JPH02310545A - 並列光処理デバイス - Google Patents
並列光処理デバイスInfo
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- JPH02310545A JPH02310545A JP13328389A JP13328389A JPH02310545A JP H02310545 A JPH02310545 A JP H02310545A JP 13328389 A JP13328389 A JP 13328389A JP 13328389 A JP13328389 A JP 13328389A JP H02310545 A JPH02310545 A JP H02310545A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、並列光処理に利用される並列光処理デバイス
に関するものである。
に関するものである。
(従来の技術)
従来の電子計算機による情報処理は、個々の処理を順番
に、一つ一つ実行する逐次処理によってきた。しかし、
画像処理をはじめ大量のデータを扱う処理においては、
逐次処理によると膨大な処理時間を要するという問題が
ある。このため、高速処理が可能な電子計算機の実現が
重要な課題となっている。
に、一つ一つ実行する逐次処理によってきた。しかし、
画像処理をはじめ大量のデータを扱う処理においては、
逐次処理によると膨大な処理時間を要するという問題が
ある。このため、高速処理が可能な電子計算機の実現が
重要な課題となっている。
複数の処理を並列的に実行する並列処理は、電子計算機
の処理速度を飛躍的に向上させる技術と期待され、盛ん
に研究開発が行なわれている。
の処理速度を飛躍的に向上させる技術と期待され、盛ん
に研究開発が行なわれている。
しかし、電気回路のみにより並列処理を行なう場合、個
々の単位処理回路間の接続配線が動的に変更しにくい、
あるいは配線間のクロストークが無視できない等の問題
点を有している。
々の単位処理回路間の接続配線が動的に変更しにくい、
あるいは配線間のクロストークが無視できない等の問題
点を有している。
このような問題点を解決するため、光の並列性、無干渉
性を利用した並列光処理が注目されている。
性を利用した並列光処理が注目されている。
この並列光処理を実現するために、従来よりいくつかの
並列光処理デバイスが検討されている。
並列光処理デバイスが検討されている。
これらのうち、内部に光源を持たない受動型並列光処理
デバイスとしては、液晶を用いたもの(P。
デバイスとしては、液晶を用いたもの(P。
Chavel、 A、 A、 5avchuk、 T、
C,5trand、 and A。
C,5trand、 and A。
R,Tranguay、 Jr、 and B、 H,
5ofter: 0ptlcsLetter 5 (1
980) 39g、 参照)等が、一方、受光素子、
電気機能回路、発光素子を内蔵した能動型並列光処理デ
バイスとしては、Tseコンピュータ(D、 H,5c
haefer and J、 P、 Strong m
: Pr。
5ofter: 0ptlcsLetter 5 (1
980) 39g、 参照)等が、一方、受光素子、
電気機能回路、発光素子を内蔵した能動型並列光処理デ
バイスとしては、Tseコンピュータ(D、 H,5c
haefer and J、 P、 Strong m
: Pr。
ceedlngs of’ the IEEE 65
(1977)129. 参照)等が提案されている。
(1977)129. 参照)等が提案されている。
第2図は、従来の受動型デバイスの構成図である。第2
図において、A及びBは入力光、Rは読出光、Cは出力
光、1は液晶論理素子、2a。
図において、A及びBは入力光、Rは読出光、Cは出力
光、1は液晶論理素子、2a。
2b、2c、2dはレンズ、3はハーフミラ−である。
このような構成においては、レンズ2a、2bをそれぞ
れ介した二つの入力光A及びBが、液晶論理素子1上に
重なるように照射され、その結果が液晶に古き込まれる
。ここで、ハーフミラ−3を介して読出光Rを、液晶論
理素子1に照射すると、読出光Rは、液晶論理素子1を
通過中に入力光A及びBの演算結果に基づいて空間変調
され、レンズ2c、2dを介して出力光Cとして出力さ
れる。
れ介した二つの入力光A及びBが、液晶論理素子1上に
重なるように照射され、その結果が液晶に古き込まれる
。ここで、ハーフミラ−3を介して読出光Rを、液晶論
理素子1に照射すると、読出光Rは、液晶論理素子1を
通過中に入力光A及びBの演算結果に基づいて空間変調
され、レンズ2c、2dを介して出力光Cとして出力さ
れる。
また、第3図は、従来の能動型デバイスであるTseコ
ンピュータの構成図である。第3図において、4 a
、4 bは入力用光ファイバ、5a。
ンピュータの構成図である。第3図において、4 a
、4 bは入力用光ファイバ、5a。
5bは受光素子、6は電気回路、7は発光素子、8は出
力用光ファイバである。
力用光ファイバである。
このような構成においては、入力用光ファイバ4a、4
bをそれぞれ伝搬された入力光信号は、各光ファイバ4
a、4bの出射端に対応して配置された受光素子5a、
5bにてそれぞれ受光され、電気信号に変換される。こ
れら電気信号は、電気回路6にて処理され、その処理結
果の電気信号が発光素子7にて光信号に変換されて、出
力用光ファイバ8に導波され、出力される。
bをそれぞれ伝搬された入力光信号は、各光ファイバ4
a、4bの出射端に対応して配置された受光素子5a、
5bにてそれぞれ受光され、電気信号に変換される。こ
れら電気信号は、電気回路6にて処理され、その処理結
果の電気信号が発光素子7にて光信号に変換されて、出
力用光ファイバ8に導波され、出力される。
これらの受動型または能動型デバイスを、二次元状に配
列することにより並列光処理が行なわれる。
列することにより並列光処理が行なわれる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、受動型の並列光処理デバイスでは、簡易
な構成を有するものの、論理和(OR)、論理積(AN
D) 、排他的論理和(XOR) 、否定和(NOR)
、否定M (NAND) 、排他的論理和(XNOR
)といった論理演算は可能であるが、光源を内蔵しない
ため、入力光信号のないときに出力を出さなくてはなら
ない否定(NOT)論理演算や記憶(メモリ)の機能を
実現することができず、実現可能な機能が制限されると
いう問題点があった。
な構成を有するものの、論理和(OR)、論理積(AN
D) 、排他的論理和(XOR) 、否定和(NOR)
、否定M (NAND) 、排他的論理和(XNOR
)といった論理演算は可能であるが、光源を内蔵しない
ため、入力光信号のないときに出力を出さなくてはなら
ない否定(NOT)論理演算や記憶(メモリ)の機能を
実現することができず、実現可能な機能が制限されると
いう問題点があった。
また、能動型の並列光処理デバイスでは、信号の人出力
は光、内部処理は電気で行なうことにより、どのような
機能でも実現可能であるが、発熱源となる発光素子を含
むため、熱により大規模化が制限されるという問題点が
あった。
は光、内部処理は電気で行なうことにより、どのような
機能でも実現可能であるが、発熱源となる発光素子を含
むため、熱により大規模化が制限されるという問題点が
あった。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、そ
の目的は、多様な機能を有し、かつ、大規模化を図れる
並列光処理デバイスを提供することにある。
の目的は、多様な機能を有し、かつ、大規模化を図れる
並列光処理デバイスを提供することにある。
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するため、本発明では、二次元状に配列
された複数の光信号群の間で、空間的に並列に光処理を
行なう並列光処理デバイスにおいて、K+L個の入力ポ
ートを有し、L個の光パワ一群中の単位光パワービーム
をパワー供給源とし、K個の入力光信号群間で各単位光
