JPH02305108A - シュミット回路 - Google Patents
シュミット回路Info
- Publication number
- JPH02305108A JPH02305108A JP1124468A JP12446889A JPH02305108A JP H02305108 A JPH02305108 A JP H02305108A JP 1124468 A JP1124468 A JP 1124468A JP 12446889 A JP12446889 A JP 12446889A JP H02305108 A JPH02305108 A JP H02305108A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reference voltage
- voltage
- level
- output
- comparator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 101100219315 Arabidopsis thaliana CYP83A1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100269674 Mus musculus Alyref2 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100140580 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) REF2 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100152598 Arabidopsis thaliana CYP73A5 gene Proteins 0.000 description 2
- 244000145845 chattering Species 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、ノイズ成分のある信号が入力された場合でも
ノイズによって誤動作しないシュミット回路に関するも
のである。
ノイズによって誤動作しないシュミット回路に関するも
のである。
(従来の技術)
従来、この種のシュミット回路は第3図に示すような構
成であった。第3図において、8はコンパレータ、9.
10.11は抵抗、12はNMOsトランジスタ(以下
、NMO5Trと略す)である、コンパレータ(+)端
子にはシュミット回路の入力信号を入力し、(−)端子
には電源電圧(VDD−GND間)を抵抗9 、10.
11によって分割された基準電圧を供給する。また、コ
ンパレータ8の出力は、NMO8Trのゲートに接続さ
れる共に、シュミット回路の出力となっている。NMO
8Tr12のソースはGNDに、また、ドレインは抵抗
10゜11の接続点へ接続されている。第3図の回路動
作は、入力信号がGND電圧からVDD電圧へ変化する
(以下、立上りという)場合で、コンパレータ8の(−
)入力端子電圧(基準電圧)以上になった時、コンパレ
ータ8の出力が′L”レベルからIIH”レベルに変わ
る。この時、N M OS Tr12が導通し、抵抗1
1が短絡され、基準電圧が下がる。また、入力信号がV
DD電圧からGND電圧へ変化する(以下、立下りとい
う)場合で、コンパレータ8の(−)入力端子電圧(基
準電圧)以下になった時、コンパレータ8の出力が1H
”レベルから“L”レベルへ変わる。この時、 N M
OS Tr12が非導通になり、抵抗11が働くため
基準電圧が上がる。このように基Pi雷電圧変化させる
ことによって入力信号にノイズ成分がある場合でもチャ
タリングなどを防止できる。
成であった。第3図において、8はコンパレータ、9.
10.11は抵抗、12はNMOsトランジスタ(以下
、NMO5Trと略す)である、コンパレータ(+)端
子にはシュミット回路の入力信号を入力し、(−)端子
には電源電圧(VDD−GND間)を抵抗9 、10.
11によって分割された基準電圧を供給する。また、コ
ンパレータ8の出力は、NMO8Trのゲートに接続さ
れる共に、シュミット回路の出力となっている。NMO
8Tr12のソースはGNDに、また、ドレインは抵抗
10゜11の接続点へ接続されている。第3図の回路動
作は、入力信号がGND電圧からVDD電圧へ変化する
(以下、立上りという)場合で、コンパレータ8の(−
)入力端子電圧(基準電圧)以上になった時、コンパレ
ータ8の出力が′L”レベルからIIH”レベルに変わ
る。この時、N M OS Tr12が導通し、抵抗1
1が短絡され、基準電圧が下がる。また、入力信号がV
DD電圧からGND電圧へ変化する(以下、立下りとい
う)場合で、コンパレータ8の(−)入力端子電圧(基
準電圧)以下になった時、コンパレータ8の出力が1H
”レベルから“L”レベルへ変わる。この時、 N M
