JPH02305481A - ＩｎＧａＡｓ系半導体受光素子 - Google Patents
ＩｎＧａＡｓ系半導体受光素子Info
- Publication number
- JPH02305481A JPH02305481A JP1125586A JP12558689A JPH02305481A JP H02305481 A JPH02305481 A JP H02305481A JP 1125586 A JP1125586 A JP 1125586A JP 12558689 A JP12558689 A JP 12558689A JP H02305481 A JPH02305481 A JP H02305481A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ingaas
- type
- value
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 38
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 abstract 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100215641 Aeromonas salmonicida ash3 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
暗電流を低減したＩｎＧａＡｓ系半導体受光素子の改良
に関し、 ＩｎＧａＡｓ系半導体受光素子を構成する諸手導体層の
間にＩｎＧａＡｓＰからなるバンド不連続緩和層を介挿
しても、それと他の層との界面にはＧＲセンタの発生が
ないように、従って、暗電流の増加もないようにするこ
とを目的とし、Ｉｎ （：、 ａ Ａ ｓ光吸収層とＩ
ｎＰ増倍層との間にバンド不連続緩和層が介挿され、該
バンド不連続緩和層は、 Ｉｎｎ−ＸＧａＸＡｓ、Ｐ＋−ｙ で構成され、且つ、該１ｎＧａＡｓ光吸収層と接する側
の■族組成に於けるｙ値は０．６以上に、また、該Ｉｎ
Ｐ増倍層と接する側の■族組成に於けるｙ値は０．６以
下に、更にまた、該バンド不連続緩和層が複数層からな
る場合には相互の■族組成に於けるｙ値の差であるΔｙ
が何れも０．４以下にそれぞれ選択して構成する。
に関し、 ＩｎＧａＡｓ系半導体受光素子を構成する諸手導体層の
間にＩｎＧａＡｓＰからなるバンド不連続緩和層を介挿
しても、それと他の層との界面にはＧＲセンタの発生が
ないように、従って、暗電流の増加もないようにするこ
とを目的とし、Ｉｎ （：、 ａ Ａ ｓ光吸収層とＩ
ｎＰ増倍層との間にバンド不連続緩和層が介挿され、該
バンド不連続緩和層は、 Ｉｎｎ−ＸＧａＸＡｓ、Ｐ＋−ｙ で構成され、且つ、該１ｎＧａＡｓ光吸収層と接する側
の■族組成に於けるｙ値は０．６以上に、また、該Ｉｎ
Ｐ増倍層と接する側の■族組成に於けるｙ値は０．６以
下に、更にまた、該バンド不連続緩和層が複数層からな
る場合には相互の■族組成に於けるｙ値の差であるΔｙ
が何れも０．４以下にそれぞれ選択して構成する。
本発明は、暗電流を低減したＩ ｎＧａＡｓ系半導体受
光素子の改良に関する。
光素子の改良に関する。
ＩｎＧａＡｓ系アバランシェ・フォトダイオード（ａｖ
ａｌａｎｃｈｅ ｐｈｏｔｏ ｄｉｏｄｅ：ＡＰＤ
）は１ 〔μｍ〕帯の光通信用受光素子であって、特に
、超高速通信や遠距離通信など部品に高性能が要求され
る場合に用いられているものであるが、その性能には、
未だ、問題なしとは言えない状態にある。
ａｌａｎｃｈｅ ｐｈｏｔｏ ｄｉｏｄｅ：ＡＰＤ
）は１ 〔μｍ〕帯の光通信用受光素子であって、特に
、超高速通信や遠距離通信など部品に高性能が要求され
る場合に用いられているものであるが、その性能には、
未だ、問題なしとは言えない状態にある。
〔従来の技術〕
第８図は従来のプレーナ型ＩｎＧａＡｓ系ＡＰＤを説明
する為の要部切断側面図を表している。
する為の要部切断側面図を表している。
図に於いて、１はｎ＋型１ｎＰ基板、２はｎ型ＩｎＰバ
ッファ層、３はｎ型［ｎＧａＡｓ光吸収層、４はｎ型［
ｎＧａＡｓＰ （実際にはＩｎ１−ＸＧａ、Ａｓ、 Ｐ
＋−ｙであって、ｙ〜０．５程度）バンド不連続緩和層
、５はｎ型１ｎＰ増倍層、６はｎ−型１ｎＰウィンドウ
層、７はｐ−型ガード・リング、８は二酸化シリコン（
Ｓｔ０２）からなるパッシベーション膜、９はｐ＋型不
純物拡散領域、１０はｐ側電極、１１はｎ側電極をそれ
ぞれ示している。
ッファ層、３はｎ型［ｎＧａＡｓ光吸収層、４はｎ型［
ｎＧａＡｓＰ （実際にはＩｎ１−ＸＧａ、Ａｓ、 Ｐ
＋−ｙであって、ｙ〜０．５程度）バンド不連続緩和層
、５はｎ型１ｎＰ増倍層、６はｎ−型１ｎＰウィンドウ
層、７はｐ−型ガード・リング、８は二酸化シリコン（
Ｓｔ０２）からなるパッシベーション膜、９はｐ＋型不
純物拡散領域、１０はｐ側電極、１１はｎ側電極をそれ
ぞれ示している。
この従来例に於けるｎ型１ｎＧａＡｓＰ （ｙ〜０．５
）バンド不連続緩和層４は、ＩｎＧａＡｓとＩｎＰとの
間に於ける価電子帯のバンド不連続の影響を中間組成の
層を介挿することで緩和し、周波数特性の劣化を防止す
る為に用いられている。
）バンド不連続緩和層４は、ＩｎＧａＡｓとＩｎＰとの
間に於ける価電子帯のバンド不連続の影響を中間組成の
層を介挿することで緩和し、周波数特性の劣化を防止す
る為に用いられている。
本発明者らの実験に依れば、第８図に見られるＡＰＤを
製造するに際し、各半導体層をＭＯＶＰＥ （ｍｅｔａ
ｌｏｒｇａｎｉｃ ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅ
ｐｉｔａｘｉａｌ ｍｅｔｈｏｄ）法を通用して成長
させた場合、前記したようにｎ型１ｎＧａＡｓＰ Ｏ”
０．５）バンド不連続緩和層４を介挿すると、それとｎ
型１ｎＧａＡｓ光吸収層３との界面にＧＲセンタ（ｇｅ
ｎｅｒａｔｔｏｎ ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ
Ｃｅｎｔｅｒ）が発生し、従って、暗電流は増加するこ
とが判った。
製造するに際し、各半導体層をＭＯＶＰＥ （ｍｅｔａ
ｌｏｒｇａｎｉｃ ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅ
ｐｉｔａｘｉａｌ ｍｅｔｈｏｄ）法を通用して成長
させた場合、前記したようにｎ型１ｎＧａＡｓＰ Ｏ”
０．５）バンド不連続緩和層４を介挿すると、それとｎ
型１ｎＧａＡｓ光吸収層３との界面にＧＲセンタ（ｇｅ
ｎｅｒａｔｔｏｎ ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ
Ｃｅｎｔｅｒ）が発生し、従って、暗電流は増加するこ
とが判った。
また、バンド不連続緩和層４の材料にｌ ｎＱａＡｓＰ
（ｙ〜０．８）を用いた場合、今度は、それとｎ型１ｎ
Ｐ増倍層５との界面にＧＲセンタが発生し、同様に暗電
流が増加する。
（ｙ〜０．８）を用いた場合、今度は、それとｎ型１ｎ
Ｐ増倍層５との界面にＧＲセンタが発生し、同様に暗電
流が増加する。
このように、ＩｎＧａＡｓＰからなるバンド不連続緩和
層の組成の如何に対応し、異なる場所にＧＲセンタが発
生して暗電流が増加する旨の事実は知られていなかった
。
層の組成の如何に対応し、異なる場所にＧＲセンタが発
生して暗電流が増加する旨の事実は知られていなかった
。
本発明は、ＡＰＤを構成する諸手導体層の間にＩｎＧａ
ＡｓＰからなるバンド不連続緩和層を介挿しても、それ
と他の層との界面にはＧＲセンタの発生がないように、
従って、暗電流の増加もないようにしようとする。
ＡｓＰからなるバンド不連続緩和層を介挿しても、それ
と他の層との界面にはＧＲセンタの発生がないように、
従って、暗電流の増加もないようにしようとする。
さて、前記の課題を解決する為には、
■ ＩｎＧａＡｓとＩｎＧａＡｓＰとの界面、■ Ｉｎ
ＧａＡｓＰとＩｎＰとの界面、■ ｙ値を異にするＩｎ
ＧａＡｓＰ及びＩ ｎＧａＡＳＰの界面、 それぞれに於いてＧＲセンタの発生がないようにしなけ
ればならないが、本発明者等は、多くの実験から、 （ａｔ Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓが接するＩｎ、Ｇａ
ｐ−、Ａｓ。
ＧａＡｓＰとＩｎＰとの界面、■ ｙ値を異にするＩｎ
ＧａＡｓＰ及びＩ ｎＧａＡＳＰの界面、 それぞれに於いてＧＲセンタの発生がないようにしなけ
ればならないが、本発明者等は、多くの実験から、 （ａｔ Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓが接するＩｎ、Ｇａ
ｐ−、Ａｓ。
Ｐ ＋−ｙに於ける■族組成のｙ値を０．６以上にする
、 （ｂｌｒｎＰが接するｌ ｎ、 Ｇ ａ ＋−ｘ Ａ
ｓｙ Ｐ ＋−ｙに於けるＶ族組成のｙ値を０．６以下
にする、（Ｃ） 夏ｎ ｘ Ｇ ａ ＋−ｘ Ａ Ｓ
ｙ Ｐ ＋−ｙ 、及び、それを挟んで接するＩｎＸ
Ｇａ１−ｘ Ａｓｙ ｐｌ−！／の間に於ける■族組成
のｙ値の差が何れも０．４以下にする、 の三つが基本条件になることを見出した。
、 （ｂｌｒｎＰが接するｌ ｎ、 Ｇ ａ ＋−ｘ Ａ
ｓｙ Ｐ ＋−ｙに於けるＶ族組成のｙ値を０．６以下
にする、（Ｃ） 夏ｎ ｘ Ｇ ａ ＋−ｘ Ａ Ｓ
ｙ Ｐ ＋−ｙ 、及び、それを挟んで接するＩｎＸ
Ｇａ１−ｘ Ａｓｙ ｐｌ−！／の間に於ける■族組成
のｙ値の差が何れも０．４以下にする、 の三つが基本条件になることを見出した。
第１図は本発明の詳細な説明する為の線図を表し、横軸
にはＩ ｎ、Ｇａｐ−ＸＡｓ、Ｐ、、に於ける■族組成
のｙ値を、また、縦軸にはエピタキシャル成長させた各
半導体層に於ける厚さ方向の位置をそれぞれ採ってあり
、第８図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか
或いは同じ意味を持つものとする。
にはＩ ｎ、Ｇａｐ−ＸＡｓ、Ｐ、、に於ける■族組成
のｙ値を、また、縦軸にはエピタキシャル成長させた各
半導体層に於ける厚さ方向の位置をそれぞれ採ってあり
、第８図に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか
或いは同じ意味を持つものとする。
図に於いて、４Ａ、４Ｂ、４ＣはＶ族組成のｙ値を異に
するｎ型１ ｎＸ ＧａＩ−ｘ ＡＳｙ Ｐ＋−ｙバン
ド不連続緩和層、）’＋ ＋ Ｙｔ ＋ ｙｓはバ
ンド不連続緩和層４Ａ、４Ｂ、４Ｃのｙ値をそれぞれ示
している。
するｎ型１ ｎＸ ＧａＩ−ｘ ＡＳｙ Ｐ＋−ｙバン
ド不連続緩和層、）’＋ ＋ Ｙｔ ＋ ｙｓはバ
ンド不連続緩和層４Ａ、４Ｂ、４Ｃのｙ値をそれぞれ示
している。
図から明らかなように、ここでは、ｎ型ＩｎＸＧａｔ−
ｘ ＡｓｙＰ＋−ｙバンド不連続緩和層が４Ａ。
ｘ ＡｓｙＰ＋−ｙバンド不連続緩和層が４Ａ。
４Ｂ、４Ｃの三層からなっていて、それぞれに於ける■
族組成のｙ値が異なっている。
族組成のｙ値が異なっている。
さて、ｙ＋ ＋ ３’ｚ＋ ’／ｓなるｙ値と、前
記した（ａｌ、 （ｂｌ、 （Ｃ）の三つの基本条件を
対応させてみると、ｙ、が（ａ）の条件を、また、ｙ、
がｆｂ）の条件をそれぞれ満たし、（ｙ＋−ｙｚ）及び
