JPH0231030B2 - - Google Patents

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JPH0231030B2
JPH0231030B2 JP56108939A JP10893981A JPH0231030B2 JP H0231030 B2 JPH0231030 B2 JP H0231030B2 JP 56108939 A JP56108939 A JP 56108939A JP 10893981 A JP10893981 A JP 10893981A JP H0231030 B2 JPH0231030 B2 JP H0231030B2
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silicon
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Josefu Furechetsuto Furanshisu
Richaado Kasupurujiku Maachin
Jeimuzu Makudoeru Dagurasu
Sarubatoa Zangi Josefu
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Stemcor Corp
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    • C22C32/00Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
    • C22C32/0047Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents
    • C22C32/0052Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents only carbides
    • C22C32/0063Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with carbides, nitrides, borides or silicides as the main non-metallic constituents only carbides based on SiC
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C22C29/065Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on carbides or carbonitrides based on carbides, but not containing other metal compounds based on SiC

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は実質的に連続なシリコンマトリツクス
中の粒状炭化ケイ素から成る複合材料に関する。
本組成物は、高強度および高い熱衝撃抵抗を有す
る物を製造するのに有用である。本複合材料は非
多孔性であり、3.1g/c.c.乃至3.7g/c.c.の程度の
密度をそれぞれ有する炭化ケイ素およびアルミナ
セラミツク材料と比較して重量が比較的軽く、
2.6乃至2.8g/c.c.の程度の密度を有する。この組
成物は、タービンエンジンの構成要素、内燃機関
の構成要素、およびターボチヤージヤーの組み立
てに使用するのによく適している。 ケイ素および炭素の結晶性化合物である炭化ケ
イ素は、その硬さ、その強度および酸化や腐蝕に
対するその優秀な抵抗力の故に長く知られてき
た。炭化ケイ素は低い膨張率、良好な熱伝導特性
を有し、高められた温度でも高い強度を維持して
いる。近年、炭化ケイ素粉末から高密度の炭化ケ
イ素立体を製造する技術が開発された。この方法
には反応焼結、ホツトプレスおよび無圧焼結(最
初に物品を形成し続いて実質的に無圧の条件のも
とで焼結させる)が含まれる。そのようにして製
造された高密度炭化ケイ素立体は優秀なエンジニ
