JPH02310915A - 半導体薄膜形成装置 - Google Patents
半導体薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH02310915A JPH02310915A JP13198089A JP13198089A JPH02310915A JP H02310915 A JPH02310915 A JP H02310915A JP 13198089 A JP13198089 A JP 13198089A JP 13198089 A JP13198089 A JP 13198089A JP H02310915 A JPH02310915 A JP H02310915A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- optical element
- semiconductor thin
- face
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 4
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000001741 metal-organic molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ｙ１薄膜を成長させる際に基板上に光
を照射し薄膜成長反応を促進することにより、部分的に
厚い、もしくは部分的にのみ成長した半導体薄膜を形成
する半導体薄膜形成装置に関する。
を照射し薄膜成長反応を促進することにより、部分的に
厚い、もしくは部分的にのみ成長した半導体薄膜を形成
する半導体薄膜形成装置に関する。
（従来技術及び発明が解決しようとする！！ＩＩ！Ｉｔ
）オプトエレクトロニクス用をはじめとした半導体素子
の高度化、高機能化にともない、その作製プロセスは複
雑化の一途をたどっている。そのプロセスの筒易化のた
め、素子構造の提案のみならず半導体薄膜製造プロセス
の提案もなされている。
）オプトエレクトロニクス用をはじめとした半導体素子
の高度化、高機能化にともない、その作製プロセスは複
雑化の一途をたどっている。そのプロセスの筒易化のた
め、素子構造の提案のみならず半導体薄膜製造プロセス
の提案もなされている。
たとえばアブライドフィジクスレターズ（ＡＩｌｐ１ｉ
ｅｄＰｈｙｓｉｃ３Ｌｅｔｔｅｒｓ ） ５４巻４号（
１９８９年）３３５頁に発表されているように、半導体
薄膜を形成する際に、有機金属分子線エピタキシー（以
下、ＭＯＭＢＥという、）装置の成長装置内の半導体基
板上に部分的に光を照射することにより半導体ＩＬＦｉ
上の一部に選択的に半導体薄膜を形成する技術が開発さ
れている。この半導体薄膜形成方法を用いて微細な形状
を選択的に成長させるにはレーザ、あるいはレンズ、ミ
ラーなどの光学系と、成長装置の相対的位置関係を一定
に保つことが重要であり、除震台上に設置されていた。
ｅｄＰｈｙｓｉｃ３Ｌｅｔｔｅｒｓ ） ５４巻４号（
１９８９年）３３５頁に発表されているように、半導体
薄膜を形成する際に、有機金属分子線エピタキシー（以
下、ＭＯＭＢＥという、）装置の成長装置内の半導体基
板上に部分的に光を照射することにより半導体ＩＬＦｉ
上の一部に選択的に半導体薄膜を形成する技術が開発さ
れている。この半導体薄膜形成方法を用いて微細な形状
を選択的に成長させるにはレーザ、あるいはレンズ、ミ
ラーなどの光学系と、成長装置の相対的位置関係を一定
に保つことが重要であり、除震台上に設置されていた。
第２図は従来のこの種装置の横方向からみた概略図、第
３図は第２図の装置を斜め上方（第２図の矢印方向）か
らみた概略図である。１は基板、２はレーザビームを照
射する窓、３は成長装置、４は除震台、５はレ−ザ、６
はレーザビーム、７はレンズ、ミラーなどの光学素子、
８はミラーである。従来のこの種装置においては、第２
図に示すように基板１の面に対する垂線は鉛直または斜
め下向きに設置されていた。そのためこの基板１をレー
ザビーム６で照射するためには下方または斜め下からレ
ーザビーム６を照射する必要があった。このときレーザ
ビーム６を成長装置３の恣２近くに設置した光学素子７
で処理する必要があり、そのための光学素子７は水平面
に設置することができず、垂直面または斜面に設置され
ていたため、長時間に渡って光照射をする場合、光学素
子７の位置がずれるなどの問題が生じていた。また光学
素子７の設置にあたっても水平面上に設置できないため
、設置が難しいという問題点があった。また、第３図に
示すように２光束を干渉させ縞状の成長を行う場合、レ
ーザ５より出射したレーザビーム６は例えば垂直偏光を
有し”ζおり、これをミラー８で反射した場合に、入射
光と反射光とがつくる面に対し偏光面は含まれないか、
または垂直でないため、偏光方向の回転が生じ、これを
、ミラーである光学素子７とハーフミラ−である光学素
子７ａとで処理（この場合は分割１反射）した後、基板
１に照射すると、２本のレーザビーム６ａ、６ｂの偏光
方向は互いにずれており干渉を生じない、または干渉し
′ζも干渉により強度の増加する部分と減少する部分の
光強度の差が小さいという欠点があった。
３図は第２図の装置を斜め上方（第２図の矢印方向）か
らみた概略図である。１は基板、２はレーザビームを照
射する窓、３は成長装置、４は除震台、５はレ−ザ、６
はレーザビーム、７はレンズ、ミラーなどの光学素子、
８はミラーである。従来のこの種装置においては、第２
図に示すように基板１の面に対する垂線は鉛直または斜
め下向きに設置されていた。そのためこの基板１をレー