０’ｚ −’Ｉｓ ）が共に（Ｃ１の条件を満たせば良
い。
記した（ａｌ、 （ｂｌ、 （Ｃ）の三つの基本条件を
対応させてみると、ｙ、が（ａ）の条件を、また、ｙ、
がｆｂ）の条件をそれぞれ満たし、（ｙ＋−ｙｚ）及び
０’ｚ −’Ｉｓ ）が共に（Ｃ１の条件を満たせば良
い。
ここで、ＩｎＧａＡｓとＩｎＧａＡｓＰとの界面、Ｉｎ
ＧａＡｓＰとＩｎＰとの界面に於けるＧＲセンタの発生
とＩｎＧａＡｓＰの■族組成のｙ値との相関について説
明する。
ＧａＡｓＰとＩｎＰとの界面に於けるＧＲセンタの発生
とＩｎＧａＡｓＰの■族組成のｙ値との相関について説
明する。
第２図はＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ界面調査用ダイ
オードの要部切断側面図を表している。
オードの要部切断側面図を表している。
図に於いて、２１はｎ＋型１ｎＰ基板、２２はｎ型１ｎ
ＧａＡｓ層、２３はｎ型１ｎＧａＡｓｐ層、２４はｎ型
１ｎＰ層、２５はバンシベーション膜、２６はｐ＋型不
純物拡散領域、２７はｐ側電極、２８はｎ側電極、２９
は副査すべきヘテロ界面をそれぞれ示している。尚、こ
のダイオードに於けるｎ型ＩｎＰ層２４は、パッシベー
ションをし易くする為のキャップ層であって、本質的に
は不要である。
ＧａＡｓ層、２３はｎ型１ｎＧａＡｓｐ層、２４はｎ型
１ｎＰ層、２５はバンシベーション膜、２６はｐ＋型不
純物拡散領域、２７はｐ側電極、２８はｎ側電極、２９
は副査すべきヘテロ界面をそれぞれ示している。尚、こ
のダイオードに於けるｎ型ＩｎＰ層２４は、パッシベー
ションをし易くする為のキャップ層であって、本質的に
は不要である。
図示された界面調査用ダイオードに於いて、ｎ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ （実際にはｎ型（ｎｘＧａ＋−ｘＡＳｙＰＩ
−ｙ）層２３に於けるＶ族組成のｙ値を変えた試料を多
数作成し、それ等の暗電流を測定することでヘテロ界面
２９に於けるＧＲセンタの評価を行った。
ａＡｓＰ （実際にはｎ型（ｎｘＧａ＋−ｘＡＳｙＰＩ
−ｙ）層２３に於けるＶ族組成のｙ値を変えた試料を多
数作成し、それ等の暗電流を測定することでヘテロ界面
２９に於けるＧＲセンタの評価を行った。
第３図はへテロ界面に於けるＧＲセンタの有無に依る暗
電流について説明する為の線図であって、横軸にバイア
ス電圧を、縦軸に暗電流をそれぞれ採っである。
電流について説明する為の線図であって、横軸にバイア
ス電圧を、縦軸に暗電流をそれぞれ採っである。
図に於いて、ｔａ＋はＧＲセンタがない場合の特性線、
■４□はＧＲセンタがある場合の特性線、ａｌはＧＲセ
ンタが存在することに依る暗電流の増加量、Ｖ４は空乏
層の先端かへテロ界面２９に達するバイアス電圧をそれ
ぞれ示している。
■４□はＧＲセンタがある場合の特性線、ａｌはＧＲセ
ンタが存在することに依る暗電流の増加量、Ｖ４は空乏
層の先端かへテロ界面２９に達するバイアス電圧をそれ
ぞれ示している。
図から判るように、ＧＲセンタが存在しない場合には、
特性線１４１に見られるように、バイアス電圧の増加に
伴って僅かに増加しつつ推移するが、ＧＲセンタが存在
する場合には、特性線■４□に見られるように、空乏層
の先端かへテロ界面２９に達するバイアス電圧■４の点
で暗電流はステップ状に増加している。従って、この際
の増加量ΔＩが、ΔＩ＞Ｏである時、ヘテロ界面２９に
はＧＲセンタが発生していると見てよい。
特性線１４１に見られるように、バイアス電圧の増加に
伴って僅かに増加しつつ推移するが、ＧＲセンタが存在
する場合には、特性線■４□に見られるように、空乏層
の先端かへテロ界面２９に達するバイアス電圧■４の点
で暗電流はステップ状に増加している。従って、この際
の増加量ΔＩが、ΔＩ＞Ｏである時、ヘテロ界面２９に
はＧＲセンタが発生していると見てよい。
第４図はＩ ｎ ＊ Ｇ ａ ｌ−ｘ Ａ ３ ｙ Ｐ
ｌ−Ｆに於ける■族組成のｙ値と暗電流の増加量ΔＩ
との関係を表す線図であり、横軸に■族組成のｙ値を、
縦軸に暗電流の増加量ΔＩをそれぞれ採っである。
ｌ−Ｆに於ける■族組成のｙ値と暗電流の増加量ΔＩ
との関係を表す線図であり、横軸に■族組成のｙ値を、
縦軸に暗電流の増加量ΔＩをそれぞれ採っである。
図から判るように、ｙ値が０．６以上になると増加量Δ
■は０であって、ＧＲセンタの発生はないと見てよく、
ｙ値が０．６未満であると増加量ΔＩは次第に大きくな
り、０．４以下になると完全にΔＩ＞Ｏであって、ＧＲ
センタが発生していると見てよい。
■は０であって、ＧＲセンタの発生はないと見てよく、
ｙ値が０．６未満であると増加量ΔＩは次第に大きくな
り、０．４以下になると完全にΔＩ＞Ｏであって、ＧＲ
センタが発生していると見てよい。
前記した基本条件の（ａｌは、前記説明した実験結果か
ら決定したものである。
ら決定したものである。
次に、ＩｎＧａＡｓＰとＩｎＰとのへテロ界面について
実験したところを説明する。
実験したところを説明する。
第５図はＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ界面調査用ダイオード
の要部切断側面図を表し、第２図に於いて用いた記号と
同記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つものとす
る。
の要部切断側面図を表し、第２図に於いて用いた記号と
同記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つものとす
る。