アリング材料であり、厳しい損耗および/または
高温条件下での操作に曝されるタービン、熱交換
装置、ポンプおよび他の装置または道具の構成要
素の組み立てに用途を見出している。 反応焼結法は、反応結合法とも呼ばれるが、ケ
イ素および炭素の炭化ケイ素多孔体中での反応に
よつて炭化ケイ素をその場で生成させることによ
つて典型的に行なわれる。そのような方法では、
粒状炭化ケイ素を初めに粒状炭素または炭素源材
料と混合する。次にこの混合物を望みの形の未焼
結立体に成形する。しばしば、この最初の混合物
は、未焼結立体に強度を加えるため、そしてまた
炭素源材料として、熱硬化性樹脂材料の如きバイ
ンダーを含む。未焼結立体は、バインダーを硬化
させ熱分解させる温度で焼き固めることができ
る。成型した未焼結立体を、典型的にはこの立体
を約1400゜乃至約2300℃の範囲の温度の溶融シリ
コンの中に浸漬することによつて含浸または浸潤
させる。ケイ素は未焼結立体中で得られる炭素と
反応して炭化ケイ素を生成する。普通、未焼結立
体中の炭素の量は加えられたケイ素と化合するの
に必要な化学量論量より小とする。即ち、反応焼
結された炭化ケイ素生成物は典型的には約10乃至
約25容量%の遊離のケイ素を含有する。 炭化ケイ素がその場で生成されない、ケイ素−
炭化ケイ素混合物の物品もまた先行技術で公知で
ある。典型的には、そのような物品は、初めに粒
状炭化ケイ素の多孔体を形成し続いてその立体を
約1400゜乃至約2300℃の間の温度の溶融シリコン
で含浸させることによつて製造する。そのような
物品は普通約10乃至約60重量%のケイ素を含有す
る。そのような方法および物品の例は米国特許第
1012531号、同1030327号、同1906963号、同
2242482号および同3459842号に見られる。 本発明において、同様の組成の先行技術の複合
材料には無かつた特性を有する、実質的に非多孔
性の、強い複合材料がケイ素および炭化ケイ素の
混合物から製造し得ることが見出された。本発明
の複合材料は、実質的に連続なマトリツクスまた
は相のケイ素の中の微粉砕された炭化ケイ素の混
合物であることを特徴とする。本発明の複合材料
は約40乃至約60容量%の炭化ケイ素および約60乃
至約40容量%のケイ素を含有する。 炭化ケイ素成分は、好適には、αまたはβ相の
炭化ケイ素から選ぶことができる。αおよびβ相
の材料の混合物も利用し得る。本発明の炭化ケイ
素出発材料は、好適な材料を得るための相の分離
または精製を必要としない。少量の無定形炭化ケ
イ素も悪影響なく含ませることができる。 炭化ケイ素成分は、超微粉砕形で使用する。好
適な微粉砕材料は、より大きい炭化ケイ素の粒子
を粉砕、ボールミル粉砕またはジエツトミル粉砕
し続いて本発明で使用するのに適した成分を分級
或いは分離することによつて製造し得る。好まし
くは、炭化ケイ素出発材料は最大粒径約5μおよ
び平均粒径約0.10乃至約2.50μ、更に好ましくは
1.0μより小を有するものとする。大きさが約1μよ
り小さい大きさを有する炭化ケイ素粉末の正確な
粒度分布を得るのは困難であり、従つて、好適な
材料を決定する際には表面積が適切であると考え
ることができる。それで、本発明の粉末中に使用
するのに好ましい炭化ケイ素粉子は約1乃至約
100m2/gの表面積を有するものとする。この範
囲内で、粒子の表面積が約2乃至約50m2/gの間
の範囲であることが更に好ましく、そして、その
範囲の中で、約2乃至約20m2/gの範囲が著しく
有用であることが判つた。 炭化ケイ素およびケイ素成分は、鉄、カルシウ
ム、マグネシウムおよびアルミニウムの如き少量
の不純物を、生成物に悪影響を与えることなく含
有し得る。 本発明の複合材料は、微粉砕された炭化ケイ素
粒子が実質的に連続なケイ素のマトリツクスの中
に分散されているという事実が特徴であり、また
これによつて先行する技術と区別することができ
る。先行技術の炭化ケイ素およびケイ素複合体
は、「結合混合物」を得るために種々の大きさの
炭化ケイ素粒子の混合物を用いることによつて典
型的に製造される。次にこの混合物をプレスして
望みの形の多孔性未焼結体を得、そして続いてこ
の多孔性体を溶融シリコンで含浸させる。結果