ビーム毎に論理処理または記憶を行なうN個の単位セル
からなる並列処理部と、N個の単位光ビームからなる入
力光信号群に個と、N個の単位光ビームからなる入力光
パワ一群り個とを入力し、前記入力光信号群中並びに前
記入力光パワ一群中の単位光ビームK個が、前記並列処
理部中の対応する単位セル上で、かつ、K+L個の入力
ボート中の対応する入力ポートに各々入力されるように
、全ての入力光信号群と入力光パワ一群中の全単位光ビ
ームの空間的な位置を調整する入力部とを備えた。
された複数の光信号群の間で、空間的に並列に光処理を
行なう並列光処理デバイスにおいて、K+L個の入力ポ
ートを有し、L個の光パワ一群中の単位光パワービーム
をパワー供給源とし、K個の入力光信号群間で各単位光
ビーム毎に論理処理または記憶を行なうN個の単位セル
からなる並列処理部と、N個の単位光ビームからなる入
力光信号群に個と、N個の単位光ビームからなる入力光
パワ一群り個とを入力し、前記入力光信号群中並びに前
記入力光パワ一群中の単位光ビームK個が、前記並列処
理部中の対応する単位セル上で、かつ、K+L個の入力
ボート中の対応する入力ポートに各々入力されるように
、全ての入力光信号群と入力光パワ一群中の全単位光ビ
ームの空間的な位置を調整する入力部とを備えた。
(作 用)
本発明によれば、N個の単位光ビームからなるに個の入
力光信号群と、N個の単位光ビームからなるL個の入力
光パワ一群とが、入力部に入力される。
力光信号群と、N個の単位光ビームからなるL個の入力
光パワ一群とが、入力部に入力される。
入力部は、入力した各入力光信号群中並びに入力光パワ
一群中の単位光ビーム8個が、並列処理部中の対応する
単位セル上で、かつ、K+L個の入力ポート中の対応す
る入力ポートにそれぞれ入力されるように、全ての入力
光信号群と入力光パワ一群中の全単位光ビームの空間的
な位置を調整し、並列処理部に出力する。
一群中の単位光ビーム8個が、並列処理部中の対応する
単位セル上で、かつ、K+L個の入力ポート中の対応す
る入力ポートにそれぞれ入力されるように、全ての入力
光信号群と入力光パワ一群中の全単位光ビームの空間的
な位置を調整し、並列処理部に出力する。
並列処理部は、各単位セル毎にL個の光パワ一群中の単
位光パワー゛ビームをパワー供給源として、K個の入力
光信号群間で各単位光ビーム毎に論理処理または記憶を
行ない、その結果を当該並列光処理デバイスの出力光と
して出力する。
位光パワー゛ビームをパワー供給源として、K個の入力
光信号群間で各単位光ビーム毎に論理処理または記憶を
行ない、その結果を当該並列光処理デバイスの出力光と
して出力する。
(実施例)
第1a図は、本発明に係る並列光処理デバイスの一実施
例を模式的に示した構成図であって、入力光信号群が2
個(−K) 、入力光パワ一群が1個(−L)の場合を
示している。
例を模式的に示した構成図であって、入力光信号群が2
個(−K) 、入力光パワ一群が1個(−L)の場合を
示している。
第1a図において、IGSA、IGSBは入力光信号群
、IGPは入力光パワ一群、IGCは合成光入力群、O
GSは出力光信号群、10は入力部、20は並列処理部
である。また、第1b図は第1a図の合成光入力群IO
Cの拡大図を示している。
、IGPは入力光パワ一群、IGCは合成光入力群、O
GSは出力光信号群、10は入力部、20は並列処理部
である。また、第1b図は第1a図の合成光入力群IO
Cの拡大図を示している。
入力光信号群IGSA、IGSBは、最大9×9 (N
−81)のマトリクス状に配列される単位光ビームから
構成されている(第1図の場合、N師45)。
−81)のマトリクス状に配列される単位光ビームから
構成されている(第1図の場合、N師45)。
入力光パワ一群IGPは、9×9のマトリクス状に配列
された819(−N)の単位光パワービームから構成さ
れている。
された819(−N)の単位光パワービームから構成さ
れている。
入力部10は、第4図に示すように、入力光信号群IG
SAの各単位光パワービームは透過し、入力光パワ一群
IGPの各単位光ビームを反射して、これら入力光信号
群IGSAと入力光パワ一群IGPとをマトリクスの各
単位光ビーム毎に合成するハーフミラ−11と、ハーフ
ミラ−11にて合成された各単位光ビームを透過し、入
力光信号群IGSBの各単位光ビームを反射して、合成
された各単位光ビームと入力光信号群IGSBの各単位
光ビームとをマトリクスの各単位光ビーム毎に合成する
ハーフミラ−12とから構成されている。また、各入力
光信号群IGSA、IGSB並びに入力光パワ一群IG
P中の個々の単位光ビームが互いに異なる群間で重なら
ず、かつ、並列処理部20の後記する単位セル21内の
該当するボートIPA、IPP、IPBへ各々入力され
るように、ハーフミラ−11及び12への入射位置をず
らした構成としている。
SAの各単位光パワービームは透過し、入力光パワ一群
IGPの各単位光ビームを反射して、これら入力光信号
群IGSAと入力光パワ一群IGPとをマトリクスの各
単位光ビーム毎に合成するハーフミラ−11と、ハーフ
ミラ−11にて合成された各単位光ビームを透過し、入
力光信号群IGSBの各単位光ビームを反射して、合成
された各単位光ビームと入力光信号群IGSBの各単位
光ビームとをマトリクスの各単位光ビーム毎に合成する
ハーフミラ−12とから構成されている。また、各入力
光信号群IGSA、IGSB並びに入力光パワ一群IG
P中の個々の単位光ビームが互いに異なる群間で重なら
ず、かつ、並列処理部20の後記する単位セル21内の
該当するボートIPA、IPP、IPBへ各々入力され
るように、ハーフミラ−11及び12への入射位置をず
らした構成としている。
並列処理部20は、9×9のマトリクス状に配列された
81個の単位セル21から構成されている。各単位セル
21は、第5図に示すように、入力部10にて合成され
た入力光信号群IGSA。
81個の単位セル21から構成されている。各単位セル
21は、第5図に示すように、入力部10にて合成され
た入力光信号群IGSA。
IGSB並びに入力光パワ一群ICPの単位光ビームの
うち、入力光信号群IGSAの単位光ビームAが入力す
る入力ポートIPAと、入力光パワ一群IGPの単位光
パワービームPが入力する入力ポートIPPと、入力光
信号群IGSBの単位光ビームBが入力する入力ポート
IPBとを有しており、入力した単位光パワービームP
の光パワーを利用して、単位光ビームAとBの論理演算
または記憶等の各処理を行なう。
うち、入力光信号群IGSAの単位光ビームAが入力す
る入力ポートIPAと、入力光パワ一群IGPの単位光
パワービームPが入力する入力ポートIPPと、入力光
信号群IGSBの単位光ビームBが入力する入力ポート
IPBとを有しており、入力した単位光パワービームP
の光パワーを利用して、単位光ビームAとBの論理演算
または記憶等の各処理を行なう。
第6図は、メモリ(記憶)機能を有する単位セル21の
構成例を示す図である。第6図において、22a、22
b、22cは偏光ビームスプリッタで、p波のみを透過
し、S波を入射方向に対し90°の角度をもって反射す
る。これら偏光ビームスプリッタ22a、22b、22
cは、p波の透過方向を同一方向にして並列に配置され
ている。
構成例を示す図である。第6図において、22a、22
b、22cは偏光ビームスプリッタで、p波のみを透過
し、S波を入射方向に対し90°の角度をもって反射す
る。これら偏光ビームスプリッタ22a、22b、22
cは、p波の透過方向を同一方向にして並列に配置され
ている。
23a、23b、23c、23dは偏光制御素子で、例
えば、表示装置等に用いられるツィステッドネマチック
液晶(TN液晶)から構成されており、後記するように
対応した半透明受光素子に光が入射していない場合、電
圧が印加されず透過(通過)する光の偏光面をπ/2回
転させる。一方、対応した半透明受光素子に光が入射し
ている間は、電圧が印加され透過(通過)する光の偏光
面を保持する。これらの偏光制御素子23a。
えば、表示装置等に用いられるツィステッドネマチック
液晶(TN液晶)から構成されており、後記するように
対応した半透明受光素子に光が入射していない場合、電