因に、第５図に見られるダイオードに依ると、理論上か
らは、第２図について説明したｌ ｎＧａＡ ｓ ／
Ｔ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ界面の調査も可能な筈であ
るが、実際には、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ界面に多くの
ＧＲセンタが存在した場合、これに起因する暗電流が大
きくなるから、Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ｉ ｎＧ
ａＡｓＰ界面の評価は困難になってしまう。そこで、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ界面の影響を受けずにＩｎＧａＡ
ｓ／ＩｎＧａＡｓＰ界面の評価を行なえるダイオードが
必要であり、それを可能にするダイオードが第２図に表
されているものであって、このダイオードに於けるＩｎ
ＧａＡｓＰ／ＩｎＰ界面はｐ＋型不純物拡散領域２６の
中に在ることがら空乏層化することがなく、従って、そ
こに深い準位が存在しても、それがＧＲセンタとして機
能することはないから、その存在を無視することができ
るものである。
らは、第２図について説明したｌ ｎＧａＡ ｓ ／
Ｔ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ界面の調査も可能な筈であ
るが、実際には、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ界面に多くの
ＧＲセンタが存在した場合、これに起因する暗電流が大
きくなるから、Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ｉ ｎＧ
ａＡｓＰ界面の評価は困難になってしまう。そこで、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ界面の影響を受けずにＩｎＧａＡ
ｓ／ＩｎＧａＡｓＰ界面の評価を行なえるダイオードが
必要であり、それを可能にするダイオードが第２図に表
されているものであって、このダイオードに於けるＩｎ
ＧａＡｓＰ／ＩｎＰ界面はｐ＋型不純物拡散領域２６の
中に在ることがら空乏層化することがなく、従って、そ
こに深い準位が存在しても、それがＧＲセンタとして機
能することはないから、その存在を無視することができ
るものである。
さて、第５図に示したダイオードの場合も、ｎ型ＩｎＧ
ａＡｓＰ （実際にはｎ型１ｎ、Ｇａ１−。
ａＡｓＰ （実際にはｎ型１ｎ、Ｇａ１−。
Ａ Ｓ ｙ Ｐ ｌ−ｙ ）層２３について■族組成の
ｙ値を変えた試料を多数作成し、それ等の暗電流を測定
することでペテロ界面２９に於けるＧＲセンタの評価を
行った。
ｙ値を変えた試料を多数作成し、それ等の暗電流を測定
することでペテロ界面２９に於けるＧＲセンタの評価を
行った。
第６図はｌ ｎ Ｘ Ｇ ａ Ｉ−Ｘ Ａ Ｓ ｙ Ｐ
１−ｙに於ける■族組成のｙ値と暗電流の増加量ΔＩ
との関係を表す線図であり、横軸に■族組成のｙ値を、
縦軸に暗電流の増加量ΔＩをそれぞれ採っである。
１−ｙに於ける■族組成のｙ値と暗電流の増加量ΔＩ
との関係を表す線図であり、横軸に■族組成のｙ値を、
縦軸に暗電流の増加量ΔＩをそれぞれ採っである。
この場合は、第４図について説明した場合と異なり、ｙ
値が０．６以下になると増加量ΔＩはＯであって、ＧＲ
センタの発生がなく、そして、ｙ値が０．６を越えると
増加量ΔＩは次第に大きくなり、０．８以上になると完
全にΔＩ＞Ｏであって、ＧＲセンタが発生していること
が明らかである。
値が０．６以下になると増加量ΔＩはＯであって、ＧＲ
センタの発生がなく、そして、ｙ値が０．６を越えると
増加量ΔＩは次第に大きくなり、０．８以上になると完
全にΔＩ＞Ｏであって、ＧＲセンタが発生していること
が明らかである。
前記した基本条件の（ｂ）は、前記説明した実験結果か
ら決定したものである。
ら決定したものである。
最後に、Ｖ族組成のｙ値が異なるＩｎＧａＡｓＰとＩｎ
ＧａＡｓＰとの界面について説明する。
ＧａＡｓＰとの界面について説明する。
このような界面にＧＲセンタを発生させない為の条件は
、前記二つの実験からの推論で決定することができる。
、前記二つの実験からの推論で決定することができる。
即ち、積層されたＩｎＧａＡｓＰに於ける■族組成のｙ
値の差をΔｙとすると、「Δｙは成る値Ａよりも小さく
なければならず、従って、ΔｙくＡＪ、なる形で与えら
れると判断される。
値の差をΔｙとすると、「Δｙは成る値Ａよりも小さく
なければならず、従って、ΔｙくＡＪ、なる形で与えら
れると判断される。
即ち、ＩｎＧａＡｓをｙ＝−ｔのＩ ｎＧａＡｓＰとし
て捉え、ＩｎＧａＡｓＰとの界面に於けるＡの値は、第
４図からすると、 １−０．６＝０．４ であり、また、ＩｎＰをｙ＝ｏのＩｎＧａＡｓＰとして
捉え、それとＩｎＧａＡｓＰとの界面に於けるＡの値は
、第６図からすると、 ０．６−０＝０．６ である。従って、■族組成のｙ値が相違するＩｎＧａＡ
ｓＰ同志の界面に於けるＡの値は、０．４乃至０．６の
範囲、即ち、０．４≦Ａ≦０．６、が成り立つと見て良
い。
て捉え、ＩｎＧａＡｓＰとの界面に於けるＡの値は、第
４図からすると、 １−０．６＝０．４ であり、また、ＩｎＰをｙ＝ｏのＩｎＧａＡｓＰとして
捉え、それとＩｎＧａＡｓＰとの界面に於けるＡの値は
、第６図からすると、 ０．６−０＝０．６ である。従って、■族組成のｙ値が相違するＩｎＧａＡ
ｓＰ同志の界面に於けるＡの値は、０．４乃至０．６の