OS Tr12が非導通になり、抵抗11が働くため
基準電圧が上がる。このように基Pi雷電圧変化させる
ことによって入力信号にノイズ成分がある場合でもチャ
タリングなどを防止できる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、このような従来の構成では、第4図に示
すように入力信号が立上りの時と立下りの時では入力信
号が基準電圧(第4図においては。
すように入力信号が立上りの時と立下りの時では入力信
号が基準電圧(第4図においては。
REFIとREF2)を切ってから第3図のNM○5T
r12のしきい値電圧(第4図おいては、Vyx)を切
るまで、つまり基準電圧が変化するまでの時間(第4図
においては、T□とT2)が異る。しきい値電圧Vy)
1を0.7Vとして考えれば、出力がZiL”レベルか
ら“H”レベルに変化する場合は、VAN=o、’yv
とu L uレベル電圧に近いため、時間的に早く基準
電圧が変化して、入力信号に基準電圧付近のノイズ成分
があっても出力への影響が少なり罵。
r12のしきい値電圧(第4図おいては、Vyx)を切
るまで、つまり基準電圧が変化するまでの時間(第4図
においては、T□とT2)が異る。しきい値電圧Vy)
1を0.7Vとして考えれば、出力がZiL”レベルか
ら“H”レベルに変化する場合は、VAN=o、’yv
とu L uレベル電圧に近いため、時間的に早く基準
電圧が変化して、入力信号に基準電圧付近のノイズ成分
があっても出力への影響が少なり罵。
しかし、出力が、′H”レベルからII L”レベルに
変化する場合、H”レベル電圧からv、TI雷電圧での
電位が離れているため、基準電圧が変化するまでの時間
が長くなり入力信号に基準電圧付近のノイズ成分があっ
た場合チャタリングが発生し、ノイズ成分が出力に影響
を与えるという問題があった。
変化する場合、H”レベル電圧からv、TI雷電圧での
電位が離れているため、基準電圧が変化するまでの時間
が長くなり入力信号に基準電圧付近のノイズ成分があっ
た場合チャタリングが発生し、ノイズ成分が出力に影響
を与えるという問題があった。
本発明は、このような問題を解決するもので、出力がI
t HItレベルから11 L nレベルへ変化する場
合でも、出力が11 L 11レベルからIt H11
レベルへ変化する場合のように基準電圧が早く変化する
ことを目的とするものである。
t HItレベルから11 L nレベルへ変化する場
合でも、出力が11 L 11レベルからIt H11
レベルへ変化する場合のように基準電圧が早く変化する
ことを目的とするものである。
(i1g題を解決するための手段)
本発明は、上記目的を達成するために、シュミット電圧
を発生させるシュミット回路において、該シュミット回
路の基準電圧を発生させるため、電源電位−GND電位
間の電位を分割する複数の抵抗と、前記基準電圧を取り
出す抵抗の接続点を中心として、電源電位側にある一部
の抵抗をトランジスタによって短絡させる回路と、GN
D側にある一部の抵抗をトランジスタによって短絡させ
る回路とを有し、電源電位側およびGND側トランジス
タを導通/非導通状態とすることによって基準電圧を変
化させるように構成する。
を発生させるシュミット回路において、該シュミット回
路の基準電圧を発生させるため、電源電位−GND電位
間の電位を分割する複数の抵抗と、前記基準電圧を取り
出す抵抗の接続点を中心として、電源電位側にある一部
の抵抗をトランジスタによって短絡させる回路と、GN
D側にある一部の抵抗をトランジスタによって短絡させ
る回路とを有し、電源電位側およびGND側トランジス
タを導通/非導通状態とすることによって基準電圧を変
化させるように構成する。
(作 用)
この構成により、入力信号が立下りの場合で、コンパレ
ータの基準電圧以下になった時、コンパレータ出力は“
H”レベルから“L”レベルに変化し、VDD電圧付近
にしきい値電圧があるため従来よりも早く基準電圧が変
化することになり。
ータの基準電圧以下になった時、コンパレータ出力は“
H”レベルから“L”レベルに変化し、VDD電圧付近
にしきい値電圧があるため従来よりも早く基準電圧が変
化することになり。
入力信号に基準電圧付近のノイズ成分があっても影響は
少なくなる。
少なくなる。
(実施例)
第1図は、本発明の一実施例によるPMO8゜N M
OS T r構成のシュミット回路図である。第1図に
おいて、1はコンパレータ、2,3,4゜5は抵抗、6
はPMoSトランジスタ(以下PMO8Trと略す)、
7はNMOSトランジスタ(以下PMO8Trと略す)
である。コンパレータ1の(+)端子にはこの実施例回
路の入力信号が入力し、(−)端子には電源電圧(VD
D−GND間)を抵抗2.3,4.5によって分割した
基準電圧を供給する。また、コンパレータ1の出力は、
PMO8Tr6とMNO8Tr7のゲートへ接続される
と共に、この実施例回路の出力となっている。PMO3
Tr6のソースはVDDに、また、ドレインは抵抗2.
