JPH02306680A - 光電子集積回路装置およびその製造方法 - Google Patents
光電子集積回路装置およびその製造方法Info
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- JPH02306680A JPH02306680A JP12663689A JP12663689A JPH02306680A JP H02306680 A JPH02306680 A JP H02306680A JP 12663689 A JP12663689 A JP 12663689A JP 12663689 A JP12663689 A JP 12663689A JP H02306680 A JPH02306680 A JP H02306680A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/021—Silicon based substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0261—Non-optical elements, e.g. laser driver components, heaters
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、光通信や光学情報処理に用いられる光電子
集積回路装置およびその製造方法に関するものである。
集積回路装置およびその製造方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、電子デバイスと光デバイスをモノリシックに集積
化した素子、すなわち光電子集積回路装置（ＯＥＩＣ装
置： ０ｐｔｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｉｎｔｅｇｒ
ａｔｅｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔ装置）は、ＧａＡｓ基板やＩ
ｎＰ基板を使用し、該基板に形成した電子集積回路と、
同基板上に結晶成長法により形成した光素子とを電気的
に接続して構成したものであった。また、０ＥＩＣ装置
の表面は通常電極や素子を保護するため絶縁膜が堆積さ
れているという構造の２次元集積回路装置であった。
化した素子、すなわち光電子集積回路装置（ＯＥＩＣ装
置： ０ｐｔｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｉｎｔｅｇｒ
ａｔｅｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔ装置）は、ＧａＡｓ基板やＩ
ｎＰ基板を使用し、該基板に形成した電子集積回路と、
同基板上に結晶成長法により形成した光素子とを電気的
に接続して構成したものであった。また、０ＥＩＣ装置
の表面は通常電極や素子を保護するため絶縁膜が堆積さ
れているという構造の２次元集積回路装置であった。
（発明が解決しようとする課題）
しかるに、上記のような従来の０ＥＩＣ装置では、２次
元構成であるため、光デバイスの数を増加させて、画像
情報のような大量の情報を伝送または処理するための０
ＥＩＣ装置を実現しようとする場合に、限界があった。
元構成であるため、光デバイスの数を増加させて、画像
情報のような大量の情報を伝送または処理するための０
ＥＩＣ装置を実現しようとする場合に、限界があった。
これは、３次元化することにより解決することができる
が、絶縁膜上にはＧａＡｓやＩｎＰのようなＩ−Ｖ族化
合物半導体結晶層全形成できないという技術的制約から
、従来は３次元集積化は極めて困難であった。
が、絶縁膜上にはＧａＡｓやＩｎＰのようなＩ−Ｖ族化
合物半導体結晶層全形成できないという技術的制約から
、従来は３次元集積化は極めて困難であった。
