JPH02305459A - Hybrid integrated circuit device - Google Patents

Hybrid integrated circuit device

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JPH02305459A
JPH02305459A JP1127312A JP12731289A JPH02305459A JP H02305459 A JPH02305459 A JP H02305459A JP 1127312 A JP1127312 A JP 1127312A JP 12731289 A JP12731289 A JP 12731289A JP H02305459 A JPH02305459 A JP H02305459A
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integrated circuit
chip
substrate
header
microcomputer
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Koji Nagahama
長浜 浩二
Akira Kazami
風見 明
Hisashi Shimizu
清水 永
Osamu Nakamoto
中本 修
Katsumi Okawa
克実 大川
Yasuhiro Koike
保広 小池
Masao Kaneko
正雄 金子
Seiwa Ueno
上野 聖和
Yasuo Saito
斎藤 保雄
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  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

PURPOSE:To effectively connect an EPROM chip with a microcomputer and to enable a data wire not to be led around by a method wherein the electrode of an EPROM chip fixed onto a header formed on a primary face exposed outside of a board is connected to a lead-out lead connected to a conductive path through a bonding wire. CONSTITUTION:A header is provided at an optional position on a primary face exposed outside of a board 2, a non-volatile memory chip 6 is fixed onto the heater 4, the electrode of the memory chip 6 is connected to a lead-out lead 5b connected with a conductive path 5 through a bonding wire. By this setup, the mounting position of the non-volatile memory chip 6 can be optionally set, so that the EPROM chip 6 and a microcomputer can be effectively connected together. Moreover, as only the non-volatile memory chip 6 is fixed to the header 4 provided to the primary face exposed outside of the board 2 and all other elements 8 are housed in a sealed space 21 formed of the board 2 and a case material 9, a hybrid integrated circuit device of this design can be miniaturized.

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は集積回路基板にチップ型の不揮発性メモリ、例
えばEFROM(紫外線消去形プログラマブル・リード
・オンリ・メモリー)を実装してなるEPROM内蔵型
の混成集積回路装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Industrial Application Field The present invention is an integrated circuit board equipped with a chip-type non-volatile memory, such as an EPROM built-in EFROM (ultraviolet erasable programmable read-only memory). The present invention relates to a type of hybrid integrated circuit device.

(ロ)従来の技術 紫外線を照射することによって既に書込まれた記憶情報
を消去し、再書込みが可能な紫外線照射窓を有するEP
ROM素子は、各種電子機器に好んで用いられている。
(b) Conventional technology An EP having an ultraviolet irradiation window that can erase and rewrite previously written memory information by irradiating it with ultraviolet rays.
ROM elements are favorably used in various electronic devices.

このEPROM素子は、制御用或は駆動用集積回路と共
に現在、その殆んどがプリント配線板に実装されており
、一旦書込んだ情報をその後書き直すために通常、着脱
容易なプリント配線板に実装されている。各種電子機器
で小型軽量化が要求される機器は、チップ・オン・ボー
ドと称される技法によってプリント配線板に半導体集積
回路(IC)チップが直接搭載され、所要の配線が施さ
れた後この配線部分を含んで前記ICチップが合成樹脂
によって被覆され、極めて小形軽量化が達成されている
Currently, most of these EPROM elements are mounted on printed wiring boards together with control or driving integrated circuits, and in order to rewrite the information once written, they are usually mounted on easily removable printed wiring boards. has been done. For various electronic devices that require smaller size and lighter weight, a semiconductor integrated circuit (IC) chip is directly mounted on a printed wiring board using a technique called chip-on-board, and after the required wiring is done, this The IC chip, including the wiring portion, is covered with synthetic resin, making it extremely compact and lightweight.

一方紫外線照射窓を必要とするEPROMチップは、こ
の照射窓がネックとなり未だサーディツプ型パッケージ
に組込まれて製造され、プリント配線板に実装されてい
るため小型軽量化が図れない。
On the other hand, EPROM chips that require an ultraviolet irradiation window cannot be made smaller and lighter because the irradiation window is a bottleneck and they are still manufactured in a cerdip package and mounted on a printed wiring board.

かかる従来のEPROM素子の実装構造を第9図に従っ
て説明すると、第9図は従来のEPROM素子の一部断
面を有する斜視図であって、主表面上に導電性配線パタ
ーン(41)が形成されたガラス・エポキシ樹脂などか
ら構成された絶縁性基板(42)のスルーホール(43
)にサーディツプ型パッケージに組込まれEPROM素
子(44)が搭載されている。このEPROM素子(4
4)はヘッダー(45)およびキャップ(46)を有し
、前記ヘッダー(45)はセラミック基材(47)に外
部導出リード(48)か低融点ガラス材で接着されてい
る。又このヘッダー(45)はガラスに金粉が多量に混
入したいわゆる金ペーストを焼結した素子搭載部(50
)が前記低融点ガラス材上或はセラミック基材(47)
上に接着されており、この素子搭載部(50)にEPR
OMチップ(51)が紫外線照射面を上にして装着され
、このチップ(51)の電極と前記外部導出リード(4
8)とが金属細線(52)によって接続されている。前
記キャップ(46)は蓄部材であって、前記EPROM
チップ(51)の紫外線照射面と対向する部分に窓(5
3)を有するセラミック基材(54)を含み、このキャ
ップ(46)は低融点ガラスによってヘッダー(45)
に配置されたEPROMチップ(51)を密封している
。この様にEPROMチップ(51)を密封したEPR
OM素子(44)は、前記絶縁性基板(42〉のスルー
ホール(43)に外部導出リード(48)を挿通させ半
田によって固定される。このスルーホール(43)は導
電性配線パターン(41)によって所要の配線引回しか
施され、前記絶縁性基板の端部に設けられた雄型コネク
タ端子部(55)から図示しない雌型コネクタへと接続
される。
The mounting structure of such a conventional EPROM element will be explained with reference to FIG. 9. FIG. 9 is a perspective view with a partial cross section of a conventional EPROM element, in which a conductive wiring pattern (41) is formed on the main surface. Through holes (43) in an insulating substrate (42) made of glass, epoxy resin, etc.
) is incorporated in a cerdip type package and is equipped with an EPROM element (44). This EPROM element (4
4) has a header (45) and a cap (46), and the header (45) is bonded to the ceramic base material (47) with an external lead (48) or a low melting point glass material. In addition, this header (45) has an element mounting part (50
) is on the low melting point glass material or ceramic substrate (47)
The EPR is attached to the element mounting part (50).
The OM chip (51) is mounted with the ultraviolet irradiation surface facing up, and the electrode of this chip (51) and the external lead (4)
8) are connected by a thin metal wire (52). The cap (46) is a storage member, and the EPROM
A window (5) is provided in the part facing the ultraviolet irradiation surface of the chip (51).
3), the cap (46) is connected to the header (45) by a low melting point glass.
The EPROM chip (51) placed in the holder is hermetically sealed. EPR with EPROM chip (51) sealed like this
The OM element (44) is fixed by soldering by inserting the external lead (48) into the through hole (43) of the insulating substrate (42>).The through hole (43) is connected to the conductive wiring pattern (41). The required wiring is routed by the above method, and the male connector terminal portion (55) provided at the end of the insulating substrate is connected to a female connector (not shown).