3の接続点に接続され、NMO3Tr7のソースはGN
Dに、また、ドレインは抵抗4゜5の接続点に接続され
る。
OS T r構成のシュミット回路図である。第1図に
おいて、1はコンパレータ、2,3,4゜5は抵抗、6
はPMoSトランジスタ(以下PMO8Trと略す)、
7はNMOSトランジスタ(以下PMO8Trと略す)
である。コンパレータ1の(+)端子にはこの実施例回
路の入力信号が入力し、(−)端子には電源電圧(VD
D−GND間)を抵抗2.3,4.5によって分割した
基準電圧を供給する。また、コンパレータ1の出力は、
PMO8Tr6とMNO8Tr7のゲートへ接続される
と共に、この実施例回路の出力となっている。PMO3
Tr6のソースはVDDに、また、ドレインは抵抗2.
3の接続点に接続され、NMO3Tr7のソースはGN
Dに、また、ドレインは抵抗4゜5の接続点に接続され
る。
以上のように構成された本実施例の回路について以下に
その動作に説明する。まず、第2図が動作タイミングチ
ャートである。回路の動作は、入力信号が立上りの時は
基準電圧REFI以上になった時、コンパレータ1の出
力が“L”レベルから“H7ルベルへ変わる。コンパレ
ータ1の出力電圧がNMO8Tr7のしきい値電圧(以
下、Vtxと略す)以上になった時、NMO8Tr7は
導通し、基準電圧はREF2へ下がり、更にP M O
S Tr6のしきい値電圧(以下、■□と略す)以上に
なった時、PMO8Tr6は非導通となり、基準電圧は
REF3へと下がる。また、入力信号が立下りの時は基
準電圧REF3以下となった時、コンパレータ1の出力
(IH″レベルから”L”レベルへ変わる。コンパレー
タ1の出力がv、P以下になった時、PMO8Tr6は
導通し、基準電圧はREF2へ上がり、更にVtX以下
になった時、NMO8Tr7は非導通となり、基準電圧
はREFIへと上がる。
その動作に説明する。まず、第2図が動作タイミングチ
ャートである。回路の動作は、入力信号が立上りの時は
基準電圧REFI以上になった時、コンパレータ1の出
力が“L”レベルから“H7ルベルへ変わる。コンパレ
ータ1の出力電圧がNMO8Tr7のしきい値電圧(以
下、Vtxと略す)以上になった時、NMO8Tr7は
導通し、基準電圧はREF2へ下がり、更にP M O
S Tr6のしきい値電圧(以下、■□と略す)以上に
なった時、PMO8Tr6は非導通となり、基準電圧は
REF3へと下がる。また、入力信号が立下りの時は基
準電圧REF3以下となった時、コンパレータ1の出力
(IH″レベルから”L”レベルへ変わる。コンパレー
タ1の出力がv、P以下になった時、PMO8Tr6は
導通し、基準電圧はREF2へ上がり、更にVtX以下
になった時、NMO8Tr7は非導通となり、基準電圧
はREFIへと上がる。
以上のように本実施例によれば、GND電圧付近にしき
い値を持つトランジスタの他にVDD@圧付近にしきい
値を持つトランジスタを加えることにより入力信号が立
下りの時でも基準電圧の変化が早くなるようにすること
ができる。
い値を持つトランジスタの他にVDD@圧付近にしきい
値を持つトランジスタを加えることにより入力信号が立
下りの時でも基準電圧の変化が早くなるようにすること
ができる。
なお、第1図、第2図に示す実施例は、正論理で説明し
ているがコンパレータのく+)入力端子と(−)入力端
子とを入れ換えて出力を負論理とすることも可能である
。また、基準電圧発生部のMOSトランジスタは、バイ
ポーラトランジスタで置き換えることも可能である。
ているがコンパレータのく+)入力端子と(−)入力端
子とを入れ換えて出力を負論理とすることも可能である
。また、基準電圧発生部のMOSトランジスタは、バイ
ポーラトランジスタで置き換えることも可能である。
(発明の効果)
以上のように本発明によれば、VD、D電圧付近にしき
い値電圧を持つトランジスタとGND電圧付近にしきい
値電圧を持つトランジスタを設けることによって、コン
パレータの出力が1′HItレベルから“L”レベルに
変化する場合も“L”レベルからtt H+tレベルへ
変化する場合と同じように早く基準電圧が変化するため
、入力信号に基準電圧付近のノイズ成分があっても影響
が少ないシュミット回路を実現することができる。
い値電圧を持つトランジスタとGND電圧付近にしきい
値電圧を持つトランジスタを設けることによって、コン
パレータの出力が1′HItレベルから“L”レベルに
変化する場合も“L”レベルからtt H+tレベルへ
変化する場合と同じように早く基準電圧が変化するため
、入力信号に基準電圧付近のノイズ成分があっても影響
が少ないシュミット回路を実現することができる。
第1図は、本発明の一実施例によるPMO8・NMO8
Tr構成によるシュミット回路を示す図。 第2図は、第1図の一実施例の動作タイミングチャート
、第3図は、シュミット回路の従来の技術における回路
図、第4図は、第3図の動作タイミングチャートである
。 1 ・・・コンパレータ、 2〜5,9〜11・・・抵
抗、 6− PMO5Tr、 7,12−NMO3T
r、 8 ・・−コンパレータ。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第1図
Tr構成によるシュミット回路を示す図。 第2図は、第1図の一実施例の動作タイミングチャート
、第3図は、シュミット回路の従来の技術における回路
図、第4図は、第3図の動作タイミングチャートである
。 1 ・・・コンパレータ、 2〜5,9〜11・・・抵
抗、 6− PMO5Tr、 7,12−NMO3T
r、 8 ・・−コンパレータ。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第1図
Claims (1)
- シュミット電圧を発生させるシュミット回路において、
該シュミット回路の基準電圧を発生させるため、電源電