この発明は、従来の構成では３次元集積化の実現が困難
であるという問題点を除去し、３次元化を可能とし、大
量の情報伝送、情報処理を可能とする光電子集積回路装
置およびその製造方法を提供することを目的とする。
であるという問題点を除去し、３次元化を可能とし、大
量の情報伝送、情報処理を可能とする光電子集積回路装
置およびその製造方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明では、Ｓｉ基板を使用し、このＳｉ基板に電子
集積回路を形成し、かつそのＳｉ基板の所定の場所上に
Ｉ−Ｖ族化合物半導体結晶を成長させて光デバイスを形
成し、この光デバイスと前記電子集積回路を電気的に接
続した上で基板上の表面を絶縁膜で覆い、この絶縁膜上
にＳｉ結晶層を成長させ、このＳｉ結晶層に電子集積回
路を形成し、かつ所定の場所上でＩ−Ｖ族化合物半導体
結晶を成長させて光デバイスを形成し、相互を電気的に
接続し、表面を絶縁膜で覆う。Ｓｉ結晶層、該結晶層に
形成される電子集積回路、同結晶層上に形成される光デ
バイス、同結晶層上を覆う絶縁膜は、必要により基板上
にくり返し形成される。
集積回路を形成し、かつそのＳｉ基板の所定の場所上に
Ｉ−Ｖ族化合物半導体結晶を成長させて光デバイスを形
成し、この光デバイスと前記電子集積回路を電気的に接
続した上で基板上の表面を絶縁膜で覆い、この絶縁膜上
にＳｉ結晶層を成長させ、このＳｉ結晶層に電子集積回
路を形成し、かつ所定の場所上でＩ−Ｖ族化合物半導体
結晶を成長させて光デバイスを形成し、相互を電気的に
接続し、表面を絶縁膜で覆う。Ｓｉ結晶層、該結晶層に
形成される電子集積回路、同結晶層上に形成される光デ
バイス、同結晶層上を覆う絶縁膜は、必要により基板上
にくり返し形成される。
（作 用）
基板をＳｉで形成すると、該基板に電子集積回路を形成
した後、該基板上の所定の場所にＩ−■族化合物半導体
結晶を成長させて光デバイスを形成することができる。
した後、該基板上の所定の場所にＩ−■族化合物半導体
結晶を成長させて光デバイスを形成することができる。
さらに（それら光デバイスおよび電子集積回路を形成し
たＳｉ基板の表面上に絶縁膜を形成した後、該絶縁膜上
に前記基板Ｓｉを種としてＳｉ結晶層を成長できる。そ
して、このＳｉ結晶層に電子集積回路を形成し、かっ■
−Ｖ族化合物半導体結晶を成長させて光デバイスを形成
し、表面を絶縁膜で覆えば、前記基板の電子集積回路お
よび光デバイスと組合わせて、電子集積回路および光デ
バイスの３次元集積化が可能となる。Ｓｉ結晶層の形成
、該結晶層に対する電子集積回路の形成、同結晶層上に
対する光デバイスの形成、表面の絶縁膜の形成をくり返
えせば、３層以上の３次元集積化が可能となる。
たＳｉ基板の表面上に絶縁膜を形成した後、該絶縁膜上
に前記基板Ｓｉを種としてＳｉ結晶層を成長できる。そ
して、このＳｉ結晶層に電子集積回路を形成し、かっ■
−Ｖ族化合物半導体結晶を成長させて光デバイスを形成
し、表面を絶縁膜で覆えば、前記基板の電子集積回路お
よび光デバイスと組合わせて、電子集積回路および光デ
バイスの３次元集積化が可能となる。Ｓｉ結晶層の形成
、該結晶層に対する電子集積回路の形成、同結晶層上に
対する光デバイスの形成、表面の絶縁膜の形成をくり返
えせば、３層以上の３次元集積化が可能となる。
（実施例）
以下この発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図はこの発明の光電子集積回路装置の一実施例を示
す断面図である。この図において、１はＳｉ基板であり
、このＳｉ基板１の所定の領域に電子集積回路が形成さ
れる。２は、その電子集積回路を形成した領域である。
す断面図である。この図において、１はＳｉ基板であり
、このＳｉ基板１の所定の領域に電子集積回路が形成さ
れる。２は、その電子集積回路を形成した領域である。
また、Ｓｉ基板１上の所定の場所には、Ｉ−■族化合物