範囲、即ち、０．４≦Ａ≦０．６、が成り立つと見て良
い。
これよりすると、ＩｎＧａＡｓＰに於ける■族組成のｙ
値の差Δｙが、Δｙ≦０．４（即ち、Δ）ｌ＜Ａの十分
条件）、を満たす限りＧＲセンタは発生しない筈である
。
値の差Δｙが、Δｙ≦０．４（即ち、Δ）ｌ＜Ａの十分
条件）、を満たす限りＧＲセンタは発生しない筈である
。
前記した基本条件の（Ｃ１は、前記説明した推論から決
定したものである。
定したものである。
このようなことから、本発明のＩｎＧａＡｓ系半導体受
光素子では、ＩｎＧａＡｓ光吸収層（例えばｎ型ＩｎＧ
ａＡｓ光吸収層３３）とＩｎＰ増倍層（例えばｎ型１ｎ
Ｐ増倍層３５）との間にバンド不達Ｖｔ緩和層（例えば
ｎ型１ ｎＧａＡｓ Ｐバンド不連続緩和層３４Ａ或い
は３４Ｂなど）が介挿され、該バンド不連続緩和層は、 Ｉ ｎ、、ＧａＸＡｓ、Ｐ＋−ｙ で構成され、且つ、該１ ｎＧａＡｓ光吸収層と接する
側の■族組成に於けるｙ値は０．６以上に、或いは、該
ＩｎＰ増倍層と接する側のＶ族組成に於けるｙ値は０．
６以下に、或いは、該バンド不連続緩和層が複数層から
なる場合には相互の■族組成に於けるｙ値の差であるΔ
ｙが何れも０． ４以下にそれぞれ選択されている。
光素子では、ＩｎＧａＡｓ光吸収層（例えばｎ型ＩｎＧ
ａＡｓ光吸収層３３）とＩｎＰ増倍層（例えばｎ型１ｎ
Ｐ増倍層３５）との間にバンド不達Ｖｔ緩和層（例えば
ｎ型１ ｎＧａＡｓ Ｐバンド不連続緩和層３４Ａ或い
は３４Ｂなど）が介挿され、該バンド不連続緩和層は、 Ｉ ｎ、、ＧａＸＡｓ、Ｐ＋−ｙ で構成され、且つ、該１ ｎＧａＡｓ光吸収層と接する
側の■族組成に於けるｙ値は０．６以上に、或いは、該
ＩｎＰ増倍層と接する側のＶ族組成に於けるｙ値は０．
６以下に、或いは、該バンド不連続緩和層が複数層から
なる場合には相互の■族組成に於けるｙ値の差であるΔ
ｙが何れも０． ４以下にそれぞれ選択されている。
前記手段を採ることに依り、バンド不連続緩和層と光吸
収層或いは増倍層との界面に於いて、そして、バンド不
連続緩和層が■族構成に於けるｙ値を異にする複数層で
構成されている場合には相互の界面に於いて、それぞれ
ＧＲセンタの発生を低減することが可能になり、従って
、暗電流は少なくなってＳ／Ｎが向上し、光通信の高速
性向上及び通信距離延伸に有効である。
収層或いは増倍層との界面に於いて、そして、バンド不
連続緩和層が■族構成に於けるｙ値を異にする複数層で
構成されている場合には相互の界面に於いて、それぞれ
ＧＲセンタの発生を低減することが可能になり、従って
、暗電流は少なくなってＳ／Ｎが向上し、光通信の高速
性向上及び通信距離延伸に有効である。
第７図は本発明一実施例の要部切断側面図を表している
。尚、ここでは、バンド不連続緩和層が二層で構成され
ている実施例を挙げである。
。尚、ここでは、バンド不連続緩和層が二層で構成され
ている実施例を挙げである。
図に於いて、３１はｎ＋型１ｎＰ基板、３２はｎ型１ｎ
Ｐバッファ層、３３はｎ型１ ｎＧａＡｓ光吸収層、３
４Ａはｎ型１ｎＧａＡｓＰ （実際にはＩ ｎｌ−ｇ
ＧａＸＡｓｙ ＰＩ−ｙであって、ｙ値は０．７）バン
ド不連続緩和層、３４Ｂはｎ型ＩｎＧａＡｓＰ （前記
同様、実際には’ ｎｌ−Ｘ Ｇ ａ ｇＡ Ｓ ｙ
Ｐ １−ｙであって、ｙ値は０．４）バンド不連続緩和
層、３５はｎ型１ｎＰ増倍層、３６はｎ゛梨型１ｎＰウ
ンドウ層、３７はｐ−型ガード・リング、３８はＳ ｉ
０２からなるパッシベーション膜、３９はｐ＋型不純物
拡散領域、４０はｐ側電極、４１はｎ側電極をそれぞれ
示している。
Ｐバッファ層、３３はｎ型１ ｎＧａＡｓ光吸収層、３
４Ａはｎ型１ｎＧａＡｓＰ （実際にはＩ ｎｌ−ｇ
ＧａＸＡｓｙ ＰＩ−ｙであって、ｙ値は０．７）バン
ド不連続緩和層、３４Ｂはｎ型ＩｎＧａＡｓＰ （前記
同様、実際には’ ｎｌ−Ｘ Ｇ ａ ｇＡ Ｓ ｙ
Ｐ １−ｙであって、ｙ値は０．４）バンド不連続緩和
層、３５はｎ型１ｎＰ増倍層、３６はｎ゛梨型１ｎＰウ
ンドウ層、３７はｐ−型ガード・リング、３８はＳ ｉ
０２からなるパッシベーション膜、３９はｐ＋型不純物
拡散領域、４０はｐ側電極、４１はｎ側電極をそれぞれ
示している。
図示された各半導体層を成長させるには、全て減圧ＭＯ
ＶＰＥ （ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｖａｐｏｒ
ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｍｅｔｈｏｄ
）法を適用して実施するものであり、その場合の諸デー
タは、 成長温度：６２０（℃） 成長圧カニ７６［Ｔｏｒｒ） Ｉｎのソース・ガス：トリメチルインジウム（ＴＭｌ
： （ＣＨ３） ３Ｉｎ） Ｐのソース・ガス：ホスフィン（ＰＨ３）Ｇａのソース
・ガス：トリエチルガリウム（ＴＥＧ ： Ｇ ａ
（Ｃ２Ｈ５） ３ ）Ａｓのソース・ガス：アルシン
（ＡＳＨ３）キャリヤ・ガス：水素（Ｈ２） であって、ガスの総流量は８〔ｌ／分〕である。
ＶＰＥ （ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｖａｐｏｒ
ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｍｅｔｈｏｄ
）法を適用して実施するものであり、その場合の諸デー
タは、 成長温度：６２０（℃） 成長圧カニ７６［Ｔｏｒｒ） Ｉｎのソース・ガス：トリメチルインジウム（ＴＭｌ
： （ＣＨ３） ３Ｉｎ） Ｐのソース・ガス：ホスフィン（ＰＨ３）Ｇａのソース
・ガス：トリエチルガリウム（ＴＥＧ ： Ｇ ａ
（Ｃ２Ｈ５） ３ ）Ａｓのソース・ガス：アルシン