さて、かかる従来のEPROM素子の実装構造は、EP
ROMチップ(51)に比ベパッケージ外形カ極めて大
きく、平面占有率もさることながら三次元、つまり高さ
もチップの高さの数倍となり、I型化に極めて不利であ
る。更にスルーホール〈43)に外部導出リードを挿通
した後、半田などで固定する必要も生ずる。更に特筆す
べき大きな欠点は、絶縁性基板への実装に先立ってEP
ROM素子を一部パッケージに組立てることである。E
PROM素子は紫外線照射用の窓を有するが故、そのパ
ッケージは、セラミックスを基材としたサーディツプ型
パッケージに組立てられるが、このパッケージは低融点
ガラスにより封止される為、高温(400〜SOO℃)
シールとなり、EPROMチップの電極(アルミニウム
)と外部導出リードとを接続する金属細線を同種材料で
構成しないとアロイ化が起り配線抵抗の増加を来したリ
、断線を生じたりする。この様な事態を回避する目的で
通常アルミニウム細線が用いられるが、このEPROM
チップはサブストレートを接地電位にする必要上、EP
ROMチップの接地電極を金ペーストで形成されたチッ
プ搭載部とワイヤ接続する。ここに於ても金ペースト中
の金或はおよび箔等の金属と前記アルミニウムとで二次
或は多元合金反応が進むことから、グランドダイスと呼
ばれる頭部にアルミニウムが被着されたシリコン小片を
EPROMチップと別個に前記金ペーストより成るチッ
プ搭載部に固着させ、このグランドダイス頭部とEPR
OMチップの接地電極とを接続するという極めて煩雑な
作業を伴う等、従来の実装構造は、小型、軽量、低価格
のいずれも不満足なものである。
Now, the mounting structure of such a conventional EPROM element is
Compared to the ROM chip (51), the package external size is extremely large, and not only the surface area occupancy is also three-dimensional, that is, the height is several times the height of the chip, which is extremely disadvantageous for making it into an I-type. Furthermore, after the external lead is inserted into the through hole (43), it is necessary to fix it with solder or the like. Another major drawback that should be noted is that EP
This involves assembling some ROM elements into a package. E
Since the PROM element has a window for irradiating ultraviolet rays, its package is assembled into a ceramic-based cerdip type package, but since this package is sealed with low-melting glass, it can be heated at high temperatures (400 to SOO℃). )
If the thin metal wires that serve as a seal and connect the electrodes (aluminum) of the EPROM chip and the external leads are not made of the same material, alloying will occur, resulting in increased wiring resistance and wire breakage. To avoid such a situation, thin aluminum wire is usually used, but this EPROM
Since the chip needs to have the substrate at ground potential, EP
The ground electrode of the ROM chip is connected by wire to the chip mounting portion formed of gold paste. Here, too, a secondary or multi-component alloy reaction progresses between the gold or metals such as foil in the gold paste and the aluminum, so a small piece of silicon whose head is coated with aluminum, called a ground die, is used. Separately from the EPROM chip, it is fixed to the chip mounting part made of the gold paste, and this ground die head and the EPR
Conventional mounting structures are unsatisfactory in terms of small size, light weight, and low cost, as they involve extremely complicated work of connecting the OM chip to the ground electrode.

斯る問題を解決するために第10図に示したEPROM
実装構造がある。
In order to solve this problem, the EPROM shown in FIG.
There is an implementation structure.

以下に第10図に示したEPROM実装構造について説
明する。
The EPROM mounting structure shown in FIG. 10 will be explained below.

主表面(60a)に導電性配線パターン(60b)が形
成されたガラス・エポキシ樹脂板などの絶縁性基板(6
0〉は、EPROMチップ(61)を載置するチップ搭
載エリヤ(60c)を有し、前記配線パターン(60b
)は、とのエリヤ近傍から主表面(60a)上を引回さ
れて図示しない雄型コネクタ端子部に接続されている。
An insulating substrate (6
0> has a chip mounting area (60c) on which an EPROM chip (61) is placed, and the wiring pattern (60b)
) is routed from near the area on the main surface (60a) and connected to a male connector terminal portion (not shown).

前記エリヤ(60c)には、EPROMチップ(61)
が搭載され、このチップ(61)の表面電極と前記配線
パターン(60b)とが金属細線(62)により接続さ
れている。勿論金属細線(62)の1本は前記チップ(
61)のサブストレートと接続する為に、このチップ(
61)が搭載された配線パターン(60b)とワイヤリ
ングされている。前記EPROMチップ(61)の紫外
線照射面(61a>上には紫外線透過性樹脂(63) 
(例えば東し社製、型名TX−978)を介して、紫外
線透過性窓材(64)が固着されている。この窓材(6
4)は、石英、透明アルミナ等、公知の紫外線透過性材
料である。そして、前記窓材(64)の頂部面(64a
)は、EPROMチップ(61)の紫外線照射面に光を
導入する面であるから、この頂部面(64a)を除いた
残余の窓材(64)部分と、金属細線(62)と、この
金属細線(62)と前記配線パターン(60b)との接
続部分とが合成樹脂(65) (例えば日東電工社製、
型名MP−10)で被覆きれている。もし、絶縁性基板
(60)と、E P ROMチップ(61)と窓材(6
4)とを加えた総合厚さ寸法を更に低くする必要があれ
ば、前記基板(60)のチップ搭載エリヤ(60c)を
ザグリ穴としてこの基板〈60)の厚さの半分程度握れ
ば良い。又この様なザグリ穴としておけば、合成樹脂(
65)の流れ止めダムが形成され湿気などの浸入に対し
て有効に作用する。
The area (60c) contains an EPROM chip (61).
is mounted, and the surface electrode of this chip (61) and the wiring pattern (60b) are connected by a thin metal wire (62). Of course, one of the thin metal wires (62) is connected to the chip (
In order to connect to the substrate of 61), this chip (
61) is wired with the wiring pattern (60b) mounted thereon. On the ultraviolet irradiation surface (61a) of the EPROM chip (61) is an ultraviolet transparent resin (63).
(For example, manufactured by Toshisha Co., Ltd., model name TX-978), an ultraviolet-transparent window material (64) is fixed thereto. This window material (6
4) is a known ultraviolet transparent material such as quartz or transparent alumina. Then, the top surface (64a) of the window material (64)
) is the surface that introduces light to the ultraviolet irradiation surface of the EPROM chip (61), so the remaining window material (64) portion excluding this top surface (64a), the thin metal wire (62), and this metal The connecting portion between the thin wire (62) and the wiring pattern (60b) is made of synthetic resin (65) (for example, manufactured by Nitto Denko Corporation,
It is fully coated with model name MP-10). If the insulating substrate (60), the E P ROM chip (61) and the window material (6
If it is necessary to further reduce the total thickness including 4), the chip mounting area (60c) of the substrate (60) can be counterboreed to hold about half the thickness of the substrate (60). Also, if you make a counterbore hole like this, you can use synthetic resin (
65) is formed and acts effectively against the infiltration of moisture.

第9図および第10図で示したEPROM実装構造は特
開昭60−83393号公報(HO5K 1/18)に
記載されている。
The EPROM mounting structure shown in FIGS. 9 and 10 is described in Japanese Patent Laid-Open No. 60-83393 (HO5K 1/18).

(ハ)発明が解決しようとする課題 第10図で示したEPROM実装構造ではEPROMの
チップをプリント基板上にダイボンディングしているた
め、小型化となることはいうまでもない、しかしながら
、ここでいう小型化はあくまでEPROM自体の小型化
である。即ち、第1O図からは明らかにされていないが
EFROMの周辺に固着されているマイクロコンピュー
タおよびその周辺回路素子はディスクリート等の電子部
品で構成されているために、EFROMを搭載したプリ
ント基板用の集積回路としてのシステム全体を見た場合
なんら小型化とはならず従来通りプリント基板の大型化
、即ちシステム全体が大型化になる問題がある。
(c) Problems to be Solved by the Invention In the EPROM mounting structure shown in FIG. 10, the EPROM chip is die-bonded onto the printed circuit board, so it goes without saying that the size is reduced. The miniaturization referred to here is simply the miniaturization of the EPROM itself. In other words, although it is not clear from Figure 1O, since the microcomputer and its peripheral circuit elements fixed around the EFROM are composed of discrete electronic components, the When looking at the entire system as an integrated circuit, there is a problem in that the size of the printed circuit board increases as before, without any reduction in size, that is, the overall system increases in size.

また、第9図に示した実装構造においても第10図と同
様にEFROMの周辺の回路、即ち、マイクロコンピュ
ータやその周辺LSI、IC等の回路素子がディスクリ
ート等の電子部品で構成されているため、プリント基板
の大型化、即ちシステム全体が大型化となりユーザが要
求きれる軽薄短小のEPROM搭載の集積回路を提供す
ることができない大きな問題がある。
Also, in the mounting structure shown in FIG. 9, as in FIG. 10, the peripheral circuits of the EFROM, that is, the circuit elements such as the microcomputer and its peripheral LSIs and ICs, are composed of discrete electronic components. However, there is a major problem in that the printed circuit board becomes larger, that is, the entire system becomes larger, making it impossible to provide an integrated circuit equipped with an EPROM that is light, thin, short, and small enough to meet the demands of users.

更に第9図および第10図で示したEPROM実装構造
では、上述した様にシステム全体が大型化になると共に
EFROMおよびその周辺の回路素子を互いに接続する
導電パターンが露出されているため信頼性が低下する問
題がある。
Furthermore, in the EPROM mounting structure shown in FIGS. 9 and 10, the entire system becomes larger as described above, and the conductive patterns that connect the EFROM and its surrounding circuit elements are exposed, which reduces reliability. There is a problem of deterioration.

更に第9図および第10図で示したEPROM実装構造
ではEPROMと、その周辺のマイクロコンピュータお
よびIC,LSI等の回路素子が露出きれているため、
基板上面に凹凸が生じて取扱いにくく作業性が低下する
問題がある。
Furthermore, in the EPROM mounting structure shown in FIGS. 9 and 10, the EPROM and surrounding circuit elements such as a microcomputer, IC, and LSI are completely exposed.
There is a problem that unevenness occurs on the upper surface of the substrate, making it difficult to handle and reducing workability.

