JPH02303150A - Hybrid integrated circuit device - Google Patents

Hybrid integrated circuit device

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JPH02303150A
JPH02303150A JP1124912A JP12491289A JPH02303150A JP H02303150 A JPH02303150 A JP H02303150A JP 1124912 A JP1124912 A JP 1124912A JP 12491289 A JP12491289 A JP 12491289A JP H02303150 A JPH02303150 A JP H02303150A
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integrated circuit
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chip
circuit device
hybrid integrated
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Koji Nagahama
長浜 浩二
Akira Kazami
風見 明
Hisashi Shimizu
清水 永
Osamu Nakamoto
中本 修
Katsumi Okawa
克実 大川
Yasuhiro Koike
保広 小池
Masao Kaneko
正雄 金子
Seiwa Ueno
上野 聖和
Yasuo Saito
斎藤 保雄
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

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Abstract

PURPOSE:To arbitrarily select a mounting position of an EPROM chip by a method wherein a hollow is formed in a desired position at a peripheral end part of one substrate and the EPROM is connected to conductive paths on the other substrate exposed by the hollow. CONSTITUTION:A hollow 4 is formed in a prescribed position at a peripheral end side of one substrate 2 out of two substrates 2, 3. These substrates 2, 3 are fixed and bonded by using a case material 9 so as to keep a prescribed distance. During this process, an EPROM chip 6 is fixed and bonded, by using a brazing material such as an Ag paste, a solder or the like, onto conductive paths 5 on the other substrate 3 exposed by the hollow 4 formed at the peripheral end side of one substrate 2; ends, at one side, of a plurality of conductive paths 5 connected to the EPROM chip 6 are extended on the other substrate 3 exposed by the hollow 4. The conductive paths 5 and the EPROM 6 are ultrasonically bonded and connected by using Al wires. The case material 9 and both substrates 2, 3 are united; a resin layer at connection parts is exposed; the exposed connection parts are sealed completely with a lid body 20.

Description

【発明の詳細な説明】 (イ〉産業上の利用分野 本発明は集積回路基板にチップ型の不揮発性メモリ、例
えばEFROM(紫外線消去形プログラマブル・リード
・オンリ・メモリー)を実装してなるEPROM内蔵型
の混成集積回路装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (A) Industrial Application Field The present invention relates to a built-in EPROM in which a chip-type non-volatile memory, such as an EFROM (ultraviolet erasable programmable read-only memory) is mounted on an integrated circuit board. The present invention relates to a type of hybrid integrated circuit device.

(ロ)従来の技術 紫外線を照射することによって既に書込まれた記憶情報
を消去し、再書込みが可能な紫外線照射窓を有するEP
ROM素子は、各種電子機器に好んで用いられている。
(b) Conventional technology An EP having an ultraviolet irradiation window that can erase and rewrite previously written memory information by irradiating it with ultraviolet rays.
ROM elements are favorably used in various electronic devices.

このEPROM素子は、制御用或は駆動用集積回路と共
に現在、その殆んとがプリント配線板に実装されており
、一旦書込んだ情報をその後、書き直すために通常、着
脱容易なプリント配線板に実装されている。各種電子機
器で小型軽量化が要求きれる機器は、チップ・オン・ボ
ードと称される技法によってプリント配線板に半導体集
積回路(IC)チップが直接搭載され、所要の配線が施
された後この配線部分を含んで前記ICチップが合成樹
脂によって被覆され、極めて小形軽量化が達成されてい
る。
Currently, most of these EPROM elements are mounted on printed wiring boards together with control or driving integrated circuits, and in order to rewrite the information once written, they are usually mounted on easily removable printed wiring boards. Implemented. For various types of electronic equipment that are required to be smaller and lighter, a semiconductor integrated circuit (IC) chip is directly mounted on a printed wiring board using a technique called chip-on-board, and after the required wiring is done, this wiring is removed. The IC chip, including its parts, is coated with a synthetic resin, making it extremely compact and lightweight.

一方紫外線照射窓を必要とするEPROMチップは、こ
の照射窓がネックとなり未だサーディツプ型パッケージ
に組込まれて製造され、プリント配線板に実装されてい
るため小型軽量化が図れない。
On the other hand, EPROM chips that require an ultraviolet irradiation window cannot be made smaller and lighter because the irradiation window is a bottleneck and they are still manufactured in a cerdip package and mounted on a printed wiring board.

かかる従来のEPROM素子の実装構造を第11図に従
って説明すると、第11図は従来のEPROM素子の一
部断面を有する斜視図であって、主表面上に導電性配線
パターン(41)が形成されたガラス・エポキシ樹脂な
どから構成された絶縁性基板(42)のスルーホール(
43)にサーディツプ型パッケージに組込まれEPRO
M素子(44)が搭載されている。このEPROM素子
(44)はヘッダー(45)およびキャップ(46)を
有し、前記ヘッダー(45)はセラミック基材(47)
に外部導出リード(48)か低融点ガラス材で接着され
ている。又このヘッダー(45)はガラスに金粉が多量
に混入したいわゆる金ペーストを焼結した素子搭載部(
50)が前記低融点ガラス材上或はセラミック基材(4
7)上に接着されており、この素子搭載部(50)にE
PROMチップ(51)が紫外線照射面を上にして装着
され、このチップ〈51)の電極と前記外部導出リード
(48)とが金属細線(52)によって接続されている
。前記キャップ(46)は襠部材であって、前記EPR
OMチップ(51)の紫外線照射面と対向する部分に窓
(53)を有するセラミック基材(54)を含み、この
キャップ(46)は低融点ガラスによってヘッダー(4
5)に配置されたEPROMチップ(51)を密封して
いる。この様にEPROMチップ(51)を密封したE
PROM素子<44)は、前記絶縁性基板(42)のス
ルーホール(43)に外部導出リード(48)を挿通さ
せ半田によって固定される。このスルーホール(43)
は導電性配線パターン(41)によって所要の配線引回
しが施きれ、前記絶縁性基板の端部に設けられた雄型コ
ネクタ端子部(55)から図示しない雌型コネクタへと
接続される。
The mounting structure of such a conventional EPROM element will be explained with reference to FIG. 11. FIG. 11 is a perspective view with a partial cross section of a conventional EPROM element, in which a conductive wiring pattern (41) is formed on the main surface. Through holes (
43) is incorporated into a cerdip type package and the EPRO
An M element (44) is mounted. This EPROM element (44) has a header (45) and a cap (46), said header (45) having a ceramic substrate (47).
An external lead (48) or a low melting point glass material is bonded to the external lead (48). Also, this header (45) is made of an element mounting part (45) made by sintering so-called gold paste, which is glass mixed with a large amount of gold powder.
50) on the low melting point glass material or the ceramic substrate (4
7) is glued on the top, and the E
A PROM chip (51) is mounted with the ultraviolet irradiation surface facing upward, and the electrodes of this chip (51) and the external leads (48) are connected by thin metal wires (52). The cap (46) is a gusset member, and the EPR
The cap (46) includes a ceramic base material (54) having a window (53) in a portion facing the ultraviolet irradiation surface of the OM chip (51), and the cap (46) is connected to the header (4) by a low melting point glass.
5) is sealed. The EPROM chip (51) is sealed in this way.
The PROM element <44) is fixed by soldering by inserting an external lead (48) into the through hole (43) of the insulating substrate (42). This through hole (43)
The conductive wiring pattern (41) provides the required wiring, and the male connector terminal portion (55) provided at the end of the insulating substrate is connected to a female connector (not shown).

さて、かかる従来のEPROM素子の実装構造は、EP
ROMチップ〈51)に比へパッケージ外形が極めて大
きく、平面占有率もさることながら三次元、つまり高さ
もチップの高さの数倍となり、薄型化に極めて不利であ
る。更にスルーポール(43)に外部導出リードを挿通
した後、半田なとて固定する必要も生ずる。更に特筆す
べき大きな欠点は、絶縁性基板への実装に先立ってEP
ROM素子を一旦パッケージに組立てることである。E
PROM素子は紫外線照射用の窓を有するが故、そのパ
ッケージは、セラミックスを基材としたサーディツプ型
パッケージに組立てられるが、このパッケージは低融点
ガラスにより封止される為、高温(400〜500℃)
シールとなり、EPROMチップの電極(アルミニウム
)と外部導出リードとを接続する金属細線を同種材料で
構成しないとアロイ化が起り配線抵抗の増加を来したり
、断線を生じたりする。この様な事態を回避する目的で
通常アルミニウム細線が用いられるが、このEPROM
チップはサブストレートを接地電位にする必要上、EP
ROMチップの接地電極を金ペーストで形成されたチッ
プ搭載部とワイヤ接続する。ここに於ても金ペースト中
の金或はおよび箔等の金属と前記アルミニウムとで二次
或は多元合金反応が進むことから、グランドダイスと呼
ばれる頭部にアルミニウムが被着されたシリコン小片を
EPROMチップと別個に前記金ペーストより成るチッ
プ搭載部に固着させ、このグランドダイス頭部とEPR
OMチップの接地電極とを接続するという極めて煩雑な
作業を伴う等、従来の実装構造は、小型、軽量、低価格
のいずれも不満足なものである。
Now, the mounting structure of such a conventional EPROM element is
Compared to the ROM chip (51), the package external shape is extremely large, and not only the surface area is occupied, but the chip is also three-dimensional, that is, the height is several times the height of the chip, which is extremely disadvantageous for thinning. Furthermore, after inserting the external lead through the through pole (43), it becomes necessary to fix it with solder. Another major drawback that should be noted is that EP
The process involves assembling the ROM element into a package once. E
Since the PROM element has a window for irradiating ultraviolet rays, its package is assembled into a ceramic-based cerdip-type package, but since this package is sealed with low-melting glass, it cannot be heated to high temperatures (400 to 500°C). )
If the thin metal wires that serve as a seal and connect the electrodes (aluminum) of the EPROM chip and the external leads are not made of the same material, alloying will occur, resulting in an increase in wiring resistance or disconnection. To avoid such a situation, thin aluminum wire is usually used, but this EPROM
Since the chip needs to have the substrate at ground potential, EP
The ground electrode of the ROM chip is connected by wire to the chip mounting portion formed of gold paste. Here, too, a secondary or multi-component alloy reaction progresses between the gold or metals such as foil in the gold paste and the aluminum, so a small piece of silicon whose head is coated with aluminum, called a ground die, is used. Separately from the EPROM chip, it is fixed to the chip mounting part made of the gold paste, and this ground die head and the EPR
Conventional mounting structures are unsatisfactory in terms of small size, light weight, and low cost, as they involve extremely complicated work of connecting the OM chip to the ground electrode.

