JPH023017Y2 - - Google Patents
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- JPH023017Y2 JPH023017Y2 JP1983168166U JP16816683U JPH023017Y2 JP H023017 Y2 JPH023017 Y2 JP H023017Y2 JP 1983168166 U JP1983168166 U JP 1983168166U JP 16816683 U JP16816683 U JP 16816683U JP H023017 Y2 JPH023017 Y2 JP H023017Y2
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Landscapes
- Electrically Driven Valve-Operating Means (AREA)
- Multiple-Way Valves (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、電歪素子に設けられた弁体で直接弁
座の開閉を行なう電子弁に関し、特に電歪素子に
設けられた弁体で開閉される弁座の位置調整が可
能な電子弁に関する。
座の開閉を行なう電子弁に関し、特に電歪素子に
設けられた弁体で開閉される弁座の位置調整が可
能な電子弁に関する。
従来から、空気圧回路に用いられている方向制
御弁では、電磁石により弁の切換えを行なう電磁
弁が多用にされていた。この電磁弁を高速で作動
させようとすると、電磁石が大きくなつてしま
い、電磁石が電磁弁の小形化かつ高速作動の妨げ
となつていた。また、電磁弁では制御する側の電
源等の負担が多いので消費電力が大きいととも
に、それに伴う発熱により弁体、シール等を形成
する弾性材料を劣化させる原因となつていた。さ
らに、電磁石を高速作動させる騒音を発生すると
いう問題もあつた。
御弁では、電磁石により弁の切換えを行なう電磁
弁が多用にされていた。この電磁弁を高速で作動
させようとすると、電磁石が大きくなつてしま
い、電磁石が電磁弁の小形化かつ高速作動の妨げ
となつていた。また、電磁弁では制御する側の電
源等の負担が多いので消費電力が大きいととも
に、それに伴う発熱により弁体、シール等を形成
する弾性材料を劣化させる原因となつていた。さ
らに、電磁石を高速作動させる騒音を発生すると
いう問題もあつた。
実開昭57−93680号「ポペツト形流路開閉弁」
では、ノズルフラツパ機構の背圧を流路開閉用ポ
ペツト弁のパイロツト圧に使用する弁において、
フラツパ作動を電歪素子により行なう弁構造を開
示している。しかし、この構造ではブリード機構
を使用したパイロツト開閉弁であり空気圧使用量
に多大の無駄を生じていた。
では、ノズルフラツパ機構の背圧を流路開閉用ポ
ペツト弁のパイロツト圧に使用する弁において、
フラツパ作動を電歪素子により行なう弁構造を開
示している。しかし、この構造ではブリード機構
を使用したパイロツト開閉弁であり空気圧使用量
に多大の無駄を生じていた。
本考案の目的は電歪素子を予め本体に固定した
のち、電歪素子に設けられた弁体で開閉される弁
座を調整して位置決めし、電歪素子を作動させる
ことにより、製造、組立が簡単であるとともに、
電歪素子の構造を改良することにより圧接力を増
加させ弁の開閉動作を確実にできる電子弁を提供
することにある。
のち、電歪素子に設けられた弁体で開閉される弁
座を調整して位置決めし、電歪素子を作動させる
ことにより、製造、組立が簡単であるとともに、
電歪素子の構造を改良することにより圧接力を増
加させ弁の開閉動作を確実にできる電子弁を提供
することにある。
前記目的を達成するために本考案による電子弁
は、第1のポートが第1の弁座に、第2のポート
が本体内の空気空間に、第3のポートが第2の弁
座にそれぞれ接続されており、前記第1および第
2の弁座を開閉することにより動作流体の方向を
切換える制御弁であつて、前記第1の弁座が先端
に設けられ、該第1の弁座が内部の流路を介して
前記第1のポートに連通し、外周で前記本体に螺
合して進退できる第1の弁座部材と、前記第2の
弁座が前記第1の弁座に対面して先端に設けら
れ、該第2の弁座が内部の流路を介して前記第3
のポートに連通し、外周で前記本体に螺合して進
退できる第2の弁座部材と、前記本体に基部で固
定され、先端に前記第1の弁座に対面して設けら
れた第1の弁体と前記第2の弁座に対面して設け
られた第2の弁体を有するバイモルフ構造の電歪
素子とからなり、前記電歪素子に通電しないとき
に前記第1の弁座部材の第1の弁座が前記第1の