ザビーム６で照射するためには下方または斜め下からレ
ーザビーム６を照射する必要があった。このときレーザ
ビーム６を成長装置３の恣２近くに設置した光学素子７
で処理する必要があり、そのための光学素子７は水平面
に設置することができず、垂直面または斜面に設置され
ていたため、長時間に渡って光照射をする場合、光学素
子７の位置がずれるなどの問題が生じていた。また光学
素子７の設置にあたっても水平面上に設置できないため
、設置が難しいという問題点があった。また、第３図に
示すように２光束を干渉させ縞状の成長を行う場合、レ
ーザ５より出射したレーザビーム６は例えば垂直偏光を
有し”ζおり、これをミラー８で反射した場合に、入射
光と反射光とがつくる面に対し偏光面は含まれないか、
または垂直でないため、偏光方向の回転が生じ、これを
、ミラーである光学素子７とハーフミラ−である光学素
子７ａとで処理（この場合は分割１反射）した後、基板
１に照射すると、２本のレーザビーム６ａ、６ｂの偏光
方向は互いにずれており干渉を生じない、または干渉し
′ζも干渉により強度の増加する部分と減少する部分の
光強度の差が小さいという欠点があった。
本発明の目的は、上記課題を解決するため、半導体基板
に光を照射しながら半導体薄膜を選択的に成長させる装
置において、ＭＯＭＢＥ装置の成長装置内の基板に照射
するレーザビームを水平力向から入射可能な構造を有す
る半導体薄膜形成装置を提供するごとにある。
に光を照射しながら半導体薄膜を選択的に成長させる装
置において、ＭＯＭＢＥ装置の成長装置内の基板に照射
するレーザビームを水平力向から入射可能な構造を有す
る半導体薄膜形成装置を提供するごとにある。
（課題を解決するだめの手段）
本発明は上記目的を達成するため、基板上に光照射させ
て半導体薄膜を成長さセる半導体薄膜形成装置において
、有機金属分子線エピタキシー装置と、Ｊ亥有機金属分
子線ユピタキシー装置のチャンバ内の基板を照射するた
めのレーザー光学系とを除震台上に設置してなり、かつ
、上記基板の面に対する垂線が水平面内にあるように基
板を設置したことをｖＦ限とする半導体薄膜形成装置を
要旨とする。
て半導体薄膜を成長さセる半導体薄膜形成装置において
、有機金属分子線エピタキシー装置と、Ｊ亥有機金属分
子線ユピタキシー装置のチャンバ内の基板を照射するた
めのレーザー光学系とを除震台上に設置してなり、かつ
、上記基板の面に対する垂線が水平面内にあるように基
板を設置したことをｖＦ限とする半導体薄膜形成装置を
要旨とする。
（作用）
本発明は上記構成により、ＭＯＭＢＥ装置のチャンバ内
にレーザビームを容易に導入するため、基板の垂線を水
平方向に向けたことにより光学素子の設置を容８とし、
また、光学素子のずれをなくしたものである。
にレーザビームを容易に導入するため、基板の垂線を水
平方向に向けたことにより光学素子の設置を容８とし、
また、光学素子のずれをなくしたものである。
（実施例）
以下、図面に沿って本発明の実施例について説明する。
なお、実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸
脱しない範囲で種々の変更あるいは改良を行いつること
は言うまでもない。
脱しない範囲で種々の変更あるいは改良を行いつること
は言うまでもない。
第１図は本発明の一実施例の概略図である。ｌは基板、
２はレーザビームを照射する窓、３は半導体薄膜を成長
させるチャンバ、４は除震台、５はレーザ、６はレーザ
ビーム、７はレンズ、ミラーなどの光学素子である。基
板１の垂線は水平方向を向いているため、レーザビーム
６は水平方向から入射することができる０例えば、レー
ザ５がら入射したレーザービーム６は、必要であれば除
震台４からの高さを基板ｌと同一に調整した後、同一面
内で光学素子７により処理されチャンバ３内の基板Ｉに
入射する。光学素子７は除震台４上に設置されるため確
実な固定が可能であり、長期に利用し°Ｃも位置のずれ
を生じることはない。また光学素子７は、除震台４の水
平面上に固定するため、その設置も容易である６また第
３図で説明した２光束干渉を行うような場合にも、入射
光と反射光とがつくる面に対し偏光面は含まれるが、ま
たは垂直であるため、ミラーで反射しても垂直偏光など
の偏光面の回転を生ずることはなく、２本のレーザービ
ーム６ａ、６ｂを干渉させた場合、干渉により強度の増
加する部分と減少する部分の光強度の差を最大とするこ
とができる。
２はレーザビームを照射する窓、３は半導体薄膜を成長
させるチャンバ、４は除震台、５はレーザ、６はレーザ
ビーム、７はレンズ、ミラーなどの光学素子である。基
板１の垂線は水平方向を向いているため、レーザビーム
６は水平方向から入射することができる０例えば、レー
ザ５がら入射したレーザービーム６は、必要であれば除
震台４からの高さを基板ｌと同一に調整した後、同一面
内で光学素子７により処理されチャンバ３内の基板Ｉに
入射する。光学素子７は除震台４上に設置されるため確
実な固定が可能であり、長期に利用し°Ｃも位置のずれ
を生じることはない。また光学素子７は、除震台４の水
平面上に固定するため、その設置も容易である６また第
３図で説明した２光束干渉を行うような場合にも、入射
光と反射光とがつくる面に対し偏光面は含まれるが、ま
たは垂直であるため、ミラーで反射しても垂直偏光など
の偏光面の回転を生ずることはなく、２本のレーザービ
ーム６ａ、６ｂを干渉させた場合、干渉により強度の増
加する部分と減少する部分の光強度の差を最大とするこ
とができる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明は基板上に光照射させて半