は、実質的に不連続な相のケイ素に含浸された実
質的に連続な相の炭化ケイ素を含有する、実質的
に非多孔性である(即ち0.1%より小のボイドを
含有)複合材料である。 本発明の複合材料は、非常に細かく粉砕された
炭化ケイ素の、好ましくはサブミクロンの大きさ
の出発材料を利用することによつて得られ、ケイ
素相浸潤および実質的に各個の炭化ケイ素粒子を
包囲することによつて製造されることが要請され
る。 本発明の二元複合材料は、初めに微粉砕炭化ケ
イ素を製造しそして炭化ケイ素成分を望みの形の
未焼結体へ成形することによつて製造される。成
形または造形法は、公知の方法を用いて、例えば
射出成形、圧縮成形、流し込成形、吹込成形、真
空成形または押出成形によつて好適に行なわれ
る。成形された未焼結体を続いてシリコンで含浸
させる。含浸段階は実質的な量の炭素の全く無い
所で起る。バインダーを炭化ケイ素出発材料に加
えることができる。普通、約1.0乃至約25.0重量
%の間の量を使用するが、一時的なバインダーの
量は用いる形成法によつて広く変動し得る。ポリ
スチレン、ポリエチレンまたはアクリル樹脂の如
き熱可塑性樹脂がバインダーとして殊に有用であ
る。そのような熱可塑性樹脂は含浸段階の温度よ
りも十分低い温度で分解し、炭素残渣を全く残さ
ない。 含浸段階は、多孔性の未焼結体を粉末状とした
シリコン金属で単に覆い、そして加熱してキヤピ
ラリー作用によつて含浸を起させることによつて
行なわせることができ、或いは、別途に、浸漬ま
たは蒸気浸潤法によつて行ない得る。しかし、好
ましい具体例では、多孔性の未焼結体を粉末状と
したシリコン金属で囲み、真空炉中に置き、そし
て、真空のもとに置きながら、ケイ素の融点以上
まで加熱する。普通、局部真空(約0.01乃至約
0.5mmHgの間の絶対圧)を使用するのが好適であ
る。ケイ素は約1410℃で融ける。しかし、約200
℃までの温度またはケイ素の蒸発点も使用し得
る。約1500゜乃至2000℃の間の温度が殊に有用で
ある。 本発明の組成物によつて製造された複合材料
は、セラミツク材料に極めて望ましい物理的特性
を有する。該複合体は、高められた温度で使用さ
れ或いは操作されるエンジン成分の組立に有用な
特性である、1100℃で90000psi(6.3×103Kg/cm2
以上の抗折力を有する。該複合体は、熱衝撃およ
び熱応力に対して高い抵抗力を有する複合体を提
供するのに有用な特性である、室温で
38000000psi(2.67×106Kg/cm2)またはこれ以下の
弾性率を有する。該複合体は、強度および低重量
が用いられると有利である、防護服、タービン
翼、回転子よびバルブ列用の構成要素の組立に有
用な特性である、純粋な焼結炭化ケイ素の3.15
g/c.c.と比較して、約2.6乃至約2.8g/c.c.の間の
密度を有する。該複合体は、高温で脆い他のセラ
ミツク材料よりもこのものを小さな割れ目に対し
て過敏さを少なくする特性である。高温における
塑性変形を示す。本発明の複合体は含浸段階を通
して未焼結立体寸法からの実測し得る収縮は全く
示さず、複雑な形の未焼結立体の成形および同じ
形並びに寸法の硬化された複合体の回復を容易に
する。 本発明をここで更に詳細に亘つて一部次の実施
例を参照して記載するが、実施例は例示の目的で
あつて本発明の範囲を限定するものではない。次
の実施例では全ての部は重量部であり、全ての温
度はセツ氏度である。 実施例乃至−先行技術 実施例 平均粒径5.2μを有し約2.0および約10.0μの間の
範囲の粒状炭化ケイ素100部を、アセトンに溶か
したポリフエニレン樹脂バインダー20.0部と櫂型
混合機の中で4時間混合した。乾燥後この混合物
をハンマーミル粉砕し106μのふるいを通してふ
るい分けた。この混合物を次に約280Kg/cm2の圧
力で金属成型を用いて長さ約5cm、厚さ3mmおよ
び幅6mmの15本の棒に温圧縮成形した。これらの
棒を次にオーブンの中に置き、1000℃の温度まで
加熱した樹脂バインダーを熱分解させた。次にこ
れらの棒を少量の炭素およびフエノール樹脂と混
合した粉末状としたシリコン金属の混合物で囲ん
だ。被覆混合物中の炭素およびフエノール樹脂は