弁体によつて閉じられ、前記第2の弁座部材の第
2の弁座が前記第2の弁体によつて開かれてお
り、前記電歪素子に通電したときに前記第1の弁
座が前記第1の弁体によつて開かれ、前記第2の
弁座が前記第2の弁体によつて閉じられるよう
に、前記第1および第2の弁座部材を位置決めす
るように構成されている。
は、第1のポートが第1の弁座に、第2のポート
が本体内の空気空間に、第3のポートが第2の弁
座にそれぞれ接続されており、前記第1および第
2の弁座を開閉することにより動作流体の方向を
切換える制御弁であつて、前記第1の弁座が先端
に設けられ、該第1の弁座が内部の流路を介して
前記第1のポートに連通し、外周で前記本体に螺
合して進退できる第1の弁座部材と、前記第2の
弁座が前記第1の弁座に対面して先端に設けら
れ、該第2の弁座が内部の流路を介して前記第3
のポートに連通し、外周で前記本体に螺合して進
退できる第2の弁座部材と、前記本体に基部で固
定され、先端に前記第1の弁座に対面して設けら
れた第1の弁体と前記第2の弁座に対面して設け
られた第2の弁体を有するバイモルフ構造の電歪
素子とからなり、前記電歪素子に通電しないとき
に前記第1の弁座部材の第1の弁座が前記第1の
弁体によつて閉じられ、前記第2の弁座部材の第
2の弁座が前記第2の弁体によつて開かれてお
り、前記電歪素子に通電したときに前記第1の弁
座が前記第1の弁体によつて開かれ、前記第2の
弁座が前記第2の弁体によつて閉じられるよう
に、前記第1および第2の弁座部材を位置決めす
るように構成されている。
前記構成によれば本考案の目的は完全に達成で
きる。
きる。
以下、図面等を参照して本考案をさらに詳しく
説明する。
説明する。
第1図は本考案による電子弁の第1の実施例を
示す断面図である。第2図は本考案による電子弁
に用いられている電歪素子の実施例を示した斜視
図である。
示す断面図である。第2図は本考案による電子弁
に用いられている電歪素子の実施例を示した斜視
図である。
弁本体1は中央部に上方が開口した空気空間1
00が形成されている。また、本体1にはインポ
ート1N、アウトポートOUT、排気ポートEXH
設けられている。インポート1Nは、流路101
を介して円環状の空気空間102に連通してい
る。アウトポートOUTは、空気空間100に直
接連通している。排気ポートEXHは流路106
を介して円環状の空気空間107に連通してい
る。さらに、本体には弁座部材11,12が設け
られている。
00が形成されている。また、本体1にはインポ
ート1N、アウトポートOUT、排気ポートEXH
設けられている。インポート1Nは、流路101
を介して円環状の空気空間102に連通してい
る。アウトポートOUTは、空気空間100に直
接連通している。排気ポートEXHは流路106
を介して円環状の空気空間107に連通してい
る。さらに、本体には弁座部材11,12が設け
られている。
弁座部材11,12は先端に円錐状の弁座11
a,12aを有する円筒形の部材であつて、円筒
外周にねじ部11b,12bが設けられている。
弁座部材11,12の後端には埋金13,14で
封止されており、内部に空気空間104,109
を形成し、空気空間104,109には外周に連
通する流路103,108と弁座11a,12a
の開口に連通する流路105,110が設けられ
ている。流路105,110の直径は弁の容量、
すなわち流路105,110を通る空気の流量を
決定する。この径を大きくするためには電歪素子
3による圧接力を大きくしなければならない。こ
のため、後述するように電歪素子3を2枚重ね合
わせて使用するようにしている。
a,12aを有する円筒形の部材であつて、円筒
外周にねじ部11b,12bが設けられている。
弁座部材11,12の後端には埋金13,14で
封止されており、内部に空気空間104,109
を形成し、空気空間104,109には外周に連
通する流路103,108と弁座11a,12a
の開口に連通する流路105,110が設けられ
ている。流路105,110の直径は弁の容量、
すなわち流路105,110を通る空気の流量を
決定する。この径を大きくするためには電歪素子
3による圧接力を大きくしなければならない。こ
のため、後述するように電歪素子3を2枚重ね合
わせて使用するようにしている。
弁座部材11,12はOリング91,92を介
して本体1に気密を保ちながら、ねじ部11b,
12bで位置決め固定される。このとき、インポ
ートINに連通する空気空間102は弁座部材1
1の流路103、空気空間104、流路105を
介して本体1の空気空間100に連通する。同様
に、排気ポートEXHに連通する空気空間107