半導体結晶を成長させて発光デバイス３が設けられてお
り、この発光デバイス３は前記電子集積回路と電極４に
より電気的に接続される。また、電子集積回路には、電
子デバイスを駆動するための電力供給または信号を入力
するための電極５が接続されており、この電極５と前記
電極４は、基板１表面、領域２表面および発光デバイス
３表面の絶縁膜６により、接続部以外で基板１、電子集
積回路および発光デバイス３と絶縁されている。このよ
うにして電極４．５や発光デバイス３などを形成した基
板１の表面上は絶縁膜７で覆われており、この絶縁膜７
上にはＳｉ結晶層８が形成される。そして、このＳｉ結
晶層８には、Ｓｉ基板１と同様に、電子集積回路が形成
され（９はその電子集積回路が形成された領域である）
、かつ所定の場所上でＩ−Ｖ族化合物半導体結晶を成長
させて発光デバイス１０が設けられており、この発光デ
バイス１０と電子集積回路は、Ｓｉ基板１の場合と同様
に電極１１で電気的に接続されている。さらに、電子集
積回路には、Ｓｉ基板１の場合と同様に、電力または信
号を入力するための電極１２が接続されており、この電
１ｉｉ１２と前記電極１１は、Ｓｉ結晶層８表面、領域
９表面および発光デバイス１０表面の絶縁膜１３により
、接続部以外でＳｉ結晶層８、電子集積回路および発光
デバイス１０と絶縁されている。そして、このようにし
て電極１１，１２や発光デバイス１０などを形成したＳ
ｉ結晶層８の表面上は絶縁膜１４で覆われている。なお
、１５は基板１裏面の電極である。
半導体結晶を成長させて発光デバイス３が設けられてお
り、この発光デバイス３は前記電子集積回路と電極４に
より電気的に接続される。また、電子集積回路には、電
子デバイスを駆動するための電力供給または信号を入力
するための電極５が接続されており、この電極５と前記
電極４は、基板１表面、領域２表面および発光デバイス
３表面の絶縁膜６により、接続部以外で基板１、電子集
積回路および発光デバイス３と絶縁されている。このよ
うにして電極４．５や発光デバイス３などを形成した基
板１の表面上は絶縁膜７で覆われており、この絶縁膜７
上にはＳｉ結晶層８が形成される。そして、このＳｉ結
晶層８には、Ｓｉ基板１と同様に、電子集積回路が形成
され（９はその電子集積回路が形成された領域である）
、かつ所定の場所上でＩ−Ｖ族化合物半導体結晶を成長
させて発光デバイス１０が設けられており、この発光デ
バイス１０と電子集積回路は、Ｓｉ基板１の場合と同様
に電極１１で電気的に接続されている。さらに、電子集
積回路には、Ｓｉ基板１の場合と同様に、電力または信
号を入力するための電極１２が接続されており、この電
１ｉｉ１２と前記電極１１は、Ｓｉ結晶層８表面、領域
９表面および発光デバイス１０表面の絶縁膜１３により
、接続部以外でＳｉ結晶層８、電子集積回路および発光
デバイス１０と絶縁されている。そして、このようにし
て電極１１，１２や発光デバイス１０などを形成したＳ
ｉ結晶層８の表面上は絶縁膜１４で覆われている。なお
、１５は基板１裏面の電極である。
このような光電子集積回路装置は、Ｓｉ基板１に対して
形成された電子集積回路と光デバイス３、その上のＳｉ
結晶層８に対して形成された電子集積回路と光デバイス
１０により、２層構造で３次元光電子集積回路装置を構
成する。Ｓｉ結晶層８の形成、該結晶層８に対する電子
集積回路および光デバイス１０の形成、表面の絶縁膜１
１の形成などをくり返せば、３層構造思上で３次元光電
子集積回路装置を構成することもできる。
形成された電子集積回路と光デバイス３、その上のＳｉ
結晶層８に対して形成された電子集積回路と光デバイス
１０により、２層構造で３次元光電子集積回路装置を構
成する。Ｓｉ結晶層８の形成、該結晶層８に対する電子
集積回路および光デバイス１０の形成、表面の絶縁膜１
１の形成などをくり返せば、３層構造思上で３次元光電
子集積回路装置を構成することもできる。