斯る問題を解決するために第12図に示したEPROM
実装構造がある。
In order to solve this problem, the EPROM shown in FIG.
There is an implementation structure.

以下に第12図に示したEPROM実装構造について説
明する。
The EPROM mounting structure shown in FIG. 12 will be explained below.

主表面(60a)に導電性配線パターン(60b)が形
成されたガラス・エポキシ樹脂板などの絶縁性基板(6
0)は、EPROMチップ(61〉を載置するチップ搭
載エリヤ(60c)を有し、前記配線パターン(60b
)は、このエリヤ近傍から主表面(60a)上を引回さ
れて図示しない雄型コネクタ端子部に接続されている。
An insulating substrate (6
0) has a chip mounting area (60c) on which an EPROM chip (61> is mounted, and the wiring pattern (60b)
) is routed from near this area on the main surface (60a) and connected to a male connector terminal portion (not shown).

前記エリヤ(60c)には、EPROMテップ(61)
が搭載され、このチップ(61〉の表面電極と前記配線
パターン<60b)とが金属細線(62)により接続さ
れている。勿論金属細線(62)の1本は前記チップ<
61)のサブストレートと接続する為に、このチップ(
61)が搭載された配線パターン(60b)とワイヤリ
ングされている。前記EPROMチップ(61)の紫外
線照射面(61a)上には紫外線透過性樹脂(63) 
(、例えば東し社製、型名TX−978)を介して、紫
外線透過性窓材(64)が固着されている。この窓材(
64)は、石英、透明アルミナ等、公知の紫外線透過性
材料である。そして、前記窓材(64)の頂部面(64
a)は、EPROMチップ(61)の紫外線照射面に光
を導入する面であるから、この頂部面(64a)を除い
た残余の窓材(64)部分と、金属細線(62)と、こ
の金属細線り62)と前記配線パターン(60b)との
接続部分とが合成樹脂(65) (例えば日東電工社製
、型名MP−10)で被覆されている。もし、絶縁性基
板(60)と、EPROMチップ(61)と窓材(64
)とを加えた総合厚さ寸法を更に低くする必要があれば
、前記基板(60)のチップ搭載エリヤ(60c)をザ
グリ穴としてこの基板(60)の厚さの半分程度握れば
良い。又この様なザグリ穴としておけば、合成樹脂(6
5)の流れ止めダムが形成され湿気などの浸入に対して
有効に作用する。
The area (60c) has an EPROM step (61).
is mounted, and the surface electrode of this chip (61>) and the wiring pattern <60b) are connected by a thin metal wire (62). Of course, one of the thin metal wires (62) is connected to the tip <
In order to connect to the substrate of 61), this chip (
61) is wired with the wiring pattern (60b) mounted thereon. A UV-transparent resin (63) is placed on the UV-irradiated surface (61a) of the EPROM chip (61).
(for example, manufactured by Toshisha Co., Ltd., model name TX-978), an ultraviolet-transparent window material (64) is fixed thereto. This window material (
64) is a known ultraviolet transparent material such as quartz or transparent alumina. Then, the top surface (64) of the window material (64)
Since a) is the surface that introduces light to the ultraviolet irradiation surface of the EPROM chip (61), the remaining window material (64) portion excluding this top surface (64a), the thin metal wire (62), and this The connection portion between the thin metal wire 62) and the wiring pattern (60b) is covered with a synthetic resin (65) (for example, manufactured by Nitto Denko, model name MP-10). If the insulating substrate (60), EPROM chip (61) and window material (64)
) If it is necessary to further reduce the total thickness dimension including the above, the chip mounting area (60c) of the substrate (60) can be counterbored and gripped by about half the thickness of the substrate (60). Also, if you make counterbore holes like this, synthetic resin (6
5) The flow stop dam is formed and acts effectively against the infiltration of moisture.

第11図および第12図で示したEPROM実装構造は
特開昭60−83393号公報(1405に1/18)
に記載されている。
The EPROM mounting structure shown in Fig. 11 and Fig. 12 is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-83393 (1/18 to 1405).
It is described in.

(ハ)発明が解決しようとする課題 第12図で示したEPROM実装構造ではEPROMの
チップをプリント基板上にダイボンディングしているた
め、小型化となることはいうまでもない。しかしながら
、ここでいう小型化はあくまでEPROM自体の小型化
である。即ち、第12図からは明らかにされていないが
EPROMの周辺に固着されているマイクロコンピュー
タおよびその周辺回路素子はディスクリート等の電子部
品で構成されているために、EPROMを搭載したプリ
ント基板用の集積回路としてのシステム全体を見た場合
なんら小型化とはならず従来通りプリント基板の大型化
、即ちシステム全体が大型化になる問題がある。また、
第11図に示した実装構造においても第14図と同様に
EPROMの周辺の回路、即ち、マイクロコンピュータ
やその周辺LSI、IC等の回路素子がディスクリート
等の電子部品で構成されているため、プリント基板の大
型化、即ちシステム全体が大型化となりユーザが要求さ
れる軽薄短小のEFROM搭載の集積回路を提供するこ
とができない大きな問題がある。
(c) Problems to be Solved by the Invention In the EPROM mounting structure shown in FIG. 12, since the EPROM chip is die-bonded onto the printed circuit board, it goes without saying that it is miniaturized. However, the miniaturization referred to here is only the miniaturization of the EPROM itself. In other words, although it is not clear from FIG. 12, the microcomputer and its peripheral circuit elements fixed around the EPROM are composed of discrete electronic components, so the printed circuit board equipped with the EPROM is When looking at the entire system as an integrated circuit, there is a problem in that the size of the printed circuit board increases as before, without any reduction in size, that is, the overall system increases in size. Also,
In the mounting structure shown in FIG. 11, as in FIG. 14, the peripheral circuits of the EPROM, that is, the circuit elements such as the microcomputer and its peripheral LSIs and ICs, are composed of discrete electronic components. There is a major problem in that the size of the substrate becomes large, that is, the entire system becomes large, making it impossible to provide integrated circuits equipped with EFROM that are light, thin, short, and small as required by users.

更に第11図および第12図で示したEPROM実装構
造では、上述した様にシステム全体が大型化になると共
にEFROMおよびその周辺の回路素子を互いに接続す
る導電パターンが露出されているため信頼性が低下する
問題がある。
Furthermore, in the EPROM mounting structure shown in FIGS. 11 and 12, the entire system becomes larger as described above, and the conductive patterns that connect the EFROM and its surrounding circuit elements are exposed, which reduces reliability. There is a problem of deterioration.

更に第11図および第12図で示したEPROM実装構
造ではEFROMと、その周辺のマイクロコンピュータ
およびIC,LSI等の回路素子が露出されているため
、基板上面に凹凸が生じて取扱いにくく作業性が低下す
る問題がある。
Furthermore, in the EPROM mounting structure shown in FIGS. 11 and 12, the EFROM and surrounding circuit elements such as microcomputers, ICs, and LSIs are exposed, which creates unevenness on the top surface of the board, making it difficult to handle and work. There is a problem of deterioration.

更に第11図及び第1゛2図で示したEPROM実装構
造では一枚のプリント基板上にEFROMとディスクリ
ート部品からなるマイクロコンピュータおよびその周辺
の回路素子の全ての素子が搭載されているため上述した
様にシステム自体の小型化という点で大きな問題となる
Furthermore, in the EPROM mounting structure shown in FIG. 11 and FIG. 1-2, all the elements of the microcomputer and its peripheral circuit elements consisting of the EFROM and discrete components are mounted on a single printed circuit board. This poses a major problem in terms of miniaturization of the system itself.