（ＡＳＨ３）キャリヤ・ガス：水素（Ｈ２） であって、ガスの総流量は８〔ｌ／分〕である。
さて、本実施例に於ける半導体基板或いは層に関する主
要データを例示すると次の通りである。
要データを例示すると次の通りである。
■ 基板３１について
不純物濃度： ４ Ｘ １０Ｉ７（ａｍ−’）■ バッ
ファ層３２について 厚さ：１．５［μｍ〕 成長速度＝２．４（μｍ／時間〕 ＴＭＩ流量：２．５７Ｘ１０−’（モル／分〕ＰＨ３流
量ニア、１４ｘｌＯ−’［モル／分〕不純物濃度： １
、 ５ Ｘ １０Ｉ６（（Ｊｌ−’）■ 光吸収層３
３について 組成： Ｉ ｎｏ、ｓ３Ｇ ａｏ、ａｔＡ ｓ厚さ：２
．０（人〕 成長速度：５．４（μｍ／時間〕 ＴＭＩ流量： ３．８８ｘｌ Ｏ−’ Ｃモル／分〕Ｔ
ＥＧ流量：３，０ＩＸＩＯ−’（モル／分〕ＡｓＨ３流
量： ２．１４Ｘ１０−’ （モル／分〕不純物濃度：
４ Ｘ １０” （ｃｍ−’）■ バンド不連続緩和
層３４Ａについて組成： Ｉ ｎｏ、ｈ＊Ｇａｏ、３ｔ
Ａ ３０．？ Ｐｏ、５（ｙ＝０． ７） 厚さ：０．２（μｍ〕 成長速度：１．５［μｍ／時間］ ＴＭＩ流量： １．０５Ｘ１０−’ （モル／分〕ＴＥ
Ｇ流量： ５．８４Ｘ１０−” （モル７分〕Ａ ｓ
Ｈ３流量：３．ｌ０ＸＩＯ−’（モル／分〕ＰＨ３流量
：４．５９ｘｌＯ−′３（モル／分〕不純物濃度： ４
ｘ ｌ Ｑ” （ａｍ−”）■ バンド不連続緩和層
３４Ｂについて組成： Ｉ ｎｏ、＊ｚＧａｏ、＋５Ａ
ｓｏ、ｎ Ｐｏ、ｈ（ｙ−０，４） 厚さ：０．２Ｃμｍ〕 成長速度：１．５Ｃμｍ／時間〕 ＴＭＩ流量：ｌ、３３Ｘ１０−’Ｃモル／分〕ＴＥＧ流
量：３，０３Ｘ１０−”（モル／分〕ＡｓＨ３流量：２
．９４Ｘ１０−’Ｃモル／分〕ＰＨ３流量：４，８６Ｘ
１０−”（モル／分〕不純物濃度： ４ Ｘ １０１５
（ａｍ−３）■ 増倍層３５について 厚さ：１ 〔μｍ〕 不純物濃度： ２ Ｘ １０ ” （ｅｌｍ−’）成長
速度：２．４（μｍ／時間〕 ■ ウィンドウ層３６について 厚さ：２ 〔μｍ〕 成長速度：２．４（μｍ／時間〕 不純物濃度： ｌ Ｘ Ｉ Ｑ ” （Ｃ１ｌ−”）前
記実施例に於いては、 ｙ＋ ＝０．７＞０．５ であって基本条件の（ａ）を満たし、また、ｙｔ ＝０
．４＜０．６ であって基本条件の（ｂ）を満たし、また、）’Ｉ
Ｙｔ ＝０．３＜０．４ であって基本条件の（Ｃ）を満たしている。
ファ層３２について 厚さ：１．５［μｍ〕 成長速度＝２．４（μｍ／時間〕 ＴＭＩ流量：２．５７Ｘ１０−’（モル／分〕ＰＨ３流
量ニア、１４ｘｌＯ−’［モル／分〕不純物濃度： １
、 ５ Ｘ １０Ｉ６（（Ｊｌ−’）■ 光吸収層３
３について 組成： Ｉ ｎｏ、ｓ３Ｇ ａｏ、ａｔＡ ｓ厚さ：２
．０（人〕 成長速度：５．４（μｍ／時間〕 ＴＭＩ流量： ３．８８ｘｌ Ｏ−’ Ｃモル／分〕Ｔ
ＥＧ流量：３，０ＩＸＩＯ−’（モル／分〕ＡｓＨ３流
量： ２．１４Ｘ１０−’ （モル／分〕不純物濃度：
４ Ｘ １０” （ｃｍ−’）■ バンド不連続緩和
層３４Ａについて組成： Ｉ ｎｏ、ｈ＊Ｇａｏ、３ｔ
Ａ ３０．？ Ｐｏ、５（ｙ＝０． ７） 厚さ：０．２（μｍ〕 成長速度：１．５［μｍ／時間］ ＴＭＩ流量： １．０５Ｘ１０−’ （モル／分〕ＴＥ
Ｇ流量： ５．８４Ｘ１０−” （モル７分〕Ａ ｓ
Ｈ３流量：３．ｌ０ＸＩＯ−’（モル／分〕ＰＨ３流量
：４．５９ｘｌＯ−′３（モル／分〕不純物濃度： ４
ｘ ｌ Ｑ” （ａｍ−”）■ バンド不連続緩和層
３４Ｂについて組成： Ｉ ｎｏ、＊ｚＧａｏ、＋５Ａ
ｓｏ、ｎ Ｐｏ、ｈ（ｙ−０，４） 厚さ：０．２Ｃμｍ〕 成長速度：１．５Ｃμｍ／時間〕 ＴＭＩ流量：ｌ、３３Ｘ１０−’Ｃモル／分〕ＴＥＧ流
量：３，０３Ｘ１０−”（モル／分〕ＡｓＨ３流量：２
．９４Ｘ１０−’Ｃモル／分〕ＰＨ３流量：４，８６Ｘ
１０−”（モル／分〕不純物濃度： ４ Ｘ １０１５
（ａｍ−３）■ 増倍層３５について 厚さ：１ 〔μｍ〕 不純物濃度： ２ Ｘ １０ ” （ｅｌｍ−’）成長
速度：２．４（μｍ／時間〕 ■ ウィンドウ層３６について 厚さ：２ 〔μｍ〕 成長速度：２．４（μｍ／時間〕 不純物濃度： ｌ Ｘ Ｉ Ｑ ” （Ｃ１ｌ−”）前
記実施例に於いては、 ｙ＋ ＝０．７＞０．５ であって基本条件の（ａ）を満たし、また、ｙｔ ＝０
．４＜０．６ であって基本条件の（ｂ）を満たし、また、）’Ｉ
Ｙｔ ＝０．３＜０．４ であって基本条件の（Ｃ）を満たしている。
本発明に依るＩｎＧａＡｓ系半導体受光素子に於いては
、ＩｎＧａＡｓ光吸収層とＩｎＰ増倍層との間にバンド
不連続緩和層が介挿され、該バンド不連続緩和層は、 Ｉ ｎｉ−、Ｇａ、ＡＳ、Ｐ＋−ｙ で構成され、且つ、該ＩｎＧａＡｓ光吸収層と接する側
の■族組成に於けるｙ値は０．６以上に、また、該Ｉｎ
Ｐ増倍層と接する側のＶ族組成に於けるｙ値は０．６以
下に、更にまた、該バンド不連続緩和層が複数層からな
る場合には相互の■族組成に於けるｙ値の差であるΔｙ
が何れも０． ４以下にそれぞれ選択して構成しである
。
、ＩｎＧａＡｓ光吸収層とＩｎＰ増倍層との間にバンド
不連続緩和層が介挿され、該バンド不連続緩和層は、 Ｉ ｎｉ−、Ｇａ、ＡＳ、Ｐ＋−ｙ で構成され、且つ、該ＩｎＧａＡｓ光吸収層と接する側
の■族組成に於けるｙ値は０．６以上に、また、該Ｉｎ
Ｐ増倍層と接する側のＶ族組成に於けるｙ値は０．６以
下に、更にまた、該バンド不連続緩和層が複数層からな
る場合には相互の■族組成に於けるｙ値の差であるΔｙ
が何れも０． ４以下にそれぞれ選択して構成しである
。
前記構成を採ることに依り、バンド不連続緩和層と光吸
収層或いは増倍層との界面に於いて、そして、バンド不
