JPH02302491A - エッチング促進添加剤 - Google Patents
エッチング促進添加剤Info
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- JPH02302491A JPH02302491A JP12223789A JP12223789A JPH02302491A JP H02302491 A JPH02302491 A JP H02302491A JP 12223789 A JP12223789 A JP 12223789A JP 12223789 A JP12223789 A JP 12223789A JP H02302491 A JPH02302491 A JP H02302491A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、クロム材をエツチング処理するエッチャント
の促進添加剤に関するものである。
の促進添加剤に関するものである。
従来のフォトマスク等に用いられるクロム材のエツチン
グ処理としては、ガラス、石英等基板上にクロム材薄膜
をコートし、ぎらにレジストを塗布1次に紫外線、電子
線等で露光し、所定パターンを得、現象後、セリウム強
酸塩及び水と過塩素酸、硝酸、硫酸、リン酸、酢酸より
選ばれた1種以上の酸から成るエッチャントにてエツチ
ング処理が施されているが、電子産業の発展にともない
、フォトマスクのより精密な、ハイファイン化要求が求
められている。
グ処理としては、ガラス、石英等基板上にクロム材薄膜
をコートし、ぎらにレジストを塗布1次に紫外線、電子
線等で露光し、所定パターンを得、現象後、セリウム強
酸塩及び水と過塩素酸、硝酸、硫酸、リン酸、酢酸より
選ばれた1種以上の酸から成るエッチャントにてエツチ
ング処理が施されているが、電子産業の発展にともない
、フォトマスクのより精密な、ハイファイン化要求が求
められている。
しかしながら、このような従来の鰯加剤にあっては、微
細なパターンへの、エッチャントの湿潤、浸透性に乏し
くファインパターン化への展開が困難であった。又、湿
潤性、浸透性を改善するが為、界面活性剤の添加が特開
昭61−124589に提案されている。 しかしながら、多くの界面活性剤は、湿潤、浸透性を発
現すると共に著しい発泡を呈し、その発泡に基因する不
均質エツチングやスプレーエツチング操作上のトラブル
発現を起こすに到る事が知られている。さらに、多くの
低発泡性の界面活性剤は、当該エッチャントに安定に溶
解し難く不均質エツチングやスプレーノズルにツマリな
どトラプルを発現する事が知られており、ハイファイン
パターン化への展開が困難であるという問題点があった
。 本発明の目的は、界面活性剤の添加によるトラブルがな
くエッチャントの湿潤、浸透性が良好であるエツチング
促進添加剤を提供するところにある。
細なパターンへの、エッチャントの湿潤、浸透性に乏し
くファインパターン化への展開が困難であった。又、湿
潤性、浸透性を改善するが為、界面活性剤の添加が特開
昭61−124589に提案されている。 しかしながら、多くの界面活性剤は、湿潤、浸透性を発
現すると共に著しい発泡を呈し、その発泡に基因する不
均質エツチングやスプレーエツチング操作上のトラブル
発現を起こすに到る事が知られている。さらに、多くの
低発泡性の界面活性剤は、当該エッチャントに安定に溶
解し難く不均質エツチングやスプレーノズルにツマリな
どトラプルを発現する事が知られており、ハイファイン
パターン化への展開が困難であるという問題点があった
。 本発明の目的は、界面活性剤の添加によるトラブルがな
くエッチャントの湿潤、浸透性が良好であるエツチング
促進添加剤を提供するところにある。
この発明は上記のような従来の問題点に着目してなされ
たものである。すなわち、セリウム強酸塩及び水と、過
塩素酸、硝酸、硫酸、リン酸及び酢酸より選ばれた1種
以上の酸から成るエッチャントにアルカンスルホン酸又
はそれ等の塩類のいづれか1種以上をo、oot重量%
〜1.0重量%好ましくはo、oi重量%〜0.1重量
%添加した配合物を必須成分として含有するクロム材用
エツチング促進添加剤である。 (手段を構成する要件) 本発明に使用するアルカンスルホン酸は、例えばメタン
スルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、
ブタンスルホン酸等が、又2−ヒドロキシエタン−1−
スルホン酸、2−ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸
、l−ヒドロキシプロパン−2−スルホン酸、3−ヒド
ロキシプロパン−1−スルホン酸等のヒドロキシル基含
有アルカンスルホン酸も挙げられる。それらの塩類とし
ては、上記のアルカンスルホン酸のアルカリ金属、アミ
ン、アンモニウム塩等が挙げられる。 アルカンスルホン酸又は、それ等の塩類のいづれか1種
以上を0.001重量%〜1.0重量%好ましくは0.