(ニ)課題を解決するための手段 本発明は上述した課題に鑑みて為されたものであり、二
枚の基板の一方の基板上にチップ型のEPROMとマイ
クロコンピュータを搭載し、他方の基板上あるいは一方
の基板上にその他の全ての回路素子を搭載し、他方の基
板の周端辺の所定位置に設けられたくぼみでEPROM
チップだけが露出する基板上に搭載され、マイクロコン
ピュータおよび他の全ての回路素子を二枚の基板とケー
ス材で形成された封止空間に封止rる構造を特徴とする
(d) Means for Solving the Problems The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and includes a chip-type EPROM and a microcomputer mounted on one of two substrates, and a chip-type EPROM and a microcomputer mounted on the other substrate. All other circuit elements are mounted on the top or one of the substrates, and the EPROM is
It is characterized by a structure in which only the chip is mounted on an exposed substrate, and the microcomputer and all other circuit elements are sealed in a sealed space formed by two substrates and a case material.

従ってEPROMチップを搭載した混成集積回路を極め
て小型化でしかも二枚の基板上に回路素子を実装でき高
密度実装のEPROM内蔵の混成集積回路装置を提供す
ることができる。
Therefore, a hybrid integrated circuit equipped with an EPROM chip can be extremely miniaturized, circuit elements can be mounted on two substrates, and a hybrid integrated circuit device with a built-in EPROM that can be mounted with high density can be provided.

(ホ)作用 この様に本発明に依れば、二枚の基板の一方の基板の周
端辺の所定位置にくぼみを設け、そのくぼみで露出した
他方の基板上の導電路にEPROMチップを接続してい
るのでEPROMチップの載置位置を任意に設定できる
ので、内蔵するマイクロコンピュータとの電気的接続を
考慮して、効率良<EPROMとマイクロコンピュータ
とを接続することができ、信号線即ち導電路の引回し線
を不要にすることができる。
(E) Function As described above, according to the present invention, a depression is provided at a predetermined position on the peripheral edge of one of the two substrates, and an EPROM chip is inserted into the conductive path on the other substrate exposed by the depression. Since the EPROM chip is connected, the mounting position of the EPROM chip can be set arbitrarily, so considering the electrical connection with the built-in microcomputer, it is possible to efficiently connect the EPROM and the microcomputer, and the signal line, i.e. It is possible to eliminate the need for a lead line for a conductive path.

更にEPROMチップの隣接する位置に最も関連の深い
マイクロコンピュータを配置でき、EPROMチップと
マイクロコンピュータ間のデータのやりとりを行うデー
タ線を最短距離あるいは最小距離で実現でき、データ線
の引回しによる実装密度のロスを最小限に抑制すること
になり、高密度の実装が行える。
Furthermore, the most closely related microcomputer can be placed adjacent to the EPROM chip, and the data line for exchanging data between the EPROM chip and the microcomputer can be realized with the shortest or minimum distance. This minimizes the loss of data and enables high-density packaging.

更に本発明ではEPROMチップ以外の全ての回路素子
はチップで二枚の基板のいずれか一方の基板上に搭載さ
れ且つ、二枚の基板とケース材で形成された封止空間内
に収納されるためlJX型化でしかも高密度実装ができ
取扱い性の優れた混成集積回路装置を提供することがで
きる。
Furthermore, in the present invention, all circuit elements other than the EPROM chip are mounted as chips on one of the two substrates, and are housed in a sealed space formed by the two substrates and the case material. Therefore, it is possible to provide a hybrid integrated circuit device that is of the IJX type, can be mounted at high density, and is easy to handle.

(へ)実施例 以下に第1図乃至第10図に示した実施例に基づいて本
発明の混成集積回路装置を詳細に説明する。
(F) Embodiments Below, the hybrid integrated circuit device of the present invention will be explained in detail based on the embodiments shown in FIGS. 1 to 10.

第1図および第2図には、本発明の一実施例の混成集積
回路装置(1)が示されている。この混成集積回路装置
り1)は独立した電子部品として用いられゴンビュータ
等の幅広い分野で機能を独立して有する集積回路として
用いられる。
1 and 2 show a hybrid integrated circuit device (1) according to an embodiment of the present invention. This hybrid integrated circuit device 1) is used as an independent electronic component and is used as an integrated circuit having independent functions in a wide range of fields such as a computer.

この混成集積回路装置(1〉は第1図および第2図に示
す様に、二枚の集積回路基板(2)<3)と、二枚の集
積回路基板(2)<3)の一方の基板(2)の周端辺の
所定位置に設けられたくぼみ(4)と、二枚の集積回路
基板(2)(3)上に形成された所望形状の導電路(5
)と、導電路(5)と接続された不揮発性メモリーチッ
プ(6)と、そのメモリーチップ(6)からデータを供
給され且つ不揮発性メモリーチップ(6)が搭載された
他方の基板(3)上の導電路(5)と接続されたマイク
ロコンピュータ〈7)と、二枚の、基板(2><3)上
の導電路〈5)と接続された周辺の回路素子(8)と、
二枚の基板(2)(3)を離間して一体化するケース材
(9)とをから構成される。
As shown in Figures 1 and 2, this hybrid integrated circuit device (1>) consists of two integrated circuit boards (2) <3) and one of the two integrated circuit boards (2) <3). A recess (4) provided at a predetermined position on the peripheral edge of the substrate (2), and a conductive path (5) of a desired shape formed on the two integrated circuit boards (2) and (3).
), a nonvolatile memory chip (6) connected to the conductive path (5), and the other substrate (3) to which data is supplied from the memory chip (6) and on which the nonvolatile memory chip (6) is mounted. A microcomputer (7) connected to the conductive path (5) on the top, and peripheral circuit elements (8) connected to the conductive path (5) on the two substrates (2><3).
It consists of a case material (9) that separates and integrates two substrates (2) and (3).

二枚の集積回路基板<2)(3)はセラミックス、ガラ
スエポキシあるいは金属等の硬質基板が用いられ、本実
施例では放熱性および機械的強度に優れた金属基板を用
いるものとする。
Two integrated circuit boards <2) (3) A hard substrate such as ceramic, glass epoxy, or metal is used, and in this embodiment, a metal substrate with excellent heat dissipation and mechanical strength is used.

金属基板としては例えば0.5〜1.01m1厚のアル
ミニウム基板を用いる。その二枚の基板(2)(3)の
表面には第4図に示す如く、周知の陽極酸化により酸化
アルミニウム膜(9)(アルマイト層)が形成され、そ
の−主面側に10〜70μ厚のポリイミド等のフレキシ
ブル性を有した絶縁樹脂層(10)が貼着される。更に
絶縁樹脂層(10)上には10〜70μ厚の銅箔(11
)が絶縁樹脂層(10)と同時にローラーあるいはホッ
トプレス等の手段により貼着されている。ところで、二
枚の基板(2)(3)はフレキシブル性を有する絶縁樹
脂層(10)によって所定の間隔離間されて連結きれた
状態となっている。
As the metal substrate, for example, an aluminum substrate with a thickness of 0.5 to 1.01 m1 is used. As shown in FIG. 4, an aluminum oxide film (9) (alumite layer) is formed on the surfaces of the two substrates (2) and (3) by well-known anodic oxidation. A flexible insulating resin layer (10) made of thick polyimide or the like is pasted. Further, on the insulating resin layer (10) is a copper foil (11) with a thickness of 10 to 70 μm.
) is attached simultaneously with the insulating resin layer (10) by means of a roller, hot press, or the like. By the way, the two substrates (2) and (3) are in a state where they are separated by a predetermined distance by the flexible insulating resin layer (10) and are fully connected.

二枚の基板(2)(3)の−主面上に設けられた銅箔(
11)表面上にはスクリーン印刷によって所望形状の導
電路を露出してレジストでマスクされ、貴金属(金、銀
、白金)メッキ層が銅箔(11)表面にメッキされる。
Copper foil (
11) A conductive path of a desired shape is exposed on the surface by screen printing and masked with a resist, and a noble metal (gold, silver, platinum) plating layer is plated on the surface of the copper foil (11).

然る後、レジストを除去して貴金属メッキ層をマスクと
して銅箔(11)のエツチングを行い所望の導電路(5
)が形成される。ここでスクリーン印刷による導電路(
5)の細さは0.511Tllが限界であるため、極細
配線パターンを必要とするときは周知の写真蝕刻技術に
依り約2μまでの極細導電路(5)の形成が可能となる
After that, the resist is removed and the copper foil (11) is etched using the precious metal plating layer as a mask to form the desired conductive path (5).
) is formed. Here, conductive paths (
Since the limit of the thinness of 5) is 0.511 Tll, when an ultra-fine wiring pattern is required, it is possible to form an ultra-fine conductive path (5) with a thickness of up to about 2 μm using the well-known photolithographic technique.

一方の基板(3)上の導電路(5)には不揮発性メモリ
ーチップ(6)とそのメモリーチップ(6)からデータ
を供給されるマイクロコンピュータ(7)が搭載され、
一方の基板(3)および他方の基板(2)上の導電路(
5)にその周辺の回路素子(8)が搭載されている。ま
た両基板(2)<3>の−側辺あるいは対向する側辺周
端部に導電路(5)が延在され外部リード端子(12)
(13)を固着するための複数のパッドが形成されてい
る。このパッドには外部リード端子(12)(13)が
半田によって固着きれ、水平に導出されてその中央部分
で略直角に折曲られている。また両基板(2)(3)上
に形成されている導電路(5)はフレキシブル樹脂層(
10)上に形成されているので二枚の基板(2)(3)
を股がる様にバターニングされ両基板(2)(3)の接
続が所定の位置でしかも任意に行えることができる。
A nonvolatile memory chip (6) and a microcomputer (7) to which data is supplied from the memory chip (6) are mounted on the conductive path (5) on one of the substrates (3).
Conductive paths on one substrate (3) and the other substrate (2) (
5), peripheral circuit elements (8) are mounted thereon. In addition, a conductive path (5) is extended to the negative side of both substrates (2) <3> or to the peripheral edge of the opposing side, and an external lead terminal (12) is provided.
A plurality of pads are formed for fixing (13). External lead terminals (12) and (13) are firmly fixed to this pad by solder, led out horizontally, and bent at a substantially right angle at the center thereof. In addition, the conductive path (5) formed on both substrates (2) and (3) is connected to the flexible resin layer (
10) Since it is formed on two substrates (2) (3)
Both substrates (2) and (3) can be connected at predetermined positions and at any desired position.