導体薄膜を成長させる半導体′ＦｉＩＷ！Ｊ形成装置に
おいて、有機金属分子線エピタキシー装置と、該有機金
属分子線エピタキシー装置のチャンバ内の基板を照射す
るためのレーザー光学系とを除震台上に設置してなり、
かつ、上記基板の面に対する垂線が水平面内にあるよう
に基板を設置したことにより、半導体基板に光を照射し
ながら半導体薄膜を選択的に成長させるＭＯＭＢＥ装置
において、除震台上に設置した半導体ｆａｌｌ！を成長
させるチャンバ内の基板の面に対する垂線を水平方向に
向けたことによりレーザービームの入射および光学素子
の設置が容易となり、また光学素子がずれることもない
ため再現性良くレーザービームを入射することができ、
微細な形状を有する半導体薄膜を形成することが可能で
ある。したがうて、ＤＦＢ、ＤＢＨの作製をはじめとし
たオプトエレクトロニクス用半導体部品の作製に有用で
あるばかりでなく、シリコン上へのパターン化されたＧ
ａＡｓ薄膜あるいはＩｎＰ薄膜の形成にも有用である。
導体薄膜を成長させる半導体′ＦｉＩＷ！Ｊ形成装置に
おいて、有機金属分子線エピタキシー装置と、該有機金
属分子線エピタキシー装置のチャンバ内の基板を照射す
るためのレーザー光学系とを除震台上に設置してなり、
かつ、上記基板の面に対する垂線が水平面内にあるよう
に基板を設置したことにより、半導体基板に光を照射し
ながら半導体薄膜を選択的に成長させるＭＯＭＢＥ装置
において、除震台上に設置した半導体ｆａｌｌ！を成長
させるチャンバ内の基板の面に対する垂線を水平方向に
向けたことによりレーザービームの入射および光学素子
の設置が容易となり、また光学素子がずれることもない
ため再現性良くレーザービームを入射することができ、
微細な形状を有する半導体薄膜を形成することが可能で
ある。したがうて、ＤＦＢ、ＤＢＨの作製をはじめとし
たオプトエレクトロニクス用半導体部品の作製に有用で
あるばかりでなく、シリコン上へのパターン化されたＧ
ａＡｓ薄膜あるいはＩｎＰ薄膜の形成にも有用である。
第１図は本発明の一実施例の概略図、第２図は従来の装
置の横方向から見た概略図、第３図は従来の装置の斜め
上方から見た概略図である。 １・・・・基板 ２ ・ ・ ・ ・☆ ３・・・・チャンバ ４・・・・除震台 ５・ ・ ・ ・レーザ ６・・・・レーザビーム ７・・・・光学素子 ８・・・・ミラー
置の横方向から見た概略図、第３図は従来の装置の斜め
上方から見た概略図である。 １・・・・基板 ２ ・ ・ ・ ・☆ ３・・・・チャンバ ４・・・・除震台 ５・ ・ ・ ・レーザ ６・・・・レーザビーム ７・・・・光学素子 ８・・・・ミラー
Claims (1)
- 基板上に光照射させて半導体薄膜を成長させる半導体薄
膜形成装置において、有機金属分子線エピタキシー装置
と、該有機金属分子線エピタキシー装置のチャンバ内の
基板を照射するためのレーザー光学系とを除震台上に設
置してなり、かつ、上記基板の面に対する垂線が水平面
内にあるように基板を設置したことを特徴とする半導体
薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13198089A JPH02310915A (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 半導体薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13198089A JPH02310915A (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 半導体薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02310915A true JPH02310915A (ja) | 1990-12-26 |
Family
ID=15070733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13198089A Pending JPH02310915A (ja) | 1989-05-25 | 1989-05-25 | 半導体薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02310915A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2535529C1 (ru) * | 2013-07-30 | 2014-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ижевский государственный технический университет имени М.Т. Калашникова" | Источник импульсного лазерного излучения |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6255920A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-11 | Nec Corp | 分子線蒸発源 |
| JPS62150708A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-04 | Nec Corp | 表面光励起薄膜形成方法 |
| JPS63271919A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光励起エピタキシヤル成長装置 |
