JPH02299258A - Hybrid integrated circuit device - Google Patents

Hybrid integrated circuit device

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JPH02299258A
JPH02299258A JP1120907A JP12090789A JPH02299258A JP H02299258 A JPH02299258 A JP H02299258A JP 1120907 A JP1120907 A JP 1120907A JP 12090789 A JP12090789 A JP 12090789A JP H02299258 A JPH02299258 A JP H02299258A
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integrated circuit
chip
circuit device
hybrid integrated
microcomputer
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Koji Nagahama
長浜 浩二
Akira Kazami
風見 明
Hisashi Shimizu
清水 永
Osamu Nakamoto
中本 修
Katsumi Okawa
克実 大川
Yasuhiro Koike
保広 小池
Masao Kaneko
正雄 金子
Seiwa Ueno
上野 聖和
Yasuo Saito
斎藤 保雄
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

PURPOSE:Not only to make a circuit device of this design small in size but also to improve it in handling properties by a method wherein a microcomputer and its peripheral circuit elements are hermetically sealed off with a case material, and only an EPROM chip is exposed through a recess provided to the peripheral side of the case material. CONSTITUTION:An EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory) chip is used as a nonvolatile memory chip 4, a recess 7 is provided at a prescribed position on the peripheral side of a case material 8, and the EPROM 4 is mounted on a conductive path 3 on a board 2 exposed through the recess 7 and connected to the conductive path 3 through a wire. A microcomputer 5 supplied with data from the EPROM chip 4 and its peripheral elements are mounted at the prescribed position on the conductive path 3 and housed in a sealed space 14 formed of the case material 8 and the board 2. By this setup, a hybrid integrated circuit device 1 small in size and excellent in handling qualities can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は集積回路基板にチップ型の不揮発性メモリ、例
えばEFROM(紫外線消去形プログラマブル・リード
・オンリ・メモリー)を実装してなるEPROM内蔵型
の混成集積回路装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Industrial Application Field The present invention is an integrated circuit board equipped with a chip-type non-volatile memory, such as an EPROM built-in EFROM (ultraviolet erasable programmable read-only memory). The present invention relates to a type of hybrid integrated circuit device.

(ロ)従来の技術 紫外線を照射することによって既に書込まれた記憶情報
を消去し、再書込みが可能な紫外線照射窓を有するEP
ROM素子は、各種電子機器に好んで用いられている。
(b) Conventional technology An EP having an ultraviolet irradiation window that can erase and rewrite previously written memory information by irradiating it with ultraviolet rays.
ROM elements are favorably used in various electronic devices.

このEPROM素子は、制御用或は駆動用集積回路と共
に現在、その殆んどがプリント配線板に実装されており
、一旦書込んだ情報をその後書き直すために通常、着脱
容易なプリント配線板に実装されている。各種電子機器
で小型軽量化が要求される機器は、チップ・オン・ボー
ドと称される技法によってプリント配線板に半導体集積
回路(IC)チップが直接搭載され、所要の配線が施さ
れた後この配線部分を含んで前記ICチップが合成樹脂
によって被覆され、極めて小形軽量化が達成されている
Currently, most of these EPROM elements are mounted on printed wiring boards together with control or driving integrated circuits, and in order to rewrite the information once written, they are usually mounted on easily removable printed wiring boards. has been done. For various electronic devices that require smaller size and lighter weight, a semiconductor integrated circuit (IC) chip is directly mounted on a printed wiring board using a technique called chip-on-board, and after the required wiring is done, this The IC chip, including the wiring portion, is covered with synthetic resin, making it extremely compact and lightweight.

一方紫外線照射窓を必要とするEPROMチップは、こ
の照射窓がネックとなり未だサーディツプ型パッケージ
に組込まれて製造され、プリント配線板に実装されてい
るため小型軽量化が図れない。
On the other hand, EPROM chips that require an ultraviolet irradiation window cannot be made smaller and lighter because the irradiation window is a bottleneck and they are still manufactured in a cerdip package and mounted on a printed wiring board.

かかる従来のEPROM素子の実装構造を第10図に従
って説明すると、第10図は従来のEPROM素子の一
部断面を有する斜視図であって、主表面上に導電性配線
パターン(41)が形成されたガラス・エポキシ樹海な
どからjlII成された絶縁性基板(42)のスルーホ
ール(43)にサーディツプ型パッケージに組込まれE
PROM素子(44)が搭載されている。このEPRO
M素子(44)はヘッダー(45)およびキャップ(4
6)を有し、前記ヘッダー(45)はセラミック基材(
47)に外部導出リード(48)か低融点ガラス材で接
着されている。又このヘッダー(45)はガラスに金粉
が多量に混入したいわゆる金ペーストを焼結した素子搭
載部(50)が前記低融点ガラス材上或はセラミック基
材(47)上に接着されており、この素子搭載部(50
)にEPROMチップ(51)が紫外線照射面を上にし
て装着され、このチップ(51)の電極と前記外部導出
リード(48)とが金属細線(52)によって接続され
ている。前記キャップ(46)は蓄部材であって、前記
EPROMチップ〈51)の紫外線照射面と対向する部
分に窓(53)を有するセラミック基材(54)を含み
、このキャップ(46)は低融点ガラスによってヘッダ
ー(45)に配置されたEPROMチップ(51)を密
封している。この様にEPROMチップ(51)を密封
したEPROM素子(44)は、前記絶縁性基板(42
)のスルーホール(43)に外部導出リード(48)を
挿通させ半田によって固定される。このスルーホール(
43)は導電性配線パターン(41)によって所要の配
線引回しが施され、前記絶縁性基板の端部に設けられた
雄型コネクタ端子部(55)から図示しない雌型コネク
タへと接続される。
The mounting structure of such a conventional EPROM element will be explained with reference to FIG. 10. FIG. 10 is a perspective view with a partial cross section of a conventional EPROM element, in which a conductive wiring pattern (41) is formed on the main surface. E is incorporated into a cerdip type package into a through hole (43) of an insulating substrate (42) made of glass, epoxy, etc.
A PROM element (44) is mounted. This EPRO
The M element (44) is connected to the header (45) and the cap (4
6), and the header (45) has a ceramic base material (
47) with an external lead (48) or a low melting point glass material. Further, in this header (45), an element mounting part (50) made of sintered so-called gold paste, which is glass mixed with a large amount of gold powder, is bonded on the low melting point glass material or ceramic base material (47), This element mounting part (50
), an EPROM chip (51) is mounted with the ultraviolet irradiation surface facing upward, and the electrodes of this chip (51) and the external leads (48) are connected by thin metal wires (52). The cap (46) is a storage member and includes a ceramic base material (54) having a window (53) in a portion facing the ultraviolet irradiation surface of the EPROM chip (51). The glass seals the EPROM chip (51) placed in the header (45). The EPROM element (44) in which the EPROM chip (51) is sealed in this way is connected to the insulating substrate (42).
) The external lead (48) is inserted through the through hole (43) and fixed with solder. This through hole (
43) is provided with the required wiring through a conductive wiring pattern (41), and is connected from a male connector terminal portion (55) provided at the end of the insulating substrate to a female connector (not shown). .

