JPH02302069A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPH02302069A JPH02302069A JP12371989A JP12371989A JPH02302069A JP H02302069 A JPH02302069 A JP H02302069A JP 12371989 A JP12371989 A JP 12371989A JP 12371989 A JP12371989 A JP 12371989A JP H02302069 A JPH02302069 A JP H02302069A
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- lead frame
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- plating
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Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、能動素子と受動素子等の素子がトランスファ
ーモールド樹脂で樹脂封止された混成集積回路装置に関
する。
ーモールド樹脂で樹脂封止された混成集積回路装置に関
する。
従来、この種の混成集積回路装置は、第4図に示すよう
に、金属性のリードフレーム9上のアイランド10に回
路基板5を接着剤8を用いて接着し、能動素子と受動素
子等の素子3を搭載し、金属細線2等を用いて能動素子
と受動素子等の素子3と回路基板5上の回路パターン6
および回路パターン6とリードフレーム9上のAgめつ
き12とを接合することにより回路を形成し、さらに、
トランスファーモールド樹脂1を用いて樹脂封止を行う
構造となっている。
に、金属性のリードフレーム9上のアイランド10に回
路基板5を接着剤8を用いて接着し、能動素子と受動素
子等の素子3を搭載し、金属細線2等を用いて能動素子
と受動素子等の素子3と回路基板5上の回路パターン6
および回路パターン6とリードフレーム9上のAgめつ
き12とを接合することにより回路を形成し、さらに、
トランスファーモールド樹脂1を用いて樹脂封止を行う
構造となっている。
上述した従来の混成集積回路装置は、回路基板5とリー
ドフレーム9との間隔が300〜500μm程度あるな
め、次に列挙するような問題点があった。
ドフレーム9との間隔が300〜500μm程度あるな
め、次に列挙するような問題点があった。
(1)金属細線2と回路基板5上の回路パターン−6と
リードフレーム9上のAgめつき12とを、例えば、超
音波加熱ボンディング法を用いて熱圧着するとき、回路
基板5およびリードフレーム9にそり等があるとき、ボ
ンディング装置の押え板および真空吸着では十分な固定
ができないため、超音波の減衰および加熱不足により、
ボンディング強度が低下し接続ミスが生じるおそれがあ
る。
リードフレーム9上のAgめつき12とを、例えば、超
音波加熱ボンディング法を用いて熱圧着するとき、回路
基板5およびリードフレーム9にそり等があるとき、ボ
ンディング装置の押え板および真空吸着では十分な固定
ができないため、超音波の減衰および加熱不足により、
ボンディング強度が低下し接続ミスが生じるおそれがあ
る。
<2) −iに、リードフレーム9上のポンディグ部に
はAgめっき12が4〜10μm程度施されているため
、従来の構造では、リードフレーム9上のアイランド1
0に回路基板5を接着剤8にて貼り付け、さらに、洗浄
および検査等のハンドリングが追加されるため、工場内
の硫化ガス等によりAgめっきが変色し、ボンディング
接続不良および変色の進行による長期保管ができない。
はAgめっき12が4〜10μm程度施されているため
、従来の構造では、リードフレーム9上のアイランド1
0に回路基板5を接着剤8にて貼り付け、さらに、洗浄
および検査等のハンドリングが追加されるため、工場内
の硫化ガス等によりAgめっきが変色し、ボンディング
接続不良および変色の進行による長期保管ができない。
(3〉トランスファーモールド樹脂1で樹脂封止すると
き溶融した樹脂が、回路基板5とリードフレーム9との
電気接合である金属細線2等に流れ込み、機械的ストレ
スが金属fFa線2に加わり、変形または断線する。
き溶融した樹脂が、回路基板5とリードフレーム9との
電気接合である金属細線2等に流れ込み、機械的ストレ
スが金属fFa線2に加わり、変形または断線する。
本発明の目的は、これら回路基板5とリードフレーム9
とが十分機械的接合強度および電気的接合を保ち、金属
細線の変形や断線がなく、さらに、長期保管が可能な混
成集積回路装置を提供することにある。
とが十分機械的接合強度および電気的接合を保ち、金属