(ニ)課題を解決するための手段 本発明は上述した課題に鑑みて為されたものであり、基
板の外側に露出した主面の所望位置にヘッダーを設け、
そのヘッダー上に不揮発性メモリーチップを固着し、そ
のメモリーチップの電極と所望の導電路に接続された導
出リードとをボンディングワイヤで接続し、マイクロコ
ンピュータおよび他の全ての回路素子を基板とケース材
とで形成された封止空間に封止する構造を特徴とする。
(d) Means for Solving the Problems The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and includes providing a header at a desired position on the main surface exposed to the outside of the substrate,
A nonvolatile memory chip is fixed on the header, and the electrodes of the memory chip and the lead-out leads connected to the desired conductive paths are connected with bonding wires, and the microcomputer and all other circuit elements are connected to the board and case material. It is characterized by a structure that is sealed in a sealed space formed by.

従ってEPROMを搭載した混成集積回路を極めて小型
化に行える。
Therefore, a hybrid integrated circuit equipped with an EPROM can be made extremely compact.

(ネ)作用 この様に本発明に依れば、基板の外側に露出した主面の
所望位置にヘッダーを設け、そのヘッダー上に不揮発性
メモリーチップを固着し、そのメモリーチップの電極と
所望の導電路と接続された導出リードとをボンディング
ワイヤで接続しているため、不揮発性メモリーチップの
載置位置を任意に設定でき、内蔵するマイクロコンピュ
ータとの電気的接続を考慮して、効率良<EPROMチ
ップとマイクロコンピュータとを接続することができ、
信号線即ち導電路の引回し線を不要にすることができる
(f) Function As described above, according to the present invention, a header is provided at a desired position on the main surface exposed to the outside of the substrate, a nonvolatile memory chip is fixed on the header, and the electrodes of the memory chip and the desired position are fixed. Since the conductive path and the connected lead are connected with bonding wires, the mounting position of the nonvolatile memory chip can be set arbitrarily, and the electrical connection with the built-in microcomputer is taken into account, resulting in high efficiency. EPROM chip and microcomputer can be connected,
It is possible to eliminate the need for signal lines, that is, routing lines for conductive paths.

更にEPROMチップの隣接する位置に最も関連の深い
マイクロコンピュータを配置でき、EPROMチップと
マイクロコンピュータ間のデータのやりとりを行うデー
タ線を最短距離あるいは最小距離で実現でき、データ線
の引回しによる実装密度のロスを最小限に抑制すること
になり、高密度の実装が行える。
Furthermore, the most closely related microcomputer can be placed adjacent to the EPROM chip, and the data line for exchanging data between the EPROM chip and the microcomputer can be realized with the shortest or minimum distance. This minimizes the loss of data and enables high-density packaging.

更に本発明では不揮発性メモリーチップだけが基板の外
側に露出した主面に設けたベツグ−に固着されているの
で、他の全ての回路素子は基板とケース材で形成された
封止空間内に収納されているため小型化で高密度実装の
混成集積回路装置を提供することができる。
Furthermore, in the present invention, only the nonvolatile memory chip is fixed to the bracket provided on the main surface exposed to the outside of the substrate, so all other circuit elements are placed within the sealed space formed by the substrate and case material. Since it is housed, it is possible to provide a compact and high-density mounted hybrid integrated circuit device.

くべ)実施例 以下に第1図乃至第815!3に示した実施例に基づい
て本発明の混成集積回路装置を詳細に説明する。
Embodiments The hybrid integrated circuit device of the present invention will be explained in detail below based on the embodiments shown in FIGS. 1 to 815!3.

第1図および第2図には、本発明の一実施例の混成集積
回路装置(1)が示されている。この混成集積回路装置
(1)は独立した電子部品として用いられコンピュータ
等の幅広い分野で機能を独立して有する集積回路として
用いられる。
1 and 2 show a hybrid integrated circuit device (1) according to an embodiment of the present invention. This hybrid integrated circuit device (1) is used as an independent electronic component and is used as an integrated circuit having independent functions in a wide range of fields such as computers.

この混成集積回路装置(1)は第1図および第2図に示
す様に、集積回路基板(2)と、集積回路基板(2)の
外側に露出した主面の所望位置に設けられたヘッダー(
4)と、集積回路基板(2)上に形成された所望形状の
導電路(5)と、ヘッダー(4)上に固着され不揮発性
メモリーチップ(6)と、そのメモリーチップ(6)か
らデータを供給されたマイクロコンピュータ(7)およ
びその周辺の回路素子(8)と、基板(2)と一体化す
るケース材(9)とをから構成される。
As shown in FIGS. 1 and 2, this hybrid integrated circuit device (1) includes an integrated circuit board (2) and a header provided at a desired position on the main surface exposed outside of the integrated circuit board (2). (
4), a conductive path (5) of a desired shape formed on the integrated circuit board (2), a nonvolatile memory chip (6) fixed on the header (4), and data from the memory chip (6). The microcomputer (7) is supplied with a microcomputer (7), its peripheral circuit elements (8), and a case material (9) that is integrated with the substrate (2).

集積回路基板(2)はセラミックス、ガラスエポキシあ
るいは金属等の硬質基板が用いられ、本実施例では放熱
性および機械的強度に優れた金属基板を用いるものとす
る。
The integrated circuit board (2) is a hard substrate made of ceramics, glass epoxy, metal, or the like, and in this embodiment, a metal substrate with excellent heat dissipation and mechanical strength is used.

金属基板としては、例えば0.5〜1.011111厚
のアルミニウム基板を用いる。その基板(2)の表面に
は第3図に示す如く、周知の陽極酸化により酸化アルミ
ニウム膜(9’)(アルマイト層)が形成され、その−
主面側に10〜70μ厚のエポキシおよびポリイミド等
の絶縁樹脂層(10)が貼着される。更に絶縁樹脂層(
1o)上には10〜70μ厚の銅箔(11)が絶縁樹脂
層(10)と同時にローラーあるいはホットプレス等の
手段により貼着されている。
As the metal substrate, for example, an aluminum substrate having a thickness of 0.5 to 1.011111 is used. As shown in FIG. 3, an aluminum oxide film (9') (alumite layer) is formed on the surface of the substrate (2) by well-known anodic oxidation.
An insulating resin layer (10) made of epoxy, polyimide, etc. with a thickness of 10 to 70 μm is adhered to the main surface side. Furthermore, an insulating resin layer (
On 1o), a copper foil (11) having a thickness of 10 to 70 μm is adhered simultaneously with the insulating resin layer (10) by means such as a roller or hot press.

基板(2)の−主面上に設けられた銅箔(11)表面上
にはスクリーン印刷によって所望形状の導電路を露出し
てレジストでマスクされ、貴金属(金、銀、白金)メッ
キ層が銅箔(11)表面にメッキされる。然る後、レジ
ストを除去して貴金属メッキ層をマスクとして銅箔(1
1)のエツチングを行い所望の導電路(5)が形成され
る。ここでスクリーン印刷による導電路(5)の細さは
0.5alが限界であるため、極細配線パターンを必要
とするときは周知の写真蝕刻技術に依り約2μまでの極
細導電路(5)の形成が可能となる。
On the surface of the copper foil (11) provided on the -main surface of the substrate (2), a conductive path of a desired shape is exposed by screen printing and masked with a resist, and a precious metal (gold, silver, platinum) plating layer is formed. The surface of the copper foil (11) is plated. After that, the resist was removed and copper foil (1
Etching step 1) is performed to form a desired conductive path (5). Here, the thinness of the conductive path (5) by screen printing is limited to 0.5al, so when an ultra-fine wiring pattern is required, the ultra-fine conductive path (5) up to about 2μ can be formed using well-known photo-etching technology. Formation becomes possible.

基板(2)の外側に露出した主面にはヘッダー〈4)が
設けられ、そのヘッダー(4)上には不揮発性メモリー
チップ(6)が搭載されると共にそのメモリーチップ(
6)からデータを供給されるマイクロコンピュータ(7
)およびその周辺の回路素子(8)が搭載されている。
A header (4) is provided on the main surface exposed to the outside of the substrate (2), and a non-volatile memory chip (6) is mounted on the header (4).
microcomputer (7) supplied with data from
) and its peripheral circuit elements (8) are mounted.