さて、かかる従来のEPROM素子の実装構造は、EP
ROMチップ(51)に比ベパッケージ外形が極めて大
きく、平面占有率もきることながら三次元、つまり高さ
もチップの高さの数倍となり、薄型化に極めて不利であ
る。更にスルーホール(43)に外部導出リードを挿通
した後、半田などで固定する必要も生ずる。更に特筆す
べき大きな欠点は、絶縁性基板への実装に先立ってEP
ROM素子を−Hパッケージに組立てることである。E
PROM1子は紫外線照射用の窓を有するが故、そのパ
ッケージは、セラミックスを基材としたサーディップ型
パッケージに組立てられるが、このパッケージは低融点
ガラスにより封止される為、高温(400〜SOO℃)
シールとなり、EPROMチップの電極(アルミニウム
)と外部導出リードとを接続する金属細線を同種材料で
構成しないとアロイ化が起り配線抵抗の増加を来したり
、断線を生じたりする。この様な事態を回避する目的で
通常アルミニウム細線が用いられるが、このEPROM
チップはサブストレートを接地電位にする必要上、EP
ROMチップの接地電極を金ペーストで形成されたチッ
プ搭載部とワイヤ接続する。ここに於ても金ペースト中
の金或はおよび箔等の金属と前記アルミニウムとで二次
或は多元合金反応が進むことから、グランドダイスと呼
ばれる頭部にアルミニウムが被着されたシリコン小片を
EPROMチップと別個に前記金ペーストより成るチッ
プ搭載部に固着させ、このグランドダイス頭部とEPR
OMチップの接地電極とを接続するという極めて煩雑な
作業を伴う等、従来の実装構造は、小型、軽量、低価格
のいずれも不満足なものである。
Now, the mounting structure of such a conventional EPROM element is
Compared to the ROM chip (51), the package external shape is extremely large, and while the surface occupation rate is limited, it is also three-dimensional, that is, the height is several times the height of the chip, which is extremely disadvantageous for thinning. Furthermore, after the external lead is inserted into the through hole (43), it is necessary to fix it with solder or the like. Another major drawback that should be noted is that EP
This involves assembling a ROM element into a -H package. E
Since each PROM has a window for irradiating ultraviolet rays, its package is assembled into a cerdip-type package made of ceramics, but since this package is sealed with low-melting glass, it can withstand high temperatures (400~SOO ℃)
If the thin metal wires that serve as a seal and connect the electrodes (aluminum) of the EPROM chip and the external leads are not made of the same material, alloying will occur, resulting in an increase in wiring resistance or disconnection. To avoid such a situation, thin aluminum wire is usually used, but this EPROM
Since the chip needs to have the substrate at ground potential, EP
The ground electrode of the ROM chip is connected by wire to the chip mounting portion formed of gold paste. Here, too, a secondary or multi-component alloy reaction progresses between the gold or metals such as foil in the gold paste and the aluminum, so a small piece of silicon whose head is coated with aluminum, called a ground die, is used. Separately from the EPROM chip, it is fixed to the chip mounting part made of the gold paste, and this ground die head and the EPR
Conventional mounting structures are unsatisfactory in terms of small size, light weight, and low cost, as they involve extremely complicated work of connecting the OM chip to the ground electrode.

断る問題を解決するために第11図に示したEPROM
実装構造がある。
In order to solve the problem of refusal, the EPROM shown in Fig. 11 is used.
There is an implementation structure.

以下に第11図に示したEPROM実装構造について説
明する。
The EPROM mounting structure shown in FIG. 11 will be explained below.

主表面(60a)に導電性配線パターン(60b)が形
成されたガラス・エポキシ樹脂板などの絶縁性基板(6
0)は、EPROMチップ(61)を載置するチップ搭
載エリヤ(60c)を有し、前記配線パターン(60b
)は、このエリヤ近傍から主表面(60a)上を引回さ
れて図示しない雄型コネクタ端子部に接続されている。
An insulating substrate (6
0) has a chip mounting area (60c) on which an EPROM chip (61) is placed, and the wiring pattern (60b)
) is routed from near this area on the main surface (60a) and connected to a male connector terminal portion (not shown).

前記エリヤ(60c)には、EPROMチップ(61)
が搭載され、このチップ(61)の表面電極と前記配線
パターン(60b)とが金属細線(62)により接続さ
れている。勿論金属細線(62)の1本は前記チップ(
61)のサブストレートと接続する為に、このチップ(
61)が搭載された配線パターン(60b)とワイヤリ
ングされている。前記EPROMチップ(61)の紫外
線照射面(61a)上には紫外線透過性樹脂(63) 
(例えば東し社製、型名TX−978)を介して、紫外
線透過性窓材(64)が固着されている。この窓材(6
4)は、石英、透明アルミナ等、公知の紫外線透過性材
料である。そして、前記窓材(64)の頂部面(64a
)は、EPROMチップ(61)の紫外線照射面に光を
導入する面であるから、この頂部面(64a)を除いた
残余の窓材(64)部分と、金属細線(62)と、この
金属細線(62)と前記配線パターン(60b)との接
続部分とが合成樹脂(65) (例えば日東電工社製、
型名MP−10)で被覆されている。もし、絶縁性基板
(60)と、EPROMチップ(61)と窓材(64)
とを加えた総合厚さ寸法を更に低くする必要があれば、
前記基板(60)のチップ搭載エリヤ(60c)をザグ
リ穴としてこの基板(60)の厚さの半分程度握れば良
い。又この様なザグリ穴としておけば、合成樹Jfl(
65)の流れ止めダムが形成され湿気などの浸入に対し
て有効に作用する。
The area (60c) contains an EPROM chip (61).
is mounted, and the surface electrode of this chip (61) and the wiring pattern (60b) are connected by a thin metal wire (62). Of course, one of the thin metal wires (62) is connected to the chip (
In order to connect to the substrate of 61), this chip (
61) is wired with the wiring pattern (60b) mounted thereon. A UV-transparent resin (63) is placed on the UV-irradiated surface (61a) of the EPROM chip (61).
(For example, manufactured by Toshisha Co., Ltd., model name TX-978), an ultraviolet-transparent window material (64) is fixed thereto. This window material (6
4) is a known ultraviolet transparent material such as quartz or transparent alumina. Then, the top surface (64a) of the window material (64)
) is the surface that introduces light to the ultraviolet irradiation surface of the EPROM chip (61), so the remaining window material (64) portion excluding this top surface (64a), the thin metal wire (62), and this metal The connecting portion between the thin wire (62) and the wiring pattern (60b) is made of synthetic resin (65) (for example, manufactured by Nitto Denko Corporation,
It is coated with model name MP-10). If the insulating substrate (60), EPROM chip (61) and window material (64)
If it is necessary to further reduce the total thickness dimension including
It is sufficient to hold the chip mounting area (60c) of the substrate (60) as a counterbored hole and grip the substrate (60) by about half its thickness. Also, if you make a counterbored hole like this, you can create a synthetic tree Jfl (
65) is formed and acts effectively against the infiltration of moisture.

第10図および第11図で示したEPROM実装構造は
特開昭60−83393号公報(l05K 1/18)
に記載されている。
The EPROM mounting structure shown in FIGS. 10 and 11 is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-83393 (l05K 1/18).
It is described in.

(八)発明が解決しようとする課題 第11図で示したEPROM実装構造ではEI’ROM
のチップをプリント基板上にダイボンディングしている
ため、小型化となることはいうまでもない。しかしなが
ら、ここでいう小型化はあくまでEPROM自体の小型
化である。即ち、第11図からは明らかにされていない
がEFROMの周辺に固着きれているマイクロコンピュ
ータおよびその周辺回路素子はディスクリート等の電子
部品で構成されているために、EPROMを搭載したプ
リント基板用の集積回路としてのシステム全体を見た場
合なんら小型化とはならず従来通りプリント基板の大型
化、即ちシステム全体が大型化になる問題がある。
(8) Problem to be solved by the invention In the EPROM mounting structure shown in FIG.
Needless to say, the chip is die-bonded onto the printed circuit board, resulting in a smaller size. However, the miniaturization referred to here is only the miniaturization of the EPROM itself. In other words, although it is not clear from FIG. 11, the microcomputer and its peripheral circuit elements that are fixed around the EFROM are composed of discrete electronic components, so the printed circuit board equipped with the EPROM is When looking at the entire system as an integrated circuit, there is a problem in that the size of the printed circuit board increases as before, without any reduction in size, that is, the overall system increases in size.

また、第10図に示した実装構造においても第10図と
同様にEPROMの周辺の回路、即ち、マイクロコンピ
ュータやその周辺LSI、Iceの回路素子がディスク
リート等の電子部品で構成されているため、プリント基
板の大型化、即ちシステム全体が大型化となりユーザが
要求される軽薄短小のEPROM搭載の集積回路を提供
することができない大きな問題がある。
Also, in the mounting structure shown in FIG. 10, the peripheral circuits of the EPROM, that is, the microcomputer, its peripheral LSI, and the circuit elements of the Ice, are composed of discrete electronic components, as in FIG. There is a major problem in that the size of the printed circuit board, that is, the size of the entire system, makes it impossible to provide integrated circuits equipped with EPROMs that are light, thin, short, and small as required by users.

更に第10図および第11図で示したEFROM実装構
造では、上述した様にシステム全体が大型化になると共
にEPROMおよびその周辺の回路素子を互いに接続す
る導電パターンが露出されているため信頼性が低下する
問題がある。
Furthermore, in the EFROM mounting structure shown in FIGS. 10 and 11, the overall system becomes larger as described above, and the conductive patterns that connect the EPROM and its surrounding circuit elements are exposed, which reduces reliability. There is a problem of deterioration.

