JPH02309325A - 液晶電気光学装置 - Google Patents

液晶電気光学装置

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JPH02309325A
JPH02309325A JP13250089A JP13250089A JPH02309325A JP H02309325 A JPH02309325 A JP H02309325A JP 13250089 A JP13250089 A JP 13250089A JP 13250089 A JP13250089 A JP 13250089A JP H02309325 A JPH02309325 A JP H02309325A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔従来の技術〕 従来、STN型と呼ばれる液晶電気光学装置がワープロ
などのディスプレイとしてがなり昔及している。このS
 T N (Super Tivisted Nema
tjc)型液晶電気光学装置は以前から時計、電卓等に
用いられてきたT N (Tivisted Nema
tic)型液晶電気光学装置に比較して、液晶のスイッ
チングに対する電圧のしきい値が明確であるため、従来
のTN型液晶電気光学装置では用いることができなかっ
た比較的大型のディスプレイにも応用ができる。しかし
ながら、STN型液晶電気光学装置は表示の際に、液晶
自身の屈折率異方性により白−黒の表示ができず、イエ
ローモード、ブルーモードなどと呼ばれているように背
景が黄色や青色に着色されてしまう。そのため表示が見
にくくなり、この点においてさらなる向上が望まれてい
た。
ところがごく最近になって、液晶駆動用のセルと光学補
償用のセルとを重ねることにより、白−黒表示を可能に
した二層型STNと呼ばれる液晶電気光学装置が作られ
るようになった。この二層型STNは従来のSTN型液
晶電気光学装置と同様の構成からなる駆動用セルと、従
来のものにはなかった光学補償用セルとを有していて、
駆動用セルを通過して楕円偏光となった光が、光学補償
用セルを通過することによりほぼ直線偏光に戻されるこ
とによって、はぼ完全な白−黒表示を可能にしたもので
ある。
従来の二層型STNを構成する2組のセルのうち、駆動
用セルにおいては当然のことながら液晶に電圧を印加す
る必要性から電極をセル内に有しているが、光学補償用
セルでは液晶に電圧を印加する必要性がないために電極
を有していない。そのため、例えば640 X 400
画素のディスプレイを作製しようとすると液晶駆動用セ
ルを構成する一対の基板の表面に640本または400
本もの多数の電極を作製しなければならない。そのため
、電極のバターニングが非常に困難になり、多量に生産
する際に隣り合う電極のショートなどの不良が発生し、
製造工程上の歩留まりが低下していた。
〔発明の構成〕
上記問題点を解決するために本発明は、複数の走査電極
を有する第1の基板と複数の制御電極を有する第2の基
板の間に液晶を介在せしめた第1のセルと、複数の走査
電極を有する第3の基板と1垣数の制御電極を有する第
4の基板の間に液晶を介在せしめた第2のセルを有する
二層型のSTN型液晶電気光学装置であって、一方のセ
ルの画素が他方のセルの画素でない部分に配置されてい
ることを特徴とする。
本発明において、「セル」とは、一対の基板が互いに貼
り合わされており、かつその基板の間に液晶を介在せし
めた構造のものをさす。
また、「画素」とは走査電極と制御電極との交差する部
分をさす。
本発明においては、第1のセルの画素を通過した光は第
2のセルの画素でない部分を通過することによって光学
的に補償され、白−黒表示が可能となる。また、第2の
セルの画素を通過する光は、第2のセルに入射する以前
に第1のセルの画素でない部分を通過することによって
先に光学的に補償され、その後筒2のセルを通過するこ
とによって白−黒表示を行うものである。
従って仮に640 X 400画素のディスプレイを作
製しようとする時には第1のセル、第2のセルともに制
御電極が640本、走査電極が200本、つまり640
×200画素となるように作製し、第1、第2のセルの
制御電極が重なるように、かつ第1のセルの走査電極と
第2のセルの走査電極とが互いに重ならないように、つ
まり重ねたセルを正面から見たときに第1のセルの走査
電極と第2のセルの走査電極が互い違いになるように配