また基板(2)の−側辺あるいは対向する側辺周端部に
導電路(5)が延在され外部リード端子(12)を固着
するための複数のパッドが形成されている。このパッド
には外部リード端子(12)が半田によって固着され、
水平に導出されてその中央部分で略直角に折曲られてい
る。
Further, a conductive path (5) is extended to the negative side of the substrate (2) or to the peripheral edge of the opposite side, and a plurality of pads for fixing external lead terminals (12) are formed. An external lead terminal (12) is fixed to this pad by solder.
It is drawn out horizontally and bent at a substantially right angle at its center.

不揮発性メモリーチップ(6)としてEPROM(Er
asable Programable Read 0
nly Memory)が用いられる(以下不揮発性メ
モリーチ・ンブ(6)をEPROMチップという)、こ
のEPROMチ・yブ(6)は周知の如く、EPROM
チップ(6)のペレットに形成されているブローティン
グゲートに蓄積されている重子(プログラム・データ)
を光を照射して励起させて未記憶状態のペレ・メトに戻
し再書込みして利用できる素子である。EPROMチッ
プ(6)は市販されているものであれば限定されずここ
では説明を省略する。
EPROM (Er
asable Programmable Read 0
(Hereinafter, the nonvolatile memory chip (6) will be referred to as an EPROM chip.) As is well known, this EPROM chip (6) is an EPROM chip.
Heavy molecules accumulated in the bloating gate formed in the pellet of chip (6) (program data)
It is an element that can be used by irradiating it with light to excite it, returning it to an unmemorized state, and rewriting it. The EPROM chip (6) is not limited as long as it is commercially available, and its description will be omitted here.

一方、本発明ではEPROMチップ(6)を基板上に搭
載する場合、上述した様にヘッダー(4)上に固着され
ている。更に詳述すると、そのへ・グダー(4)は基板
(2)の外側に露出した主面の所望位置に設けられ、E
PROMチップ(6)の電極は導電路(5)に接続され
た導出リード(5b)とボンディングワイヤで接続され
ている。
On the other hand, in the present invention, when the EPROM chip (6) is mounted on the substrate, it is fixed on the header (4) as described above. More specifically, the header (4) is provided at a desired position on the main surface exposed to the outside of the substrate (2), and the E
The electrodes of the PROM chip (6) are connected to lead-out leads (5b) connected to the conductive paths (5) by bonding wires.

更に本実施例ではEPROMチップ(6)が固着される
ヘッダー(4)は基板(2)上に直接載置されず、ヘッ
ダー載置体(4a)を介して基板(2〉上に搭載されて
いる。
Furthermore, in this embodiment, the header (4) to which the EPROM chip (6) is fixed is not placed directly on the substrate (2), but is placed on the substrate (2) via the header mounting body (4a). There is.

ヘッダー載置体く4a)はセラミックス、ガラスエポキ
シあるいは絶縁樹脂等の絶縁体によって第2図に示す如
く、凸型状に形成されている。ヘッダー(4)は凸型に
形成きれた載置体(4a)の底面部に金属層によって形
成されており、その金属層として例えば銅箔、金、銀等
の金属層が用いられる。また載置体(4a)には基板(
2)の−主面(内面側)上に形成された導電路(5)と
EPROMチ・7ブ(6)との電極を接続するための金
属製の導出リード(5b)が内部に埋設する様にして一
体化形成されている。
The header mounting body 4a) is made of an insulator such as ceramics, glass epoxy, or insulating resin, and is formed into a convex shape as shown in FIG. The header (4) is formed of a metal layer on the bottom surface of the mounting body (4a) formed in a convex shape, and a metal layer such as copper foil, gold, silver, etc. is used as the metal layer. In addition, the mounting body (4a) has a substrate (
2) - A metal lead-out lead (5b) is buried inside to connect the conductive path (5) formed on the main surface (inner surface side) and the electrode of the EPROM chip 7 board (6). It is integrally formed in a similar manner.

斯るヘッダー載置体(4a)は基板(2)にあらかじめ
設けられていた孔(5C)に嵌合されて基板(2)と一
体化される。この結果、載置体(4a)上に形成された
ヘッダー(4)は基板(2)の外側に露出することにな
る。基板(2)の孔(5C)と嵌合された載置体(4a
)に埋設された導出リード(5b)の一端は基板(2)
上に形成された導電路(5)と半田(あるいはワイヤ線
)によって接続され、その導出リード(5b)の他端は
ヘッダー(4)上に固着されているEPROMチップ(
6)の電極とボンディングワイヤで接続されている。
The header mounting body (4a) is fitted into a hole (5C) previously provided in the substrate (2) and integrated with the substrate (2). As a result, the header (4) formed on the mounting body (4a) is exposed to the outside of the substrate (2). The mounting body (4a) fitted into the hole (5C) of the substrate (2)
) One end of the lead-out lead (5b) embedded in the board (2)
It is connected to the conductive path (5) formed above by solder (or wire line), and the other end of the lead-out lead (5b) is connected to the EPROM chip (5) fixed on the header (4).
6) is connected to the electrode with a bonding wire.

更にヘッダー載置体く4a)の上面には、ヘッダー(4
)およびワイヤ線を取り囲む補助枠(4b)が載置体(
4a)と一体形成されている。補助枠(4b)で囲まれ
た空間には紫外線を透過する紫外線透過性樹脂が充填さ
れヘッダー(4)上に固着されたEPROMチップ(6
)を被覆保護する。EPROMチップ(6)上に直接被
覆される第1層目の樹脂はEPROMチップ(6)のデ
ータを消去する際に紫外線を透過する必要があるために
紫外線透過性樹脂(21a)が用いられる。紫外線透過
性樹脂(21a)は非芳香族系であれば限定されず、例
えばメチル系シリコンゴムあるいはシリコンゲルが用い
られる。
Furthermore, a header (4a) is mounted on the top surface of the header mounting body (4a).
) and the auxiliary frame (4b) surrounding the wire line are mounted on the mounting body (
4a). The space surrounded by the auxiliary frame (4b) is filled with ultraviolet-transparent resin that transmits ultraviolet rays, and the EPROM chip (6) is fixed on the header (4).
) to cover and protect. The first layer of resin directly coated on the EPROM chip (6) is an ultraviolet transparent resin (21a) because it is necessary to transmit ultraviolet rays when erasing data on the EPROM chip (6). The ultraviolet-transparent resin (21a) is not limited as long as it is non-aromatic, and for example, methyl-based silicone rubber or silicone gel may be used.

本実施例では第1層目の樹脂層(21a)上に第2層目
の樹脂層(21b)が充填されている。第2層目の樹脂
層は第1層目とは異なりEPROMチップ(6)の誤消
去を防止するために紫外線を遮断する紫外線不透過性樹
脂(21b)が用いられる。この樹脂層(21b)は芳
香環(ベンゼン環)を含んだ樹脂であれば限定されず、
例えばエポキシ系あるいはポリイミド系の樹脂が用いら
れる。
In this embodiment, the second resin layer (21b) is filled on the first resin layer (21a). Unlike the first layer, the second resin layer uses an ultraviolet opaque resin (21b) that blocks ultraviolet rays to prevent erroneous erasing of the EPROM chip (6). This resin layer (21b) is not limited as long as it contains an aromatic ring (benzene ring),
For example, epoxy or polyimide resin is used.

一方、EPROMチップ(6)のプログラム・データを
選択して供給されるマイクロコンピュータ(7)および
その周辺の回路素子(8)のIC,トランジスタ、チッ
プ抵抗およびチップコンデンサー等はチップ部品で所望
の導電路(5)上に半田付けあるいはAgペースト等の
ろう材によって付着され、マイクロコンピュータ(7)
および回路素子(8)は近傍の導電路(5)にボンディ
ング接続されている。更に導電路(5)間にはスクリー
ン印刷によるカーボン抵抗体あるいはニッケルメッキに
よるニッケルメッキ抵抗体が抵抗素子として形成されて
いる。
On the other hand, the ICs, transistors, chip resistors, chip capacitors, etc. of the microcomputer (7) and its peripheral circuit elements (8), which are supplied by selecting the program data of the EPROM chip (6), are chip components that have the desired conductivity. The microcomputer (7) is attached to the path (5) by soldering or by a brazing material such as Ag paste.
and the circuit element (8) is bonded to a nearby conductive path (5). Furthermore, a carbon resistor by screen printing or a nickel-plated resistor by nickel plating is formed as a resistance element between the conductive paths (5).

基板(2)はケース材(9)と固着一体化される。The substrate (2) is fixedly integrated with the case material (9).