更に第10図および第11図で示したEFROM実装構
造ではEPROMと、その周辺のマイクロコンピュータ
およびIC,LSI等の回路素子が露出されているため
、基板上面に凹凸が生じて取扱いにくく作業性が低下す
る問題がある。
Furthermore, in the EFROM mounting structure shown in FIGS. 10 and 11, the EPROM and surrounding circuit elements such as microcomputers, ICs, and LSIs are exposed, which creates unevenness on the top surface of the board, making it difficult to handle and work. There is a problem of deterioration.

(ニ)課題を解決するための手段 本発明は上述した課題に鑑みて為されたものであり、基
板上にチップ型のEFROMを搭載すると共にそのEP
ROMチップと接続されるマイクロコンピュータおよび
その周辺の回路素子を搭載し、且つ、ケース材によって
マイクロコンピュータおよびその周辺の回路素子全てが
密封封止されてEPROMテップだけがケース材の周端
辺の所望位置に設けられたくぼみによって露出された基
板上に搭載された構造を有することを特徴とする。
(d) Means for Solving the Problems The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and includes a chip-type EFROM mounted on a substrate and an EP
A microcomputer connected to the ROM chip and its peripheral circuit elements are mounted, and the microcomputer and all its peripheral circuit elements are hermetically sealed by the case material, so that only the EPROM chip is located at the desired edge of the case material. It is characterized by having a structure mounted on a substrate exposed by a recess provided at a location.

従ってEPROMチップを搭載した混成集積回路を極め
て小型化にでき且つEPROMチップの消去が容易に行
えるEPROMチップ内蔵の混成集積回路装置を提供す
ることができる。
Therefore, it is possible to provide a hybrid integrated circuit device with a built-in EPROM chip, which allows the hybrid integrated circuit equipped with an EPROM chip to be extremely miniaturized, and in which the EPROM chip can be easily erased.

(*)作用 この様に本発明に依れば、ケース材の周端辺の所定位置
にくぼみを設け、くぼみで露出した基板上の導電路にE
PROMチップを接続し、隣接する導電路とワイヤ線で
接続しているのでEPROMチップの載置位置を任意に
設定できるので、内蔵するマイクロコンピュータとの電
気的接続を考慮して、効率良<EFROMとマイクロコ
ンピュータとを接続することができ、信号線即ち導電路
の引回し腺を不要にすることができる。更にEPROM
チップの隣接する位置に最も関連の深いマイクロコンピ
ュータを配置でき、EPROMチップとマイクロコンピ
ュータ間のデータのやりとりを行うデータ線を最短距離
あるいは最小距離で実現でき、データ線の引回しによる
実装密度のロスを最小限に抑制することになり、高密度
の実装が行える。
(*) Effect As described above, according to the present invention, a depression is provided at a predetermined position on the peripheral edge of the case material, and the conductive path on the substrate exposed by the depression is
Since the PROM chip is connected and connected to the adjacent conductive path by a wire, the mounting position of the EPROM chip can be set arbitrarily, so considering the electrical connection with the built-in microcomputer, efficient < EFROM and a microcomputer, making it possible to eliminate the need for routing signal lines, that is, conductive paths. Furthermore, EPROM
The most closely related microcomputers can be placed adjacent to each other on the chip, and the data lines for exchanging data between the EPROM chip and the microcomputer can be kept at the shortest or minimum distance, reducing packaging density loss due to data line routing. This allows for high-density packaging.

更に本発明ではEPROMチップ以外の全ての素子がチ
ップ状で且つケース材と基板で形成された封止空間内に
収納されるため小型化でしかも取扱い性の優れた混成集
積回路装置を提供することができる。
Furthermore, the present invention provides a hybrid integrated circuit device that is compact and easy to handle because all elements other than the EPROM chip are in the form of chips and are housed in a sealed space formed by the case material and the substrate. I can do it.

(へ〉実施例 以下に第1図乃至第9図に示した実施例に基づいて本発
明の混成集積回路装置を詳細に説明する。
(F) Embodiments Below, the hybrid integrated circuit device of the present invention will be explained in detail based on the embodiments shown in FIGS. 1 to 9.

第1図および第2図には、本発明の一実施例の混成集積
回路装置(1)が示されている。この混成集積回路装置
(1)は独立した電子部品として用いられコンピュータ
等の幅広い分野で機能を独立して有する集積回路として
用いられる。
1 and 2 show a hybrid integrated circuit device (1) according to an embodiment of the present invention. This hybrid integrated circuit device (1) is used as an independent electronic component and is used as an integrated circuit having independent functions in a wide range of fields such as computers.

この混成集積回路装置(1)は第1図および第2図に示
す様に、集積回路基板(2)と、集積回路基板(2)上
に形成された所望形状の導電路(3)と、導電路(3)
と接続された不揮発性メモリーチップ(4)と、メモリ
ーチップ(4)からデータを供給され且つ基板(2)上
の導電路(3)と接続されたマイクロコンピュータ(5
)およびその周辺回路素子(6)と、基板(2)に一体
化され周端辺の所定の位置にくぼみ(7)が設けられた
ケース材(8)とをから構成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, this hybrid integrated circuit device (1) includes an integrated circuit board (2), a conductive path (3) of a desired shape formed on the integrated circuit board (2), Conductive path (3)
a non-volatile memory chip (4) connected to the microcomputer (5), which is supplied with data from the memory chip (4) and connected to the conductive path (3) on the substrate (2).
) and its peripheral circuit elements (6), and a case material (8) that is integrated with the substrate (2) and has depressions (7) at predetermined positions on the peripheral edge.

集積回路基板(2)はセラミックス、ガラスエポキシあ
るいは金属等の硬質基板が用いられ、本実施例では放熱
性および機械的強度に優れた金属基板を用いるものとす
る。
The integrated circuit board (2) is a hard substrate made of ceramics, glass epoxy, metal, or the like, and in this embodiment, a metal substrate with excellent heat dissipation and mechanical strength is used.

金属基板としては例えば0.5〜1. OITIm厚の
アルミニウム基板を用いる。その基板(2)の表面には
第3図に示す如く、周知の陽極酸化により酸化アルミニ
ウム膜(9)(アルマイト層)が形成され、その−主面
側に10〜70μ厚のエポキシあるいはポリイミド等の
絶縁樹脂層(10)が貼着される。更に絶縁樹Jf[(
10)上には10〜70μ厚の銅箔(11)が絶縁樹脂
層(10)と同時にローラーあるいはホットプレス等の
手段により貼着されている。
As a metal substrate, for example, 0.5 to 1. An aluminum substrate with a thickness of OITIm is used. As shown in Figure 3, an aluminum oxide film (9) (alumite layer) is formed on the surface of the substrate (2) by well-known anodic oxidation, and a 10-70μ thick epoxy or polyimide film is formed on the main surface side. An insulating resin layer (10) is attached. Furthermore, the insulation tree Jf [(
10) A copper foil (11) having a thickness of 10 to 70 μm is adhered thereon simultaneously with the insulating resin layer (10) by means of a roller or hot press.

基板(2)の−主面上に設けられた銅箔(11)表面上
にはスクリーン印刷によって所望形状の導電路を露出し
てレジストでマスクされ、貴金属(金、銀、白金)メッ
キ層が銅箔(11)表面にメッキされる。然る後、レジ
ストを除去して貴金属メ・ツキ層をマスクとして銅箔(
11)のエツチングを行い所望の導電路(3)が形成さ
れる。ここでスクリーン印刷による導電路(3)の細さ
は0.51[111が限界であるため、極細配線パター
ンを必要とするときは周知の写真蝕刻技術に依り約2μ
までの極細導電路(3)の形成が可能となる。
On the surface of the copper foil (11) provided on the -main surface of the substrate (2), a conductive path of a desired shape is exposed by screen printing and masked with a resist, and a precious metal (gold, silver, platinum) plating layer is formed. The surface of the copper foil (11) is plated. After that, the resist is removed and a copper foil (
Etching step 11) is performed to form a desired conductive path (3). Here, the thinness of the conductive path (3) by screen printing is limited to 0.51 [111], so when an ultra-fine wiring pattern is required, a well-known photo-etching technique is used to make the conductive path (3) approximately 2 μm thick.
It is possible to form ultrafine conductive paths (3) up to

導電路(3)上の所定の位置には不揮発性メモリーチッ
プ(4)とメモリーチップ(4)からデータを供給され
るマイクロコンピュータ(5)とその周辺の回路素子(
6)が搭載され導電路(3)と接続されている。導電路
(3)は基板(2)の略全面に延在形成され、基板(2
)の周端部に延在される導電路(3)の先端部はリード
固着パッドが形成され、そのパッドには外部リード端子
(12)が固着されている。その外部リード(12)は
取付は基板に取付けるために略直角に折曲げ形成されて
いる。
At predetermined positions on the conductive path (3) are a nonvolatile memory chip (4), a microcomputer (5) to which data is supplied from the memory chip (4), and its peripheral circuit elements (
6) is mounted and connected to the conductive path (3). The conductive path (3) is formed to extend over substantially the entire surface of the substrate (2).
) A lead fixing pad is formed at the tip of the conductive path (3) extending around the peripheral edge of the conductive path (3), and an external lead terminal (12) is fixed to the pad. The external lead (12) is bent at a substantially right angle for attachment to the board.