上記のような光電子集積回路装置は第２図（この発明の
製造方法の一実施例）に示すようにして製造される。
製造方法の一実施例）に示すようにして製造される。
まず第２図（ａｌに示すように、Ｎ型Ｓｉ基板１（Ｐ型
でもよい）に通常のＳｉ電°子集積回路を製造するプロ
セスで電子集積回路を形成する。２は、その電子ｓＷ回
路が形成された領域である。
でもよい）に通常のＳｉ電°子集積回路を製造するプロ
セスで電子集積回路を形成する。２は、その電子ｓＷ回
路が形成された領域である。
次に第２図（ｂｌに示すように、Ｓｉ基板１の表面に絶
縁膜１６を形成する。この時、絶縁膜１６は、ＩＮ−Ｖ
族化合物半導体結晶を成長させる場所は除いて形成され
る。
縁膜１６を形成する。この時、絶縁膜１６は、ＩＮ−Ｖ
族化合物半導体結晶を成長させる場所は除いて形成され
る。
次に、その絶縁膜１６が除去された部分でＳｉ基板１上
に第２図（ｃ）に示すようにＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
結晶をＭＯＣＶＤ法やガスソースＭＢＥ法で成長させ、
発光デバイス３を形成する。この際、絶縁膜１６上には
結晶は殆ど堆積しない。また、成長結晶は均一ではなく
、−例として発光デバイス３としてＡｊＧａＡｓ半導体
レーザを製作する場合は、Ｓｉ基板１側からｎ−ＧａＡ
ｓ、 ｎ−ＡｌＧａＡｓ。
に第２図（ｃ）に示すようにＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
結晶をＭＯＣＶＤ法やガスソースＭＢＥ法で成長させ、
発光デバイス３を形成する。この際、絶縁膜１６上には
結晶は殆ど堆積しない。また、成長結晶は均一ではなく
、−例として発光デバイス３としてＡｊＧａＡｓ半導体
レーザを製作する場合は、Ｓｉ基板１側からｎ−ＧａＡ
ｓ、 ｎ−ＡｌＧａＡｓ。
ＧａＡｓ （活性層） 、 ｐ−ＡｊＧａＡｓ 、 ｐ
−ＧａＡｓ層を順次成長させる。
−ＧａＡｓ層を順次成長させる。
その後、絶縁膜１６を除去した後、領域２を含むＳｉ基
板１表面および発光デバイス３表面に第２図（ｄ）に示
すように絶縁膜６を形成する。この時、。
板１表面および発光デバイス３表面に第２図（ｄ）に示
すように絶縁膜６を形成する。この時、。
絶縁膜６は、発光デバイス３と電子集積回路を電気的に
接続する場所および電子回路に電力または信号を入力す
るため電子集積回路を外部回路と接続する場所はフォト
リソ技術により除去して形成される。
接続する場所および電子回路に電力または信号を入力す
るため電子集積回路を外部回路と接続する場所はフォト
リソ技術により除去して形成される。
次に、第２図（ｅ）に示すように、発光デバイス３と電
子集積回路を接続する電極４、および電子集積回路に電
力または信号を入力するための電極５を形成する。
子集積回路を接続する電極４、および電子集積回路に電
力または信号を入力するための電極５を形成する。
その後、それらの電極４，５上を含むＳｉ基板１の表面
上を覆うように第２図（ｆ）に示すように絶縁膜７を形
成する。ここで、絶縁膜７の材質としては特に制限はな
いが、この膜の上にＳｉ結晶を成長させた場合の熱膨張
係数の違いやストレスの問題などを考慮してＳｉＯ３を
使用することが好ましい。
上を覆うように第２図（ｆ）に示すように絶縁膜７を形
成する。ここで、絶縁膜７の材質としては特に制限はな
いが、この膜の上にＳｉ結晶を成長させた場合の熱膨張
係数の違いやストレスの問題などを考慮してＳｉＯ３を
使用することが好ましい。
次に、ＳＯＩ技術（Ｓ山ｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔ
ｏｒ技術）を利用して、第２図（ｇｌに示すように絶縁
膜７上にｎ型のＳｉ結晶層８を形成する。この時、Ｓｉ
結晶成長の種結晶として、下のＳｉ基板１を使用するの
が一般的である。すなわち、図には示していないがＳｉ