不揮発性メモリーチップ(6〉としてEPROMチップ
(Erasable Programable Rea
d OnlyMemory )が用いられる(以下不揮
発性メモリーチップ(6)をEPROMチップという)
。このEPROM(6)は周知の如く、EPROMチッ
プチップ(6)のベレットに形成されているフローティ
ングゲートに蓄積されている電子(プログラム・データ
)を光を照射して励起させて未記憶状態のペレットに戻
し再書込みして利用できる素子である。EPROMチッ
プ(6)は市販されているものであって、その形状はチ
ップ型であれば限定されるものではなく、本実施例では
EPROMチップ(6)の説明は省略する。
EPROM chip (Erasable Programmable Rea) as a non-volatile memory chip (6)
dOnlyMemory) is used (hereinafter the non-volatile memory chip (6) is referred to as an EPROM chip).
. As is well known, this EPROM (6) is made by irradiating light to excite the electrons (program data) stored in the floating gate formed in the pellet of the EPROM chip (6) to form a pellet in an unmemorized state. This is an element that can be rewritten and reused. The EPROM chip (6) is commercially available, and its shape is not limited as long as it is a chip type, and a description of the EPROM chip (6) will be omitted in this embodiment.

一方、本発明では二枚の基板(2)(3)の一方の基板
(2)の周端辺の所定位置にくぼみ(4)が設けられて
いる。この両基板(2)(3)は後述するケース材(9
)によって所定間隔離間固着される。このとき、一方の
基板(2)の周端辺に設けたくぼみり4)で露出する他
方の基板(3)上の導電路(5)上にはEPROMチッ
プ(6)がAgペースト、半田等のろう材によって固着
され、くぼみ(4)で露出した他方の基板(3)上には
EPROMチップ(6)と接続きれる複数の導電路〈5
)の一端か延在されている。その導電路(5)とEPR
OMチップ(6)とはAシワイヤ線で超音波ボンディン
グ接続が行われている。
On the other hand, in the present invention, a depression (4) is provided at a predetermined position on the peripheral edge of one of the two substrates (2) and (3). Both substrates (2) and (3) are made of case material (9), which will be described later.
) for a predetermined interval. At this time, the EPROM chip (6) is coated with Ag paste, solder, etc. on the conductive path (5) on the other substrate (3) exposed through the recess 4) provided on the peripheral edge of one substrate (2). On the other substrate (3), which is fixed by soldering material and exposed in the recess (4), there are a plurality of conductive paths <5> that can be connected to the EPROM chip (6).
) is extended at one end. The conductive path (5) and EPR
An ultrasonic bonding connection is made to the OM chip (6) using an A wire wire.

EPROMチップ(6)のプログラム・データを選択し
て供給きれるマイクロコンピュータ(7)およびその周
辺の回路素子(8)のIC、トランジスタ、チップ抵抗
およびチップコンデンサー等はチップ部品で所望の導電
路(5)上に半田付けあるいはAgペースト等のろう材
によって付着され、マイクロコンピュータ(7)および
回路素子(8)は近傍の導電路(5)に超音波ボンディ
ング接続されている。更に導電路(5)間にはスクリー
ン印刷によるカーボン抵抗体あるいはニッケルメッキに
よるニッケルメッキ抵抗体が抵抗素子として形成されて
いる。
The microcomputer (7), which can selectively supply program data to the EPROM chip (6), and its peripheral circuit elements (8), such as ICs, transistors, chip resistors, and chip capacitors, are chip components that can be connected to desired conductive paths (5). ) by soldering or a brazing material such as Ag paste, and the microcomputer (7) and circuit element (8) are connected to the nearby conductive path (5) by ultrasonic bonding. Furthermore, a carbon resistor by screen printing or a nickel-plated resistor by nickel plating is formed as a resistance element between the conductive paths (5).

更に詳述するとEPROMチップ(6)とマイクロコン
ピュータ(7)はくぼみ(4)が設けられていない他方
の基板(3)上の導電路(5)と接続され、その他の全
ての回路素子(8)は一方及び他方の基板(2)(3)
の所定位置の導電路(5)上に付着されている。
More specifically, the EPROM chip (6) and the microcomputer (7) are connected to the conductive path (5) on the other substrate (3) where the recess (4) is not provided, and all other circuit elements (8) ) are one and the other board (2) (3)
is attached on the conductive path (5) at a predetermined position.

ケース材(9)は絶縁部材の熱可塑性樹脂から形成され
、第3図に示す如く、二枚の基板(2)(3)を所定間
隔離間して封止空間を形成するために枠状に形成されて
いる。ケース材(9)には一方の基板り2)の周端辺に
設けたくぼみ(4)の周囲とそのくぼみり4)によって
露出された他の基板(3)表面の周囲と当接される一定
の厚みを有した枠体(18)が設けられている。この枠
体(18)は基板(2)に設けたくぼみ(4)にそって
くぼませて形成されている。また、ケース材(9)の−
側辺は両基板(2)(3)を配置したときにフィルム樹
脂層(10)が容易に折曲される様に円弧状に形成され
ている。
The case material (9) is made of thermoplastic resin as an insulating member, and as shown in FIG. It is formed. The case material (9) is brought into contact with the periphery of a recess (4) provided at the peripheral edge of one board 2) and the periphery of the surface of the other board (3) exposed by the recess 4). A frame (18) having a constant thickness is provided. This frame (18) is formed to be recessed along the recess (4) provided in the substrate (2). In addition, - of the case material (9)
The side edges are formed in an arc shape so that the film resin layer (10) can be easily bent when both the substrates (2) and (3) are arranged.

ケース材(9)と二枚の基板(2)(3)との固着は接
着シートによって行われ、フィルム樹脂層(10)によ
って連結された両基板(2)(3)でケース材<9)を
挾む様に且つ搭載された回路素子を対向させる様にして
固着される。このとき、両基板(2>(3)を連結する
フィルム樹脂層(10)は上述したケース材(9)に設
けられた円弧状部と当接されて折曲げされるため折曲げ
部分の導電路(5)が折曲時に切断する恐れはない。ケ
ース材(9)と両基板(2)(3)とを一体化したのち
、連結部の樹脂層(10)が露出されるため、本実施例
では蓋体く20)で露出した連結部分を完全に封止する
ものとする。尚、蓋体く20)はケース材<9)と同一
材料で形成され、その接着は上述した接着シート等の所
定の手段によっ工性われている。
The case material (9) and the two substrates (2) and (3) are fixed together using an adhesive sheet, and both substrates (2) and (3) are connected by the film resin layer (10) so that the case material is less than 9. It is fixed in such a way that it sandwiches the circuit elements and the mounted circuit elements face each other. At this time, the film resin layer (10) connecting both substrates (2>(3)) is brought into contact with the arc-shaped part provided on the case material (9) and bent, so that the bent part becomes conductive. There is no risk that the path (5) will be cut when bent.After the case material (9) and both substrates (2) and (3) are integrated, the resin layer (10) of the connection part is exposed, so the main In the embodiment, the exposed connecting portion is completely sealed with the lid 20). The lid body 20) is made of the same material as the case material 9), and its adhesion is achieved by a predetermined means such as the above-mentioned adhesive sheet.

一方の基板(2)の周端辺に設けたくぼみ(4)で露出
した他方の基板(3)上にはEPROMチップクロ)と
接続される複数の導電路(5)の一端が形成され、その
導電路(5)の先端部にEPROMチップ(6)が固着
される。EPROMチップ(6)が固着された導電路(
5〉の他端はマイクロコンピュータ(7)の近傍に効率
よく引回しされチップ状のマイクロコンピュータ(7)
とポンディングワイヤで1気に接続される。
One end of a plurality of conductive paths (5) connected to the EPROM chip (EPROM chip) is formed on the other substrate (3) exposed through the recess (4) provided on the peripheral edge of one substrate (2). An EPROM chip (6) is fixed to the tip of the conductive path (5). A conductive path (
5> The other end is efficiently routed near the microcomputer (7) and a chip-shaped microcomputer (7)
and are connected together with a bonding wire.

ここでEPROM(6)とマイクロコンピュータ(7)
との位置関係について述べる。第1図に示す如く、多数
本の導電路(5)を介して接続されるため、その導電路
(5)の引回しを短くするためにEPROMチップクロ
)とマイクロコンピュータ(7)は夫々、隣接する位置
かあるいはできるだけ近傍に位置する様に配置される。
Here, EPROM (6) and microcomputer (7)
I will explain the positional relationship with. As shown in Fig. 1, since they are connected via a large number of conductive paths (5), the EPROM chip (7) and the microcomputer (7) are each adjacent to each other in order to shorten the length of the conductive paths (5). The location is located at or as close to the location as possible.