ケース材(9)は絶縁部材としての熱可塑性樹脂から形
成され、第2図に示す如く、基板(2)と固着した際空
間部が形成される様に箱状に形成されている。その箱状
のケース材(9)の周端部は基板(2)の略周端部に配
置されて接着性を有したシール剤(Jシート:商品名)
によって基板(2)と強固に固着一体化される。この結
果、基板(2)とケース材(9)間に所定の封止空間部
(21)が形成されることになる。
The case material (9) is made of thermoplastic resin as an insulating member, and as shown in FIG. 2, it is formed into a box shape so that a space is formed when it is fixed to the substrate (2). The peripheral edge of the box-shaped case material (9) is placed approximately at the peripheral edge of the substrate (2), and is coated with an adhesive sealant (J sheet: product name).
It is firmly fixed and integrated with the substrate (2). As a result, a predetermined sealed space (21) is formed between the substrate (2) and the case material (9).

ところで、ヘッダー(4)が形成された載置体(4a)
を基板(2)に設けられた孔に嵌合させた際、基板(2
)の孔の周辺には導電路(5)の一端が延在され、その
導電路(5)と載置体(4a)の導出リード(5b)と
が半田等によって接続される。導出リード(5b)と接
続された導電路(5)の他端の一部はマイクロコンピュ
ータ(7)の近傍に延在されチップ状のマイクロコンピ
ュータ(7)とボンディングワイヤで電気的に接続され
ている。
By the way, the mounting body (4a) on which the header (4) is formed
When the board (2) is fitted into the hole provided in the board (2), the board (2)
) One end of a conductive path (5) extends around the hole, and the conductive path (5) and the lead-out lead (5b) of the mounting body (4a) are connected by solder or the like. A part of the other end of the conductive path (5) connected to the lead-out lead (5b) extends near the microcomputer (7) and is electrically connected to the chip-shaped microcomputer (7) with a bonding wire. There is.

ここでEPROMチップ(6)とマイクロコンピュータ
(7)との位置関係について述べる。EPROMチップ
(6)がヘッダー(4)を介して載置された載置体(4
a)とマイクロコンピュータ(7)とは、多数本の導電
路(5)を介して接続されるため、その導電路(5)の
引回しを短くするためにEPROMチップ(6)を搭載
するヘッダー(4)、即ち、ヘッダー載置体く4a)と
マイクロコンピュータ(7)は夫々、隣接する位置かあ
るいはできるだけ近傍に位置する様に配置される。従っ
てEPROMチップ(6)とマイクロコンピュータ(7
)との導電路(5)の引回しは最短距離で形成でき基板
上の実装面積を有効に使用することができる。EPRO
Mチップ(6)を搭載するヘッダー(4)が載置された
載置体(4a)とその近傍あるいは隣接した位置に配置
きれたチ・ンブ状のマイクロコンピュータ(7)は、マ
イクロコンピュータ(7)の近傍に延在された導電路(
5)先端部とワイヤ線によってボンディング接続されE
PROMチップ(6〉と電気的に接続される。
Here, the positional relationship between the EPROM chip (6) and the microcomputer (7) will be described. A mounting body (4) on which an EPROM chip (6) is mounted via a header (4).
a) and the microcomputer (7) are connected via a large number of conductive paths (5), so in order to shorten the length of the conductive paths (5), a header is installed that carries an EPROM chip (6). (4) That is, the header mounting body 4a) and the microcomputer (7) are arranged so as to be adjacent to each other or as close as possible to each other. Therefore, the EPROM chip (6) and the microcomputer (7)
) and the conductive path (5) can be formed over the shortest distance, and the mounting area on the board can be used effectively. EPRO
A mounting body (4a) on which a header (4) carrying an M chip (6) is mounted and a chip-shaped microcomputer (7) placed near or adjacent to the mounting body (4a) are ) is extended near the conductive path (
5) E is connected by bonding to the tip part and wire wire.
It is electrically connected to the PROM chip (6>).

ところで、EPROMチップ(6)は基板(2)の外側
に露出した主面に設けられたヘッダー(4)を介して搭
載されているので、EPROMチップ(6)だけが基板
外に搭載されることになり、EPROMチップ(6)以
外のマイクロコンピュータ(7)およびその周辺回路素
子(8)は基板(2)とケース材(9)とで形成された
封止空間(21)内に配置されることになる。
By the way, since the EPROM chip (6) is mounted via the header (4) provided on the main surface exposed to the outside of the board (2), only the EPROM chip (6) is mounted outside the board. The microcomputer (7) and its peripheral circuit elements (8) other than the EPROM chip (6) are arranged in a sealed space (21) formed by the substrate (2) and the case material (9). It turns out.

上述の如く、EPROMチップ(6)と接続されるマイ
クロコンピュータ(7)およびその周辺の回路素子(8
)は基板(2)とケース材(9)で形成された封止空間
部(21)に配置する様に設定されている。
As mentioned above, the microcomputer (7) and its peripheral circuit elements (8) are connected to the EPROM chip (6).
) is set to be placed in a sealed space (21) formed by the substrate (2) and the case material (9).

更に述べると、チップ状の電子部品および印刷抵抗、メ
ッキ抵抗等の抵抗素子の全ての素子が封止空間部(21
)内に設けられている。
More specifically, all elements such as chip-shaped electronic components and resistance elements such as printed resistors and plated resistors are located in the sealed space (21
).

本実施例でEPROMチップ(6)のデータ消去を行う
場合は紫外線不透過性樹脂(21b>を剥離して紫外線
を照射し、再書き込みをする場合はEPROMチップ(
6)上の紫外線透過性樹脂(21a)も剥してボンデ“
イングされている近傍の導出リード(5b)にプローブ
等の端子を当接させ、書き込み装置よりデータを書き込
む。このとき、紫外線透過性樹Jl!](21a)を剥
す場合、樹脂(21a)はあまり接着力が強くないため
にワイヤ線が切断することはない。
In this embodiment, when data is to be erased from the EPROM chip (6), the ultraviolet opaque resin (21b) is peeled off and ultraviolet rays are irradiated, and when data is to be rewritten, the EPROM chip (
6) Peel off the UV-transparent resin (21a) on the top and apply the bonder.
A terminal such as a probe is brought into contact with the lead-out lead (5b) in the vicinity of the readout lead (5b), and data is written by the writing device. At this time, the UV-transparent tree Jl! ] (21a), the resin (21a) does not have very strong adhesive strength, so the wire will not be cut.

以下に本発明を用いたモデム用の混成集積回路装置の具
体例を示す。
A specific example of a hybrid integrated circuit device for a modem using the present invention will be shown below.

先ス、モデム(MODEM)とはパーソナルフシビュー
タなどのデータ端末が扱うデジタル化されたデータを電
話回線を使って、お互に離れたところでデータ送受を行
うデータ通信のためにモデムが存在する。モデムの機能
はデジタル化されたデータを電話回線で使用できる周波
数を使って、データによる変調を行いアナログ信号にし
て電話回線に乗せることと、相手方から送られて来たデ
ータで変調されるアナログ信号を復調してデジタル化し
たデータに戻す機能を持つ。
What is a modem? A modem exists for data communication in which digitized data handled by a data terminal such as a personal computer is sent and received at a distance using a telephone line. The function of a modem is to modulate digitized data using the frequency that can be used on the telephone line, convert it into an analog signal, and send it on the telephone line, and to send an analog signal that is modulated with the data sent from the other party. It has the ability to demodulate and return to digitized data.

第4図に示したブロック図に基づいてモデムを簡単に説
明する。
The modem will be briefly explained based on the block diagram shown in FIG.

第4図は集積回路基板(2)上にモデムを搭載したとき
のブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram when the modem is mounted on the integrated circuit board (2).

モデムはパソコンより送信されたデータを内蔵するメモ
リー内に蓄積してそのデータを出力するDTEインター
フェース(31)と、DTEインターフェース(31)
より出力されたデータに基づいて所定の出力信号を出力
するマイクロコンピュータ(7)と、マイクロコンピュ
ータ(7)からアドレスされるデータを内蔵したEPR
OMチップ(6)と、マイクロコンピュータ(7)から
の出力信号を変復調しNCU(NETWORK  C0
NTR0LUN I T)に出力する第1および第2の
変復調回路(32)(33)と、マイクロコンピュータ
(7)からの出力信号に応じて所望のDTMF信号(ト
ーン信号)を発生するDTMF発生器(34)とをから
構成されている。
The modem has a DTE interface (31) that stores data sent from the computer in its built-in memory and outputs the data, and a DTE interface (31).
A microcomputer (7) that outputs a predetermined output signal based on the data output from the microcomputer (7), and an EPR that contains data addressed by the microcomputer (7).
The output signals from the OM chip (6) and the microcomputer (7) are modulated and demodulated to the NCU (NETWORK C0).
the first and second modulation/demodulation circuits (32) (33) that output to the microcomputer (7); 34).