不揮発性メモリーチップ(4)としてE F ROM(
Erasable Programable Read
 0nly Memory )チップが用いられる(以
下不揮発性メモリーチ・7ブ(4)をEPROMチップ
という)、このEPROMチップ(4)は周知の如く、
フローティングゲートに蓄積されている電子(プログラ
ム・データ)を光を照射して励起させて未記憶状態のペ
レットに戻し再書込みして利用できる素子である。EP
ROMチップ(4)は市販されているもので、その形状
はチップ型であれば限定されるものではなく、本実施例
ではEPROMチップ(4)の説明を省略する。
E F ROM (
Erasable Programmable Read
As is well known, this EPROM chip (4) uses a non-volatile memory chip (4) (hereinafter referred to as an EPROM chip).
This is an element that can be used by irradiating the electrons (program data) stored in the floating gate with light to excite them and returning them to the pellet in an unmemorized state for rewriting. EP
The ROM chip (4) is commercially available, and its shape is not limited as long as it is a chip type, and a description of the EPROM chip (4) will be omitted in this embodiment.

一方、ケース材(8)は絶縁部材としての熱可塑性樹脂
から形成され、基板(2)と固着した際空間部が形成さ
れる様に箱状に形成されている。その箱状のケース材(
8)の周端部は基板(2)の略周端部に配置きれて接着
性を有したシール剤(Jシート:商品名)によって基板
(2)と強固に固着一体化される。この結果、基板(2
)とケース材(8)間に所定の封止空間部(14)が形
成されることになる。更に本実施例のケース材(8)の
周端辺の所定位置にはくぼみ(7)が設けられている。
On the other hand, the case material (8) is made of thermoplastic resin as an insulating member, and is formed into a box shape so that a space is formed when it is fixed to the substrate (2). The box-shaped case material (
The peripheral end portion of 8) is disposed substantially at the peripheral end portion of the substrate (2) and is firmly fixed and integrated with the substrate (2) using an adhesive sealant (J sheet: trade name). As a result, the substrate (2
) and the case material (8), a predetermined sealed space (14) is formed between the case material (8). Furthermore, a recess (7) is provided at a predetermined position on the peripheral edge of the case material (8) of this embodiment.

そのくぼみ〈7)はEPROMチップ(4〉及びEPR
OMチップ(4)と導電路(3)とを接続するボンディ
ングワイヤ線を露出する様な大きさで形成されている。
The recess (7) is the EPROM chip (4) and the EPR
The size is such that the bonding wire connecting the OM chip (4) and the conductive path (3) is exposed.

即ち、EPROMチップ(4)よりも大きく形成される
ことになる。
That is, it is formed larger than the EPROM chip (4).

ケース材(8)の周端辺に設けられたくぼみ(7)で露
出した基板(2)上の導電路(3)にはEPROMチッ
プ(4)がAgペースト、半田等のろう材によって固着
搭載され、くぼみ(7)で露出した基板(2)にはEP
ROMチップ(4)と接続される複数の導電路(3〉の
一端が形成される。その導電路(3)の一端とEPRO
Mチップ(4)とはA1ワイヤ等のボンディングワイヤ
線で超音波ボンディング接続が行われる。EPROMチ
ップ(4)とボンディング接続された導電路(3)の他
端はEPROMチップ(4)に接続して配置されたマイ
クロコンピュータ(5)の近傍に効率よく引回しされチ
ップ状のマイクロコンピュータ(5)とA!ボンディン
グワイヤを用いて超音波接続され電気に接続される。
The EPROM chip (4) is fixedly mounted on the conductive path (3) on the substrate (2) exposed by the recess (7) provided at the peripheral edge of the case material (8) using a brazing material such as Ag paste or solder. EP is applied to the substrate (2) exposed in the recess (7).
One end of a plurality of conductive paths (3) connected to the ROM chip (4) is formed.One end of the conductive path (3) and the EPRO
Ultrasonic bonding is performed with the M chip (4) using a bonding wire such as an A1 wire. The other end of the conductive path (3) bonded to the EPROM chip (4) is efficiently routed near the microcomputer (5) connected to the EPROM chip (4) and connected to the chip-shaped microcomputer (5). 5) and A! Ultrasonic connections are made using bonding wires to connect to electricity.

ここでEPROMチップ(4)とマイクロコンピュータ
〈5)との位置関係について述べる。第1図に示す如く
、EPROMチップ(4)とマイクロコンピュータ(5
)とは多数本の導電路(3)を介して接続されるため、
その導電路(3)の引回しを短くするためにEPROM
チップ(4)とマイクロコンピュータ(5)は夫々、隣
接する位置かあるいはできるだけ近傍に位置する様に配
置される。従ってEPROMチップ(4)とマイクロコ
ンピュータ(5)との導電路(3)の引回しは最短距離
で形成でき基板上の実装面積を有効に使用することがで
きる。
Here, the positional relationship between the EPROM chip (4) and the microcomputer (5) will be described. As shown in Figure 1, an EPROM chip (4) and a microcomputer (5)
) are connected via multiple conductive paths (3),
In order to shorten the wiring of the conductive path (3),
The chip (4) and the microcomputer (5) are arranged adjacent to each other or as close as possible to each other. Therefore, the electrically conductive path (3) between the EPROM chip (4) and the microcomputer (5) can be formed in the shortest distance, and the mounting area on the board can be used effectively.

EPROMチップ(4)とその近傍あるいは隣接した位
置に配置されたチップ状のマイクロコンピュータ(5)
は第1図の如く、マイクロコンピュータ(5)の近傍に
延在きれた導電路、(3)の先端部とAP等のワイヤ線
によって超音波ボンディング接続されEPROMチップ
(4)と電気的に接続される。
EPROM chip (4) and a chip-shaped microcomputer (5) placed near or adjacent to it
As shown in Fig. 1, the conductive path extends near the microcomputer (5), and the tip of (3) is connected by ultrasonic bonding with a wire such as AP, and is electrically connected to the EPROM chip (4). be done.

EPROMチップ(4)は第1図及び第2図から明らか
な如く、ケース材(8)の周端辺に設けたくぼみ(7)
で露出した基板(2)上に搭載され、そのくぼみ(7)
を形成する3方向の壁体く7a〉によって周囲を囲まれ
た構造となる。更に詳述すると3方向の壁体(7a)に
よって囲まれるのはEPROMチップ(4)とそのEP
ROMチップ(4)と近傍の導電路(3)とポンディン
グ接続するワイヤ線とが囲まれることになる。
As is clear from FIGS. 1 and 2, the EPROM chip (4) is inserted into the recess (7) provided on the peripheral edge of the case material (8).
It is mounted on the exposed board (2) and its recess (7)
It has a structure surrounded by walls 7a in three directions forming a structure. More specifically, what is surrounded by the walls (7a) in three directions is the EPROM chip (4) and its EP.
The ROM chip (4) and the nearby conductive path (3) and the wire line that makes the bonding connection are surrounded.