圧が印加されず透過(通過)する光の偏光面をπ/2回
転させる。一方、対応した半透明受光素子に光が入射し
ている間は、電圧が印加され透過(通過)する光の偏光
面を保持する。これらの偏光制御素子23a。
23b、23c、23dのうち、偏光制御素子23aは
偏光ビームスプリッタ22aの光入射側に、偏光制御素
子23bは偏光ビームスプリッタ22bの光入射側に、
偏光制御素子23cは偏光ビームスプリッタ22bの光
透過側に、偏光制御素子23dは偏光ビームスプリッタ
22cの光入射側にそれぞれ配置されている。
偏光ビームスプリッタ22aの光入射側に、偏光制御素
子23bは偏光ビームスプリッタ22bの光入射側に、
偏光制御素子23cは偏光ビームスプリッタ22bの光
透過側に、偏光制御素子23dは偏光ビームスプリッタ
22cの光入射側にそれぞれ配置されている。
24a、24b、24c、24dは半透明受光素子(以
下、単に受光素子という)で、例えば、薄膜状のアモル
ファスシリコン太陽電池をガラス基板上に配設したもの
、あるいは微小受光素子(不透明)を多数、ガラス基板
上に散りばめ透明電極に結線したもの等から構成される
。これらの受光素子24a、24b、24c、24dの
うち、受光素子24aは偏光制御素子23aの光入射側
に、受光素子24bは偏光ビームスプリッタ22aの光
透過側に、受光素子24cは偏光制御素子23Cの光透
過側に、受光素子24dは偏光制御素子23dの光入射
側にそれぞれ配置されている。
下、単に受光素子という)で、例えば、薄膜状のアモル
ファスシリコン太陽電池をガラス基板上に配設したもの
、あるいは微小受光素子(不透明)を多数、ガラス基板
上に散りばめ透明電極に結線したもの等から構成される
。これらの受光素子24a、24b、24c、24dの
うち、受光素子24aは偏光制御素子23aの光入射側
に、受光素子24bは偏光ビームスプリッタ22aの光
透過側に、受光素子24cは偏光制御素子23Cの光透
過側に、受光素子24dは偏光制御素子23dの光入射
側にそれぞれ配置されている。
25は偏光板で、S波、即ち、p波とは垂直な偏光面を
有する光を透過する機能を有し、偏光制御素子23cと
受光素子24cとの間に挿入されている。
有する光を透過する機能を有し、偏光制御素子23cと
受光素子24cとの間に挿入されている。
さらに、上述した偏光制御素子23a、23b。
23c、23dと受光素子24a、24b、24c、2
4dとの対応付けは、受光素子24aに光が入射してい
る間だけ偏光制御素子23dに電圧が印加され、受光素
子24dに光が入射している間だけ偏光制御素子23a
に電圧が印加され、受光素子24bに光が入射している
間だけ偏光制御素子23cに電圧が印加され、受光素−
子24cに光が入射している間だけ偏光制御素子23b
に電圧が印加されるように構成されている。
4dとの対応付けは、受光素子24aに光が入射してい
る間だけ偏光制御素子23dに電圧が印加され、受光素
子24dに光が入射している間だけ偏光制御素子23a
に電圧が印加され、受光素子24bに光が入射している
間だけ偏光制御素子23cに電圧が印加され、受光素−
子24cに光が入射している間だけ偏光制御素子23b
に電圧が印加されるように構成されている。
また、受光素子24bの透過光が、当該単位セル21の
出力光Oとして出力されるように構成されている。
出力光Oとして出力されるように構成されている。
次に、上記構成による動作を、並列処理部20の単位セ
ル21が光メモリとして作動する場合を例に、第7図及
び第8図に基づいて順を追って詳細に説明する。
ル21が光メモリとして作動する場合を例に、第7図及
び第8図に基づいて順を追って詳細に説明する。
なお、入力光信号群IGSA、IGSB及び入力光パワ
一群IGPは、入力部10によって合成され、合成光入
力群IOCとして並列処理部20の各単位セル21に入
射し、入力光信号群IGSAの単位光ビームAは入力ポ
ートIPAを介し、データ光として受光素子24aに、
入力光パワ一群IGPの単位光パワービームPは入力ポ
ートIPPを介し、パワー光として偏光制御素子23b
に、入力光信号群IGSBの単位光ビームBは入力ポー
トIPBを介し、制御光として受光素子24dに入射す
るものとする。また、データ光A。
一群IGPは、入力部10によって合成され、合成光入
力群IOCとして並列処理部20の各単位セル21に入
射し、入力光信号群IGSAの単位光ビームAは入力ポ
ートIPAを介し、データ光として受光素子24aに、
入力光パワ一群IGPの単位光パワービームPは入力ポ
ートIPPを介し、パワー光として偏光制御素子23b
に、入力光信号群IGSBの単位光ビームBは入力ポー
トIPBを介し、制御光として受光素子24dに入射す
るものとする。また、データ光A。
パワー光P及び制御光Bは、全てp波の状態で入射され
るものとする。
るものとする。
第7図は、第6図の単位セル21にパワー光Pが入射し
、メモリの出力がある状態から無い状態へ移行する場合
の動作説明図である。
、メモリの出力がある状態から無い状態へ移行する場合
の動作説明図である。
ます、第7図の(a)に示すように、単位セル21にパ
ワー光Pのみが入射したときには、受光素子24cに光
が入射していないため、偏光制御素子23bは電圧無印
加状態にある。このため、偏光制御素子23bに入射し
たパワー光Pは、偏光制御素子23bを透過中にその偏
光面がπ/2回転され、S波となって偏光ビームスプリ
ッタ22bに入射する。偏光ビームスプリッタ22bに
入射したパワー光Pは、S波のためここで反射され、偏
光ビームスプリッタ22Hに入射する。
ワー光Pのみが入射したときには、受光素子24cに光
が入射していないため、偏光制御素子23bは電圧無印
加状態にある。このため、偏光制御素子23bに入射し
たパワー光Pは、偏光制御素子23bを透過中にその偏
光面がπ/2回転され、S波となって偏光ビームスプリ
ッタ22bに入射する。偏光ビームスプリッタ22bに
入射したパワー光Pは、S波のためここで反射され、偏
光ビームスプリッタ22Hに入射する。
偏光ビームスプリッタ22aに入射したS波のパワー光
Pは、さらに反射され、受光素子24bを透過して、出
力光Oとして出力される。
Pは、さらに反射され、受光素子24bを透過して、出
力光Oとして出力される。
次に、この出力状態で、第7図の(b)に示すように、
制御光Bを受光素子24dに入射する。
制御光Bを受光素子24dに入射する。
このとき、データ光Aが受光素子24aに入射していな
いため、偏光制御素子23dは電圧無印加状態にある。
いため、偏光制御素子23dは電圧無印加状態にある。
このため、受光素子24dを透過した制御光Bは、偏光
制御素子23dを透過中に、その偏光面がπ/2回転さ
れ、S波となって偏光ビームスプリッタ22cに入射す
る。偏光ビームスプリッタ22cに入射した制御光Bは
、S波のためここで反射され、偏光ビームスプリッタ2
2bに入射する。偏光ビームスプリッタ22bに入射し
たS波の制御光Bは、さらに反射され、偏光制御素子2
3cに入射する。
制御素子23dを透過中に、その偏光面がπ/2回転さ
れ、S波となって偏光ビームスプリッタ22cに入射す
る。偏光ビームスプリッタ22cに入射した制御光Bは
、S波のためここで反射され、偏光ビームスプリッタ2
2bに入射する。偏光ビームスプリッタ22bに入射し
たS波の制御光Bは、さらに反射され、偏光制御素子2
3cに入射する。
このとき、受光素子24bには、パワー光Pが入射して
いるため、偏光制御素子23cは電圧印加状態にある。
いるため、偏光制御素子23cは電圧印加状態にある。
このため、偏光制御素子23cに入射した制御光Bは、
偏光面の回転作用を受けることなく、S波のままで偏光
制御素子23cを透過した後、偏光板25に入射する。
偏光面の回転作用を受けることなく、S波のままで偏光
制御素子23cを透過した後、偏光板25に入射する。
偏光板25に入射した制御光Bは、S波であるので、偏
光板25をそのまま透過して、受光素子24cに入射す
る。
光板25をそのまま透過して、受光素子24cに入射す
る。
この受光素子24cへの制御光Bの入射に伴い、パワー
光Pが入射している偏光制御素子23bは電圧印加状態