細線の変形や断線がなく、さらに、長期保管が可能な混
成集積回路装置を提供することにある。
本発明の混成集積回路装置は、回路基板とリードフレー
ムとを機械的に接合した後、接合した前記回路基板と前
記リードフレームの所定の箇所に貫通孔を設け、さらに
、該貫通孔にめっきを行い電気的に接合してスルーホー
ルを形成し、前記回路基板上に能動素子と受動素子との
うちの少くともいずれか1個の素子を搭載し、前記素子
と前記回路基板のそれぞれの所定箇所同志を電気的に接
合し、さらに樹脂封止されている9 〔実施例〕 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
ムとを機械的に接合した後、接合した前記回路基板と前
記リードフレームの所定の箇所に貫通孔を設け、さらに
、該貫通孔にめっきを行い電気的に接合してスルーホー
ルを形成し、前記回路基板上に能動素子と受動素子との
うちの少くともいずれか1個の素子を搭載し、前記素子
と前記回路基板のそれぞれの所定箇所同志を電気的に接
合し、さらに樹脂封止されている9 〔実施例〕 次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
第1図は本発明の第1の実施例の断面図である。
第1の実施例は、第1図に示すように、回路基板5とリ
ードフレーム9とを接着剤8を用いて機械的に接合し、
さらに、接合した回路基板5とリードフレーム9とを貫
通する貫通孔を設け、プリント板技術による無電解およ
び電解めっき法により10〜15μm程度のCuめっき
をすることによりスルーホール7を形成して電気的に接
合し、さらに、回路パターン6を形成したあと、5〜8
μm程度のNiめっきおよび0.3〜0.6μm程度の
Auめっきをし、所定の箇所に能動素子と受動素子等の
素子3をペースト4を用いて搭載または印刷等により形
成(図示せず)し、さらに、直径25〜3011m程度
の金属細線2を用いて内部回路を形成し、トランスファ
ーモールド樹脂1により樹脂封止したもので、回路基板
5上の回路パターン6とリードフレーム9との接続はス
ルーホール7によって行っている。
ードフレーム9とを接着剤8を用いて機械的に接合し、
さらに、接合した回路基板5とリードフレーム9とを貫
通する貫通孔を設け、プリント板技術による無電解およ
び電解めっき法により10〜15μm程度のCuめっき
をすることによりスルーホール7を形成して電気的に接
合し、さらに、回路パターン6を形成したあと、5〜8
μm程度のNiめっきおよび0.3〜0.6μm程度の
Auめっきをし、所定の箇所に能動素子と受動素子等の
素子3をペースト4を用いて搭載または印刷等により形
成(図示せず)し、さらに、直径25〜3011m程度
の金属細線2を用いて内部回路を形成し、トランスファ
ーモールド樹脂1により樹脂封止したもので、回路基板
5上の回路パターン6とリードフレーム9との接続はス
ルーホール7によって行っている。
、第2図は本発明の第2の実施例の断面図である。
第2の実施例は第2図に示すように、能動素子と受動素
子等の素子3の搭載部である回路基板5に貫通穴11を
設けた構造となっている。又、貫通穴11でなく回路基
板5の1/2厚程度の深さの座ぐり(図示せず)でもよ
い。
子等の素子3の搭載部である回路基板5に貫通穴11を
設けた構造となっている。又、貫通穴11でなく回路基
板5の1/2厚程度の深さの座ぐり(図示せず)でもよ
い。
本実施例では、能動素子と受動素子等の素子3側のトラ
ンスファーモールド樹脂1を、例えば、フラットまたは
SOP等薄いパッケージのとき、部品の高さ制限の緩和
および半導体素子の裏面研摩をすることなくモールドで
きる。さらに、金属性のアイランド10に直接搭載でき
るなめ、熱抵抗の改善もできる構造である。
ンスファーモールド樹脂1を、例えば、フラットまたは
SOP等薄いパッケージのとき、部品の高さ制限の緩和
および半導体素子の裏面研摩をすることなくモールドで
きる。さらに、金属性のアイランド10に直接搭載でき
るなめ、熱抵抗の改善もできる構造である。
第3図は本発明の第3の実施例の断面図である。
第3の実施例は、第3図に示すように、スルーホール7
を介して両面に能動素子と受動素子等の素子3を搭載し
、高密度実装したものである。さらに、プリント板の多
層技術により、アイランド10に所定のパターンを形成
しておけば、3層構造にも、なるなめ、高密度回路化も
容易にできる。
を介して両面に能動素子と受動素子等の素子3を搭載し
、高密度実装したものである。さらに、プリント板の多
層技術により、アイランド10に所定のパターンを形成
しておけば、3層構造にも、なるなめ、高密度回路化も
容易にできる。
また、製造上機械的および電気的保護のため能動素子と
受動素子等の素子3と金属細線2を絶縁性樹脂で保護く