更に壁体(7a)によって囲まれた空間(7b)には1
層以上の樹脂が充填され、EPROMチップク4)及び
ワイヤ線がその樹脂によって完全に樹脂被覆されている
。EPROMチップ(4)上に直接被覆される第1層目
の樹脂はEPROMチップ(4)のデータを消去する場
合に紫外線を透過する必要があるため紫外線透過性樹脂
(15a)が用いられる。
Furthermore, in the space (7b) surrounded by the wall (7a), 1
It is filled with more than one layer of resin, and the EPROM chip 4) and wire lines are completely covered with the resin. The first layer of resin directly coated on the EPROM chip (4) is an ultraviolet transparent resin (15a) because it is necessary to transmit ultraviolet rays when erasing data on the EPROM chip (4).

紫外線透過性樹脂(15a)は非芳香族系であれば限定
されず、例えばメチル系シリコンゴムあるいはシリコン
ゲルが用いられる。
The ultraviolet-transparent resin (15a) is not limited as long as it is non-aromatic, and for example, methyl-based silicone rubber or silicone gel may be used.

本実施例では第1 J!J目の紫外線透過性樹脂(15
a)上に第2層目の樹脂層(15b)が充填されている
。第2層目の樹脂層は第1層とは異なりEPROMチッ
プ(4)誤消去を防止するために紫外線を遮断する紫外
線不透過性樹脂(15b)が用いられる。この紫外線不
透過性樹脂続1(15b)は芳香環(ベンゼン環)を含
んだ樹脂であれば限定されず、例えばエポキシ系あるい
はポリイミド系の樹脂が用いられ、ケース材(8)の上
面と略一致するまで充填されている。
In this example, the first J! J-th UV-transparent resin (15
a) A second resin layer (15b) is filled on top. Unlike the first layer, the second resin layer uses an ultraviolet opaque resin (15b) that blocks ultraviolet rays in order to prevent the EPROM chip (4) from being erroneously erased. This ultraviolet opaque resin series 1 (15b) is not limited to any resin as long as it contains an aromatic ring (benzene ring). For example, an epoxy or polyimide resin is used, and the upper surface of the case material (8) is approximately Filled until matched.

従ってEPROMチップ(4)だけが壁体(7a)によ
って囲まれ且つ樹脂被覆されて、他のマイクロコンピュ
ータ(5)およびその周辺の回路素子(6)はケース材
(8〉と基板(2)とで形成される封止空間(14)内
に配置されることになる。
Therefore, only the EPROM chip (4) is surrounded by the wall (7a) and coated with resin, and the other microcomputer (5) and its peripheral circuit elements (6) are surrounded by the case material (8> and the board (2)). It will be placed in a sealed space (14) formed by.

上述の如<EPROMチップ(4)と接続されるマイク
ロコンピュータ(5)およびその周辺の回路素子(6)
は基板(2)とケース材(8)で形成された封止空間部
(14)に配置する様に設定されている。即ち、チップ
状の電子部品および印刷抵抗、メッキ抵抗等の抵抗素子
の全ての素子が封止空間部(14)内に設けられている
As described above, the microcomputer (5) connected to the EPROM chip (4) and its peripheral circuit elements (6)
is set to be placed in a sealed space (14) formed by the substrate (2) and the case material (8). That is, all elements, including chip-shaped electronic components and resistance elements such as printed resistors and plated resistors, are provided within the sealed space (14).

ところで、本実施例では壁体(7a)で囲まれた空間(
7b)に紫外線透過性樹脂(15a)及び不透過性樹脂
(15b)の2層の樹脂構造からなるが、不透過性樹J
IW(L5b)の代りに第4図に示す如く、遮光用のシ
ール材(16〉をケース材(8)のくぼみ(7)上に接
着しても不透過性樹JM(15b)と同様に紫外線を完
全に遮断することができる。
By the way, in this embodiment, the space (
7b) consists of a two-layer resin structure of an ultraviolet-transparent resin (15a) and an impermeable resin (15b), but the impermeable resin J
As shown in Fig. 4, instead of IW (L5b), even if a light-shielding sealant (16) is glued onto the recess (7) of the case material (8), the same effect as with the impermeable wood JM (15b) will be obtained. It can completely block UV rays.

本実施例でEPROMチップ(4)のデータ消去を行う
場合は紫外線不透過性樹脂(15b)あるいはシール材
(16)を剥して紫外線を照射し、再書込みする場合は
EPROMチップ(4)上の紫外線透過性樹脂(15a
)も剥してボンディングされた近傍の導電路(3)にプ
ローブ等の端子を当接させ、書込み装置よりデータを書
込む。紫外線透過性樹脂(15a)を剥す場合、樹JI
W(15a)は弱い接着力のためにワイヤ線が切断する
ことはない。
In this embodiment, when erasing data on the EPROM chip (4), the ultraviolet opaque resin (15b) or sealing material (16) is peeled off and ultraviolet rays are irradiated, and when rewriting data, the data on the EPROM chip (4) is removed. UV-transparent resin (15a
) is also peeled off and a terminal such as a probe is brought into contact with the bonded conductive path (3), and data is written by the writing device. When removing the ultraviolet-transparent resin (15a), use the tree JI
W (15a) has a weak adhesive force so that the wire will not be cut.

以下に本発明を用いたモデム用の混成集積回路装置の具
体例を示す。
A specific example of a hybrid integrated circuit device for a modem using the present invention will be shown below.

先ス、モデム(MODEM)とはパーソナルコンピュー
タなどのデータ端末が扱うデジタル化されたデータを電
話回線を使って、お互に離れたところでデータ送受を行
うデータ通信のためにモデムが存在する。モデムの機能
はデジタル化されたデータを電話回線で使用できる周波
数を使って、データによる変調を行いアナログ信号にし
て電話回線に乗せることと、相手方から送られて来たデ
ータで変調されるアナログ信号を復調してデジタル化し
たデータに戻す機能を持つ。
What is a modem? A modem exists for data communication in which digitized data handled by a data terminal such as a personal computer is sent and received at a distance using a telephone line. The function of a modem is to modulate digitized data using the frequency that can be used on the telephone line, convert it into an analog signal, and send it on the telephone line, and to send an analog signal that is modulated with the data sent from the other party. It has the ability to demodulate and return to digitized data.

第5図に示したブロック図に基ついてモデムを簡単に説
明する。
The modem will be briefly explained based on the block diagram shown in FIG.

第5図は集積回路基板(2)上にモデムを搭載したとき
のブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram when the modem is mounted on the integrated circuit board (2).

モデムはパソコンより送信されたデータを内蔵するメモ
リー内に蓄積してそのデータを出力するDTEインター
フェース(21)と、DTEインターフェース(21)
より出力されたデータに基づいて所定の出力信号を出力
するマイクロコンピュータ(5)と、マイクロコンピュ
ータ(5)からアドレスされるデータを内蔵したE F
 ROM(4)と、マイクロコンピュータ(5)からの
出力信号を変復調しNCU(NETWORK  C0N
TR0L  UNIT)に出力する第1および第2の変
復調回路(22)(23)ト、マイクロコンピュータ(
5)からの出力信号に応じて所望のDTMF信号(トー
ン信号)を発生するDTMF発生器(24)とをから構
成されている。
The modem has a DTE interface (21) that stores data sent from the computer in its built-in memory and outputs the data, and a DTE interface (21).
A microcomputer (5) that outputs a predetermined output signal based on the data output from the microcomputer (5), and an E
The output signals from the ROM (4) and the microcomputer (5) are modulated and demodulated to the NCU (NETWORK C0N).
The first and second modulation/demodulation circuits (22) and (23) output to the microcomputer (TR0L UNIT).
5) and a DTMF generator (24) that generates a desired DTMF signal (tone signal) in response to the output signal from the DTMF generator (24).

DTEインターフェースは例えば5TC9610(セイ
コーエプソン)等のICより成り、第6図の如く、パソ
コンの出力信号を供給し、その出力信号を内蔵メモリー
内に蓄積してマイクロコンピュータ(5)へ出力する送
信メモリ一部(25)と、マイクロコンピュータ(5)
からの出力信号が供給される信号を内蔵メモリー内に蓄
積してパソコンへ出力する受信メモリ一部(26)と、
送信メモリ一部(25)および受信メモリ一部(26)
を介して入出力される夫々の信号を切替える制御部(2
7〉とからなり、パソコン(28)とマイクロコンピュ
ータ(5)とを接続するだめの所定の機能を有するもの
である。
The DTE interface consists of an IC such as 5TC9610 (Seiko Epson), and as shown in Figure 6, it has a transmitting memory that supplies output signals from the personal computer, stores the output signals in built-in memory, and outputs them to the microcomputer (5). Part (25) and microcomputer (5)
a receiving memory part (26) that accumulates the signal supplied with the output signal from the built-in memory and outputs it to the personal computer;
Part of transmitting memory (25) and part of receiving memory (26)
A control unit (2) that switches each signal input and output via
7>, and has a predetermined function of connecting the personal computer (28) and the microcomputer (5).