は弁座部材12の流路108、空気空間109、
流路110を介して本体1の空気空間100に連
通する。なお、弁座部材11,12の弁座11
a,12aは対面して設けられている。
して本体1に気密を保ちながら、ねじ部11b,
12bで位置決め固定される。このとき、インポ
ートINに連通する空気空間102は弁座部材1
1の流路103、空気空間104、流路105を
介して本体1の空気空間100に連通する。同様
に、排気ポートEXHに連通する空気空間107
は弁座部材12の流路108、空気空間109、
流路110を介して本体1の空気空間100に連
通する。なお、弁座部材11,12の弁座11
a,12aは対面して設けられている。
第2図aに示すように、電歪素子3は2枚の圧
電磁器31,32と異種材料からなる金属板33
とを貼り合わせたバイモルフ構造を有する素子で
ある。電歪素子31,32の表面には焼付により
銀電極が設けられている。圧電磁器31,32は
圧電係数の比較的大きなものが適しており、例え
ばチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)系の磁器が用
いられる。金属板33は電極として用いられてお
り、例えば黄銅が適している。第2図bは電歪素
子3を2枚重ね合わせた例が示されている。この
ようにすれば、電歪素子3の歪による力は2倍に
なるる。3枚以上重ね合わせても同様のことが言
えるる。また、電歪素子3の幅を広くすれば、そ
れに比例した圧接力を得ることができる。
電磁器31,32と異種材料からなる金属板33
とを貼り合わせたバイモルフ構造を有する素子で
ある。電歪素子31,32の表面には焼付により
銀電極が設けられている。圧電磁器31,32は
圧電係数の比較的大きなものが適しており、例え
ばチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)系の磁器が用
いられる。金属板33は電極として用いられてお
り、例えば黄銅が適している。第2図bは電歪素
子3を2枚重ね合わせた例が示されている。この
ようにすれば、電歪素子3の歪による力は2倍に
なるる。3枚以上重ね合わせても同様のことが言
えるる。また、電歪素子3の幅を広くすれば、そ
れに比例した圧接力を得ることができる。
電歪素子3はリード線61,62に接続されて
おり、圧電磁器31,32の表面側にはリード線
61が、金属板33側にはリード線62がそれぞ
れ半田付けされている。リード線61,62間に
は抵抗体7が接続されている。そして、電歪素子
3の上端とリード線61,62、抵抗体7との接
続部は高分子材料8により、素子ホルダ51,5
2内で一体的にモールドされている。これは電歪
素子3の高速作動に対して接触不良や断線などの
事故を防止してバルブの信頼性を向上させるため
である。抵抗体7が挿入されているのは、非導通
にしたときには電歪素子3に蓄積された電荷を放
電して、電歪素子3を復帰しやすくすためであ
る。素子ホルダ52はOリング93で本体1に気
密に嵌合されており、蓋54で押えられている。
蓋54はねじ55,55で本体1に固定されてい
る。電歪素子3の先端には弁体41,42が弁座
部材11,12の弁座11a,12aに対面して
設けられている。
おり、圧電磁器31,32の表面側にはリード線
61が、金属板33側にはリード線62がそれぞ
れ半田付けされている。リード線61,62間に
は抵抗体7が接続されている。そして、電歪素子
3の上端とリード線61,62、抵抗体7との接
続部は高分子材料8により、素子ホルダ51,5
2内で一体的にモールドされている。これは電歪
素子3の高速作動に対して接触不良や断線などの
事故を防止してバルブの信頼性を向上させるため
である。抵抗体7が挿入されているのは、非導通
にしたときには電歪素子3に蓄積された電荷を放
電して、電歪素子3を復帰しやすくすためであ
る。素子ホルダ52はOリング93で本体1に気
密に嵌合されており、蓋54で押えられている。
蓋54はねじ55,55で本体1に固定されてい
る。電歪素子3の先端には弁体41,42が弁座
部材11,12の弁座11a,12aに対面して
設けられている。
電歪素子3が本体1に固定されたのち、弁座部
材11,12のねじ部11b,12bを回動させ
て、電歪素子3を通電しない状態で弁体41が弁
座11aを閉じ、弁体42が弁座12aを開き、
通電した状態で弁体41が弁座11aを開き、弁
体42が弁座12bを閉じるように調整する。
材11,12のねじ部11b,12bを回動させ
て、電歪素子3を通電しない状態で弁体41が弁
座11aを閉じ、弁体42が弁座12aを開き、
通電した状態で弁体41が弁座11aを開き、弁
体42が弁座12bを閉じるように調整する。