位−GND電位間の電位を分割する複数の抵抗と、前記
基準電圧を取り出す抵抗の接続点を中心として、電源電
位側にある一部の抵抗をトランジスタによって短絡させ
る回路と、GND側にある一部の抵抗をトランジスタに
よって短絡させる回路とを有し、電源電位側およびGN
D側トランジスタを導通/非導通状態とすることによっ
て基準電圧を変化させることを特徴とするシュミット回
路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1124468A JPH02305108A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | シュミット回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1124468A JPH02305108A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | シュミット回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02305108A true JPH02305108A (ja) | 1990-12-18 |
Family
ID=14886273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1124468A Pending JPH02305108A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | シュミット回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02305108A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1071215A1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-01-24 | STMicroelectronics S.r.l. | Input stage with dynamic hysteresis |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP1124468A patent/JPH02305108A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1071215A1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-01-24 | STMicroelectronics S.r.l. | Input stage with dynamic hysteresis |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6566935B1 (en) | Power supply circuit with a voltage selector | |
US5349559A (en) | Internal voltage generating circuit | |
US6462609B2 (en) | Trimming circuit of semiconductor apparatus | |
US5019729A (en) | TTL to CMOS buffer circuit | |
US5191235A (en) | Semiconductor integrated circuit device having substrate potential detection circuit | |
KR19980701483A (ko) | Cmos 전력 온 리셋 회로(cmos power on reset circuit) | |
JPS63187816A (ja) | シュミットトリガーを持ったttl/cmosコンパチブル入力バッファ | |
KR20000035735A (ko) | 기동 회로 및 반도체 집적 회로 장치 | |
US8723555B2 (en) | Comparator circuit | |
KR970000291B1 (ko) | 티티엘(ttl) 레벨의 입력 신호를 수신하는 입력 회로 | |
US6753707B2 (en) | Delay circuit and semiconductor device using the same | |
US7218169B2 (en) | Reference compensation circuit | |
US4961015A (en) | MOS current switching circuit | |
CN116633333A (zh) | 一种上电复位电路及集成电路 | |
JPH02305108A (ja) | シュミット回路 | |
JP7465200B2 (ja) | 遅延回路 | |
US20030184395A1 (en) | CR oscillation circuit | |
TW202224358A (zh) | 輸出入模組 | |
US20020017688A1 (en) | Semiconductor memory circuit | |
US20030227315A1 (en) | Level shifting circuit | |
US5319262A (en) | Low power TTL/CMOS receiver circuit | |
JP2753144B2 (ja) | 電位発生回路 | |
US8188775B2 (en) | Circuit arrangement for operating voltage detection | |
JP3233069B2 (ja) | 高耐圧レベル検出回路 | |
JPH0697796A (ja) | パワーオンリセット回路 |