置してもよいし、両方のセルともに制御電極が320本
、走査電極が“・400本、つまり320 X 400
画素となるように作製し、第1、第2のセルの走査電極
が重なるように、かつ第1のセルの制御電極と第2のセ
ルの制御電極とが互いに重ならないように、つまり重ね
たセル:を正面から見たときに第1のセルの制御電極と
第2のセルの制御電極が互い違いになるように配置しで
6・10×400画素としても良い。或いは第1のセル
、第2のセルともに制御電極が320本、走査電極が2
00本、つまり320 X 200画素になるように作
製した2つのセルを、第1のセルの画素が第2のセルの
画素でない部分に位置するようにセルを配置することに
よって640 X 400画素とすることもできる。
本発明を用いることにより、例えば従来において画素の
大きさをその1辺が310μmになるように、そしてか
つ画素間の巾が40amになるようにセルを作製しよう
とした時、パターニングの方法としてはフォトリソグラ
フィー法やレーザー光による切断などがあるが、微粒子
などの存在によって電極が切断されずに残ってしまい、
隣り合った電極がショートしてしまう不良が発生してし
まっていた。しかし、本発明の例によれば画素間の巾を
350μmにすることができるので不良は激減する。
従って、セルを構成する一対の基板のうちの一方、或い
は両方の基板ともに電極の間隔を広くすることができる
ので電極のパターニング工程が非常に容易になり、隣り
合う電極のショート等の不良をなくすことができるもの
である。
さらに、電極の取り出し口においては、通常駆動回路と
接続するためのコネクタが装着されるが、これについて
も電極の間隔が広いために容易に接続が可能となる。ま
た1枚のセルに対し、電極の取り出し口は2辺でまかな
えるため、2枚のセルに対し4辺からの接続を行えば、
一方のセルにおけるコネクタと他方のセルのコネクタが
ぶつかることなくスムーズに接続ができる。
また、本発明によれば電極のバターニングが容易になる
ために、一定の大きさの基板に対し、画素数を増加させ
て作成することができる。
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図に、本発明による液晶電気光学装置の特に電極に
関しての平面図(拡大図)の例を示し、第2図に本発明
の液晶電気光学装置の断面図の例を示す。また、第3図
(a)、 (b)には第2図を構成する2枚のセルそれ
ぞれの電極を示す。
第3図(a)、 (b)に示すように各セルの縮方向の
電極間の巾は、従来のセルに比較して非常に大きくなっ
ている。これは一方のセルの電極間の部分に他方のセル
の電極部分が配置できるようにしたからである。
第1図、第3図において実線にて記載した部分が、第2
図におけるセル1の電極であり、第1図において破線で
記載した部分が、第2図におけるセル2の電極である。
今、画素3がOff状態と仮定すると、光源5から出た
光は偏光板6を通過して直線偏光となり、セル1の画素
3を通過することによって楕円偏光となる。そして、セ
ル2を通過することによって光学的に補償され、直線偏
光に近い状態になり偏光板7に到達する。
また、画素4を通過する光については、偏光板6を通過
して直線偏光になった光が画素4を通過する前にセル1
を通過することによって楕円偏光となり、その後画素4
を通°過して直線偏光に近い状態となり、偏光板7に到
達する。この場合、光がセル1を通過して楕円偏光にな
ったことは、前に述べた画素3を通過する光について述
べたことを参考にして考えると1、セル2を通過したこ
とに相当する。つまり、光学的な補償を先に行うことに
相当する。
また、本発明の一例としては、一方のセルの電極間の巾
を他方のセルの電極の巾と同じにすることにより、アラ
イメントの作業は必要になるが、第1図の画素と画素の
間の部分8をなくすこともできる。従来から、画素と画
素の間の部分8は液晶のスイッチングが行われないため
、つまり0n−Offの制御ができないためにコントラ
ス[・を低下させるうえに緻密な表示をするための妨げ
となっていて不要な部分であったが、従来においては、
隣り合う画素が同一のセル内に存在していたため、画素
と画素の間の部分8をなくすことは不可能なことであっ
た。しかしながら、本発明では隣り合う電極がそれぞれ
違うセルに属しているため、これが可能になったのであ
る。このため、0n−Offの制御ができない部分が減
少し、コントラストを上昇させることができ、緻密な表