マイクロコンピュータ(5)は例えば5TC9620(
セイコーエプソン)等のICより成り、第7図の如く、
DTEインターフェース(21)から出力される出力信
号を認識するコマンド認識部と、コマンド認識部によっ
て認識された出力信号を解読するコマンド解読部と、コ
マンド解読部で解読された信号に基づいてメモリ一部の
データと比較し変復調回路へデータを供給するコマンド
実行部と、コマンド解読部のデータとメモリ一部内のデ
ータとの比較結果、誤ったデータがコマンド実行部に供
給された際にDTEインターフェース(21)に出力信
号を出力する応答コード生成部とからなる。
The microcomputer (5) is, for example, 5TC9620 (
It consists of ICs such as Seiko Epson), as shown in Figure 7.
A command recognition section that recognizes the output signal output from the DTE interface (21), a command decoding section that decodes the output signal recognized by the command recognition section, and a part of memory that decodes the signal decoded by the command decoding section. The DTE interface (21 ) and a response code generation unit that outputs an output signal to the output signal.

変復調回路(28)はマイクロコンピュータ(5)から
送信されるデジタル信号をアナログ信号に変換して、N
 CU部に送信する。また反対にNCU部から送信され
たアナログ信号をデジタル信号に変換してマイクロコン
ピュータ(5)へ送信するものであり、低速および中速
夫々のタイプの回路を備えている。第1の変復調回路〈
22)は300bpsの低速変復調回路であり、第2の
変復調回路(23)は1200bpgの中速変復調回路
である。夫々の第1および第2の変復調回路(22)(
23)はマイクロコンピュータ(5)により、いずれか
一方の変復調回路が選択される。
The modulation/demodulation circuit (28) converts the digital signal sent from the microcomputer (5) into an analog signal, and converts it into an analog signal.
Send to CU section. On the other hand, it converts the analog signal sent from the NCU section into a digital signal and sends it to the microcomputer (5), and includes low-speed and medium-speed circuits. First modulation/demodulation circuit
22) is a 300 bps low speed modulation/demodulation circuit, and the second modulation/demodulation circuit (23) is a 1200 bps medium speed modulation/demodulation circuit. Respective first and second modulation/demodulation circuits (22) (
23), one of the modulation and demodulation circuits is selected by the microcomputer (5).

DTMF発生器(24)はマイクロコンピュータ(5)
の5マント実行部より出力されたデータをCOL、RO
W夫々の入力端子に入力することで所定のDTMF信号
を発生し送信A M P (29a)に出力して電話回
線へ信号を供給する。
DTMF generator (24) is a microcomputer (5)
The data output from the 5 cloak execution part of COL, RO
A predetermined DTMF signal is generated by inputting it to each input terminal of W, and is output to the transmitting A M P (29a) to supply the signal to the telephone line.

EPROMチップ(4)内にはモデムの各種のモードを
設定するためのプログラムデータがメモリーされており
、マイクロコンピユータフ5)のアドレスに基づいてマ
イクロコンピュータ(5)に供給される。
Program data for setting various modes of the modem is stored in the EPROM chip (4), and is supplied to the microcomputer (5) based on the address of the microcomputer (5).

次にモデムの動作について簡単に説明する。Next, the operation of the modem will be briefly explained.

先ず、パソコン通信を開始するに当り、マイクロコンピ
ュータ<5)からの読出し信号に基づいて制御スイッチ
(29d)が動作し、所定のアドレスデータがEPRO
Mチップ(4)に供給され、そのアドレスに基づいたE
PROMチップ(4)のプログラム会データがマイクロ
コンピュータ(5)に供給され、通信を行う夫々のモデ
ムの通信規格(BE L L/CCI TT規格)、通
信速度(300/1200bps)、データファーマッ
トの一致、デツプスイッチモードの切替等の各種のモー
ドが一致しているかが確認される。
First, to start communication with a personal computer, the control switch (29d) operates based on a read signal from the microcomputer (<5), and predetermined address data is read from EPRO.
M chip (4) and based on its address E
The program data in the PROM chip (4) is supplied to the microcomputer (5), and the communication standard (BELL/CCI TT standard), communication speed (300/1200 bps), and data format of each modem that performs communication is supplied to the microcomputer (5). It is checked whether various modes such as matching and switching of depth switch mode match.

各種のモードが一致しているとすると、パソコンに応答
側のモデムの電話番号をキー人力する。
Assuming the various modes match, enter the answering modem's phone number into your computer.

その電話番号はパソコンとのインターフェース用のDT
Eインターフェース(21)に入力され、1話番号を解
読する為にマイクロコンピュータ(5〉に転送される。
The phone number is the DT for interfacing with the computer.
It is input to the E-interface (21) and transferred to the microcomputer (5) for decoding the episode number.

その解読した結果をDTMF発生器(24〉に送信し、
DTMF発生器(24)からDTMF信号が発信されそ
の信号は送信A M P (29a)、ライントランス
(29c )を介して一般電話回線へ転送される。
Send the decoded result to the DTMF generator (24),
A DTMF signal is transmitted from the DTMF generator (24) and transferred to the general telephone line via the transmitting A M P (29a) and the line transformer (29c).

転送されたDTMF信号は応答側のモデムに対して呼出
し信号を送出し、応答側のモデムは呼出し信号を受信し
て自動着信する。すると応答側のモデムは接続手順の為
のアンサ−トーン起呼側のモデムに対して送出する。
The transferred DTMF signal sends a paging signal to the modem on the responding side, and the modem on the responding side receives the paging signal and automatically receives the call. Then, the modem on the responding side sends an answer tone for the connection procedure to the modem on the calling side.

起呼側のモデムではライントランス(29c)、受信ア
ンプ(29b)を通り低速変復調回路(22)でそのア
ンサ−トーンが起呼側のモデムに対して所定のアンサ−
トーンであるか否かを検出する。所定のアンサ−トーン
であれば通信状態に入る。
In the modem on the calling side, the answer tone passes through a line transformer (29c) and a receiving amplifier (29b), and is sent to the low-speed modulation/demodulation circuit (22) as a predetermined answer to the modem on the calling side.
Detect whether it is a tone or not. If it is a predetermined answer tone, the communication state is entered.

通信状態となると、起呼側のパソコンのキーボードから
の所定のキー人力信号に基づいてパソコンからのパラレ
ルデータをDTEインターフェース(21)に入力し、
そのデータをマイクロコンピュータ(5)に転送する。
When the communication state is established, parallel data from the PC is input to the DTE interface (21) based on predetermined key manual signals from the keyboard of the calling party's PC,
The data is transferred to the microcomputer (5).

ここでパラレルデータをシリアルデータに変換する。シ
リアルデータに変換されたデジタル信号は低速変復調回
路(22)に送信される。ここでデジタル信号はアナロ
グ信号に変換きれ、それに対応した通信規格に基づいて
周波数変調FSXされ、送信A M P (29)、ラ
イントランス(32)を介して応答側のモデムに送信さ
れる。
Here, parallel data is converted to serial data. The digital signal converted into serial data is sent to a low-speed modulation/demodulation circuit (22). Here, the digital signal is converted into an analog signal, subjected to frequency modulation FSX based on the corresponding communication standard, and transmitted to the modem on the responding side via the transmission A M P (29) and line transformer (32).

一方、応答側のパソコンのキー人力信号によって送出し
た周波数変調のアナログ信号は起呼側のモデムに送出さ
れ、ライントランス(29c)、受信A M P (2
9b)を介して低速変復調回路<22)に入力される。
On the other hand, the frequency-modulated analog signal sent by the key input signal of the personal computer on the responding side is sent to the modem on the calling side, and is sent to the line transformer (29c) and the receiving A M P (2
9b) to the low-speed modulation/demodulation circuit <22).