含浸反応の中へは入らない。これらのものは、被
覆残渣物を更に飛びやすくし、加熱段階後のその
ものの除去を容易にするために使用する。棒およ
び囲んでいる被覆混合物を次に真空炉の中に置
き、試料室を約10-2mmHgの絶対圧まで排気した。
炉温をケイ素の融点より十分上である約1700℃ま
で上昇させた。この温度で、棒の中の熱分解され
た炭素が浸潤した溶融シリコンと反応を起して、
反応結合した炭化ケイ素を生成させた。次にこれ
らの棒を炉から取り出し、冷却し、残渣物をきれ
いにして秤量した。含浸させた棒の平均密度は
2.98g/c.c.であり2.95g/c.c.乃至2.99g/c.c.の範
囲であることが判つた。MIS試験機で試験した
ら、4点曲げ固定物を用いてこれらの棒は1100℃
で59.8乃至69.6ksi(4.2×103〜4.9×103Kg/cm2)の
範囲で平均抗折強度66500ポンド/インチ2(便宜
上66.5ksiと報告、4.67×103Kg/cm2)を有するこ
とが判つた。これらの棒は室温で音速テスターで
測定して48×106psi(3.37×106Kg/cm2)の弾性率
を有することが判つた。加熱段階後、0.5乃至2.0
%の間で平均が1.1%の線型収縮を有することが
判つた。生成物は約2.0乃至15.0μの間の範囲で平
均粒径5.2μを有する炭化ケイ素成分と共に26容量
%のケイ素を含有することが判つた。これらの棒
および実施例およびのそれは、抗折強度試験
の間に破裂した。本実施例は下記の表Aの中で実
施例として示す。 実施例 出発および生成する最終密度および容量%ケイ
素を変えた点以外は、実施例記載と同じ手順、
装置および技術を用いて実施例を製造した。結
果は表Aに示す。 実施例 実施例は、70.0乃至140.0μの範囲で100.0μの
平均粒径を有する粒状炭化ケイ素をアセトン中の
フエノール樹脂と混合し、乾燥させ、そして測定
し得る圧力の無い状態で金属鋳型の中で鋳込むこ
とから成る乾式鋳造システムである。鋳造後、成
型された立体を金属型の中でなまし、樹脂を硬化
させた。引き続いての加工では上記の実施例お
よび記載と同じ手順、装置および技術を使用し
た。結果は表Aに示す。 実施例乃至−本発明 実施例 約0.1乃至約5.0μの間の範囲であり平均粒径
0.70μを有する炭化ケイ素78.5部を熱せられたシ
グマ刃型ミキサーの中でポリスチレン樹脂21.5部
と混合しそしてこの混合物を実施例と同じ大き
さの棒に射出成形した。次にこれらの棒をセラミ
ツクの箱の中に置いて800℃までゆつくり焼き固
め樹脂を除去した。次にこれらのものをシリコン
金属、炭素およびフエノール樹脂の混合物で実施
例の如く覆い、実施例記載と同じ手順、装置
および技術を用いて真空炉の中で加熱した。冷却
後、棒を炉から出して残渣物をきれいにした。実
施例の如く11本の棒を試験し、2.75乃至2.80
g/c.c.の範囲で2.79g/c.c.の平均密度を有するこ
とが判つた。MIS試験機で試験したら、4点曲げ
固定物を用いると、これらの棒は1100℃で65.0乃
至135.0ksi(4.57×103〜9.49×103Kg/cm2)の範囲
で平均抗折力91.0ksi(6.4×103Kg/cm2)を有する
ことが判つた。これらの棒は室温で音速機で試験
して38×106psi(2.67×106Kg/cm2)の弾性率を有
することが判つた。加熱段階後、これらの棒は収
縮を実質的に全く受けなかつたことが判つた。生
成物は0.1乃至5.0μの範囲で平均粒径0.70μを有す
る炭化ケイ素成分と共に58容量%のシリコンを含
有することが判つた。これらの棒は、また、実施
例の棒もまた、1100℃における抗折力試験で、
目に見えるひび割れの兆候もなく変形することが
判つた。本実施例は下記の表Aに実施例として
示す。 実施例 出発および最終密度を変えた点以以外は実施例
記載と同じ手順、装置および技術を用いて実施
例を製造した。結果はこれも表Aに示す。 本発明は上記の特定の実施例および具体例に限
定されると解釈されるべきではないこと、および
本発明の精神および範囲から離れることなく、本
分野の普通の技術の中で種々の修正をなし得ると
いうことは、正当に理解されよう。
【表】
【表】