示を行うことが可能になった。
以下、本発明の実施例について説明する。
〔実施例1〕 第1のソーダガラス基板上に、透明電極としてITO薄
膜をDCスパッタ法を用いて形成した後、エキシマレー
ザ−を用いて、ITOil膜を切断することにより32
0本の制御電極を作製する。ここで電極の巾は310μ
m、電極間の巾は350μmになるように制御電極を作
製した。
また第2のソーダガラス基板上に同様な方法でITOの
400本の走査電極を作製する。ただし、走査電極の巾
は310μm、電極間の巾は40μmになるように作製
した。
そして、第1、第2の基板上にポリアミック酸の塗布を
オフセット印刷機を用いて行い、加熱してポリイミド薄
膜を得る。
そして両方の基板上のポリイミド薄膜に対し、綿布を用
いてラビング処理を行う。ただし、第1の基板と第2の
基板のラビング方向は240°の角度で交差するように
する。
そして一方の基板に6.5μm径の球状微粒子(スペー
サー)を散布して、他方の基板にエポキシ系のシール材
をスクリーン印刷し、基板を貼り合わせる。
その後、公知の真空注入法を用いて液晶を注入して第1
のSTN型液晶セルを作製する。だが、このままではセ
ルの中心部分がふくれてしまっているため、ここで再プ
レス工程を行った。つまり、過剰に注入された液晶をセ
ルの中から外に出すためにセルの内側に向かって圧力を
加えた。
そして第1のSTN型液晶セルとほぼ同様の工程を用い
て第2のSTN型液晶セルを作製した。
ここで、第2のSTN型液晶セルの第1のSTN型液晶
セルとの違いは、ラビング方向をかえたことと、液晶の
ツイスト方向が逆になっていることである。
そして、第1のセルと第2のセルの走査電極が完全に重
なるように、かつ第1のセルの制御電極の間に第2のセ
ルの制御電極が配置されるように位置合わせをしてセル
を重ね合わせて偏光板を第1、第2のセルに貼付し、そ
れぞれの電極と駆動回路とを接続することにより表示を
行った。
こうして、各セルが互いに他方のセルの光学補償を行う
白−黒表示を行うことができるものである。
〔実施例2〕 第4図(a)、ら〕に示すように制御電極11、走査電
極12ともに電極の間を広く、そして画素の数を320
×200画素に作製した2枚のセルを重ね合わせること
により640 X 400画素分のSTN型液晶ディス
プレイを作製した。本実施例においては2枚のセルとも
に制御電極間の巾と走査電極間の巾を大きくとることが
できるので、バターニング時の歩留りの上昇が、特に大
きくなるものである。
〔実施例3] 本実施例では、本発明の応用例として第5図(a)、(
b)に示すような電極パターンを有する基板を貼り合わ
せて作製した第1のセルと、第6図(a)、(b)に示
すような電極パターンを有する基板を貼り合わせて作製
した第2のセルを重ねて、液晶電気光学装置として用い
る場合について説明する。
まず作製方法であるが、今回基板21,31,41.5
1としてソーダガラスを用いた。基板上にDCマグネト
ロンスパッタ法を用いてITOの薄膜を形成した後、フ
ォトリソグラフィー法によって第5図(a)、(b)、
第6図(a)、(b)に示すような電極パターンを形成
した。第5図(a)、第6図(a)に示す基板21,4
1上には制御電極22としてそれぞれ640本の電極を
、第5図(b)、第6図(b)の基板31.51上には
走査電極23としてそれぞれ200本の電極を作製した
。ただし走査電極23は、セルを作製した時に画素とな
る部分については基板の上、或いは下半分のみに電極を
形成し、電極の取り出し部分のみ電極の間隔を広げて例
えばFPCなどを用いて駆動回路との接続を行う際の工
程を容易にした。
次に、配向膜としてポリアミック酸を電極を有する基板
21.31,41.51上にオフセット印刷法を用いて
塗布した後、280’C加熱を2.5時間行い、ポリイ
ミド薄膜を得た。膜厚は約200人であった。
そして、基板21,31.41.51に対し綿布を用い
てラビング処理をおこなった。そして第5図(a)、第
6図(a)に示す基板21.41上にスペーサーを散布
した。スペーサーとしては直径6.2μmのSiO□の
微粒子を用いた。その後、第5図(b)、第6図(b)
に示す基板31.51上にスクリーン印刷によりシール
材の印刷を行った。そして第5図(a)、(b)に示す
基板21.31を貼り合わせ、第6図(a)、(′b)
に示す基板41゜51を貼り合わせた。そして、それぞ
れの基板間に液晶を注入した後、過剰に注入された液晶