連続ｍ和暦が■族構成に於けるｙ値を異にする複数層で
構成されている場合には相互の界面に於いて、それぞれ
ＧＲセンタの発生を低減することが可能になり、従って
、暗電流は少な（なってＳ／Ｎが向上し、光通信の高速
性向上及び通信距離延伸に有効である。
収層或いは増倍層との界面に於いて、そして、バンド不
連続ｍ和暦が■族構成に於けるｙ値を異にする複数層で
構成されている場合には相互の界面に於いて、それぞれ
ＧＲセンタの発生を低減することが可能になり、従って
、暗電流は少な（なってＳ／Ｎが向上し、光通信の高速
性向上及び通信距離延伸に有効である。
第１図は本発明の詳細な説明する為の線図、第２図はＩ
ｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ界面調査用ダイオードの要
部切断側面図、第３図はＧＲセンタの有無に依る暗電流
について説明する為の線図、第４図はＩｎｘ Ｇａ１−
ＸＡＳｙ Ｐ＋−ｙに於ける■族組成のｙ値と暗電流の
増加量ΔＩとの関係を表す線図、第５図はＩｎＧａＡｓ
Ｐ／ＩｎＰ界面調査用ダイオードの要部切断側面図、第
６図はＩｎ。 Ｇ ａ Ｉ−Ｘ Ａ Ｓ ｙ Ｐ １−ｙに於ける■族
組成のｙ値と暗電流の増加量Δ■との関係を表す線図、
第７図は本発明一実施例の要部切断側面図、第８図は従
来のブレーナ型ＩｎＧａＡｓ系ＡＰＤを説明する為の要
部切断側面図をそれぞれ表している。 図に於いて、３１はｎ＋型１ｎＰ基板、３２はｎ型！ｎ
Ｐバッファ層、３３はｎ型１ｎＧａＡｓ光吸収層、３４
Ａはｎ型ＩｎＧａＡｓＰ （実際にはＩ ｎ ｌ−ｘ
Ｇ ａ ｘ Ａ Ｓ ｙ Ｐ １−ｙであッテ、ｙ値は
０．７）バンド不連続緩和層、３４Ｂはｎ型ＩｎＧａＡ
ｓＰ （前記同様、実際にはＩ ｎ Ｉ−ｘ Ｇ ａ
ｚＡＳｙＰ＋−ｙであって、ｙ値は０．４）バンド不連
続緩和層、３５はｎ型１ｎＰ増倍層、３６はｎ−型１ｎ
Ｐウィンドウ層、３７はｐ−型ガード・リング、３８は
５ｉ０２からなるバンシベーション膜、３９はｐ＋型不
純物拡散領域、４０はｐ側電極、４１はｎ側電極をそれ
ぞれ示している。 １．０ ０．８ ０．６ ０．４ ０．２ ０（Ｉ
ｎＧａＡｓ） （ＩｎＰ）Ｖ族
組成１こ於けるｙ値 本発明の詳細な説明する為の線図 第１図 ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ界面調査用ダイオードの
要部切断側面図 第２図 ｄ バイアス電圧［Ｖコ ＧＲセンタの有無に依る暗電流１こつＬｌて説明する為
の線図 第３図 １．０ ０．８ ０．６ ０．４ ０
．２ ０ＩｎＧａＡｓ
１ｎＰＶ族組成に於けるｙ値 第４図 要部切断側面図 第５図 １．０ ０．８ ０．６ ０．４ ０
．２ ０ＩｎＧａＡｓ
ＩｎＰＶ族組成（こ於けるｙ値 第６図 第７図
ｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ界面調査用ダイオードの要
部切断側面図、第３図はＧＲセンタの有無に依る暗電流
について説明する為の線図、第４図はＩｎｘ Ｇａ１−
ＸＡＳｙ Ｐ＋−ｙに於ける■族組成のｙ値と暗電流の
増加量ΔＩとの関係を表す線図、第５図はＩｎＧａＡｓ
Ｐ／ＩｎＰ界面調査用ダイオードの要部切断側面図、第
６図はＩｎ。 Ｇ ａ Ｉ−Ｘ Ａ Ｓ ｙ Ｐ １−ｙに於ける■族
組成のｙ値と暗電流の増加量Δ■との関係を表す線図、
第７図は本発明一実施例の要部切断側面図、第８図は従
来のブレーナ型ＩｎＧａＡｓ系ＡＰＤを説明する為の要
部切断側面図をそれぞれ表している。 図に於いて、３１はｎ＋型１ｎＰ基板、３２はｎ型！ｎ
Ｐバッファ層、３３はｎ型１ｎＧａＡｓ光吸収層、３４
Ａはｎ型ＩｎＧａＡｓＰ （実際にはＩ ｎ ｌ−ｘ
Ｇ ａ ｘ Ａ Ｓ ｙ Ｐ １−ｙであッテ、ｙ値は
０．７）バンド不連続緩和層、３４Ｂはｎ型ＩｎＧａＡ
ｓＰ （前記同様、実際にはＩ ｎ Ｉ−ｘ Ｇ ａ
ｚＡＳｙＰ＋−ｙであって、ｙ値は０．４）バンド不連
続緩和層、３５はｎ型１ｎＰ増倍層、３６はｎ−型１ｎ
Ｐウィンドウ層、３７はｐ−型ガード・リング、３８は
５ｉ０２からなるバンシベーション膜、３９はｐ＋型不
純物拡散領域、４０はｐ側電極、４１はｎ側電極をそれ
ぞれ示している。 １．０ ０．８ ０．６ ０．４ ０．２ ０（Ｉ
ｎＧａＡｓ） （ＩｎＰ）Ｖ族
組成１こ於けるｙ値 本発明の詳細な説明する為の線図 第１図 ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ界面調査用ダイオードの
要部切断側面図 第２図 ｄ バイアス電圧［Ｖコ ＧＲセンタの有無に依る暗電流１こつＬｌて説明する為
の線図 第３図 １．０ ０．８ ０．６ ０．４ ０
．２ ０ＩｎＧａＡｓ
１ｎＰＶ族組成に於けるｙ値 第４図 要部切断側面図 第５図 １．０ ０．８ ０．６ ０．４ ０
．２ ０ＩｎＧａＡｓ
ＩｎＰＶ族組成（こ於けるｙ値 第６図 第７図
Claims (3)
- （１）ＩｎＧａＡｓ光吸収層とＩｎＰ増倍層との間にバ
ンド不連続緩和層が介挿され、該バンド不連続緩和層は
、 Ｉｎ＿１＿−＿ｘＧａ＿ｘＡｓ＿ｙＰ＿１＿−＿ｙで構
成され、且つ、該ＩｎＧａＡｓ光吸収層と接する側のＶ
族組成に於けるｙ値が０．６以上であること を特徴としてなるＩｎＧａＡｓ系半導体受光素子。 - （２）ＩｎＧａＡｓ光吸収層とＩｎＰ増倍層との間にバ
ンド不連続緩和層が介挿され、該バンド不連続緩和層は
、 Ｉｎ＿１＿−＿ｘＧａ＿ｘＡｓ＿ｙＰ＿１＿−＿ｙで構
成され、且つ、該ＩｎＰ増倍層と接する側のＶ族組成に
於けるｙ値が０．６以下であること を特徴としてなるＩｎＧａＡｓ系半導体受光素子。 - （３）ＩｎＧａＡｓ光吸収層とＩｎＰ増倍層との間に複