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 シリコンの実質的に連続なマトリツクスの中
    に粒状の炭化ケイ素を含有するシリコンおよび炭
    化ケイ素複合材料であつて、 該粒状炭化ケイ素は5μより小さい平均粒径を
    有し、そして 該炭化ケイ素複合材料は40乃至60容量%の炭化
    ケイ素を含有し、そして少なくとも2.67×106
    Kg/cm2の弾性率および4.57×103〜9.49×103Kg/
    cm2の範囲の1100℃における抗折強度を有する、こ
    とを特徴とする複合材料。 2 炭ケイ素成分の粒子が1乃至100m2/gの間
    の範囲の表面積を有することから成る特許請求の
    範囲第1項記載の複合材料。 3 炭化ケイ素成分の粒子が2乃至50m2/gの間
    の範囲の表面積を有することから成る特許請求の
    範囲第1項記載の複合材料。 4 炭化ケイ素成分の粒子が2乃至20m2/gの間
    の表面積を有することから成る特許請求の範囲第
    1項記載の複合材料。 5 炭化ケイ素およびシリコン複合材料を製造す
    る方法にして、 (a) 5μより小の平均粒径を有する微細砕炭化ケ
    イ素成分を製造し、 (b) 該粒状炭化ケイ素成分を多孔性の未焼結体に
    成形し、および (c) 該未焼結体を溶融シリコンで含浸させて炭化
    ケイ素およびシリコン複合材料を形成する、諸
    段階を含むこと を特徴とする方法。 6 炭化ケイ素成分が組成物の40乃至60容量%を
    構成することから成る特許請求の範囲第5項記載
    の方法。 7 炭化ケイ素成分の粒子が1乃至100m2/gの
    範囲の表面積を有することから成る特許請求の範
    囲第5項記載の方法。 8 炭化ケイ素成分の粒子が2乃至50m2/gの範
    囲の表面積を有することから成る特許請求の範囲
    第5項記載の方法。 9 炭化ケイ素成分の粒子が2乃至20m2/gの範
    囲の表面積を有することから成る特許請求の範囲
    第5項記載の方法。 10 未焼結体を成形するのを助けるために熱可
    塑性樹脂を使用することから成る特許請求の範囲
    第5項記載の方法。 11 段階c)を局部真空中で行うことから成る
    特許請求の範囲第5項記載の方法。 12 段階c)を1400゜乃至2300℃の間の温度で
    行うことから成る特許請求の範囲第5項記載の方
    法。
JP56108939A 1980-07-17 1981-07-14 Silicon carbide, silicon composite material and manufacture Granted JPS5747772A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16968780A 1980-07-17 1980-07-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5747772A JPS5747772A (en) 1982-03-18
JPH0231030B2 true JPH0231030B2 (ja) 1990-07-11