に切り換わる。このため、偏光制御素子23bを透過す
るパワー光Pは、偏光面の回転作用を受けず、p波のま
まで偏光ビームスプリッタ22bに入射する。偏光ビー
ムスプリッタ22bに入射したパワー光Pは、p波であ
るので、そのまま透過して、偏光制御素子23cに入射
する。
光Pが入射している偏光制御素子23bは電圧印加状態
に切り換わる。このため、偏光制御素子23bを透過す
るパワー光Pは、偏光面の回転作用を受けず、p波のま
まで偏光ビームスプリッタ22bに入射する。偏光ビー
ムスプリッタ22bに入射したパワー光Pは、p波であ
るので、そのまま透過して、偏光制御素子23cに入射
する。
従って、第7図の(c)に示すように、当該単位セル2
1の出力光0の出力が停止する。また、受光素子24b
への光の入射も停止するので、偏光制御素子23cは、
電圧無印加状態に切り換わる。これにより、偏光制御素
子23cに入射するS波の制御光Bは、偏光面の回転作
用を受け、p波となって偏光板25に入射し、ここで遮
断される。
1の出力光0の出力が停止する。また、受光素子24b
への光の入射も停止するので、偏光制御素子23cは、
電圧無印加状態に切り換わる。これにより、偏光制御素
子23cに入射するS波の制御光Bは、偏光面の回転作
用を受け、p波となって偏光板25に入射し、ここで遮
断される。
一方、これと並行して、偏光面り御素子23cに入射す
るp波のパワー光Pは、偏光面の回転作用を受け、S波
となって偏光板25に入射し、そのまま透過して、受光
素子24cに入射する。
るp波のパワー光Pは、偏光面の回転作用を受け、S波
となって偏光板25に入射し、そのまま透過して、受光
素子24cに入射する。
従って、この状態で、第7図の(d)に示すように、制
御光Bの当該単位セル21への入射を停止しても、パワ
ー光Pの経路は、第7図の(c)の場合と同一経路を伝
搬し、出力光0の出力停止状態が保持される。
御光Bの当該単位セル21への入射を停止しても、パワ
ー光Pの経路は、第7図の(c)の場合と同一経路を伝
搬し、出力光0の出力停止状態が保持される。
また、第8図は、メモリとしての出力が無い状態(第7
図の(d))から出力の有る状態へ移行する場合の動作
説明図である。
図の(d))から出力の有る状態へ移行する場合の動作
説明図である。
第7図の(d)の状態において、第8図の(a)に示す
ように、p波のデータ光Aを受光素子24aに入射する
。このとき、制御光Bが受光素子24dに入射していな
いので、偏光制御素子23aは電圧無印加状態にある。
ように、p波のデータ光Aを受光素子24aに入射する
。このとき、制御光Bが受光素子24dに入射していな
いので、偏光制御素子23aは電圧無印加状態にある。
このため、データ光Aは、偏光制御素子23aにて偏光
面の回転作用を受け、S波となって偏光ビームスプリッ
タ22aに入射し、ここで反射される。従って、単位セ
ル21の出力状態に変化は生じない(無出力)。
面の回転作用を受け、S波となって偏光ビームスプリッ
タ22aに入射し、ここで反射される。従って、単位セ
ル21の出力状態に変化は生じない(無出力)。
次に、第8図の(a)の状態で、第8図の(b)に示す
ように、制御光Bを受光素子24dに入射する。このと
き、受光素子24aにデータ光Aが入射しているので、
偏光制御素子23dは電圧印加状態にある。このため、
制御光Bは、受光素子24dを透過した後、偏光制御素
子23dに入射し、ここで偏光面の回転作用を受けるこ
となく、p波のままで偏光ビームスプリッタ22cに入
射し、そのまま透過する。
ように、制御光Bを受光素子24dに入射する。このと
き、受光素子24aにデータ光Aが入射しているので、
偏光制御素子23dは電圧印加状態にある。このため、
制御光Bは、受光素子24dを透過した後、偏光制御素
子23dに入射し、ここで偏光面の回転作用を受けるこ
となく、p波のままで偏光ビームスプリッタ22cに入
射し、そのまま透過する。
一方、受光素子24dへの制御光Bの入射に伴い、偏光
制御素子23aは、電圧印加状態に切り換わる。これに
より、偏光制御素子23aを透過するデータ光Aは、偏
光面の回転作用を受けることなく、p波のままで偏光ビ
ームスプリッタ22aに入射する。偏光ビームスプリッ
タ22aに入射したp波のデータ光Aは、偏光ビームス
プリッタ22aを透過し、受光素子24bを介し、出力
光0として出力される。
制御素子23aは、電圧印加状態に切り換わる。これに
より、偏光制御素子23aを透過するデータ光Aは、偏
光面の回転作用を受けることなく、p波のままで偏光ビ
ームスプリッタ22aに入射する。偏光ビームスプリッ
タ22aに入射したp波のデータ光Aは、偏光ビームス
プリッタ22aを透過し、受光素子24bを介し、出力
光0として出力される。
この受光素子24bへのデータ光Aの入射に伴い、p波
のパワー光Pが入射している偏光制御素子23cは、電
圧印加状態に切り換わる。これにより、パワー光Pは、
偏光制御素子23cにおいて、偏光面の回転作用を受け
ずp波のままで偏光板25に入射し、ここで遮断される
。これにより、受光素子24cへのパワー光Pの入射が
停止する。
のパワー光Pが入射している偏光制御素子23cは、電
圧印加状態に切り換わる。これにより、パワー光Pは、
偏光制御素子23cにおいて、偏光面の回転作用を受け
ずp波のままで偏光板25に入射し、ここで遮断される
。これにより、受光素子24cへのパワー光Pの入射が
停止する。
この受光素子24cへのパワー光Pの入射停止に伴い、
偏光制御素子23bは電圧無印加状態に切り換わる。こ
れにより、偏光制御素子23bに入射するパワー光Pは
、偏光面の回転作用を受け、S波となって偏光ビームス
プリッタ22bに入射する。偏光ビームスプリッタ22
bに入射したS波のパワー光Pは、第8図の(C)に示
すように、偏光ビームスプリッタ22bにて反射され、
次に、偏光ビームスプリッタ22aに入射する。偏光ビ
ームスプリッタ22aに入射したパワー光Pは、S波で
あるので、さらに反射され、受光素子24bに入射し、
ここを透過して出力光Oとして出力される。
偏光制御素子23bは電圧無印加状態に切り換わる。こ
れにより、偏光制御素子23bに入射するパワー光Pは
、偏光面の回転作用を受け、S波となって偏光ビームス
プリッタ22bに入射する。偏光ビームスプリッタ22
bに入射したS波のパワー光Pは、第8図の(C)に示
すように、偏光ビームスプリッタ22bにて反射され、
次に、偏光ビームスプリッタ22aに入射する。偏光ビ
ームスプリッタ22aに入射したパワー光Pは、S波で
あるので、さらに反射され、受光素子24bに入射し、
ここを透過して出力光Oとして出力される。
次に、この状態において、第8図の(d)に示すように
、制御光Bの受光素子24dへの入射を停止すると、偏
光制御素子23aは、電圧無印加状態に切り換わる。こ
れにより゛、偏光制御素子23aを透過するp波のデー
タ光Aは、偏光面の回転作用を受け、S波となって偏光
ビームスプリッタ22aに入射し、ここで反射され、受
光素子24bには到達せず、出力されない。
、制御光Bの受光素子24dへの入射を停止すると、偏
光制御素子23aは、電圧無印加状態に切り換わる。こ
れにより゛、偏光制御素子23aを透過するp波のデー
タ光Aは、偏光面の回転作用を受け、S波となって偏光
ビームスプリッタ22aに入射し、ここで反射され、受
光素子24bには到達せず、出力されない。
しかし、パワー光Pは、偏光制御素子23bにてS波に
変換された後、偏光ビームスプリッタ22b、22a及
び受光素子24bを介して出力されているので、当該単
位セル21は出力光0を出力している状態が保持される
ことになる。
変換された後、偏光ビームスプリッタ22b、22a及
び受光素子24bを介して出力されているので、当該単
位セル21は出力光0を出力している状態が保持される
ことになる。
なお、以上の動作説明では、光メモリとしての動作を例
に説明したが、第6図の構成の単位セル21は、論理積
、否定等の論理演算も可能である。
に説明したが、第6図の構成の単位セル21は、論理積
、否定等の論理演算も可能である。
以上のように、本実施例によれば、2個の入力光信号群
IGSA、IGSBと1個の入力光パワ一群IGPの各