数層のバンド不連続緩和層が介挿され、該各バンド不連
続緩和層は、 Ｉｎ＿１＿−＿ｘＧａ＿ｘＡｓ＿ｙＰ＿１＿−＿ｙで構
成され、且つ、相互のＶ族組成に於けるｙ値の差である
Δｙが何れも０．４以下であること を特徴としてなるＩｎＧａＡｓ系半導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1125586A JPH02305481A (ja) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | ＩｎＧａＡｓ系半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1125586A JPH02305481A (ja) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | ＩｎＧａＡｓ系半導体受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02305481A true JPH02305481A (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=14913844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1125586A Pending JPH02305481A (ja) | 1989-05-20 | 1989-05-20 | ＩｎＧａＡｓ系半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02305481A (ja) |
-
1989
- 1989-05-20 JP JP1125586A patent/JPH02305481A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102292833B (zh) | Iii-v族化合物半导体受光元件 | |
| US6635908B2 (en) | Burying type avalanche photodiode and fabrication method thereof | |
| JP2011035114A (ja) | メサ型フォトダイオード及びその製造方法 | |
| JPH022691A (ja) | 半導体受光素子 | |
| US20060219996A1 (en) | Optical semiconductor device and fabrication method thereof | |
| US8847357B2 (en) | Opto-electronic device | |
| US4974061A (en) | Planar type heterostructure avalanche photodiode | |
| US7081639B2 (en) | Semiconductor photodetection device and fabrication process thereof | |
| US11888090B2 (en) | Semiconductor light-emitting element and method of producing semiconductor light-emitting element | |
| US5679603A (en) | Method of making semiconductor device including high resistivity layer | |
| US20050056862A1 (en) | Photo-diode and method for fabricating the same | |
| JPH02305481A (ja) | ＩｎＧａＡｓ系半導体受光素子 | |
| US4328508A (en) | III-V Quaternary alloy photodiode | |
| JPH05206497A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP2945464B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4416011A (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JPH06268315A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP4044738B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP3157509B2 (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP2019102581A (ja) | 光半導体集積装置、光半導体集積装置の製造方法および光通信システム | |
| JPS63229795A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP2695092B2 (ja) | 超格子受光素子 | |
| JPH03297173A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JP3008542B2 (ja) | 波長選別受光素子およびその作製方法 | |
| JPH0215680A (ja) | 半導体受光装置 |