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ID=22616755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56108939A Granted JPS5747772A (en) 1980-07-17 1981-07-14 Silicon carbide, silicon composite material and manufacture

Country Status (4)

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EP (1) EP0045134B1 (ja)
JP (1) JPS5747772A (ja)
CA (1) CA1158259A (ja)
DE (1) DE3163289D1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007022914A (ja) * 2006-10-31 2007-02-01 Toshiba Corp シリコン/炭化ケイ素複合材料の製造方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4633051A (en) * 1983-11-23 1986-12-30 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Stable conductive elements for direct exposure to reactive environments
JPH0736381B2 (ja) * 1985-03-19 1995-04-19 イビデン株式会社 耐熱性治具とその製造方法
US4771021A (en) * 1985-07-01 1988-09-13 Teruyasu Tamamizu Semi-conductor diffusion furnace components
DE3540254A1 (de) * 1985-11-13 1987-05-21 Mtu Muenchen Gmbh Verfahren zur herstellung von siliziumkarbidkoerpern
JPS6311589A (ja) * 1986-07-01 1988-01-19 イビデン株式会社 耐熱性治具及びその製造方法
DE4131336C2 (de) * 1991-09-20 1995-11-30 Schunk Ingenieurkeramik Gmbh Wärmetauscher
DE4131335A1 (de) * 1991-09-20 1993-04-01 Schunk Ingenieurkeramik Gmbh Verfahren zur herstellung von keramikteilen
EA003437B1 (ru) * 1997-09-05 2003-04-24 Государственное Унитарное Предприятие "Центральный Научно-Исследовательский Институт Материалов" Способ изготовления композиционного материала алмаз-карбид кремния-кремний и композиционный материал, изготовленный этим способом
ATE258151T1 (de) * 1998-10-14 2004-02-15 Peter Goedtke Schutzpanzerung
JP3830733B2 (ja) * 2000-06-05 2006-10-11 株式会社東芝 粒子分散シリコン材料およびその製造方法
KR100471652B1 (ko) * 2002-04-30 2005-03-08 한국과학기술연구원 반응결합 탄화규소 제조방법
JP4261130B2 (ja) 2002-06-18 2009-04-30 株式会社東芝 シリコン/炭化ケイ素複合材料
EP2877427A4 (en) * 2012-05-01 2016-04-27 Us Gov Sec Navy FORMATION OF SILICON CARBIDE / SILICONUM NITRIDE NANOPARTICLE CARBON COMPOSITIONS
KR20220033050A (ko) * 2020-09-07 2022-03-15 엔지케이 인슐레이터 엘티디 내화재

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US395187A (en) * 1888-12-25 Marine distress messenger-ball
JPS502626A (ja) * 1973-04-24 1975-01-11
US3951587A (en) * 1974-12-06 1976-04-20 Norton Company Silicon carbide diffusion furnace components
JPS5416521A (en) * 1977-07-07 1979-02-07 Shinetsu Chemical Co Method of making silicon carbide molded body

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1213619B (de) * 1952-07-16 1966-03-31 Siemens Planiawerke A G Fuer K Verwendung von Siliziumkarbidpulver fuer Hartmetallkoerper
US3035325A (en) * 1958-02-21 1962-05-22 Carborundum Co Method of making silicon carbide bodies
US3459842A (en) * 1967-12-18 1969-08-05 Texas Instruments Inc Method of preparing a silicon carbide whisker reinforced silicon composite material
JPS5252122A (en) * 1975-10-24 1977-04-26 Res Inst Iron Steel Tohoku Univ Process for producing composite consisting of silicon carbide filament and metallic silicon
US4154787A (en) * 1977-07-25 1979-05-15 Coors Porcelain Company Method for manufacturing silicon carbide bodies
US4226914A (en) * 1978-05-19 1980-10-07 Ford Motor Company Novel spraying composition, method of applying the same and article produced thereby
GB2037263A (en) * 1978-12-12 1980-07-09 Gen Electric Method of making a silicon carbide filamentary reinforced silicon composite article
US4240835A (en) * 1979-12-05 1980-12-23 General Electric Company Method of making a shaped silicon carbide-silicon matrix composite and articles made thereby

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US395187A (en) * 1888-12-25 Marine distress messenger-ball
JPS502626A (ja) * 1973-04-24 1975-01-11
US3951587A (en) * 1974-12-06 1976-04-20 Norton Company Silicon carbide diffusion furnace components
JPS5416521A (en) * 1977-07-07 1979-02-07 Shinetsu Chemical Co Method of making silicon carbide molded body

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007022914A (ja) * 2006-10-31 2007-02-01 Toshiba Corp シリコン/炭化ケイ素複合材料の製造方法
JP4612608B2 (ja) * 2006-10-31 2011-01-12 株式会社東芝 シリコン/炭化ケイ素複合材料の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0045134B1 (en) 1984-04-25
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DE3163289D1 (en) 1984-05-30

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