をセル内から外に出すためにプレス工程を行った。そし
て、液晶の注入口を封止して2つのセルを完成した。
第5図(a)、(b)に示す基板21.31を貼り合わ
せて得られたセルを第1のセル、第6図(a)、(b)
に示す基板41.51を貼り合わせて得られたセルを第
2のセルとすると第1のセルはセルの下半分のみに画素
が存在して640 X 200画素を有し、第2のセル
はセルの上半分にのみ画素が存在してやはり640X 
200画素を有する。これを重ね合わせることにより6
40 X 400画素を作製できる。さらに、第7図に
示すように偏光板25の吸収軸の方向を設定することで
ほぼ完全な白−黒表示をすることができた。
本実施例においては、実施例1、実施例2の場合と異な
り画素に相当する部分については電極間の巾を広く作製
することはできないが、電極の取り出し部については間
隔を広くすることができるのでコネクタの接続の際に位
置合わせが非常に容易になる。さらに隣り合う走査電極
が同一の基板上に存在するため、駆動法が実施例1.2
に比較して非常に容易になる。
また、本実施例におけるラビング処理の方向については
、第7図に示すように基板の短辺方向を0°として時計
回りを正の方向としたとき、光源側の基板から、30°
、−30” 、60°、−60°の方向にラビングを行
った。
以上、主に640 X 400画素分のSTN型液晶電
気光学装置の場合について述べたが、本発明は液晶電気
光学装置の全く任意の画素数に対応できることは本発明
の技術思想から明らかである。
〔効果〕
以上述べたように、本発明を用いることによりセルを2
枚用いて白−黒表示を行うSTN型液晶電気光学装置の
電極の作製が非常に容易になり、隣り会う電極のショー
ト等の不良が大幅に減り、さらには、駆動回路との接続
が非常に容易になり工程上の歩留りが大幅に上昇するも
のである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の液晶電気光学装置の電極に関しての概
略図の1例を示す。 第2図は本発明の液晶電気光学装置の断面の概略図を示
す。 第3図(a)、 (b)、第4図(a)、 (b)は本
発明に用いるそれぞれ2枚のセルを示す。 第5図(a)、い)、第6図(a)、 (b)は電極パ
ターンを示す。 第7図はそれぞれの基板のラビング方向と偏光板の吸収
軸方向を示す。 1.2・・・セル 3.4・・・画素 5・・・・・光源 6.7.25・・・・偏光板 8・・・・・画素と画素の間の部分 11・・・・・制御電極 12・・・・・走査電極

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、複数の走査電極を有する第1の基板と、複数の制御
    電極を有する第2の基板の間に液晶を介在せしめた第1
    のセルと、複数の走査電極を有する第3の基板と、複数
    の制御電極を有する第4の基板の間に液晶を介在せしめ
    た第2のセルとを有し、第1のセルと第2のセルとが重
    ね合わせられた二層型の液晶電気光学装置であって、一
    方のセルの画素は他方のセルの画素でない部分に配置さ
    れていることを特徴とする液晶電気光学装置。 2、複数の走査電極を有する第1の基板と、複数の制御
    電極を有する第2の基板の間に液晶を介在せしめた第1
    のセルと、複数の走査電極を有する第3の基板と、複数
    の制御電極を有する第4の基板の間に液晶を介在せしめ
    た第2のセルとを有し、第1のセルと第2のセルとが重
    ね合わせられた二層型の液晶電気光学装置であって、第
    1のセルの走査電極と第2のセルの走査電極とが重なら
    ないように配置されていることを特徴とする液晶電気光
    学装置。 3、複数の走査電極を有する第1の基板と、複数の制御
    電極を有する第2の基板の間に液晶を介在せしめた第1
    のセルと、複数の走査電極を有する第3の基板と、複数
    の制御電極を有する第4の基板の間に液晶を介在せしめ
    た第2のセルとを有し、第1のセルと第2のセルとが重
    ね合わせられた二層型の液晶電気光学装置であって、第
    1のセルの制御電極と第2のセルの制御電極とが重なら
    ないように配置されていることを特徴とする液晶電気光
    学装置。
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