単位光ビームを、入力部10により各単位光ビーム毎に
合成し、この合成光入力群IOCを並列処理部20に入
力し、並列処理部20の複数(81個)の単位セル21
毎に、単位光パワービームPを利用して、単位光ビーム
Aと8間の並列処理を行ない、その結果を出力光信号群
OGSとして出力するようにしたので、発熱源となる発
光素子等を設けることなく、メモリ機能を有し、かつ、
否定等の論理演算機能を有する、多機能で、しかも大規
模化を図れる並列光処理デバイスを実現できる。
IGSA、IGSBと1個の入力光パワ一群IGPの各
単位光ビームを、入力部10により各単位光ビーム毎に
合成し、この合成光入力群IOCを並列処理部20に入
力し、並列処理部20の複数(81個)の単位セル21
毎に、単位光パワービームPを利用して、単位光ビーム
Aと8間の並列処理を行ない、その結果を出力光信号群
OGSとして出力するようにしたので、発熱源となる発
光素子等を設けることなく、メモリ機能を有し、かつ、
否定等の論理演算機能を有する、多機能で、しかも大規
模化を図れる並列光処理デバイスを実現できる。
次に、本発明に係る単位セルとして、否定(NOT)論
理演算を実現する場合、論理和(OR)演算を実現する
場合、論理a (AND)演算を実現する場合並びに排
他的論理和(XOR)演算を実現する場合の、好適な他
の構成例とその動作を第9図乃至第16図に基づいて、
順を追って説明する。
理演算を実現する場合、論理和(OR)演算を実現する
場合、論理a (AND)演算を実現する場合並びに排
他的論理和(XOR)演算を実現する場合の、好適な他
の構成例とその動作を第9図乃至第16図に基づいて、
順を追って説明する。
第9図は、否定論理演算を実現する場合の並列処理部の
単位セルの他の構成例を示す図である。
単位セルの他の構成例を示す図である。
第9図において、22 d、 22 eは偏光ビーム
スプリッタで、第6図に示すものと同一の機能を有しく
p波のみを透過)、p波の透過方向を同一方向として並
列に配置されている。
スプリッタで、第6図に示すものと同一の機能を有しく
p波のみを透過)、p波の透過方向を同一方向として並
列に配置されている。
26は二分の一波長板(以下、λ/2板という)で、p
波をS波に、また、S波をp波に変換する機能を有し、
偏光ビームスプリッタ22dの光入射側に配置されてい
る。24eは受光素子で、第6図に示すものと同一の構
成及び機能を有し、λ/2板26の光入射側に配置され
ている。
波をS波に、また、S波をp波に変換する機能を有し、
偏光ビームスプリッタ22dの光入射側に配置されてい
る。24eは受光素子で、第6図に示すものと同一の構
成及び機能を有し、λ/2板26の光入射側に配置され
ている。
23eは偏光制御素子で、受光素子24eに光が入射し
ている間は電圧が印加されて、入射する光そのまま透過
し、受光素子24eに光が入射していないときには、電
圧が印加されず、入射する光の偏光面をπ/2回転させ
る。この偏光制御素子23eは偏光ビームスプリッタ2
2eの光入射側に配置されている。
ている間は電圧が印加されて、入射する光そのまま透過
し、受光素子24eに光が入射していないときには、電
圧が印加されず、入射する光の偏光面をπ/2回転させ
る。この偏光制御素子23eは偏光ビームスプリッタ2
2eの光入射側に配置されている。
なお、この構成においては、入力部10にて入力光信号
群IGSBの各単位光ビームBは遮断され、単位セル2
1の入力ポートIPBには入射せず、かつ、受光素子2
4eには、入力光信号HxGSAの単位光ビームAが入
カポ−1−IPAを介し、データ光として入射し、入力
光パワ一群IGPの単位光パワービームPが入力ポート
IPPを介し、パワー光として偏光制御素子23eに入
射するように構成されているものとする。また、データ
光A及びパワー光Pはp波であり、01゜02は出力光
である。
群IGSBの各単位光ビームBは遮断され、単位セル2
1の入力ポートIPBには入射せず、かつ、受光素子2
4eには、入力光信号HxGSAの単位光ビームAが入
カポ−1−IPAを介し、データ光として入射し、入力
光パワ一群IGPの単位光パワービームPが入力ポート
IPPを介し、パワー光として偏光制御素子23eに入
射するように構成されているものとする。また、データ
光A及びパワー光Pはp波であり、01゜02は出力光
である。
次に、第9図の構成における動作を、第10図に基づい
て説明する。
て説明する。
まず、第10図の(a)に示すように、パワー光Pのみ
が偏光制御素子23eに入射し、データ光Aが受光素子
24eに入射していない場合、偏光制御素子23eは電
圧無印加状態にある。従って、偏光制御素子23eに入
射したp波のパワー光Pは、偏光面の回転作用を受け、
S波となって偏光ビームスプリッタ22eに入射する。
が偏光制御素子23eに入射し、データ光Aが受光素子
24eに入射していない場合、偏光制御素子23eは電
圧無印加状態にある。従って、偏光制御素子23eに入
射したp波のパワー光Pは、偏光面の回転作用を受け、
S波となって偏光ビームスプリッタ22eに入射する。
偏光ビームスプリッタ22eに入射したS波のパワー光
Pは、ここで反射され、次に偏光ビームスプリッタ22
dに入射する。偏光ビームスプリッタ22dに入射した
パワー光Pは、S波であるので、さらに反射され、出力
光01として出力される。
Pは、ここで反射され、次に偏光ビームスプリッタ22
dに入射する。偏光ビームスプリッタ22dに入射した
パワー光Pは、S波であるので、さらに反射され、出力
光01として出力される。
次に、第10図の(b)に示すように、データ光Aが受
光素子24eに入射した場合、データ光Aは受光素子2
4eを透過した後、λ/2板26に入射する。λ/2板
26に入射したデータ光Aは、p波からS波に変換され
て、偏光ビームスプリッタ22dに入射するが、S波の
ため反射され、出力光Ofとして出力されない。
光素子24eに入射した場合、データ光Aは受光素子2
4eを透過した後、λ/2板26に入射する。λ/2板
26に入射したデータ光Aは、p波からS波に変換され
て、偏光ビームスプリッタ22dに入射するが、S波の
ため反射され、出力光Ofとして出力されない。
一方、データ光Aの受光素子24eへの入射に伴い、偏
光制御素子23eは電圧印加状態に切り換わる。これに
より、偏光制御素子23eに入射したパワー光Pは、偏
光面の回転作用を受けることなくp波のままで、偏光ビ
ームスプリッタ22eに入射し、そのまま透過し、出力
光02として出力される。
光制御素子23eは電圧印加状態に切り換わる。これに
より、偏光制御素子23eに入射したパワー光Pは、偏
光面の回転作用を受けることなくp波のままで、偏光ビ
ームスプリッタ22eに入射し、そのまま透過し、出力
光02として出力される。
このように、第10図の構成においては、出力光01が
データ光Aの否定の論理演算結果となり、出力光02が
データ光Aそのものとして出力される。
データ光Aの否定の論理演算結果となり、出力光02が
データ光Aそのものとして出力される。
第11図は、論理和演算を実現する場合の並列処理部2
0の単位セルの構成例を示す図である。
0の単位セルの構成例を示す図である。
第11図において、22f、22gは偏光ビームスプリ
ッタで、第9図に示すものと、同一の機能を有しくp波
のみを透過)、第9図と同様に、p波の透過方向を同一
方向として並列に配置されている。26aはλ/2板で
、p波をS波に、また、S波をp波に変換する機能を有
し、偏光ビームスプリッタ22gの光入射側に配置され
ている。
ッタで、第9図に示すものと、同一の機能を有しくp波
のみを透過)、第9図と同様に、p波の透過方向を同一
方向として並列に配置されている。26aはλ/2板で
、p波をS波に、また、S波をp波に変換する機能を有
し、偏光ビームスプリッタ22gの光入射側に配置され
ている。
なお、この構成においては、入力部10にて入力光パワ
一群IGPの各単位光パワービームPを遮断し、入力光
信号群I GSAとIGSBの各単位光ビームAとBが
隣接して合成されるように調整されているものとする(
以下、第13図乃至第16図の構成においても同様)。