-
1989
- 1989-05-25 JP JP13198089A patent/JPH02310915A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6255920A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-11 | Nec Corp | 分子線蒸発源 |
| JPS62150708A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-04 | Nec Corp | 表面光励起薄膜形成方法 |
| JPS63271919A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光励起エピタキシヤル成長装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2535529C1 (ru) * | 2013-07-30 | 2014-12-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ижевский государственный технический университет имени М.Т. Калашникова" | Источник импульсного лазерного излучения |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4958833B2 (ja) | 独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎを形成するための分割方法および装置 | |
| US5108947A (en) | Integration of gaas on si substrates | |
| US5356510A (en) | Method for the growing of heteroepitaxial layers | |
| JPS5752127A (en) | Method and device for forming iii-v group element semiconductor layer | |
| FR2684801B1 (fr) | Procede de realisation de composants semiconducteurs, notamment sur gaas ou inp, avec recuperation du substrat par voie chimique. | |
| JPH02310915A (ja) | 半導体薄膜形成装置 | |
| JP3117755B2 (ja) | ヘテロエピタキシャル層の成長法 | |
| JPH02306617A (ja) | 半導体薄膜形成装置 | |
| JPH01170015A (ja) | エピタキシャル成長方法 | |
| JPH03195015A (ja) | 半導体薄膜形成装置 | |
| US5672285A (en) | Laser casting apparatus and method | |
| JPH06306616A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS5645759A (en) | Preparation of vapor growth film | |
| JPH0855770A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3421672B2 (ja) | 結晶性薄膜の製造方法 | |
| JPH0251221A (ja) | 半導体薄膜形成装置 | |
| JPH04251917A (ja) | 半導体薄膜形成装置 | |
| Dumont et al. | Surface morphology of InGaAs and InP materials grown with trimethylarsenic and arsine on vicinal InP substrates | |
| Reuterskiöld Hedlund et al. | Trench‐Confined InP‐Based Epitaxial Regrowth Using Metal‐Organic Vapor‐Phase Epitaxy | |
| JP3082444B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH0341720A (ja) | 半導体薄膜形成装置 | |
| Takeda et al. | Large Area Epitaxial Lateral Overgrowth of Semipolar (1 1¯ 1\left(\right.\macr\left.\right) 01) GaN Stripes on Patterned Si Substrates Prepared using Maskless Lithography | |
| JPH04221815A (ja) | 半導体薄膜成長方法 | |
| Marx et al. | Metalorganic molecular beam epitaxy growth of GaAs on patterned GaAs substrates | |
| JPH03247597A (ja) | シリコン基板上への３―ｖ族化合物半導体のエピタキシャル成長方法 |