DTEインターフェース(31)は例えば5TC961
0(セイコーエプソン)等のICより成り、第5図の如
く、パソコンの出力信号を供給し、その出力信号を内蔵
メモリー内に蓄積してマイクロコンピュータ(7)へ出
力する送信メモリ一部(35)と、マイクロコンピュー
タ(7)からの出力信号が供給される信号を内蔵メモリ
ー内に蓄積してパソコン(38)へ出力する受信メモリ
一部(36)と、送信メモリ一部(35)および受信メ
モリ一部(36)を介して人出力される夫々の信号を切
替える制御部(37)とからなり、パソコン(3g)と
マイクロコンピュータ(7)とを接続するための所定の
機能を有するものである。
The DTE interface (31) is, for example, 5TC961.
0 (Seiko Epson), etc., and as shown in Figure 5, there is a part of the transmitting memory (35 ), a receiving memory part (36) that stores signals supplied with output signals from the microcomputer (7) in the built-in memory and outputs them to the personal computer (38), a transmitting memory part (35), and a receiving memory part (35). It consists of a control section (37) that switches the respective signals outputted via the memory part (36), and has a predetermined function for connecting the personal computer (3g) and the microcomputer (7). be.

マイクロコンピュータ(7)は例えば5TC9620(
セイコーエプソン)等のICより成り、第6図の如く、
DTEインターフェース(31)から出力きれる出力信
号を認識するコマンド認識部と、コマンド認識部によっ
て認識された出力信号を解読するコマンド解読部と、コ
マンド解読部で解読された信号に基づいてメモリ一部の
データと比較し変復調回路へデータを供給するコマンド
実行部と、コマンド解読部のデータとメモリ一部内のデ
ータとの比較結果、誤ったデータがコマンド実行部に供
給された際にDTEインターフェース(31)に出力信
号を出力する応答コード生成部とからなる。
The microcomputer (7) is, for example, 5TC9620 (
It consists of ICs such as Seiko Epson), as shown in Figure 6.
A command recognition unit that recognizes the output signal that can be output from the DTE interface (31), a command decoding unit that decodes the output signal recognized by the command recognition unit, and a command decoding unit that decodes a part of the memory based on the signal decoded by the command decoding unit When incorrect data is supplied to the command execution unit as a result of comparing the data of the command execution unit and the data of the command decoding unit and the data in the memory part, the DTE interface (31) and a response code generation section that outputs an output signal.

変復調回路(38)はマイクロコンピュータ(7)から
送信されるデジタル信号をアナログ信号に変換してNC
U部に送信する。また反対にNCU部から送信されたア
ナログ信号をデジタル信号に変換してマイクロコンピュ
ータ(7)へ送信するものであり、低速および中速夫々
のタイプの回路を備えている。第1の変復調回路(32
)は300bpsの低速変復調回路であり、第2の変復
調回路(33)は1200bpaの中速変復調回路であ
る。夫々の第1および第2の変復調回路(32) (3
3)はマイクロコンピュータ(7)により、いずれか一
方の変復調回路が選択される。
The modulation/demodulation circuit (38) converts the digital signal sent from the microcomputer (7) into an analog signal and sends it to the NC
Send to U department. On the other hand, it converts the analog signal sent from the NCU section into a digital signal and sends it to the microcomputer (7), and includes low-speed and medium-speed circuits. First modulation/demodulation circuit (32
) is a 300 bps low speed modulation/demodulation circuit, and the second modulation/demodulation circuit (33) is a 1200 bps medium speed modulation/demodulation circuit. Respective first and second modulation/demodulation circuits (32) (3
3), one of the modulation and demodulation circuits is selected by the microcomputer (7).

DTMF発生器(34)はマイクロコンピュータ(7)
のコマンド実行部より出力詐れたデータをCOL、RO
W夫々の入力端子に入力することで所定のDTMF信号
を発生し送信AMP(39)に出力して電話回線へ信号
を供給する。
DTMF generator (34) is a microcomputer (7)
The incorrect data output from the command execution part of COL, RO
A predetermined DTMF signal is generated by inputting it to the input terminal of each W, and is output to the transmitting AMP (39) to supply the signal to the telephone line.

EPROMチップ(6)内にはモデムの各種のモードを
設定するためのプログラムデータがメモリーされており
、マイクロコンピュータ(7)のアドレスに基づいてマ
イクロコンピュータ(7)に供給される。
Program data for setting various modes of the modem is stored in the EPROM chip (6) and is supplied to the microcomputer (7) based on the address of the microcomputer (7).

次にモデムの動作について簡単に説明する。Next, the operation of the modem will be briefly explained.

先ず、パソコン通信を開始するに当り、マイクロコンピ
ュータ(38)からの読出し信号に基づいて制御スイッ
チ(40)が動作し、所定のアドレスデータがEFRO
M(7)に供給され、そのアドレスに基づいたEPRO
Mチップ(6)のプログラム・データがマイクロフンピ
ユータ(7)に供給され、通信を行う夫々のモデムの通
信規格(BELL/CCITT規格)、通信速度(30
0/1200bps)、データファーマットの一致、デ
ツプスイッチモードの切替等の各種のモードが一致して
いるかが確認される。
First, to start communication with a personal computer, the control switch (40) operates based on a read signal from the microcomputer (38), and predetermined address data is read from the EFRO.
EPRO supplied to M(7) and based on its address
The program data of the M chip (6) is supplied to the microcomputer (7), and the communication standard (BELL/CCITT standard) and communication speed (30
0/1200 bps), data format matching, and various modes such as depth switch mode switching are checked.

各種のモードが一致しているとすると、パソコンに応答
側のモデムの電話番号をキー人力する。
Assuming the various modes match, enter the answering modem's phone number into your computer.

その電話番号はパソコンとのインターフェース用のDT
Eインターフェース(31)に入力され、電話番号を解
読する為にマイクロコンピュータ(7)に転送される。
The phone number is the DT for interfacing with the computer.
E-interface (31) and forwarded to the microcomputer (7) for decoding the telephone number.

その解読した結果をDTMF発生器(34)に送信し、
DTMF発生器(34)からDTMF信号が発信されそ
の信号は送信AMP(39)、ライントランス(41)
を介して一般電話回線へ転送される。
Send the decoded result to the DTMF generator (34),
A DTMF signal is transmitted from the DTMF generator (34), and the signal is sent to the transmitting AMP (39) and the line transformer (41).
transferred to a regular telephone line.

転送されたDTMF信号は応答側のモデムに対して呼出
し信号を送出し、応答側のモデムは呼出し信号を受信し
て自動着信する。すると応答側のモデムは接続手順の為
のアンサ−トーンを起呼側のモデムに対して送出する。
The transferred DTMF signal sends a paging signal to the modem on the responding side, and the modem on the responding side receives the paging signal and automatically receives the call. Then, the modem on the responding side sends an answer tone for the connection procedure to the modem on the calling side.

起呼側のモデムではライントランス(41)、受信アン
プ(42)を通り低速変復調回路(32)でそのアンサ
−トーンが起呼側のモデムに対して所定のアンサ−トー
ンであるか否かを検出する。所定のアンサ−トーンであ
れば通信状態に入る。
The modem on the calling side passes through a line transformer (41) and a receiving amplifier (42), and a low-speed modulation/demodulation circuit (32) determines whether or not the answer tone is a predetermined answer tone for the modem on the calling side. To detect. If it is a predetermined answer tone, the communication state is entered.

通信状態となると、起呼側のパソコンのキーボードから
の所定のキー人力信号に基づいて/くソコンからのパラ
レルデータをDTEインターフェース(31〉に入力し
、そのデータをマイクロコンピュータ(7)に転送する
。ここでパラレルデータをシリアルデータに変換する。
When communication is established, parallel data from the PC is input to the DTE interface (31) based on a predetermined key manual signal from the keyboard of the calling PC, and the data is transferred to the microcomputer (7). .Here, parallel data is converted to serial data.

シリアルデータに変換きれたデジタル信号は低速変復調
回路(32)に送信される。ここでデジタル信号はアナ
ログ信号に変換され、それに対応した通信規格に基づ0
て周波数変調FSXされ、送信A M P (39)、
ライントランス(41)を介して応答側のモデムに送信
きれる。
The digital signal that has been converted into serial data is sent to the low-speed modulation/demodulation circuit (32). Here, the digital signal is converted to an analog signal, and based on the corresponding communication standard, the digital signal is converted to an analog signal.
frequency modulation FSX and transmit A M P (39),
It can be transmitted to the responding modem via the line transformer (41).