一群IGPの各単位光パワービームPを遮断し、入力光
信号群I GSAとIGSBの各単位光ビームAとBが
隣接して合成されるように調整されているものとする(
以下、第13図乃至第16図の構成においても同様)。
また、第11図の構成においては、入力光信号群IGS
Aの単位光ビームAがデータ光として偏光ビームスプリ
ッタ22fに入射し、入力光信号群IGSBの単位光ビ
ームBがデータ光としてλ/2板26aに入射するよう
に構成されているものとする。
Aの単位光ビームAがデータ光として偏光ビームスプリ
ッタ22fに入射し、入力光信号群IGSBの単位光ビ
ームBがデータ光としてλ/2板26aに入射するよう
に構成されているものとする。
次に、第11図の構成による動作を、第12図に基づい
て説明する。
て説明する。
まず、第12図の(a)に示すように、データ光Aのみ
が当該単位セルに入射した場合、データ光Aが偏光ビー
ムスプリッタ22fに入射すると、データ光Aはp波で
あるので、そのまま透過し、出力光Oとして出力される
。
が当該単位セルに入射した場合、データ光Aが偏光ビー
ムスプリッタ22fに入射すると、データ光Aはp波で
あるので、そのまま透過し、出力光Oとして出力される
。
また、第12図の(b)に示すように、データ光Bのみ
が当該単位セルに入射した場合、データ光Bはλ/2板
26aに入射し、S波に変換された後、偏光ビームスプ
リッタ22gに入射する。
が当該単位セルに入射した場合、データ光Bはλ/2板
26aに入射し、S波に変換された後、偏光ビームスプ
リッタ22gに入射する。
偏光ビームスプリッタ22gに入射したデータ光BはS
波であるので、ここで反射され、次に偏光ビームスプリ
ッタ22fに入射する。偏光ビームスプリッタ22fに
入射したデータ光Bは、さらに反射され、出力光Oとし
て出力される。
波であるので、ここで反射され、次に偏光ビームスプリ
ッタ22fに入射する。偏光ビームスプリッタ22fに
入射したデータ光Bは、さらに反射され、出力光Oとし
て出力される。
また、第12図の(C)に示すように、データ光A及び
Bが共に当該単位セルに入射した場合、データ光Aは上
述した第12図の(a)と同様の作用を、データ光Bは
上述した第12図の(b)と同様の作用を受けて、出力
光0として出力される。
Bが共に当該単位セルに入射した場合、データ光Aは上
述した第12図の(a)と同様の作用を、データ光Bは
上述した第12図の(b)と同様の作用を受けて、出力
光0として出力される。
以上のように、第11図の、構成による単位セルは、論
理和演算を実現している。
理和演算を実現している。
第13図は、論理積を実現する場合の並列処理部20の
単位セルの構成例を示す図である。
単位セルの構成例を示す図である。
第13図において、22h、22iは偏光ビームスプリ
ッタで、第9図に示すものと、同一の機能を有しくp波
のみを透過)、第9図と同様に、p波の透過方向を同一
方向として並列に配置されている。24fは受光素子で
、第6図に示すものと同一の機能及び構成を有し、偏光
ビームスプリッタ22hの光入射側に配置されている。
ッタで、第9図に示すものと、同一の機能を有しくp波
のみを透過)、第9図と同様に、p波の透過方向を同一
方向として並列に配置されている。24fは受光素子で
、第6図に示すものと同一の機能及び構成を有し、偏光
ビームスプリッタ22hの光入射側に配置されている。
23fは第6図に示すものと同一構成の偏光制御素子で
、受光素子24fに光が入射している間は、電圧が印加
され、入射する光の偏光面を回転させず、そのまま透過
させ、受光素子24fに光が入射していないと電圧が印
加されず、入射する光の偏光面をπ/2回転させる。A
、Bはデータ光(第11図と同様)、01,02は出力
光である。
、受光素子24fに光が入射している間は、電圧が印加
され、入射する光の偏光面を回転させず、そのまま透過
させ、受光素子24fに光が入射していないと電圧が印
加されず、入射する光の偏光面をπ/2回転させる。A
、Bはデータ光(第11図と同様)、01,02は出力
光である。
次に、第13図の構成による動作を、第14図に基づい
て説明する。
て説明する。
まず、第14図の(a)に示すように、p波のデータ光
A及びBが共に当該単位セルに入射した場合、データ光
Aは受光素子24fを透過し、偏光ビームスプリッタ2
2hに入射する。偏光ビー−ムスブリッタ22hに入射
したデータ光Aは、p波であるので、そのまま透過し、
出力光01として出力される。
A及びBが共に当該単位セルに入射した場合、データ光
Aは受光素子24fを透過し、偏光ビームスプリッタ2
2hに入射する。偏光ビー−ムスブリッタ22hに入射
したデータ光Aは、p波であるので、そのまま透過し、
出力光01として出力される。
一方、データ光Aの受光素子24fへの入射に伴い、偏
光制御素子23fは電圧印加状態にある。
光制御素子23fは電圧印加状態にある。
このため、偏光制御素子23fに入射したp波のデータ
光Bは、偏光面の回転作用を受けることなく、次に偏光
ビームスプリッタ22iに入射する。
光Bは、偏光面の回転作用を受けることなく、次に偏光
ビームスプリッタ22iに入射する。
偏光ビームスプリッタ22iに入射したデータ光Bは、
p波であるので、そのまま透過し、出力光02として出
力される。
p波であるので、そのまま透過し、出力光02として出
力される。
また、第14図の(b)に示すように、データ光Aのみ
が当該単位セルに入射した場合、データ光Aは、受光素
子24f1さらに偏光ビームスプリッタ22hを透過し
、出力光Ofとして出力される。
が当該単位セルに入射した場合、データ光Aは、受光素
子24f1さらに偏光ビームスプリッタ22hを透過し
、出力光Ofとして出力される。
一方、第14図の(C)に示すように、データ光Bのみ
が当該単位セルに入射した場合、受光素子24fにデー
タ光Aが入射しでいないため、偏光制御素子23fは電
圧無印加状態にある。このため、偏光制御素子23fに
入射したデータ光Bは、偏光面の回転作用を受け、S波
となって偏光ビームスプリッタ22iに入射する。偏光
ビームスプリッタ22iに入射したデータ光Bは、S波
であるので反射され、次に偏光ビームスプリッタ22h
に入射し、ここでさらに反射されて、出力光01として
出力される。
が当該単位セルに入射した場合、受光素子24fにデー
タ光Aが入射しでいないため、偏光制御素子23fは電
圧無印加状態にある。このため、偏光制御素子23fに
入射したデータ光Bは、偏光面の回転作用を受け、S波
となって偏光ビームスプリッタ22iに入射する。偏光
ビームスプリッタ22iに入射したデータ光Bは、S波
であるので反射され、次に偏光ビームスプリッタ22h
に入射し、ここでさらに反射されて、出力光01として
出力される。
以上のように、第13図の構成による単位セルでは、デ
ータ光A、Bのいずれか一方が入力しているときは出力
光01が出力され、論理和の演算結果となり、データ光
A及びBが共に入力しているときのみ出力光02が出力
され、論理積の演算結果となる。このように、第13図
の単位セルは、論理和並びに論理積演算を実現している
。
ータ光A、Bのいずれか一方が入力しているときは出力
光01が出力され、論理和の演算結果となり、データ光
A及びBが共に入力しているときのみ出力光02が出力
され、論理積の演算結果となる。このように、第13図
の単位セルは、論理和並びに論理積演算を実現している
。
第15図は、排他的論理和を実現する場合の並列処理部
20の単位セルの構成例を示す図である。
20の単位セルの構成例を示す図である。
第15図において、223.22には偏光ビームスプリ
ッタで、第9図に示すものと同一機能を有しくp波のみ
を透過)、第9図と同様に、p波の透過方向を同一方向
として並列に配置されている。26bはλ/2板で、p
波をS波に、また、S波をp波に変換する機能を有し、
偏光ビームスプリッタ22jの光入射側に配置されてい
る。
ッタで、第9図に示すものと同一機能を有しくp波のみ
を透過)、第9図と同様に、p波の透過方向を同一方向
として並列に配置されている。26bはλ/2板で、p
波をS波に、また、S波をp波に変換する機能を有し、