基板１とＳｉ結晶層８が接触している場所が設けられて
おり、従って電気的にも接続されている。
ｏｒ技術）を利用して、第２図（ｇｌに示すように絶縁
膜７上にｎ型のＳｉ結晶層８を形成する。この時、Ｓｉ
結晶成長の種結晶として、下のＳｉ基板１を使用するの
が一般的である。すなわち、図には示していないがＳｉ
基板１とＳｉ結晶層８が接触している場所が設けられて
おり、従って電気的にも接続されている。
その後は、Ｓｉ基板１の場合と同様に第２図［ｈｌに示
すようにＳｉ結晶層８に電子集積回路を形成しく９はそ
の電子集積回路が形成された領域である）、かつ■−■
族化合物半導体結晶を成長させて発光デバイス１０を形
成する。さらに、第２図（ｉ）に示すように、それらの
表面に接続部を除いて絶縁膜１３を形成し、電極１１．
１２を形成し、表面を覆う絶縁膜１４を形成する。最後
に、基板１裏面に電極１５を形成する。
すようにＳｉ結晶層８に電子集積回路を形成しく９はそ
の電子集積回路が形成された領域である）、かつ■−■
族化合物半導体結晶を成長させて発光デバイス１０を形
成する。さらに、第２図（ｉ）に示すように、それらの
表面に接続部を除いて絶縁膜１３を形成し、電極１１．
１２を形成し、表面を覆う絶縁膜１４を形成する。最後
に、基板１裏面に電極１５を形成する。
なお、Ｓｉ結晶層８の形成、該Ｓｉ結晶層８に対する電
子集積回路および発光デバイス１０の形成、電極１１．
１２の形成、絶縁膜１３．１４の形成をくり返して、３
層以上の３次元光電子集積回路装置を形成することもで
きる。
子集積回路および発光デバイス１０の形成、電極１１．
１２の形成、絶縁膜１３．１４の形成をくり返して、３
層以上の３次元光電子集積回路装置を形成することもで
きる。
（発明の効果）
以上詳述したように、この発明によれば、Ｓｉ基板を使
用し、このＳｉ基板に電子集積回路を形成し、かっＩ−
Ｖ族化合物半導体結晶を成長させて光デバイスを形成し
、それらの上を絶縁膜で覆った上で、その上にＳｉ結晶
層を形成し、このＳｉ結晶層に対して同様に電子集積回
路と光デバイスを形成し、表面を絶縁膜で覆い、必要に
よすＳｉ結晶層の形成と該層に対する電子集積回路およ
び光デバイスの形成ならびに表面絶縁膜の形成をくり返
すようにしたので、電子集積回路と光デバイスを３次元
的に集積した構造の高い集積度の３次元光電子集積回路
装置を実現することができる。
用し、このＳｉ基板に電子集積回路を形成し、かっＩ−
Ｖ族化合物半導体結晶を成長させて光デバイスを形成し
、それらの上を絶縁膜で覆った上で、その上にＳｉ結晶
層を形成し、このＳｉ結晶層に対して同様に電子集積回
路と光デバイスを形成し、表面を絶縁膜で覆い、必要に
よすＳｉ結晶層の形成と該層に対する電子集積回路およ
び光デバイスの形成ならびに表面絶縁膜の形成をくり返
すようにしたので、電子集積回路と光デバイスを３次元
的に集積した構造の高い集積度の３次元光電子集積回路
装置を実現することができる。
この３次元光電子集積回路装置は、大量の情報を伝送ま
たは処理する場合の一手法として最近注目されている。
たは処理する場合の一手法として最近注目されている。
ただし多数の発光素子や受光素子を必要とする（例えば
１０ Ｇ ｂ ｉ ｔ／ｓの情報である場合、単一素子
の能力が１００ Ｍ ｂｉｔ／ｓであれば１００個の素
子が必要となる）並列伝送・並列処理技術に使用して、
当該技術を飛躍的に発展させることができる。
１０ Ｇ ｂ ｉ ｔ／ｓの情報である場合、単一素子
の能力が１００ Ｍ ｂｉｔ／ｓであれば１００個の素
子が必要となる）並列伝送・並列処理技術に使用して、
当該技術を飛躍的に発展させることができる。
第１図はこの発明の光電子集積回路装置の一実施例を示
す構造断面図、第２図はこの発明の光電子集積回路装置
の製造方法の一実施例を示す工程断面図である。 １・・・Ｓｉ基板、２・・・電子集積回路形成領域、３
・・・発光デバイス、４・・・電極、７・・・絶縁膜、
