが、従来例の如く個々のフィンに特別な放熱体
が装着されていない状態の放熱フィンを放熱フィン固定
具に嵌合固定した後に所定形状に形成した放熱体を接合
固定しても同等の効果を得ることができる。
In the explanation of the present invention, the case where a completed heat dissipation fin is fitted and fixed to a heat dissipation fin fixing tool is described, but it is not applicable to the case where a special heat dissipation body is not attached to each fin as in the conventional example. The same effect can be obtained by fitting and fixing the heat dissipation fin to the heat dissipation fin fixture and then joining and fixing the heat dissipation body formed into a predetermined shape.

なお、本発明の放熱フィンはパッケージ表面の上記放熱
フィン固定具以外の別の表面例えばキャップ表面等にも
接続することができる。
Note that the radiation fin of the present invention can also be connected to another surface other than the above-mentioned radiation fin fixing device on the surface of the package, such as the surface of the cap.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上述の如く本発明により、パッケージ表面に良好に接続
でき表面積を増やし且つ十分な強度の放熱フィンが得ら
れ、使用時の該半導体装置を効率よく効果的に冷却して
特性および生産性の向上を図った半導体装置を容易に提
供することができる。
As described above, according to the present invention, a heat dissipation fin that can be well connected to the package surface, has an increased surface area, and has sufficient strength can be obtained, and the semiconductor device can be efficiently and effectively cooled during use to improve its characteristics and productivity. Accordingly, it is possible to easily provide a semiconductor device according to the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明になる半導体装置の構成例を説明する図
、 第2図は他の実施例を示す図、 第3図は従来の半導体装置の例を示す構成図、である。 図において、 1はICチップ、 2はパッケージ本体、3は放熱フィ
ン固定具、3aはスタッド、4は金薄膜、   6aは
ボンディングワイヤ、′7はパッケージカバー、 to、 ii は放熱フィン、 10aは孔、10bは
中心軸、  IOcば円板状フィン、10dはフィン間
接続部、10eはフィン支持部、11aは放熱体、 をそれぞれ表わす。 (A) (El) 3苧51 B?コ (α〕 (bン % 2図
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration example of a semiconductor device according to the present invention, FIG. 2 is a diagram illustrating another embodiment, and FIG. 3 is a configuration diagram illustrating an example of a conventional semiconductor device. In the figure, 1 is an IC chip, 2 is a package body, 3 is a heat dissipation fin fixture, 3a is a stud, 4 is a gold thin film, 6a is a bonding wire, '7 is a package cover, to, ii are heat dissipation fins, 10a is a hole , 10b represents a central axis, IOc represents a disc-shaped fin, 10d represents an inter-fin connection portion, 10e represents a fin support portion, and 11a represents a heat sink, respectively. (A) (El) 3 苧51 B? ko (α) (b % Figure 2)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] パッケージ表面上に互いに間隔をおいて上下方向に配置
された複数個のフィン(10c)と、該複数個のフィン
(10c)の中の該パッケージ表面と対向するフィンの
中央部に設けられ、該パッケージ表面に接続されるフィ
ン支持部(10e)と、該複数個のフィン(10c)の
互いに対向するフィン表面であって、該フィン支持部(
10e)の設けられた部分より外側の周辺部に複数個設
けられ、互いに対向するフィン間を接続するフィン間接
続部(10d)とを備えた放熱フィン(10)を有する
ことを特徴とする半導体装置。
A plurality of fins (10c) arranged vertically at intervals on the package surface, and a fin provided in the center of the fin facing the package surface among the plurality of fins (10c), A fin support part (10e) connected to the package surface and mutually opposing fin surfaces of the plurality of fins (10c), the fin support part (10e) being connected to the package surface;
A semiconductor characterized by having a plurality of heat dissipating fins (10) provided in a peripheral area outside of the portion where 10e) are provided and including an inter-fin connection part (10d) that connects mutually opposing fins. Device.
JP1132151A 1989-05-25 1989-05-25 Semiconductor device Pending JPH02310951A (en)

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