ここでアナログ信号はデジタル信号に変換されDTEイ
ンターフェース(21)に入力され、シリアルデジタル
信号からパラレルデジタル信号に変換されて起呼側のパ
ソコンに入力される。その結果起呼側ヘパソコンと応答
側のパソコンは全二重通信ができる様になりパソコン通
信が実現する。
Here, the analog signal is converted to a digital signal and input to the DTE interface (21), and the serial digital signal is converted to a parallel digital signal and input to the calling side personal computer. As a result, full duplex communication between the calling side personal computer and the responding side personal computer becomes possible, and personal computer communication is realized.

第8図は第4図で示したモデム回路を本実施例で用いた
基板(2)上に実装した場合の平面図であり、実装され
る回路素子の図番量は同一番号とする。EPROMチッ
プ(4)とマイクロコンピュータ(5)との接続はパス
ラインで示す。尚、複数の回路素子を接続する導電路は
煩雑のため省略する。
FIG. 8 is a plan view when the modem circuit shown in FIG. 4 is mounted on the substrate (2) used in this embodiment, and the circuit elements to be mounted have the same figure numbers. The connection between the EPROM chip (4) and the microcomputer (5) is shown by a pass line. Note that the conductive paths connecting the plurality of circuit elements are omitted because they are complicated.

第8図に示す如く、基板(2)の対向する周端部には外
部リード端子(12)が固着される複数の固着用パッド
(3a)が設けられている。固着パッド(3a)から延
在される導電路り3)上清定位置には複数の回路素子お
よびEPROMチップ(4)が固着される。上述した如
き、斯る基板<2)上にはEPROMチップ(4)およ
びマイクロコンピュータ(5)を含む複数の回路素子が
固着されており、(21)はDTEインターフェース、
(22) (23)は第1および第2の変復調回路、(
24)はDTMF発生回路、(29a)はE P RO
M(4)を制御する制御スイッチ、(5)はマイクロコ
ンピュータ、(6)はコンデンサー等のチップ部品であ
る。
As shown in FIG. 8, a plurality of fixing pads (3a) to which external lead terminals (12) are fixed are provided on opposing peripheral edges of the substrate (2). A plurality of circuit elements and an EPROM chip (4) are fixed to the conductive path 3) extending from the fixing pad (3a) at the superposition position. As mentioned above, a plurality of circuit elements including an EPROM chip (4) and a microcomputer (5) are fixed on the substrate <2), and (21) is a DTE interface,
(22) (23) are the first and second modulation/demodulation circuits, (
24) is the DTMF generation circuit, (29a) is the E PRO
A control switch controls M(4), (5) is a microcomputer, and (6) is a chip component such as a capacitor.

第8図に示す如く、マイクロコンピュータ(5)の近傍
あるいは隣接する位置にEPROMテップ(4)が固着
される。マイクロコンピュータ(5)の近傍あるいは隣
接する位置にEPROMチップ(4)を固着することで
、マイクロコンピュータ(5)とEPROMチップク4
)とのパスライン、即ら導電路(3)の引回し線の距離
を最短でしかも最小の距離で引回すことができ、他の実
装パターンを有効に使用できると共に高密度実装が行え
る。尚、一点鎖線で囲まれた領域は接着シートでケース
材(8)が固着される領域を示す。
As shown in FIG. 8, an EPROM chip (4) is fixed near or adjacent to the microcomputer (5). By fixing the EPROM chip (4) near or adjacent to the microcomputer (5), the microcomputer (5) and the EPROM chip 4 can be connected.
), that is, the wiring line of the conductive path (3) can be routed at the shortest possible distance, and other mounting patterns can be used effectively and high-density packaging can be achieved. Note that the area surrounded by the dashed line indicates the area to which the case material (8) is fixed with the adhesive sheet.

第9図は第8図で示した基板(2)上にケース材(8)
を固着したときのモデム用の混成集積回路装置の完成品
の平面図であり、ケース材(8)の上面からはEPRO
Mチップ(4)上に被覆された第2の樹脂層(15b)
の上面のみが露出された状態となる。即ち、EFROM
(4)以外の他の素子は全てケース材(8)と基板(2
)とで形成された封止空間(14)内に封止される。
Figure 9 shows a case material (8) on the board (2) shown in Figure 8.
It is a plan view of the completed product of the hybrid integrated circuit device for a modem when the EPRO
Second resin layer (15b) coated on M chip (4)
Only the top surface of the is exposed. That is, EFROM
All other elements except (4) are the case material (8) and the board (2).
) is sealed within a sealed space (14) formed by.

断る本発明に依れば、ケース材(8)の周端辺の所望位
置にくぼみ(7)を設け、そのくぼみ(7)で露出した
基板(2)上の導電路(3)にEPROMチップ(4〉
を接続し隣接する導電路(3)とワイヤ線で接続し、基
板(2)とケース材(8)とで形成された封止空間(1
4)にマイクロコンピュータ(5)および他の回路素子
(6)を固着することにより、混成集積回路とEPRO
Mチップ(4)との一体化した装置が極めて小型化に行
える大きな特徴を有する。
According to the present invention, a recess (7) is provided at a desired position on the peripheral edge of the case material (8), and an EPROM chip is inserted into the conductive path (3) on the substrate (2) exposed by the recess (7). (4)
is connected to the adjacent conductive path (3) by a wire line, and the sealed space (1) formed by the substrate (2) and the case material (8) is connected.
By fixing a microcomputer (5) and other circuit elements (6) to 4), a hybrid integrated circuit and an EPRO
The device integrated with the M chip (4) has the great feature of being extremely compact.

(ト)発明の効果 以Fに詳述した如く、本発明に依れば、第1にケース材
(8)の周端辺の所望位置にくぼみ(7)を設け、その
くぼみ(7〉で露出した基板(2)上の導電路(3)に
EPROMチップ(4)を接続しているので、E P 
ROM(4)の載置位置を任意に選定できる利点を有す
る。このため内蔵するマイクロコンピュータとの電気的
接続を考慮して、効率良くEPROMチップ(4)とマ
イクロコンピュータ(5)とを接続でき信号線の引回し
を不要にできる。更に詳述すると、EPROMチップ(
4)の隣接する位置に最も関連の深いマイクロコンピュ
ータ(5)を配置でき、その結果EPROMチップ(4
)とマイクロコンピュータ(5)間のデータのやりとり
を行うデータ線を最短距離あるいは最も設計容易なレイ
アウトで実現でき、データ線の引回しによる実装密度の
ロスを最小限に抑制できる。
(G) Effects of the Invention As detailed in Section F, according to the present invention, firstly, a recess (7) is provided at a desired position on the peripheral edge of the case material (8), and the recess (7>) Since the EPROM chip (4) is connected to the conductive path (3) on the exposed substrate (2), the E P
This has the advantage that the mounting position of the ROM (4) can be arbitrarily selected. Therefore, considering the electrical connection with the built-in microcomputer, the EPROM chip (4) and the microcomputer (5) can be efficiently connected, making it unnecessary to route signal lines. To explain in more detail, the EPROM chip (
The most closely related microcomputer (5) can be placed adjacent to the EPROM chip (4).
) and the microcomputer (5) can be realized with the shortest distance or the easiest layout, and loss in packaging density due to data line routing can be minimized.

第2にケース材(8)の周端辺の所望位置のくぼみ(7
)にEPROMチップ(4)を配置していると共に、集
積回路基板(2)上の組込むマイクロコンピュータおよ
びその周辺回路素子の実装密度を向上することにより、
従来必要とされたプリント基板を廃止でき、極めて小型
化のEPROMチップ(4)を内蔵する混成集積回路装
置を実現できる。
Second, make a depression (7) at a desired position on the peripheral edge of the case material (8).
) by arranging the EPROM chip (4) and improving the mounting density of the microcomputer and its peripheral circuit elements on the integrated circuit board (2).
The conventionally required printed circuit board can be eliminated, and a hybrid integrated circuit device incorporating an extremely miniaturized EPROM chip (4) can be realized.

第3に集積回路基板(2)として金属基板を用いること
により、その放熱効果をプリント基板に比べて大幅に向
上でき、より実装密度の向上に寄与できる。また導電路
(3)として銅箔(11)を用いることにより、導電路
(3)の抵抗値を導電ペーストより大幅に低減でき、実
装される回路をプリント基板と同等以上に拡張できる。
Thirdly, by using a metal substrate as the integrated circuit board (2), its heat dissipation effect can be greatly improved compared to that of a printed circuit board, which can further contribute to an improvement in packaging density. Furthermore, by using copper foil (11) as the conductive path (3), the resistance value of the conductive path (3) can be significantly reduced compared to conductive paste, and the circuit to be mounted can be expanded to the same level or more than that of a printed circuit board.