つぎに、本考案による電子弁の第1の実施例の
動作を説明する。
動作を説明する。
リード線6に通電されていないときには、電歪
素子3は歪んでいないので、電歪素子3に設けら
れている弁体41が弁座11aを閉じている。こ
のため、インポートINから流路101、空気空
間102、流路103、空気空間104、流路1
05を介して供給される空気圧は遮断されてい
る。
素子3は歪んでいないので、電歪素子3に設けら
れている弁体41が弁座11aを閉じている。こ
のため、インポートINから流路101、空気空
間102、流路103、空気空間104、流路1
05を介して供給される空気圧は遮断されてい
る。
いま、リード線6に通電されたとすると、電歪
素子3は第1図右側に歪むので、電歪素子3に設
けられている弁体41は弁座11aを開き、弁体
42が弁座12aを閉じる。このため、インポー
トINから流路101、空気空間102、流路1
03、空気空間104、流路105を介して供給
されてきた空気圧は、空気空間100を通り、ア
ウトポートOUTに流れる。
素子3は第1図右側に歪むので、電歪素子3に設
けられている弁体41は弁座11aを開き、弁体
42が弁座12aを閉じる。このため、インポー
トINから流路101、空気空間102、流路1
03、空気空間104、流路105を介して供給
されてきた空気圧は、空気空間100を通り、ア
ウトポートOUTに流れる。
リード線6への通電が停止されると、電歪素子
3は自らの剛性により元の状態に復帰して、弁体
41が弁座11aを閉じ、弁体42が弁座12a
を開く。このため、アウトポートOUTからの空
気圧は、空気空間100、流路110、空気空間
109、流路108、空気空間107、流路10
6を介して排気ポートEXHから排気される。
3は自らの剛性により元の状態に復帰して、弁体
41が弁座11aを閉じ、弁体42が弁座12a
を開く。このため、アウトポートOUTからの空
気圧は、空気空間100、流路110、空気空間
109、流路108、空気空間107、流路10
6を介して排気ポートEXHから排気される。
第3図は本考案による電子弁の第2実施例を示
した断面図である。
した断面図である。
第2の実施例では、第1の実施例のように弁座
部材11,12の後端を埋金13,14で封止せ
ず、直接インポートIN、排気ポートEXHとして
使用するものである。このため、本体1にインポ
ートIN、排気ポートEXHを設ける必要がなく構
造が簡単になり、加工が容易である。
部材11,12の後端を埋金13,14で封止せ
ず、直接インポートIN、排気ポートEXHとして
使用するものである。このため、本体1にインポ
ートIN、排気ポートEXHを設ける必要がなく構
造が簡単になり、加工が容易である。
本実施例では方向制御弁を例に説明したが、排
気ポートEXHを封止して、電歪素子3に印加す
る電圧を制御することによりインポートINから
アウトポートOUTに流れる空気圧の流量を調整
する流量調整弁として使用することも可能であ
る。また、本実施例では常閉形の制御弁として説
明したが、第1図および第3図のインポートIN
と排気ポートEXHを入れ替えて考えれば、常開
形の制御弁として使用することができる。
気ポートEXHを封止して、電歪素子3に印加す
る電圧を制御することによりインポートINから
アウトポートOUTに流れる空気圧の流量を調整
する流量調整弁として使用することも可能であ
る。また、本実施例では常閉形の制御弁として説
明したが、第1図および第3図のインポートIN
と排気ポートEXHを入れ替えて考えれば、常開
形の制御弁として使用することができる。
以上詳しく説明したように、本考案によれば、
電歪素子を本体に予め支持しておいて、弁座部材
により電歪素子に設けられた弁体と弁座部材の弁
座との位置を調整するので、製造、組立が簡単に
なるとともに、動作が確実になり、電子弁の信頼
性が向上した。
電歪素子を本体に予め支持しておいて、弁座部材
により電歪素子に設けられた弁体と弁座部材の弁
座との位置を調整するので、製造、組立が簡単に
なるとともに、動作が確実になり、電子弁の信頼
性が向上した。
第1図は本考案による電子弁の第1の実施例を
示す断面図、第2図は本考案による電子弁に使用
される電歪素子の実施例を示した斜視図、第3図
は本考案による電子弁の第2の実施例を示す断面
図である。 1……本体、11,12……弁座部材、11
a,12a……弁座、11b,12b……ねじ
部、3……電歪素子、31,32……圧電磁器、
33……金属板、4,41,42……弁体、5
1,52……素子ホルダ、53……ブツシユ、5
4……蓋、55……ねじ、6,61,62……リ