一方、応答側のパソコンのキー人力信号側こよって送出
した周波数変調のアナログ信号は起呼側のモデムに送出
され、ライントランス(41)、受信AM P (42
)を介して低速変復調回路(32)に入力される。ここ
でアナログ信号はデジタル信号に変換されDTEインタ
ーフェース(31)に入力され、シリアルデジタル信号
からパラレルデジタル信号に変換されて起呼側のパソコ
ンに入力される。その結果起呼側ヘパソコンと応答側の
パソコンは全二重通信ができる様になりパソコン通信が
実現する。
On the other hand, the frequency-modulated analog signal sent by the key input signal side of the personal computer on the responding side is sent to the modem on the calling side, and is sent to the line transformer (41) and the receiving AM P (42).
) is input to the low-speed modulation/demodulation circuit (32). Here, the analog signal is converted to a digital signal and input to the DTE interface (31), and the serial digital signal is converted to a parallel digital signal and input to the calling side personal computer. As a result, full duplex communication between the calling side personal computer and the responding side personal computer becomes possible, and personal computer communication is realized.

第7図は第4図で示したモデム回路を本実施例で用いた
基板(2)上に実装した場合の平面図であり、実装され
る回路素子の符号は同一番号とする。EPROMチップ
(6)とマイクロコンピュータ(7)との接続はパスラ
インで示す。尚、複数の回路素子を接続する導電路は煩
雑のため省略する。
FIG. 7 is a plan view of the modem circuit shown in FIG. 4 mounted on the substrate (2) used in this embodiment, and the mounted circuit elements are designated by the same reference numerals. The connection between the EPROM chip (6) and the microcomputer (7) is shown by a pass line. Note that the conductive paths connecting the plurality of circuit elements are omitted because they are complicated.

第7図に示す如く、基板(2)の対向する周端部には外
部リード端子(12)が固着される複数の固着用パッド
(5a)が設けられている。固着パッド(5a)から延
在される導電路(5)上所定位置には複数の回路素子(
8)およびEPROMチップ(6)を搭載するヘッダー
(4)が載置された載置体(4a)が嵌合されている。
As shown in FIG. 7, a plurality of fixing pads (5a) to which external lead terminals (12) are fixed are provided at opposing peripheral ends of the substrate (2). A plurality of circuit elements (
8) and a mounting body (4a) on which a header (4) on which an EPROM chip (6) is mounted is fitted.

斯る基板(2)上にはEPROMチップ(6)以外ノマ
イクロコンピュータ(7)を含む複数の回路素子(8)
が固着されており、(31)はDTEインターフェース
、(32)(33)は第1および第2の変復調回路、(
34)はDTMF発生回路、(40)はEPROMチッ
プ(6)を制御する制御スイッチ、(7)はマイクロコ
ンピュータ、(8)はコンデンサー等のチップ部品であ
る。
On such a substrate (2), there are a plurality of circuit elements (8) including a microcomputer (7) other than an EPROM chip (6).
are fixed, (31) is the DTE interface, (32) and (33) are the first and second modulation/demodulation circuits, (
34) is a DTMF generation circuit, (40) is a control switch that controls the EPROM chip (6), (7) is a microcomputer, and (8) is a chip component such as a capacitor.

第7図に示す如く、マイクロコンピュータ(7)の近傍
あるいは隣接する位置にEPROMチップ(6)を搭載
するヘッダー(4)が固着された載置体(4a)が配置
されている。マイクロコンピュータ(7)の近傍あるい
は隣接する位置にEPROMチップ(6)とヘッダー(
4)を介して配置することでマイクロコンピュータ(7
)とEPROMチップ(6)とのパスライン、即ち導電
路(6)の引回し線の距離を最短でしかも最小の距離で
引回すことができ、他の実装パターンを有効に使用でき
ると共に高密度実装が行える。尚、一点鎖線で囲まれた
領域は接着シートでケース材(9)が固着される領域を
示す。
As shown in FIG. 7, a mounting body (4a) to which a header (4) for mounting an EPROM chip (6) is fixed is placed near or adjacent to the microcomputer (7). The EPROM chip (6) and header (
4) by placing it through a microcomputer (7
) and the EPROM chip (6), that is, the distance of the routing line of the conductive path (6) can be routed at the shortest possible distance, making it possible to effectively use other mounting patterns and achieving high density. Can be implemented. Note that the area surrounded by the dashed line indicates the area to which the case material (9) is fixed with the adhesive sheet.

第8図は第7図で示した基板(2)上にケース材(9)
を固着したときのモデム用の混成集積回路装置の完成品
の平面図であり、基板(2)の上面からはEPROMチ
ップ(6)を搭載したヘッダー(4)が形成されたヘッ
ダー載置体(4a)と補助枠(4b)内に充填された紫
外線不透過性樹脂(21b)が露出された状態となる。
Figure 8 shows a case material (9) placed on the board (2) shown in Figure 7.
FIG. 2 is a plan view of the completed hybrid integrated circuit device for modem when it is fixed, and from the top surface of the board (2), you can see the header mounting body (on which the header (4) on which the EPROM chip (6) is mounted is formed). 4a) and the ultraviolet opaque resin (21b) filled in the auxiliary frame (4b) are exposed.

即ち、EPROMチップ(6)以外の他の素子は全てケ
ース材(9)と基板(2)とで形成された封止空間(2
1)内に封止されEPROMチップ(6)だけが基板外
に搭載されることになる。
That is, all other elements other than the EPROM chip (6) are placed in the sealed space (2) formed by the case material (9) and the substrate (2).
1), and only the EPROM chip (6) is mounted outside the board.

斯る本発明に依れば、基板(2)の外側に露出した主面
の所望位置にヘッダー(4)を設け、そのヘッダー(4
)上にEPROMチップクロ)を固着し、EPROMチ
ップ(6)の電極と導電路(5)に接続された導出リー
ド(5b)とをポンディングワイヤで接続し、基板(2
)とケース材(9)とで形成された封止空間(21)に
マイクロコンピュータ(7)およびその他の回路素子(
8)を配置することにより、混成集積回路とEPROM
チップとが一体化し且つ極めて小型化となるシステムが
提供できる。
According to the present invention, the header (4) is provided at a desired position on the main surface exposed to the outside of the substrate (2), and the header (4)
), and connect the electrode of the EPROM chip (6) and the lead-out lead (5b) connected to the conductive path (5) with a bonding wire, and then
) and the case material (9). The microcomputer (7) and other circuit elements (
8) By arranging hybrid integrated circuit and EPROM
It is possible to provide a system that is integrated with a chip and is extremely miniaturized.

(ト)発明の効果 以上に詳述した如く、本発明に依れば、第1に基板(2
)の外側に露出した主面に設けたヘッダー(4)上にE
PROMチップ(6)を固着し、EPROMチップ(6
)の電極と導電路(5)と接続された導出リード(5b
)とをボンディングワイヤで接続しているので、EPR
OMチップ(6)の載置位置を任意に選定できる利点を
有する。このため内蔵するマイクロコンピュータ(7)
との電気的接続を考慮して、効率良<EPROMチ・ノ
ブ(6〉とマイクロコンピュータ(7)とを接続でき信
号線の引回しを不要にできる。更に詳述すると、EPR
OMチ・7ブ(6)の隣接する位置に最も関連の深いマ
イクロコンピュータ(7)を配置でき、その結果EPR
OMチップ(6)とマイクロコンピュータ(7)間のデ
ータのやりとりを行うデータ線を最短距離あるいは最も
設計容易なレイアウトで実現でき、データ線の引回しに
よる実装密度のロスを最小限に抑制できる。
(G) Effects of the Invention As detailed above, according to the present invention, firstly, the substrate (2
) on the header (4) provided on the main surface exposed to the outside.
Fix the PROM chip (6) and then attach the EPROM chip (6).
) and the lead-out lead (5b) connected to the conductive path (5).
) is connected with a bonding wire, so the EPR
This has the advantage that the placement position of the OM chip (6) can be selected arbitrarily. For this purpose, a built-in microcomputer (7)
Considering the electrical connection between
The most closely related microcomputer (7) can be placed adjacent to the OM chip 7 block (6), and as a result, the EPR
The data line for exchanging data between the OM chip (6) and the microcomputer (7) can be realized with the shortest distance or the easiest layout, and loss in packaging density due to data line routing can be minimized.

第2に集積回路基板(2〉上の組み込むマイクロコンピ
ュータおよびその周辺回路素子の実装密度を向上するこ
とにより、従来必要とされたプリント基板を廃止でき、
1つの小型化されたEPROMチップ(6)を内蔵する
混成集積回路装置を実現できる。
Second, by improving the mounting density of the microcomputer and its peripheral circuit elements on the integrated circuit board (2), it is possible to eliminate the printed circuit board that was previously required.
A hybrid integrated circuit device incorporating one miniaturized EPROM chip (6) can be realized.