従ってEPROMチップ(6)とマイクロコンピュータ
(7)との導電路(5)の引回しは最短距離で形成でき
基板上の実装面積を有効に使用することができる。EP
ROMチップ(6)とその近傍あるいは隣接した位置に
配置されたチップ状のマイクロコンピュータ〈7)は第
7図の如く、マイクロコンピユータフ7)の近傍に延在
された導電路(5)の先端部とワイヤ線によってボンデ
ィング接続されEPROMチップ(6)と電気的に接続
される。
Therefore, the conductive path (5) between the EPROM chip (6) and the microcomputer (7) can be formed in the shortest distance, and the mounting area on the board can be used effectively. EP
As shown in Figure 7, the ROM chip (6) and a chip-shaped microcomputer (7) placed near or adjacent to it are connected to the tip of a conductive path (5) extending near the microcomputer (7). It is electrically connected to the EPROM chip (6) by bonding and wire lines.

EPROMチップは第1図および第2図から明らかな如
く、一方の基板(2)に設けたくぼみ(4)で露出した
他方の基板(3)上に搭載きれ、ケース材(9)の枠体
(18)で囲まれた構造となる。更に詳述すると枠体く
18)によって囲まれるのはEPROMチップ(6)と
そのEPROMチップ(6)と近傍の導電路(5)とを
接続するワイヤ線が囲まれることになる。
As is clear from Figures 1 and 2, the EPROM chip can be mounted on the other substrate (3) exposed through the recess (4) provided in one substrate (2), and the frame of the case material (9) The structure is surrounded by (18). More specifically, what is surrounded by the frame 18) is the EPROM chip (6) and the wire line connecting the EPROM chip (6) and the nearby conductive path (5).

更に枠体(18)によって形成された空間(18a)に
は1層以上の樹脂が充填され、EPROMチップ(6)
およびワイヤ線がその樹脂層によって完全に被覆される
。EPROMチップ(6)上に直接被覆される第1層目
の樹脂はEPROMチップクロ〉のデータを消去する際
に紫外線を透過する必要があるために紫外線透過性樹脂
(21a)が用いられる。
Furthermore, the space (18a) formed by the frame (18) is filled with one or more layers of resin, and the EPROM chip (6)
and the wire line is completely covered with the resin layer. The first layer of resin directly coated on the EPROM chip (6) is an ultraviolet-transparent resin (21a) because it is necessary to transmit ultraviolet rays when erasing data on the EPROM chip (6).

紫外線透過性樹脂(21a)は非芳香族系であれば限定
されず、例えばメチル系シリコンゴムあるいはシリコン
ゲルが用いられる。
The ultraviolet-transparent resin (21a) is not limited as long as it is non-aromatic, and for example, methyl-based silicone rubber or silicone gel may be used.

本実施例では第1層目の樹脂m(21a)上に第2層目
の樹脂層(21b)が充填されている。第2層目の樹脂
層は第1層目とは異なりEPROMチップ(6)の誤消
去を防止するために紫外線を遮断する紫外線不透過性樹
脂(21b>が用いられる。この樹脂層(21b)は芳
香環(ベンゼン環)を含んだ樹脂であれば限定されず、
例えばエポキシ系あるいはポリイミド系の樹脂が用いら
れ、一方の基板(2)の上面と略一致するまで充填され
る。
In this embodiment, the second resin layer (21b) is filled on the first resin m (21a). Unlike the first layer, the second resin layer uses an ultraviolet opaque resin (21b) that blocks ultraviolet rays in order to prevent the EPROM chip (6) from being erased accidentally.This resin layer (21b) is not limited as long as it is a resin containing an aromatic ring (benzene ring),
For example, an epoxy or polyimide resin is used, and the resin is filled until it substantially coincides with the top surface of one substrate (2).

従ってEPROMチップ(6)だけが枠体(18)によ
って囲まれ且つ2層の樹脂で被覆され、他のマイクロフ
ンピユータ(7)およびその他の回路素子(8)は両基
板(2)(3)とケース材(9)とで形成される封止空
間(21)内に配置されることになる。
Therefore, only the EPROM chip (6) is surrounded by the frame (18) and covered with two layers of resin, and the other microcomputer (7) and other circuit elements (8) are surrounded by both substrates (2) and (3). and the case material (9).

上述の如く、EPROMチップ(6)と接続されるマイ
クロコンピュータ(7)およびその周辺の回路素子(8
)は二枚の基板(2)(3)とケース材(9)で形成さ
れた封止空間部(21)に配置する様に設定されている
。即ち、チップ状の電子部品および印刷抵抗、メッキ抵
抗等の抵抗素子の全ての素子が封止空間部(14)内に
設けられている。
As mentioned above, the microcomputer (7) and its peripheral circuit elements (8) are connected to the EPROM chip (6).
) is set to be placed in a sealed space (21) formed by two substrates (2) and (3) and a case material (9). That is, all elements, including chip-shaped electronic components and resistance elements such as printed resistors and plated resistors, are provided within the sealed space (14).

ところで本実施例では枠体(18)で囲まれた空間(1
9a)に紫外線透過性樹脂(21a)および不透過性樹
脂(21b)の2層樹脂構造からなる力釈不透過性樹脂
(21b)の代りに第5図に示す如く、遮光用のシール
材(22)を一方の基板(2)のくぼみ(4)上に接着
しても不透過性樹脂(21b)と同様に紫外線を完全に
遮断することができる。
By the way, in this embodiment, the space (1) surrounded by the frame (18) is
9a), a light-shielding sealing material (21b), as shown in FIG. Even if 22) is adhered onto the recess (4) of one substrate (2), it can completely block ultraviolet rays in the same way as the non-transparent resin (21b).

本実施例でEPROMチップ(6)のデータ消去を行う
場合は紫外線透過性樹脂ップ21b)あるいはシール材
(22)を剥離して紫外線を照射し、再書き込みをする
場合はEPROMチップ(6)上の紫外線透過性樹脂(
21a)も剥してボンディングされている近傍の導電路
(5)にプローブ等の端子を当接させ、書き込み装置よ
りデータを書き込む。このとき、紫外線透過性樹脂(2
1a)を剥す場合、樹脂(21g)はあまり接着力が強
くないためにワイヤ線が切断することはない。
In this embodiment, when data is to be erased from the EPROM chip (6), the ultraviolet-transparent resin wrap 21b) or sealing material (22) is peeled off and ultraviolet rays are irradiated, and when data is to be rewritten, the EPROM chip (6) is UV-transparent resin on top (
21a) is also peeled off and a terminal such as a probe is brought into contact with the conductive path (5) in the vicinity where it is bonded, and data is written by the writing device. At this time, UV-transparent resin (2
When removing 1a), the resin (21g) does not have very strong adhesive strength, so the wire will not be cut.

以下に本発明を用いたモデム用の混成集積回路装置の具
体例を示す。
A specific example of a hybrid integrated circuit device for a modem using the present invention will be shown below.

先ス、モデム(MODEM)とはパーソナルコンピュー
タなどのデータ端末が扱うデジタル化されたデータを電
話回線を使って、お互に離れたところでデータ送受を行
うデータ通信のためにモデムが存在する。モデムの機能
はデジタル化されたデータを電話回線で使用できる周波
数を使って、データによる変調を行いアナログ信号にし
て電話回線に乗せることと、相手方から送られて来たデ
ータで変調されるアナログ信号を復調してデジタル化し
たデータに戻す機能を持つ。
What is a modem? A modem exists for data communication in which digitized data handled by a data terminal such as a personal computer is sent and received at a distance using a telephone line. The function of a modem is to modulate digitized data using the frequency that can be used on the telephone line, convert it into an analog signal, and send it on the telephone line, and to send an analog signal that is modulated with the data sent from the other party. It has the ability to demodulate and return to digitized data.

第6図に示したブロック図に基づいてモデムを簡単に説
明する。
The modem will be briefly explained based on the block diagram shown in FIG.

第6図は集稜回路基板(2)上にモデムを搭載したとき
のブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram when a modem is mounted on the integrated circuit board (2).

モデムはパソコンより送信されたデータを内蔵するメモ
リー内に蓄積してそのデータを出力するDTEインター
フェース(31)と、DTEインターフェース(31)
より出力されたデータに基づいて所定の出力信号を出力
するマイクロコンピュータ(7)と、マイクロコンピュ
ータ(7)からアドレスされるデータを内蔵したEPR
OM(6)と、マイクロコンピュータ(7)からの出力
信号を変復調しNCU(NETWORK  C0NTR
0L   UN、IT)に出力する第1および第2の変
復調回路(32)(33)と、マイクロコンピュータ(
7)からの出力信号に応じて所望のDTMF信号(トー
ン信号)を発生するDTMF発生器(34)とをから構
成されている。
The modem has a DTE interface (31) that stores data sent from the computer in its built-in memory and outputs the data, and a DTE interface (31).
A microcomputer (7) that outputs a predetermined output signal based on the data output from the microcomputer (7), and an EPR that contains data addressed by the microcomputer (7).
The output signals from the OM (6) and the microcomputer (7) are modulated and demodulated to the NCU (NETWORK C0NTR).
0L UN, IT), the first and second modulation/demodulation circuits (32) (33), and the microcomputer (
and a DTMF generator (34) that generates a desired DTMF signal (tone signal) according to the output signal from 7).