８・・・Ｓｉ結晶層、９・・・電子集積回路形成領域、
１０・・・発光デバイス、１１・・・電極、１４・・・
絶縁膜。 特 許 出 願人 光技術研究開発株式会社、−１、
″ 代理人 弁理士 菊 池 弘。 本発明に係る製造方法 第２図
す構造断面図、第２図はこの発明の光電子集積回路装置
の製造方法の一実施例を示す工程断面図である。 １・・・Ｓｉ基板、２・・・電子集積回路形成領域、３
・・・発光デバイス、４・・・電極、７・・・絶縁膜、
８・・・Ｓｉ結晶層、９・・・電子集積回路形成領域、
１０・・・発光デバイス、１１・・・電極、１４・・・
絶縁膜。 特 許 出 願人 光技術研究開発株式会社、−１、
″ 代理人 弁理士 菊 池 弘。 本発明に係る製造方法 第２図
Claims (2)
- （１）（ａ）Ｓｉ基板と、 （ｂ）このＳｉ基板に形成された電子集積回路と、（ｃ
）同上Ｓｉ基板の所定の場所上にIII−Ｖ族化合物半導
体結晶を成長させて形成された、前記電子集積回路と電
気的に接続される光デバイスと、（ｄ）この光デバイス
と前記電子集積回路を形成した前記Ｓｉ基板上の表面を
覆う絶縁膜と、（ｅ）この絶縁膜上に形成されたＳｉ結
晶層と、（ｆ）このＳｉ結晶層に形成された電子集積回
路と、 （ｇ）同上Ｓｉ結晶層の所定の場所上にIII−Ｖ族化合
物半導体結晶を成長させて形成された、前記電子集積回
路と電気的に接続される光デバイスと、（ｈ）この光デ
バイスと前記電子集積回路を形成した前記Ｓｉ結晶層上
の表面を覆う絶縁膜とを具備し、 （ｉ）Ｓｉ結晶層、該結晶層に形成される電子集積回路
、同結晶層上に形成される光デバイス、同結晶層上を覆
う絶縁膜は必要によりくり返し設けられる光電子集積回
路装置。 - （２）（ａ）Ｓｉ基板に電子集積回路を形成した後、同
Ｓｉ基板の所定の場所上にIII−Ｖ族化合物半導体結晶
を成長させて光デバイスを形成し、この光デバイスと前
記電子集積回路を電気的に接続した後、基板上の表面を
絶縁膜で覆う工程と、 （ｂ）その絶縁膜上にＳｉ結晶層を成長させる工程と、 （ｃ）そのＳｉ結晶層に電子集積回路を形成し、かつ同
Ｓｉ結晶層の所定の場所上にIII−Ｖ族化合物半導体結
晶を成長させて光デバイスを形成し、この光デバイスと
前記電子集積回路を電気的に接続した後、Ｓｉ結晶層上
の表面を絶縁膜で覆う工程とを具備し、 （ｄ）Ｓｉ結晶層の成長工程、該結晶層に対する電子集
積回路の形成、同結晶層上に対する光デバイスの形成、
同結晶層上を絶縁膜で覆う工程は必要によりくり返えさ
れる光電子集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12663689A JPH02306680A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 光電子集積回路装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12663689A JPH02306680A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 光電子集積回路装置およびその製造方法 |
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| JP12663689A Pending JPH02306680A (ja) | 1989-05-22 | 1989-05-22 | 光電子集積回路装置およびその製造方法 |
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1989
- 1989-05-22 JP JP12663689A patent/JPH02306680A/ja active Pending
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