偏光ビームスプリッタ22jの光入射側に配置されてい
る。
23gは偏光制御素子で、受光素子24hに光が入射し
ている間は電圧が印加され、入射する光の偏光面を回転
させず、そのまま透過させ、受光素子24hに光が入射
していないと電圧が印加されず、入射する光の偏光面を
π/2回転させる。
ている間は電圧が印加され、入射する光の偏光面を回転
させず、そのまま透過させ、受光素子24hに光が入射
していないと電圧が印加されず、入射する光の偏光面を
π/2回転させる。
同様に、23hは偏光制御素子で、受光素子24gに光
が入射している間は電圧が印加され、入射する光をその
まま透過させ、受光素子24gに光が入射していないと
電圧が印加されず、入射する光の偏光面をπ/2回転さ
せる。
が入射している間は電圧が印加され、入射する光をその
まま透過させ、受光素子24gに光が入射していないと
電圧が印加されず、入射する光の偏光面をπ/2回転さ
せる。
これら偏光制御素子23g、23hは、第6図に示すも
のと、同一の構成を有し、偏光制御素子23gはλ/2
板26bの光入射側に、偏光制御素子23hは偏光ビー
ムスプリッタ22にの光入射側にそれぞれ配置されてい
る。
のと、同一の構成を有し、偏光制御素子23gはλ/2
板26bの光入射側に、偏光制御素子23hは偏光ビー
ムスプリッタ22にの光入射側にそれぞれ配置されてい
る。
また、受光素子24g、24hは、第6図に示すものと
同一の構成及び機能を有し、受光素子24gは偏光制御
素子23gの光入射側に、受光素子24hは偏光制御素
子23hの光入射側にそれぞれ配置されている。A、B
はデータ光(第11図と同様)、Of、02は出力光で
ある。
同一の構成及び機能を有し、受光素子24gは偏光制御
素子23gの光入射側に、受光素子24hは偏光制御素
子23hの光入射側にそれぞれ配置されている。A、B
はデータ光(第11図と同様)、Of、02は出力光で
ある。
次に、第15図の構成による動作を、第16図に基づい
て説明する。
て説明する。
まず、第16図の(a)に示すように、p波のデータ光
A及びBが当該単位セルに入射した場合、データ光Aは
受光素子24gを透過し、偏光制御素子23gに入射す
る。このとき、データ光Bが受光素子24hに入射して
いるので、偏光制御素子23 gは電圧印加状態にある
。このため、偏光制御素子23gに入射したデータ光A
は、偏光面の回転作用を受けず、p波のままで透過し、
次にλ/2板26bに入射する。λ/2板26bに入射
したデータ光Aは、p波からS波に変換されて、偏光ビ
ームスプリッタ22jに入射する。偏光ビームスプリッ
タ22jに入射したデータ光Aは、S波であるので、反
射され、出力光01として出力されない。
A及びBが当該単位セルに入射した場合、データ光Aは
受光素子24gを透過し、偏光制御素子23gに入射す
る。このとき、データ光Bが受光素子24hに入射して
いるので、偏光制御素子23 gは電圧印加状態にある
。このため、偏光制御素子23gに入射したデータ光A
は、偏光面の回転作用を受けず、p波のままで透過し、
次にλ/2板26bに入射する。λ/2板26bに入射
したデータ光Aは、p波からS波に変換されて、偏光ビ
ームスプリッタ22jに入射する。偏光ビームスプリッ
タ22jに入射したデータ光Aは、S波であるので、反
射され、出力光01として出力されない。
一方、データ光Aの受光素子24gへの入射に伴い、偏
光制御素子23hは電圧印加状態にある。
光制御素子23hは電圧印加状態にある。
このため、受光素子24hを透過し、偏光制御素子23
hに入射したデータ光Bは、偏光面の回転作用を受ける
ことなく偏光ビームスプリッタ22kに入射する。偏光
ビームスプリッタ22kに入射したデータ光Bは、p波
であるので、そのまま透過し、出力光02として出力さ
れる。
hに入射したデータ光Bは、偏光面の回転作用を受ける
ことなく偏光ビームスプリッタ22kに入射する。偏光
ビームスプリッタ22kに入射したデータ光Bは、p波
であるので、そのまま透過し、出力光02として出力さ
れる。
また、第16図の(b)に示すように、データ光Aのみ
が当該単位セルに入射した場合、データ光Aは受光素子
24gを透過し、偏光制御素子23gに入射する。この
とき、データ光Bが受光素子24 h +i人射してい
ないので、偏光制御素子23gは電圧無印加状態にある
。このため、偏光制御素子23gに入射したデータ光A
は、偏光面の回転作用を受け、S波となってλ/2板2
6bに入射する。λ/2板26bに入射したS波のデー
タ光Aは、再びp波に変換されて、偏光ビームスプリッ
タ22jに入射し、そのまま透過して出力光01として
出力される。
が当該単位セルに入射した場合、データ光Aは受光素子
24gを透過し、偏光制御素子23gに入射する。この
とき、データ光Bが受光素子24 h +i人射してい
ないので、偏光制御素子23gは電圧無印加状態にある
。このため、偏光制御素子23gに入射したデータ光A
は、偏光面の回転作用を受け、S波となってλ/2板2
6bに入射する。λ/2板26bに入射したS波のデー
タ光Aは、再びp波に変換されて、偏光ビームスプリッ
タ22jに入射し、そのまま透過して出力光01として
出力される。
また、第16図の(C)に示すように、データ光Bのみ
が当該単位セルに入射した場合、受光素子24gにデー
タ光Aが入射していないため、偏光制御素子23hは電
圧無印加状態にある。このため、受光素子24hを透過
し、偏光制御素子23hに入射したデータ光Bは、偏光
面の回転作用を受け、S波となって偏光ビームスプリッ
タ22kに入射する。偏光ビームスプリッタ22kに入
射したデータ光Bは、S波であるので反射され、次に、
偏光ビームスプリッタ22jに入射し、ここでさらに反
射されて、出力光01として出力される。
が当該単位セルに入射した場合、受光素子24gにデー
タ光Aが入射していないため、偏光制御素子23hは電
圧無印加状態にある。このため、受光素子24hを透過
し、偏光制御素子23hに入射したデータ光Bは、偏光
面の回転作用を受け、S波となって偏光ビームスプリッ
タ22kに入射する。偏光ビームスプリッタ22kに入
射したデータ光Bは、S波であるので反射され、次に、
偏光ビームスプリッタ22jに入射し、ここでさらに反
射されて、出力光01として出力される。
以上のように、第15図の単位セルは、出力光01がデ
ータ光A、Bの排他的論理和の演算結果、出力光02が
データ光A、Bの論理積の演算結果となる。このように
、第15図の単位セルは、排他的論理和並びに論理積演
算を実現している。
ータ光A、Bの排他的論理和の演算結果、出力光02が
データ光A、Bの論理積の演算結果となる。このように
、第15図の単位セルは、排他的論理和並びに論理積演
算を実現している。
なお、本実施例においては、入力光信号群を■GSA、
IGSBの2個の場合を例に説明したが、これに限定さ
れるものではなく、3個以上の場合においても入力部1
0、並列処理部20のボート数を増設することにより、
容易に対応できる。
IGSBの2個の場合を例に説明したが、これに限定さ
れるものではなく、3個以上の場合においても入力部1
0、並列処理部20のボート数を増設することにより、
容易に対応できる。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば、K + L個の
入力ポートを有し、L個の光パワ一群中の単位光パワー
ビームをパワー供給源とし、K個の入力光信号群間で各
単位光ビーム毎に論理処理またハ記憶を行なうNiの単
位セルからなる並列処理部と、N個の単位光ビームから
なる入力光信号群に個と、N個の単位光ビームからなる
入力光パワ一群り個とを入力し、前記入力光信号群中並
びに前記入力光パワ一群中の単位光ビームK個が、前記
並列処理部中の対応する単位セル上で、かつ、K+L個
の入力ポート中の対応する入力ポートに各々入力される
ように、全ての入力光信号群と入力光パワ一群中の全単
位光ビームの空間的な位置を調整する入力部とを備えた
ので、発熱源となる発光素子を用いることなく、光のみ
で記憶並びに否定演算をも実現でき、かつ、各種論理演
算も可能であり、多様な機能を有するとともに、大規模