DTEインターフェース(31)は例えばSTC961
0(セイコーエプソン)等のICより成り、第7図の如
く、パソコンの出力信号を供給し、その出力信号を内蔵
メモリー内に蓄積してマイクロコンピュータ(7)へ出
力する送信メモリ一部(35)と、マイクロコンピュー
タ(7)からの出力信号が供給される信号を内蔵メモリ
ー内に蓄積してパソコン(38)へ出力する受信メモリ
一部(36)と、送信メモリ一部(35)および受信メ
モリ一部(36)を介して入出力される夫々の信号を切
替える制御部(37)とからなり、パソコン(38)と
マイクロコンピュータ(7)とを接続するための所定の
機能を有するものである。
The DTE interface (31) is, for example, STC961.
0 (Seiko Epson), etc., and as shown in Figure 7, there is a part of the transmitting memory (35 ), a receiving memory part (36) that stores signals supplied with output signals from the microcomputer (7) in the built-in memory and outputs them to the personal computer (38), a transmitting memory part (35), and a receiving memory part (35). It consists of a control section (37) that switches each signal input and output through a part of memory (36), and has a predetermined function for connecting a personal computer (38) and a microcomputer (7). be.

マイクロコンピュータ(7)は例えばSTC9620(
・セイコーエプソン)等のICより成り、第8図の如く
、DTEインターフェース(31)から出力される出力
信号を認識するコマンド認識部と、コマンド認識部によ
って認識された出力信号を解読するコマンド解読部と、
コマンド解読部で解読された信号に基づいてメモリ一部
のデータと比較し変復調回路へデータを供給するコマン
ド実行部と、コマンド解読部のデータとメモリ一部内の
データとの比較結果、誤ったデータがコマンド実行部に
供給された際にDTEインターフェース(31)に出力
信号を出力する応答コード生成部とからなる。
The microcomputer (7) is, for example, STC9620 (
- Seiko Epson), etc., as shown in Figure 8, a command recognition unit that recognizes the output signal output from the DTE interface (31), and a command decoding unit that decodes the output signal recognized by the command recognition unit. and,
Based on the signal decoded by the command decoding part, the command execution part compares the data with the data in a part of the memory and supplies the data to the modulation/demodulation circuit, and the result of comparing the data of the command decoding part with the data in the part of the memory is incorrect data. and a response code generation section that outputs an output signal to the DTE interface (31) when the command is supplied to the command execution section.

変復調回路〈38)はマイクロコンピュータ(7)から
送信されるデジタル信号をアナログ信号に変換してNC
U部に送信する。また反対にNCU部から送信されたア
ナログ信号をデジタル信号に変換してマイクロコンピュ
ータ〈7)へ送信するものであり、″低速および中速夫
々のタイプの回路を備えている。第1の変復調回路(3
2)は300bpsの低速変復調回路であり、第2の変
復調回路(33)は1200bpsの中速変復調回路で
ある。夫々の第1および第2の変復調回路(32)(3
3)はマイクロコンピュータ(7)により、いずれか一
方の変復調回路が選択される。
The modulation/demodulation circuit (38) converts the digital signal sent from the microcomputer (7) into an analog signal and sends it to the NC
Send to U department. On the other hand, it converts the analog signal sent from the NCU section into a digital signal and sends it to the microcomputer (7), and is equipped with low-speed and medium-speed circuits.The first modulation/demodulation circuit (3
2) is a 300 bps low speed modulation/demodulation circuit, and the second modulation/demodulation circuit (33) is a 1200 bps medium speed modulation/demodulation circuit. Respective first and second modulation/demodulation circuits (32) (3
3), one of the modulation and demodulation circuits is selected by the microcomputer (7).

DTMF発生器(34)はマイクロコンピュータ(7)
のコマンド実行部より出力されたデータをCOL、RO
W夫々の入力端子に入力することで所定のDTMF信号
を発生し送信A M P (39)に出力して電話回線
へ信号を供給する。
DTMF generator (34) is a microcomputer (7)
The data output from the command execution part of COL, RO
A predetermined DTMF signal is generated by inputting it to the input terminal of each W, and is output to the transmitting A M P (39) to supply the signal to the telephone line.

EPROM(6)内にはモデムの各種のモードを設定す
るためのプログラムデータがメモリーされており、マイ
クロコンピュータ(7)のアドレスに基ついてマイクロ
コンピュータ(7)に供給される。
Program data for setting various modes of the modem is stored in the EPROM (6) and is supplied to the microcomputer (7) based on the address of the microcomputer (7).

次にモデムの動作について簡単に説明する。Next, the operation of the modem will be briefly explained.

先ず、パソコン通信を開始するに当り、マイクロコンピ
ュータ(38)からの読出し信号に基づいて制御スイッ
チ(40)が動作し、所定のアドレスデータがE P 
ROM(7)に供給され、そのアドレスに基づいたEP
ROM(6)のプログラム・データがマイクロコンピュ
ータ(7)に供給され、通信を行う夫々のモデムの通信
規格(BELL/CCITT規格)、通信速度(300
/1200bps)、データファーマットの一致、デツ
プスイッチモードの切替等の各種のモードが一致してい
るかが確認される。
First, to start communication with a personal computer, the control switch (40) operates based on a read signal from the microcomputer (38), and predetermined address data is read from E P
EP is supplied to ROM (7) and based on its address.
The program data in the ROM (6) is supplied to the microcomputer (7), and the communication standard (BELL/CCITT standard) and communication speed (300
/1200 bps), data format matching, and various modes such as depth switch mode switching are checked.

各種のモードが一致しているとすると、パソコンに応答
側のモデムの電話番号をキー人力する。
Assuming the various modes match, enter the answering modem's phone number into your computer.

その電話番号はパソコンとのインターフェース用のDT
Eインターフェース(31)に入力され、電話番号を解
読する為にマイクロコンピュータ(7)に転送される。
The phone number is the DT for interfacing with the computer.
E-interface (31) and forwarded to the microcomputer (7) for decoding the telephone number.

その解読した結果をDTMF発生器(34)に送信し、
DTMF発生器(34)からDTMF信号が発信されそ
の信号は送信AMP(39)、ライントランス〈41)
を介して一般電話回線へ転送される。
Send the decoded result to the DTMF generator (34),
A DTMF signal is transmitted from the DTMF generator (34), and the signal is sent to the transmitting AMP (39) and the line transformer (41).
transferred to a regular telephone line.

転送されたDTMF信号は応答側のモデムに対して呼出
し信号を送出し、応答側のモデムは呼出し信号を受信し
て自動着信する。すると応答倶1のモデムは接続手順の
為のアンサ−トーン起呼側のモデムに対して送出する。
The transferred DTMF signal sends a paging signal to the modem on the responding side, and the modem on the responding side receives the paging signal and automatically receives the call. Then, the response No. 1 modem sends an answer tone for the connection procedure to the modem on the calling side.

起呼側のモデムではライントランス(41)、受信アン
プ(42)を通り低速変復調回路(32)でそのアンサ
−トーンが起呼側のモデムに対して所定のアンサ−トー
ンであるか否かを検出する。所定のアンサ−トーンであ
れば通信状態に入る。
The modem on the calling side passes through a line transformer (41) and a receiving amplifier (42), and a low-speed modulation/demodulation circuit (32) determines whether or not the answer tone is a predetermined answer tone for the modem on the calling side. To detect. If it is a predetermined answer tone, the communication state is entered.

通信状態となると、起呼側のパソコンのキーボードから
の所定のキー人力信号に基づいてパソコンからのパラレ
ルデータをDTEインターフェース(31)に入力し、
そのデータをマイクロコンピュータ(7)に転送する。
When the communication state is established, parallel data from the PC is input to the DTE interface (31) based on predetermined key manual signals from the keyboard of the calling party's PC,
The data is transferred to the microcomputer (7).

ここで75ラレルデー夕をシリアルデータに変換する。Here, the 75 parallel data is converted into serial data.

シリアルデータに変換されたデジタル信号は低速変復調
回路(32)に送信される。ここでデジタル信号はアナ
ログ信号に変換きれ、それに対応した通信規格に基づい
て周波数変調FSKきれ、送信A M P (39)、
ライントランス(41)を介して応答側のモデムに送信
される。
The digital signal converted into serial data is sent to a low-speed modulation/demodulation circuit (32). Here, the digital signal can be converted into an analog signal, frequency modulated by FSK based on the corresponding communication standard, and transmitted by A M P (39).
It is sent to the responding modem via the line transformer (41).

一方、応答側のパソコンのキー人力信号によって送出し
た周波数変調のアナログ信号は起呼側のモデムに送出さ
れ、ライントランス(41)、受信AM P (42)
を介して低速変復調回路(32)に入力される。ここで
アナログ信号はデジタル信号に変換されDTEインター
フェース(31〉に入力され、シリアルデジタル信号か
らパラレルデジタル信号に変換されて起呼側のパソコン
に入力される。その結果起呼側ヘパソコンと応答側のパ
ソコンは全二重通信ができる様になりバソフン通信が実
現する。
On the other hand, the frequency-modulated analog signal sent by the key input signal from the responding PC is sent to the modem on the calling side, and is sent to the line transformer (41) and the receiving AM P (42).
The signal is inputted to the low-speed modulation/demodulation circuit (32) via. Here, the analog signal is converted to a digital signal and input to the DTE interface (31), and the serial digital signal is converted to a parallel digital signal and input to the calling side's computer.As a result, the calling side's computer and the responding side's PCs became capable of full-duplex communication, making bass communication possible.