01重量%〜0.1重量%添加すれば良好である。1.
0重量%を越えて使用すればそれらが残存し腐食の原因
ともなり良くない。 又、セリウム強酸塩としては硫酸第二セリウム、硝酸第
二セリウム、硝酸第二セリウムアンモニウムなどが好ま
しく、これらは単独又は混合物として用いるこ2ができ
る。
たものである。すなわち、セリウム強酸塩及び水と、過
塩素酸、硝酸、硫酸、リン酸及び酢酸より選ばれた1種
以上の酸から成るエッチャントにアルカンスルホン酸又
はそれ等の塩類のいづれか1種以上をo、oot重量%
〜1.0重量%好ましくはo、oi重量%〜0.1重量
%添加した配合物を必須成分として含有するクロム材用
エツチング促進添加剤である。 (手段を構成する要件) 本発明に使用するアルカンスルホン酸は、例えばメタン
スルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、
ブタンスルホン酸等が、又2−ヒドロキシエタン−1−
スルホン酸、2−ヒドロキシプロパン−1−スルホン酸
、l−ヒドロキシプロパン−2−スルホン酸、3−ヒド
ロキシプロパン−1−スルホン酸等のヒドロキシル基含
有アルカンスルホン酸も挙げられる。それらの塩類とし
ては、上記のアルカンスルホン酸のアルカリ金属、アミ
ン、アンモニウム塩等が挙げられる。 アルカンスルホン酸又は、それ等の塩類のいづれか1種
以上を0.001重量%〜1.0重量%好ましくは0.
01重量%〜0.1重量%添加すれば良好である。1.
0重量%を越えて使用すればそれらが残存し腐食の原因
ともなり良くない。 又、セリウム強酸塩としては硫酸第二セリウム、硝酸第
二セリウム、硝酸第二セリウムアンモニウムなどが好ま
しく、これらは単独又は混合物として用いるこ2ができ
る。
本発明エツチング促進添加剤を添加することにより多く
の界面活性剤には観られない優れた溶解安定性とともに
湿潤性、浸透性の向上が計られエツチングスピードの向
上、精密処理性の向上がみられ、さらには界面活性剤に
基因する発泡は実用上問題とならない。
の界面活性剤には観られない優れた溶解安定性とともに
湿潤性、浸透性の向上が計られエツチングスピードの向
上、精密処理性の向上がみられ、さらには界面活性剤に
基因する発泡は実用上問題とならない。
本実施例に使用する本発明と比較例としての添加剤を第
1.2表に示す0次に下記の評価方法により評価し、そ
の結果を第3,4表に示す。 1亘上1」(エツチング性比較) ガラス基板上にクロム材を塗布し、10μm。 5μm、3pmのレジスト(ドツト)パターニング後、
20℃×30秒間、0 、5 k g / Cm 2条
件でスプレーエツチングし、エツチング%を表示する。 11工1」(発泡性比較) 100m文のネスラー管にエツチング液を50mu採取
、Zoo回/ 30 s e cはげしく振盪後、発生
した泡m文数を比較する。 X 著しい発泡 Δ わずかな発泡 O全んど発泡無し 7(目視による溶解安定性) × 分離 Δ 分散 O溶解 (以下余白) 第1表 第2表
1.2表に示す0次に下記の評価方法により評価し、そ
の結果を第3,4表に示す。 1亘上1」(エツチング性比較) ガラス基板上にクロム材を塗布し、10μm。 5μm、3pmのレジスト(ドツト)パターニング後、
20℃×30秒間、0 、5 k g / Cm 2条
件でスプレーエツチングし、エツチング%を表示する。 11工1」(発泡性比較) 100m文のネスラー管にエツチング液を50mu採取
、Zoo回/ 30 s e cはげしく振盪後、発生
した泡m文数を比較する。 X 著しい発泡 Δ わずかな発泡 O全んど発泡無し 7(目視による溶解安定性) × 分離 Δ 分散 O溶解 (以下余白) 第1表 第2表
本発明添加剤を使用することにより優れた溶解安定性と
低発泡性に特徴を有し、クロム材へのエッチャントの湿
潤性、浸透性を促進する事になり、微細なパターンの均
質処理を可能とし、フォトマスクのハイファインパター
ン化を計る事が出来る。
低発泡性に特徴を有し、クロム材へのエッチャントの湿
潤性、浸透性を促進する事になり、微細なパターンの均
質処理を可能とし、フォトマスクのハイファインパター
ン化を計る事が出来る。
Claims (1)
- セリウム強酸塩及び水と、過塩素酸、硝酸、硫酸、リン
酸、及び酢酸より選ばれた1種以上の酸から成るエッチ
ャントにアルカンスルホン酸又は、それ等の塩類のいづ
れか1種以上を0.001重量%〜1.0重量%添加し
た配合物を必須成分として含有することを特徴とする、