第3に集積回路基板(2)として金属基板を用いること
により、その放熱効果をプリント基板に比べて大幅に向
上でき、より実装密度の向上に寄与できる。また導電路
(5)として銅箔(11)を用いることにより、導電路
(5)の抵抗値を導電ペーストより大幅に低減でき、実
装される回路をプリント基板と同等以上に拡張できる。
Thirdly, by using a metal substrate as the integrated circuit board (2), its heat dissipation effect can be greatly improved compared to that of a printed circuit board, which can further contribute to an improvement in packaging density. Furthermore, by using copper foil (11) as the conductive path (5), the resistance value of the conductive path (5) can be significantly reduced compared to conductive paste, and the circuit to be mounted can be expanded to the same level or more than that of a printed circuit board.

第4にEPROMチップ(6)と接続されるマイクロコ
ンピュータ(7)およびその周辺回路素子(8)はケー
ス材(9)と集積回路基板(2)とで形成される封止空
間(21〉にダイ形状あるいはチップ形状で組み込まれ
るので、従来のプリント基板の様に樹脂モールドしたも
のに比較して極めて占有面積が小きくなり、実装密度の
大幅に向上できる利点を有する。
Fourth, the microcomputer (7) and its peripheral circuit elements (8) connected to the EPROM chip (6) are placed in a sealed space (21) formed by the case material (9) and the integrated circuit board (2). Since it is assembled in the form of a die or chip, it occupies an extremely small area compared to a conventional printed circuit board molded with resin, and has the advantage of greatly improving packaging density.

第5にケース材(9)と集積回路基板(2)の周端を実
質的に一致させることにより、集積回路基板(2)のほ
ぼ全面を封止空間(21)として利用でき、実装密度の
向上と相まって極めてコンパクトな混成集積回路装置を
実現できる。
Fifth, by substantially matching the peripheral edges of the case material (9) and the integrated circuit board (2), almost the entire surface of the integrated circuit board (2) can be used as a sealed space (21), which reduces the packaging density. Combined with this improvement, an extremely compact hybrid integrated circuit device can be realized.

第6に集積回路基板(2)の−辺あるいは相対向する辺
から外部リード端子(12)を導出でき、極めて多ピン
の混成集積回路装置を実現できる利点を有する。
Sixthly, the external lead terminals (12) can be led out from the negative side or the opposite side of the integrated circuit board (2), which has the advantage of realizing a hybrid integrated circuit device with an extremely large number of pins.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本実施例を示す斜視図、第2図は第1図のI−
I断面図、第3図は本実施例で用いる基板断面図、第4
図は本実施例で用いるモデム回路を示すブロック図、第
5図は第4図で示したモデムのDTEインターフェース
を示すブロック図、第6図は第4図で示したモデムのマ
イクロコンピュータを示すブロック図、第7図は第4図
で示したブロック図を基板上に実装したときの平面図、
第8図は第7図で示した基板上にケース材を固着したと
きの平面図、第9図および第10図は従来のEFROM
実装構造を示す斜視図である。 (1)・・・混成集積回路装置、 (2)・・・集積回
路基板、  (5)・・・導電路、 (6)・・・EF
ROMチップ、(7)・・・マイクロコンピュータ、 
(8)・・・回路素子、(4)・・・ヘッダー、(9)
・・・ケース材、(4a)・・・ヘッダー載置体、 (
21a)−紫外線透選性mm、(21b)・・・紫外線
不透過性樹脂。
Fig. 1 is a perspective view showing this embodiment, and Fig. 2 is an I-
I cross-sectional view, Figure 3 is a cross-sectional view of the substrate used in this example, and Figure 4 is a cross-sectional view of the substrate used in this example.
The figure is a block diagram showing the modem circuit used in this embodiment, Figure 5 is a block diagram showing the DTE interface of the modem shown in Figure 4, and Figure 6 is a block diagram showing the microcomputer of the modem shown in Figure 4. 7 is a plan view when the block diagram shown in FIG. 4 is mounted on a board,
Figure 8 is a plan view of the case material fixed on the board shown in Figure 7, and Figures 9 and 10 are of conventional EFROM.
FIG. 3 is a perspective view showing the mounting structure. (1)...Hybrid integrated circuit device, (2)...Integrated circuit board, (5)...Conducting path, (6)...EF
ROM chip, (7)...microcomputer,
(8)...Circuit element, (4)...Header, (9)
...Case material, (4a)...Header mounting body, (
21a) - UV transparency mm, (21b)...UV opaque resin.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)集積回路基板と、 前記基板上に形成された所望パターンを有する導電路と
、 前記導電路に接続された不揮発性メモリーチップと、 前記メモリーからデータを供給され且つ前記基板上の導
電路と接続されたマイクロコンピュータおよびその周辺
回路素子と、 前記基板に一体化されたケース材とを具備し、前記基板
の外側に露出した主面の所望位置にヘッダーを設け、前
記ヘッダー上に前記不揮発性メモリーチップを固着し、
前記不揮発性メモリーチップの電極と所望の前記導電路
に接続された導出リードとをボンディングワイヤで接続
し、前記基板と前記ケース材で形成された封止空間に前
記マイクロコンピュータおよびその周辺回路素子を配置
したことを特徴とする混成集積回路装置。
(1) An integrated circuit board, a conductive path having a desired pattern formed on the substrate, a nonvolatile memory chip connected to the conductive path, and a conductive path supplied with data from the memory and on the substrate. a microcomputer and its peripheral circuit elements connected to the substrate, and a case material integrated with the substrate, a header provided at a desired position on the main surface exposed to the outside of the substrate, and a header provided on the header with the non-volatile fix the sexual memory chip,
The electrodes of the nonvolatile memory chip and the lead-out leads connected to the desired conductive paths are connected with bonding wires, and the microcomputer and its peripheral circuit elements are placed in a sealed space formed by the substrate and the case material. A hybrid integrated circuit device characterized in that:
(2)前記集積回路基板として表面を絶縁した金属基板
を用いたことを特徴とする請求項1記載の混成集積回路
装置。
(2) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein a metal substrate whose surface is insulated is used as the integrated circuit board.
(3)前記両基板の形状を実質的に同一形状とすること
を特徴とする請求項1記載の混成集積回路装置。
(3) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the shapes of both the substrates are substantially the same.
(4)前記導電路として銅箔を用いたことを特徴とする
請求項1記載の混成集積回路装置。
(4) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein copper foil is used as the conductive path.
(5)前記マイクロコンピュータは前記導電路上にダイ
形状で組み込まれることを特徴とする請求項1記載の混
成集積回路装置。
(5) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the microcomputer is incorporated in the form of a die on the conductive surface.
(6)前記周辺回路素子としてチップ抵抗、チップコン
デンサーを用いることを特徴とする請求項1記載の混成
集積回路装置。
(6) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein a chip resistor or a chip capacitor is used as the peripheral circuit element.
(7)前記ケース材を前記基板の周端部とほぼ一致させ
たことを特徴とする請求項1記載の混成集積回路装置。
(7) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the case material is substantially aligned with a peripheral edge of the substrate.
(8)前記ヘッダーを取り囲む補助枠を設け、前記補助
枠に紫外線を透過する封止樹脂層を注入して前記不揮発
性メモリーチップを封止することを特徴とする請求項1
記載の混成集積回路装置。
(8) An auxiliary frame surrounding the header is provided, and a sealing resin layer that transmits ultraviolet rays is injected into the auxiliary frame to seal the nonvolatile memory chip.
The hybrid integrated circuit device described.
(9)前記ヘッダー内の封止樹脂層上に紫外線を遮断す
るシール樹脂を設けたことを特徴とする請求項8記載の
混成集積回路装置。
(9) The hybrid integrated circuit device according to claim 8, wherein a sealing resin that blocks ultraviolet rays is provided on the sealing resin layer in the header.
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EP90107445A EP0393671B1 (en) 1989-04-20 1990-04-19 Hybrid integrated circuit device
DE69031142T DE69031142T2 (en) 1989-04-20 1990-04-19 Integrated hybrid circuit arrangement

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106373947A (en) * 2015-07-24 2017-02-01 英飞凌科技美国公司 Robust high performance semiconductor package

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CN106373947A (en) * 2015-07-24 2017-02-01 英飞凌科技美国公司 Robust high performance semiconductor package
CN106373947B (en) * 2015-07-24 2019-05-14 英飞凌科技美国公司 The encapsulation of robust high-performance semiconductor

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