第9図は第6図で示したモデム回路を本実施例で用いた
他方の基板(3)上に実装した場合の平面図であり、実
装される回路素子の図番量は同一番号とする。EPRO
Mチップ(6)とマイクロコンピュータ(7)との接続
はパスラインで示す。尚、複数の回路素子を接続する導
電路は煩雑のため省略する。
FIG. 9 is a plan view when the modem circuit shown in FIG. 6 is mounted on the other board (3) used in this example, and the numbers of the circuit elements to be mounted are the same. . EPRO
The connection between the M chip (6) and the microcomputer (7) is shown by a pass line. Note that the conductive paths connecting the plurality of circuit elements are omitted because they are complicated.

第9図に示す如く、他方の基板(3〉の対向する周端部
には外部リード端子(13)が固着される複数の固着用
バッド(5a〉が設けられている。固着パッド(5a)
から延在される導電路(5)上圧定位置には複数の回路
素子(8)およびEPROM(6)を搭載するソケット
(16)が固着される。斯る基板<3)上にはEPRO
Mチップ<6)以外のマイクロコンピュータ(7)を含
む複数の回路素子(8)が固着されており、(31)は
DTEインターフェース、(32) (33)は第1お
よび第2の変復調回路、(34)はDTMF発生回路、
(40)はEPROMチップ(6)を制御する制御スイ
ッチ、り7)はマイクロコンピュータ、(8)はコンデ
ンサー等のチップ部品である。なお、基板(2)にはポ
リイミド等のフィルム樹脂層(10)を介して基板り3
)より複数の導電路(5〉が延在されており、基板(2
〉上にはオプション用回路あるいはモデムに必要な一部
の回路が配置されている。
As shown in FIG. 9, a plurality of fixing pads (5a) to which external lead terminals (13) are fixed are provided at the opposing peripheral edges of the other board (3).Fixing pads (5a)
A socket (16) in which a plurality of circuit elements (8) and an EPROM (6) are mounted is fixed at a fixed position above a conductive path (5) extending from the conductive path (5). On such a board <3) there is EPRO
A plurality of circuit elements (8) including a microcomputer (7) other than the M chip (<6) are fixed, (31) is a DTE interface, (32) and (33) are first and second modulation/demodulation circuits, (34) is a DTMF generation circuit,
(40) is a control switch that controls the EPROM chip (6), 7) is a microcomputer, and (8) is a chip component such as a capacitor. Note that the substrate (2) is coated with a substrate 3 via a film resin layer (10) such as polyimide.
), a plurality of conductive paths (5>) extend from the substrate (2).
> Optional circuits or some circuits necessary for the modem are placed above.

第9図に示す如く、マイクロコンピュータ(7)の近傍
あるいは隣接する位置にEPROMチップ(6)が固着
される。マイクロコンピュータ(7)の近傍あるいは隣
接する位置にEPROMチップ<6)を固着することで
、マイクロコンピュータ〈7)とEPROMチップ(6
)とのパスライン、即ち導電路(5)の引回し腺の距離
を最短でしかも最小の距離で引回すことができ、他の実
装パターンを有効に使用できると共に高密度実装が行え
る。尚、一点鎖線で囲まれた領域は接着シートでケース
材(9)が固着される領域を示す。
As shown in FIG. 9, an EPROM chip (6) is fixed near or adjacent to the microcomputer (7). By fixing the EPROM chip <6) near or adjacent to the microcomputer (7), the microcomputer <7) and the EPROM chip (6)
), that is, the path line of the conductive path (5) can be routed at the shortest possible distance, and other mounting patterns can be used effectively and high-density packaging can be achieved. Note that the area surrounded by the dashed line indicates the area to which the case material (9) is fixed with the adhesive sheet.

第10図は第9図で示した基板(3)上にケース材(9
)を介して一方の基板(2)を固着したときのモデム用
の混成集積回路装置の完成品の平面図であり、一方の基
板(2)の上面からはEPROMチップ(6)上に被覆
きれた樹脂層(21b)の上面のみが露出された状態と
なる。即ち、EPROMチップ(6)以外の他の素子は
全てケース材(9)と二枚の基板(2)(3)とで形成
された封止空間<21)内に封止される。
Figure 10 shows the case material (9) on the board (3) shown in Figure 9.
) is a plan view of a completed product of a hybrid integrated circuit device for a modem when one substrate (2) is fixed to the EPROM chip (6) through the upper surface of the one substrate (2). Only the upper surface of the resin layer (21b) is exposed. That is, all the other elements other than the EPROM chip (6) are sealed within a sealed space <21) formed by the case material (9) and the two substrates (2) and (3).

斯る本発明に依れば、一方の基板(2)の周端辺の所望
位置にくぼみ(4)を設け、そのくぼみ(4)で露出し
た他方の基板(3)上の導電路(5)にEPROMチッ
プ(6)を接続し、両基板(2)(3)とケース材(9
)とで形成された封止空間(21)にマイクロコンピュ
ータ(7)および他の回路素子(8)を固着することに
より、混成集積回路とEPROMチップとの一体化した
装置が極めて小型化で提供できる。
According to the present invention, a recess (4) is provided at a desired position on the peripheral edge of one substrate (2), and a conductive path (5) on the other substrate (3) exposed in the recess (4) is provided. ) and connect the EPROM chip (6) to both boards (2) and (3) and the case material (9).
) By fixing the microcomputer (7) and other circuit elements (8) in the sealed space (21) formed by the can.

(ト)発明の効果 以上に詳述した如く、本発明に依れば、第1に一方の基
板<2)の周端部所望位置にくぼみ(4)を設け、その
くぼみ(4)で露出した他方の基板り3)上の導電路(
5)にEPROMチップ(6〉を接続しているので、E
PROMチップ(6)の載置位置を任意に選定できる利
点を有する。このため内蔵するマイクロコンピュータ(
7)との電気的接続を考慮して、効率良<:EPROM
チップ(6)とマイクロコンピュータ(7)とを接続で
き信号線の引回しを不要にできる。更に詳述すると、E
PROMチップ(6)の隣接する位置に最も関連の深い
マイクロコンピュータ(7)を配置でき、その結果EP
ROMチップ(6〉とマイクロコンピュータ(7)間の
データのやりとりを行うデータ線を最短距離あるいは最
も設計容易なレイアウトで実現でき、データ線の引回し
による実装密度のロスを最小限に抑制できる。更に二枚
の基板(2)(3)より形成されているため高密度で且
つ小型化の混成集積回路装置を提供することができる。
(G) Effects of the Invention As detailed above, according to the present invention, firstly, a recess (4) is provided at a desired position on the peripheral edge of one substrate <2), and the recess (4) exposes the The conductive path (
Since the EPROM chip (6>) is connected to 5), E
This has the advantage that the mounting position of the PROM chip (6) can be arbitrarily selected. For this reason, the built-in microcomputer (
7) Considering the electrical connection with
The chip (6) and the microcomputer (7) can be connected, making it unnecessary to route signal lines. To elaborate further, E
The most closely related microcomputer (7) can be placed adjacent to the PROM chip (6), resulting in
The data line for exchanging data between the ROM chip (6) and the microcomputer (7) can be realized with the shortest distance or the easiest layout, and loss in packaging density due to data line routing can be minimized. Furthermore, since it is formed from two substrates (2) and (3), it is possible to provide a high-density and compact hybrid integrated circuit device.

第2に一方の基板(2〉の周端辺所望位置のくぼみ(4
)ニE P ROM(6)を配置すると共に二枚の集積
回路基板(2)(3)上の組み込むマイクロコンピュー
タおよびその周辺回路素子の実装密度を向上することに
より、従来必要とされたプリント基板を廃止でき、極め
て小型化のEPROMチップ(6)を内蔵する混成集積
回路装置を実現できる。
Second, make a recess (4) at a desired position on the peripheral edge of one substrate (2).
) By arranging the E P ROM (6) and improving the mounting density of the microcomputer and its peripheral circuit elements on the two integrated circuit boards (2) and (3), the printed circuit board that was previously required can be improved. can be eliminated, and a hybrid integrated circuit device incorporating an extremely miniaturized EPROM chip (6) can be realized.

第3に集積回路基板(2)(3)として金属基板を用い
ることにより、その放熱効果をプリント基板に比べて大
幅に向上でき、より実装密度の向上に寄与できる。また
導電路(5)として@箔〈11)を用いることにより、
導電路(3)の抵抗値を導電ペーストより大幅に低減で
き、実装される回路をプリント基板と同等以上に拡張で
きる。
Thirdly, by using a metal substrate as the integrated circuit board (2) (3), its heat dissipation effect can be greatly improved compared to a printed circuit board, which can further contribute to an improvement in packaging density. In addition, by using @ foil (11) as the conductive path (5),
The resistance value of the conductive path (3) can be significantly reduced compared to conductive paste, and the circuit to be mounted can be expanded to the same level or more than that of a printed circuit board.