クロム材用エッチング促進添加剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12223789A JPH02302491A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | エッチング促進添加剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12223789A JPH02302491A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | エッチング促進添加剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02302491A true JPH02302491A (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=14830978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12223789A Pending JPH02302491A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | エッチング促進添加剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02302491A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0496229A2 (de) * | 1991-01-21 | 1992-07-29 | Riedel-De Haen Aktiengesellschaft | Ätzlösung für nasschemische Prozesse der Halbleiterherstellung |
EP0931854A1 (fr) * | 1998-01-26 | 1999-07-28 | Elf Atochem S.A. | Inhibition de la corrosion des aciers inoxydables en milieu acide organosulfonique |
KR100391716B1 (ko) * | 2000-11-03 | 2003-07-16 | 일동화학 주식회사 | 세륨 함유 원광석을 황산 처리하여 제조되는 조(粗)수산화세륨을 고순도 세릭암모늄나이트레이트를제조하기에 적합한 원료로 만들기 위하여 황 성분을제거하는 방법 |
JP2008115362A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-05-22 | Tsurumi Soda Co Ltd | 導電性高分子用エッチング液、及び、導電性高分子をパターニングする方法 |
-
1989
- 1989-05-16 JP JP12223789A patent/JPH02302491A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0496229A2 (de) * | 1991-01-21 | 1992-07-29 | Riedel-De Haen Aktiengesellschaft | Ätzlösung für nasschemische Prozesse der Halbleiterherstellung |
EP0931854A1 (fr) * | 1998-01-26 | 1999-07-28 | Elf Atochem S.A. | Inhibition de la corrosion des aciers inoxydables en milieu acide organosulfonique |
US6120619A (en) * | 1998-01-26 | 2000-09-19 | Elf Atochem, S.A. | Passivation of stainless steels in organosulphonic acid medium |
KR100391716B1 (ko) * | 2000-11-03 | 2003-07-16 | 일동화학 주식회사 | 세륨 함유 원광석을 황산 처리하여 제조되는 조(粗)수산화세륨을 고순도 세릭암모늄나이트레이트를제조하기에 적합한 원료로 만들기 위하여 황 성분을제거하는 방법 |
JP2008115362A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-05-22 | Tsurumi Soda Co Ltd | 導電性高分子用エッチング液、及び、導電性高分子をパターニングする方法 |
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