第4にEPROMチップ(4)と接続されるマイクロコ
ンピュータ(5〉およびその周辺回路素子(6)はケー
ス材(8)と集積回路基板(2)とで形成される封止空
間(14)にグイ形状あるいはチップ形状で組み込まれ
るので、従来のプリント基板の様に樹脂モールドしたも
のに比較して極めて占有面積が小さくなり、実装密度の
大幅に向上できる利点を有する。
Fourth, the microcomputer (5) connected to the EPROM chip (4) and its peripheral circuit elements (6) are placed in a sealed space (14) formed by the case material (8) and the integrated circuit board (2). Since it is incorporated in the shape of a stick or chip, it occupies an extremely small area compared to a conventional printed circuit board molded with resin, and has the advantage of greatly improving packaging density.

第5にケース材(8〉と集積回路基板(2)の周端を実
質的に一致させることにより、集積回路基板(2)のほ
ぼ全面を封止空間(14)として利用でき、実装密度の
向上と相まって極めてコンパクトな混成集積回路装置を
実現できる。
Fifth, by substantially matching the peripheral edges of the case material (8) and the integrated circuit board (2), almost the entire surface of the integrated circuit board (2) can be used as a sealed space (14), which reduces the packaging density. Combined with this improvement, an extremely compact hybrid integrated circuit device can be realized.

第6にEPROMチップ(4)上には遮光用の樹JIi
&居(15b)が設けられているため、EPROMチッ
プ(4)を保護することができると共に遮光ができ且つ
EPROMチップ(4)とくぼみ(7)のすき間も封止
できる利点を有する。
Sixth, there is a light shielding tree JIi on the EPROM chip (4).
Since the groove (15b) is provided, it has the advantage of being able to protect the EPROM chip (4), shielding from light, and sealing the gap between the EPROM chip (4) and the recess (7).

第7に集積回路基板(2)の−辺あるいは相対向する辺
から外部リード(12)を導出でき、極めて多ビンの混
成集積回路装置を実現できる利点を有する。
Seventhly, the external lead (12) can be led out from the negative side or the opposite side of the integrated circuit board (2), which has the advantage of realizing a hybrid integrated circuit device with an extremely large number of bins.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本実施例を示す斜視図、第2図は第1図のI−
I断面図、第3図は実施例で用いる基板の断面図、第4
図は他の実施例を示す断面図、第5図は本実施例で用い
たモデムを示すブロック図、第6図は第5図で示したモ
デムのDTEインターフェースを示すブロック図、第7
図は第5図で示したモデムのマイクロコンピュータを示
すブロック図、第8図は第5図で示したブロック図を基
板上に実装したときの平面図、第9図は第8図に示した
基板上にケース材を固着したときの平面図、第10図お
よび第11図は従来のEFROM実装構造を示す断面図
である。 (1)・・・混成集積回路装置、 (2)・・・集積回
路基板、 (3)・・・導電路、 (4)・・・EPR
OMチップ、(5)・・・マイクロコンピュータ、 (
6)・・・回路素子、(7)・・・くぼみ、 (7a)
・・・壁体、 (8)・・・ケース材、(15a)・・
・紫外線透過性樹脂、 (15b)・・・紫外線不透過
性樹脂。
Fig. 1 is a perspective view showing this embodiment, and Fig. 2 is an I-
I sectional view, Figure 3 is a sectional view of the substrate used in the example,
The figure is a sectional view showing another embodiment, FIG. 5 is a block diagram showing the modem used in this embodiment, FIG. 6 is a block diagram showing the DTE interface of the modem shown in FIG. 5, and FIG.
The figure is a block diagram showing the microcomputer of the modem shown in Fig. 5, Fig. 8 is a plan view of the block diagram shown in Fig. 5 mounted on a board, and Fig. 9 is the block diagram shown in Fig. 8. A plan view when the case material is fixed on the board, and FIGS. 10 and 11 are cross-sectional views showing a conventional EFROM mounting structure. (1)...Hybrid integrated circuit device, (2)...Integrated circuit board, (3)...Conducting path, (4)...EPR
OM chip, (5)...microcomputer, (
6)...Circuit element, (7)...Indentation, (7a)
... Wall body, (8) ... Case material, (15a) ...
- UV-transparent resin, (15b)...UV-impermeable resin.

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)集積回路基板と、 前記基板上に形成された所望のパターンを有する導電路
と、 前記導電路に接続された不揮発性メモリーチップと、 前記メモリーからデータを供給され且つ前記基板上の導
電路と接続されたマイクロコンピュータおよびその周辺
回路素子と、 前記基板に一体化されたケース材とを具備し、前記ケー
ス材の周端辺の所望位置にくぼみを設け、前記くぼみで
露出した前記基板上の前記導電路に前記不揮発性メモリ
ーチップを固着し、前記不揮発性メモリーチップの電極
と所望の前記導電路をボンディングワイヤで接続し、前
記基板と前記ケース材で形成された封止空間に前記マイ
クロコンピュータおよびその周辺回路素子を配置したこ
とを特徴とする混成集積回路装置。
(1) An integrated circuit board, a conductive path having a desired pattern formed on the substrate, a non-volatile memory chip connected to the conductive path, and a conductive path on the substrate that is supplied with data from the memory. a microcomputer and its peripheral circuit elements connected to a circuit, and a case material integrated with the substrate, a recess being provided at a desired position on a peripheral edge of the case material, and the substrate exposed in the recess. The nonvolatile memory chip is fixed to the conductive path on the top, and the electrodes of the nonvolatile memory chip and the desired conductive path are connected with bonding wires, and the A hybrid integrated circuit device characterized by arranging a microcomputer and its peripheral circuit elements.
(2)前記集積回路基板として表面を絶縁した金属基板
を用いたことを特徴とする請求項1記載の混成集積回路
装置。
(2) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein a metal substrate whose surface is insulated is used as the integrated circuit board.
(3)前記導電路として銅箔を用いたことを特徴とする
請求項1記載の混成集積回路装置。
(3) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein copper foil is used as the conductive path.
(4)前記くぼみに紫外線を透過する樹脂を注入した封
止樹脂層で前記不揮発性メモリーチップを封止すること
を特徴とする請求項1記載の混成集積回路装置。
(4) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the nonvolatile memory chip is sealed with a sealing resin layer in which a resin that transmits ultraviolet rays is injected into the recess.
(5)前記くぼみ内の封止樹脂層上に紫外線を遮断する
シール樹脂層を設けたことを特徴とする請求項4記載の
混成集積回路装置。
(5) The hybrid integrated circuit device according to claim 4, characterized in that a sealing resin layer for blocking ultraviolet rays is provided on the sealing resin layer in the recess.
(6)前記シール樹脂層の上面と前記ケース材の上面と
を実質的に一致させたことを特徴とする請求項5記載の
混成集積回路装置。
(6) The hybrid integrated circuit device according to claim 5, wherein the upper surface of the sealing resin layer and the upper surface of the case material are substantially aligned.
(7)前記くぼみを覆うように前記ケース材上面にシー
ル材を接着することを特徴とする請求項4記載の混成集
積回路装置。
(7) The hybrid integrated circuit device according to claim 4, wherein a sealing material is adhered to the upper surface of the case material so as to cover the recess.
(8)前記マイクロコンピュータは前記導電路上にダイ
形状で組み込まれることを特徴とする請求項1記載の混
成集積回路装置。
(8) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the microcomputer is incorporated in the form of a die on the conductive surface.
(9)前記周辺回路素子としてチップ抵抗、チップコン
デンサーを用いることを特徴とする請求項1記載の混成
集積回路装置。
(9) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein a chip resistor or a chip capacitor is used as the peripheral circuit element.
(10)前記ケース材の周端部を前記基板の周端部と前
記くぼみを除いてほぼ一致させたことを特徴とする請求
項1記載の混成集積回路装置。
(10) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the peripheral edge of the case material substantially coincides with the peripheral edge of the substrate except for the recess.
(11)前記くぼみを設けた辺を除く一辺から外部リー
ドを導出することを特徴とする請求項1記載の混成集積
回路装置。
(11) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the external lead is led out from one side excluding the side where the recess is provided.
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