化をも図れる並列光処理デバイスを提供できる利点があ
る。
入力ポートを有し、L個の光パワ一群中の単位光パワー
ビームをパワー供給源とし、K個の入力光信号群間で各
単位光ビーム毎に論理処理またハ記憶を行なうNiの単
位セルからなる並列処理部と、N個の単位光ビームから
なる入力光信号群に個と、N個の単位光ビームからなる
入力光パワ一群り個とを入力し、前記入力光信号群中並
びに前記入力光パワ一群中の単位光ビームK個が、前記
並列処理部中の対応する単位セル上で、かつ、K+L個
の入力ポート中の対応する入力ポートに各々入力される
ように、全ての入力光信号群と入力光パワ一群中の全単
位光ビームの空間的な位置を調整する入力部とを備えた
ので、発熱源となる発光素子を用いることなく、光のみ
で記憶並びに否定演算をも実現でき、かつ、各種論理演
算も可能であり、多様な機能を有するとともに、大規模
化をも図れる並列光処理デバイスを提供できる利点があ
る。
第1a図は本発明に係る並列光処理デバイスの一実施例
を模式的に示した構成図、第1b図は第18図の合成光
入力群の拡大図、第2図は従来の受動型デバイスの構成
図、第3図は従来の能動型デバイスの構成図、第4図は
本発明に係る入力部の構成図、第5図は本発明に係る並
列処理部の合成光入力群の入射側の拡大図、第6図は本
発明に係る並列処理部のメモリ機能を有する単位セルの
構成例を示す図、第7図及び第8図は第6図の単位セル
の動作説明図、第9図は本発明に係る並列処理部の否定
論理演算機能を有する単位セルの他の構成例を示す図、
第10図は第9図の単位セルの動作説明図、第11図は
本発明に係る並列処理部の論理和演算機能を有する単位
セルの構成例を示す図、第12図は第11図の単位セル
の動作説明図、第13図は本発明に係る並列処理部の論
理積演算機能を有する単位セルの構成例を示す図、第1
4図は第13図の単位セルの動作説明図、第15図は本
発明に係る並列処理部の排他的論理和演算機能を有する
単位セルの構成例を示す図、第16図は第15図の単位
セルの動作説明図である。 図中、IGSA、IGSB・・・入力光信号群、IGP
・・・入力光パワ一群、IGC・・・合成光入力群、O
GS・・・出力光信号群、1o・・・入力部、11゜1
2・・・ハーフミラ−120・・・並列処理部、21・
・・単位セル、IPA、IPB、IPP・・・入力ボー
ト、22a〜22k・・・偏光ビームスプリッタ、23
a〜23h・・・偏光制御素子、24a〜24h・・・
半透明受光素子、25・・・偏光板、26,26a、2
6b・・・二分の一波長板(λ/2板)。 特許出願人 日本電信電話株式会社代理人 弁理士
吉 1) 精 孝本発明に係る並列処理部の
光入射側の拡大図第5図 本発明に係るメモIJII能を有する単位上ルの構成例
第6図 パワー光 P 出力光 制御光 第6図の単 位セルの動作説明図 第7図 データ光 パワー光 制御光 第6図の単位上 第8 出力光 ルの動作説明図 図 第9図の 几 学位セルの動作説明図 $ 10図 データ光 、−一一一′−−−−、 A B 論理和演算機能を有する単位セルの構成図データ光 論理積演算機能を有する単位セルの構成例0
第11図の単位セ 第12 B 几 ルの動作説明図 図 01o2 第13図の 単位セルの動作説明図 第14図 A B ■ ○1 5図の単位セルの動作説明図 第16図
を模式的に示した構成図、第1b図は第18図の合成光
入力群の拡大図、第2図は従来の受動型デバイスの構成
図、第3図は従来の能動型デバイスの構成図、第4図は
本発明に係る入力部の構成図、第5図は本発明に係る並
列処理部の合成光入力群の入射側の拡大図、第6図は本
発明に係る並列処理部のメモリ機能を有する単位セルの
構成例を示す図、第7図及び第8図は第6図の単位セル
の動作説明図、第9図は本発明に係る並列処理部の否定
論理演算機能を有する単位セルの他の構成例を示す図、
第10図は第9図の単位セルの動作説明図、第11図は
本発明に係る並列処理部の論理和演算機能を有する単位
セルの構成例を示す図、第12図は第11図の単位セル
の動作説明図、第13図は本発明に係る並列処理部の論
理積演算機能を有する単位セルの構成例を示す図、第1
4図は第13図の単位セルの動作説明図、第15図は本
発明に係る並列処理部の排他的論理和演算機能を有する
単位セルの構成例を示す図、第16図は第15図の単位
セルの動作説明図である。 図中、IGSA、IGSB・・・入力光信号群、IGP
・・・入力光パワ一群、IGC・・・合成光入力群、O
GS・・・出力光信号群、1o・・・入力部、11゜1
2・・・ハーフミラ−120・・・並列処理部、21・
・・単位セル、IPA、IPB、IPP・・・入力ボー
ト、22a〜22k・・・偏光ビームスプリッタ、23
a〜23h・・・偏光制御素子、24a〜24h・・・
半透明受光素子、25・・・偏光板、26,26a、2
6b・・・二分の一波長板(λ/2板)。 特許出願人 日本電信電話株式会社代理人 弁理士
吉 1) 精 孝本発明に係る並列処理部の
光入射側の拡大図第5図 本発明に係るメモIJII能を有する単位上ルの構成例
第6図 パワー光 P 出力光 制御光 第6図の単 位セルの動作説明図 第7図 データ光 パワー光 制御光 第6図の単位上 第8 出力光 ルの動作説明図 図 第9図の 几 学位セルの動作説明図 $ 10図 データ光 、−一一一′−−−−、 A B 論理和演算機能を有する単位セルの構成図データ光 論理積演算機能を有する単位セルの構成例0
第11図の単位セ 第12 B 几 ルの動作説明図 図 01o2 第13図の 単位セルの動作説明図 第14図 A B ■ ○1 5図の単位セルの動作説明図 第16図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 二次元状に配列された複数の光信号群の間で、空間的に
並列に光処理を行なう並列光処理デバイスにおいて、 L+L個の入力ポートを有し、L個の光パワー群中の単
位光パワービームをパワー供給源とし、K個の入力光信
号群間で各単位光ビーム毎に論理処理または記憶を行な
うN個の単位セルからなる並列処理部と、 N個の単位光ビームからなる入力光信号群K個と、N個
の単位光ビームからなる入力光パワー群L個とを入力し
、前記入力光信号群中並びに前記入力光パワー群中の単
位光ビームN個が、前記並列処理部中の対応する単位セ
ル上で、かつ、K+L個の入力ポート中の対応する入力
ポートに各々入力されるように、全ての入力光信号群と
入力光パワー群中の全単位光ビームの空間的な位置を調
整する入力部とを備えた ことを特徴とする並列光処理デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13328389A JPH02310545A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 並列光処理デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13328389A JPH02310545A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 並列光処理デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02310545A true JPH02310545A (ja) | 1990-12-26 |
Family
ID=15101024
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13328389A Pending JPH02310545A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 並列光処理デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02310545A (ja) |
-
1989
- 1989-05-26 JP JP13328389A patent/JPH02310545A/ja active Pending
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