図示せず)することも考えられる。
受動素子等の素子3と金属細線2を絶縁性樹脂で保護く
図示せず)することも考えられる。
以上説明したように本発明は、リードフレームと回路基
板とを接着剤を用いて機械的接合し、さらに、スルーホ
ールを介して回路基板とリードフレームを電気的接合し
ているため、リードフレームと回路基板間の金属細線お
よびリードフレーム上のAgめっきの省略ができるため
、基板のそり、Agめっきの変色およびトランスファー
モールド樹脂により樹脂封止するときの金属細線の変形
や切断がなくなり、接続の信頼性向上1資材費低減およ
び製造コスト低減が可能となる効果がある。
板とを接着剤を用いて機械的接合し、さらに、スルーホ
ールを介して回路基板とリードフレームを電気的接合し
ているため、リードフレームと回路基板間の金属細線お
よびリードフレーム上のAgめっきの省略ができるため
、基板のそり、Agめっきの変色およびトランスファー
モールド樹脂により樹脂封止するときの金属細線の変形
や切断がなくなり、接続の信頼性向上1資材費低減およ
び製造コスト低減が可能となる効果がある。
さらに、リードフレームの長期保管によるAgめっき部
の変色による劣化がなくなる効果もある。
の変色による劣化がなくなる効果もある。
区画の簡単な説明
第1図は本発明の第1の実施例の断面図、第2図は本発
明の第2の実施例の断面図、第3図は本発明の第3の実
施例の断面図、第4図は従来の混成集積回路装置の一例
の断面図である。
明の第2の実施例の断面図、第3図は本発明の第3の実
施例の断面図、第4図は従来の混成集積回路装置の一例
の断面図である。
1・・・トランスファーモールド樹脂、2・・・金属細
線、3・・・素子、4・・・ペースト、5・・・回路基
板、6・・・回路パターン、7・・・スルーホール、8
・・・接着剤、9・・・リードフレーム、10・・・ア
イランド、11・・・貫通穴、12・・・Agめっき。
線、3・・・素子、4・・・ペースト、5・・・回路基
板、6・・・回路パターン、7・・・スルーホール、8
・・・接着剤、9・・・リードフレーム、10・・・ア
イランド、11・・・貫通穴、12・・・Agめっき。
Claims (1)
- 回路基板とリードフレームとを機械的に接合した後、接
合した前記回路基板と前記リードフレームの所定の箇所
に貫通孔を設け、さらに、該貫通孔にめっきを行い電気
的に接合してスルーホールを形成し、前記回路基板上に
能動素子と受動素子とのうちの少くともいずれか1個の
素子を搭載し、前記素子と前記回路基板のそれぞれの所
定箇所同志を電気的に接合し、さらに樹脂封止したこと
を特徴とする混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12371989A JPH02302069A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12371989A JPH02302069A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02302069A true JPH02302069A (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=14867669
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12371989A Pending JPH02302069A (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02302069A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5646829A (en) * | 1994-11-25 | 1997-07-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Resin sealing type semiconductor device having fixed inner leads |
-
1989
- 1989-05-16 JP JP12371989A patent/JPH02302069A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5646829A (en) * | 1994-11-25 | 1997-07-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Resin sealing type semiconductor device having fixed inner leads |
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