ード線、7……抵抗体、8……高分子材料、9…
…シール材。
示す断面図、第2図は本考案による電子弁に使用
される電歪素子の実施例を示した斜視図、第3図
は本考案による電子弁の第2の実施例を示す断面
図である。 1……本体、11,12……弁座部材、11
a,12a……弁座、11b,12b……ねじ
部、3……電歪素子、31,32……圧電磁器、
33……金属板、4,41,42……弁体、5
1,52……素子ホルダ、53……ブツシユ、5
4……蓋、55……ねじ、6,61,62……リ
ード線、7……抵抗体、8……高分子材料、9…
…シール材。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 第1のポートが第1の弁座に、第2のポート
が本体内の空気空間に、第3のポートが第2の
弁座にそれぞれ接続されており、前記第1およ
び第2の弁座を開閉することにより動作流体の
方向を切換える制御弁であつて、前記第1の弁
座が先端に設けられ、該第1の弁座が内部の流
路を介して前記第1のポートに連通し、外周で
前記本体に螺合して進退できる第1の弁座部材
と、前記第2の弁座が前記第1の弁座に対面し
て先端に設けられ、該第2の弁座が内部の流路
を介して前記第3のポートに連通し、外周で前
記本体に螺合して進退できる第2の弁座部材
と、前記本体に基部で固定され、先端に前記第
1の弁座に対面して設けられた第1の弁体と前
記第2の弁座に対面して設けられた第2の弁体
を有するバイモルフ構造の電歪素子とからな
り、前記電歪素子に通電しないときに前記第1
の弁座部材の第1の弁座が前記第1の弁体によ
つて閉じられ、前記第2の弁座部材の第2の弁
座が前記第2の弁体によつて開かれており、前
記電歪素子に通電したときに前記第1の弁座が
前記第1の弁体によつて開かれ、前記第2の弁
座が前記第2の弁体によつて閉じられるよう
に、前記第1および第2の弁座部材を位置決め
するように構成したことを特徴とする電子弁。 (2) 前記第1、第2および第3のポートはそれぞ
れ本体に設けられている前記実用新案登録請求
の範囲第1項記載の電子弁。 (3) 前記第1のポートは前記第1の弁座部材の後
端に設けられ、前記第2のポートは本体に設け
られ、前記第3のポートは前記第2の弁座部材
の後端に設けられている前記実用新案登録請求
の範囲第1項記載の電子弁。 (4) 前記電歪素子は1枚のバイモルフ構造の素子
またはバイモルフ構造の素子を2枚以上重ね合
わせた素子で構成した前記実用新案登録請求の
範囲第1項記載の電子弁。 (5) 前記第3のポートを封止して前記電歪素子へ
の印加電圧を制御することにより前記第1のポ
ートから前記第2のポートに流れる前記動作流
体の流量を調整するように構成した前記実用新
案登録請求の範囲第1項記載の電子弁。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1983168166U JPS6075776U (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 電子弁 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1983168166U JPS6075776U (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 電子弁 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6075776U JPS6075776U (ja) | 1985-05-27 |
JPH023017Y2 true JPH023017Y2 (ja) | 1990-01-24 |
Family
ID=30367713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1983168166U Granted JPS6075776U (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 電子弁 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6075776U (ja) |
-
1983
- 1983-10-28 JP JP1983168166U patent/JPS6075776U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6075776U (ja) | 1985-05-27 |
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