第4にEPROMチップ(6)と接続されるマイクロコ
ンピュータ(7)およびその周辺回路素子(8)はケー
ス材(9)と二枚の集積回路基板<2)(3)とで形成
される封止空間(21)にダイ形状あるいはチップ形状
で組み込まれるので、従来のプリント基板の様に樹脂モ
ールドしたものに比較して極めて占有面積が小さくなり
、実装密度の大幅に向上できる利点を有する。
Fourth, the microcomputer (7) and its peripheral circuit elements (8) connected to the EPROM chip (6) are sealed by a case material (9) and two integrated circuit boards (3). Since it is incorporated into the stop space (21) in the form of a die or chip, it occupies an extremely small area compared to a conventional printed circuit board molded with resin, and has the advantage of greatly improving packaging density.

第5にケース材(9)と二枚の集積回路基板(2)(3
)の周端を実質的に一致させることにより、集積回路基
板(2)(3)のほぼ全面を封止空間(21)として利
用でき、実装密度の向上と相まって極めてコンパクトな
混成集積回路装置を実現できる。
Fifth, the case material (9) and two integrated circuit boards (2) (3)
) by substantially matching the peripheral edges of the integrated circuit boards (2) and (3), almost the entire surface of the integrated circuit boards (2) and (3) can be used as the sealed space (21), which, together with improved packaging density, makes it possible to create an extremely compact hybrid integrated circuit device. realizable.

第6にEPROMチップ(6)上には遮光用の樹脂層(
21b)が設けられているためにEPROMチップ(6
)を保護することができると共にEPROMチップ(6
)への遮光ができ且つEPROMチップ(6)と一方の
基板り2)のすき間も封止できる利点を有する。
Sixth, there is a light-shielding resin layer (
Since the EPROM chip (21b) is provided, the EPROM chip (6
) and can protect EPROM chips (6
), and the gap between the EPROM chip (6) and one of the substrates 2) can be sealed.

第7に二枚の集積回路基板(2)(3)の−辺あるいは
相対向する辺から外部リード(12)(13)を導出で
き、極めて多ビンの混成集積回路装置を実現できる利点
を有する。
Seventh, it has the advantage that the external leads (12) and (13) can be derived from the negative sides or opposing sides of the two integrated circuit boards (2 and 3), making it possible to realize a hybrid integrated circuit device with an extremely large number of bins. .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本実施例を示す斜視図、第2図は第1図のI−
I断面図、第3図は本実施例で用いたケース材を示す斜
視図、第4図は本実施例で用いる基板の断面図、第5図
は他の実施例を示す断面図、第6図は本実施例で用いた
モデムを示すブロック図、第7図は第6図で示したモデ
ムのDTEインターフェースを示すブロック図、第8図
は第6図で示したモデムのマイクロコンピュータを示す
ブロック図、第9図は第6図で示したブロック図を基板
上に実装したときの平面図、第10図は第9図に示した
基板上にケース材を固着したときの平面図、第11図お
よび第12図は従来のEPROM実装構造を示す断面図
である。 (1)・・・混成集積回路装置、 (2)(3)・・・
集積回路基板、 (5)・・・導電路、 (6)・・・
EPROMチップ、(7)・・・マイクロコンピュータ
、(8)・・・回路素子、 (4)・・・くぼみ、 (
9)・・・ケース材、(21a)・・・紫外線透過性樹
脂、 (21b)・・・紫外線不透過性樹脂、  り2
2)・・・シール材。
Fig. 1 is a perspective view showing this embodiment, and Fig. 2 is an I-
3 is a perspective view showing the case material used in this embodiment, FIG. 4 is a sectional view of the substrate used in this embodiment, FIG. 5 is a sectional view showing another embodiment, and FIG. The figure is a block diagram showing the modem used in this embodiment, Figure 7 is a block diagram showing the DTE interface of the modem shown in Figure 6, and Figure 8 is a block diagram showing the microcomputer of the modem shown in Figure 6. 9 is a plan view when the block diagram shown in FIG. 6 is mounted on the board, FIG. 10 is a plan view when the case material is fixed on the board shown in FIG. 9, and FIG. This figure and FIG. 12 are cross-sectional views showing a conventional EPROM mounting structure. (1)...Hybrid integrated circuit device, (2)(3)...
Integrated circuit board, (5)... conductive path, (6)...
EPROM chip, (7)...microcomputer, (8)...circuit element, (4)...dent, (
9)...Case material, (21a)...UV-transparent resin, (21b)...UV-opaque resin, Ri2
2)...Sealing material.

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)二枚の相対向して配置された集積回路基板と、 前記基板の対向する主面に形成された所望パターンを有
する導電路と、 前記導電路に接続された不揮発性メモリーチップと、 前記メモリーからデータを供給され且つ前記基板上の導
電路と接続されたマイクロコンピュータおよびその周辺
回路素子と、 前記基板間に一体化されたケース材とを具備し、 前記一方の基板の周辺の所望位置にくぼみを設け、前記
くぼみで露出した前記他方の基板上の導電路に前記不揮
発性メモリーチップを固着し、前記不揮発性メモリーチ
ップの電極と所望の前記導電路をボンディングワイヤで
接続し、前記両基板と前記ケース材で形成された封止空
間に前記マイクロコンピュータおよびその周辺回路素子
を配置したことを特徴とする混成集積回路装置。
(1) two integrated circuit boards arranged to face each other, a conductive path having a desired pattern formed on opposing main surfaces of the substrates, and a nonvolatile memory chip connected to the conductive path; a microcomputer and its peripheral circuit elements supplied with data from the memory and connected to a conductive path on the substrate; and a case material integrated between the substrates, and a desired area around the one substrate. A recess is provided at the position, the nonvolatile memory chip is fixed to the conductive path on the other substrate exposed in the recess, the electrode of the nonvolatile memory chip and the desired conductive path are connected with a bonding wire, and the A hybrid integrated circuit device, characterized in that the microcomputer and its peripheral circuit elements are arranged in a sealed space formed by both substrates and the case material.
(2)前記集積回路基板として表面を絶縁した金属基板
を用いたことを特徴とする請求項1記載の混成集積回路
装置。
(2) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein a metal substrate whose surface is insulated is used as the integrated circuit board.
(3)前記両基板の形状を実質的に同一形状とすること
を特徴とする請求項1記載の混成集積回路装置。
(3) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the shapes of both the substrates are substantially the same.
(4)前記導電路として銅箔を用いたことを特徴とする
請求項1記載の混成集積回路装置。
(4) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein copper foil is used as the conductive path.
(5)前記マイクロコンピュータは前記導電路上にダイ
形状で組み込まれることを特徴とする請求項1記載の混
成集積回路装置。
(5) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the microcomputer is incorporated in the form of a die on the conductive surface.
(6)前記周辺回路素子としてチップ抵抗、チップコン
デンサーを用いることを特徴とする請求項1記載の混成
集積回路装置。
(6) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein a chip resistor or a chip capacitor is used as the peripheral circuit element.
(7)前記ケース材を前記両基板の周端部とほぼ一致さ
せた一定の厚みを有する枠体を有することを特徴とする
請求項1記載の混成集積回路装置。
(7) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, further comprising a frame having a constant thickness so that the case material substantially coincides with peripheral edges of both the substrates.
(8)前記枠体を前記一方の基板に設けた前記くぼみの
周囲に沿って前記両基板間に配置することを特徴とする
請求項7記載の混成集積回路装置。
(8) The hybrid integrated circuit device according to claim 7, wherein the frame body is arranged between the two substrates along the periphery of the recess provided in the one substrate.
(9)前記孔に紫外線を透過する樹脂を注入した封止樹
脂層で前記不揮発性メモリーチップを封止することを特
徴とする請求項1記載の混成集積回路装置。
(9) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein the nonvolatile memory chip is sealed with a sealing resin layer in which a resin that transmits ultraviolet rays is injected into the hole.
(10)前記孔内の封止樹脂層上に紫外線を遮断するシ
ール樹脂層を設けたことを特徴とする請求項9記載の混
成集積回路装置。
(10) The hybrid integrated circuit device according to claim 9, further comprising a sealing resin layer for blocking ultraviolet rays provided on the sealing resin layer in the hole.
(11)前記シール樹脂層の上面と前記ケース材の上面
とを実質的に一致させたことを特徴とする請求項10記
載の混成集積回路装置。
(11) The hybrid integrated circuit device according to claim 10, wherein the upper surface of the sealing resin layer and the upper surface of the case material are substantially aligned.
(12)前記くぼみを覆うように前記一方の基板上面に
遮光用シール材を接着することを特徴とする請求項1記
載の混成集積回路装置。
(12) The hybrid integrated circuit device according to claim 1, wherein a light-shielding sealant is adhered to the upper surface of the one substrate so as to cover the recess.
JP12491289A 1989-04-20 1989-05-18 Hybrid integrated circuit device Expired - Lifetime JPH0680783B2 (en)

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JP12491289A JPH0680783B2 (en) 1989-05-18 1989-05-18 Hybrid integrated circuit device
US07/510,467 US5285107A (en) 1989-04-20 1990-04-18 Hybrid integrated circuit device
DE69031141T DE69031141T2 (en) 1989-04-20 1990-04-19 Integrated hybrid circuit arrangement
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04354359A (en) * 1991-05-31 1992-12-08 Nippondenso Co Ltd Electronic device

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JPH04354359A (en) * 1991-05-31 1992-12-08 Nippondenso Co Ltd Electronic device

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