JPH02301043A - ７００ｎｍ以下の再生波長用光磁気記録媒体 - Google Patents
７００ｎｍ以下の再生波長用光磁気記録媒体Info
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- JPH02301043A JPH02301043A JP12096889A JP12096889A JPH02301043A JP H02301043 A JPH02301043 A JP H02301043A JP 12096889 A JP12096889 A JP 12096889A JP 12096889 A JP12096889 A JP 12096889A JP H02301043 A JPH02301043 A JP H02301043A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は波長７００ｎｍ以下の再生用レーザ光に対して
優れたカー回転角が得られる７００ｎｍ以下の再生波長
用光磁気記録媒体に関するものである。
優れたカー回転角が得られる７００ｎｍ以下の再生波長
用光磁気記録媒体に関するものである。
希土類金属と遷移金属の非晶質合金から成る光磁気記録
媒体は書換え可能な光磁気メモリ用の有望な材料として
注目されている。
媒体は書換え可能な光磁気メモリ用の有望な材料として
注目されている。
上記非晶質合金として既に本発明者等はＧｄＤｙＦｅ合
金を提案した（特開昭６２−１４９０５７号参照）。こ
の合金によれば、高価で且つ化学的に不安定なＴｂ元素
を用いず、しかも、Ｃｏ元素を用いないので低コストと
なり、優れた高温角形性及びキュリ一点が得られた。
金を提案した（特開昭６２−１４９０５７号参照）。こ
の合金によれば、高価で且つ化学的に不安定なＴｂ元素
を用いず、しかも、Ｃｏ元素を用いないので低コストと
なり、優れた高温角形性及びキュリ一点が得られた。
ところで、このような光磁気記録媒体から成る光磁気メ
モリにおいてはトラック密度やビット密度を高めるため
に収束レーザー光の焦点ビーム径を小さくせねばならず
、そのために該レーザー光の波長を短くしたり、もしく
はＮＡ（開口数）を大きくしている。その結果、０．７
５μｍ以下の微小なビット径によっても十分な分解能を
維持しながら記録及び再生を行うことができる。
モリにおいてはトラック密度やビット密度を高めるため
に収束レーザー光の焦点ビーム径を小さくせねばならず
、そのために該レーザー光の波長を短くしたり、もしく
はＮＡ（開口数）を大きくしている。その結果、０．７
５μｍ以下の微小なビット径によっても十分な分解能を
維持しながら記録及び再生を行うことができる。
しかしながら、一般的にレーザー光の波長が短くなるの
に伴ってカー回転角が減少する傾向にあリ、再生性能指
数Ｆ・θｋが低下し、これによってＣ／Ｎが低下すると
いう問題点があった。
に伴ってカー回転角が減少する傾向にあリ、再生性能指
数Ｆ・θｋが低下し、これによってＣ／Ｎが低下すると
いう問題点があった。
本発明者等は上記事情に鑑みて鋭意研究に努めた結果、
所定の組成範囲内のＧｄＤｙＮｄＦｅ非晶質磁性合金を
光磁気記録媒体に用いた場合、７００ｎｍ以下の波長範
囲のレーザー光に対するカー回転角の低下が小さくなり
、波長７００ｎａ＋を境にして大きなカー回転角が得ら
れることを見い出した。
所定の組成範囲内のＧｄＤｙＮｄＦｅ非晶質磁性合金を
光磁気記録媒体に用いた場合、７００ｎｍ以下の波長範
囲のレーザー光に対するカー回転角の低下が小さくなり
、波長７００ｎａ＋を境にして大きなカー回転角が得ら
れることを見い出した。
従って本発明は上記知見に鑑みて完成されたものであり
、その目的は低コスト化並びに優れた高温角型性及びキ
ャリ一点を達成し、しかも、波長７００ｎｍ以下の再生
用レーザー光に対して優れたカー回転角が得られ、更に
一層高密度且つ大容量な記録メモリができる７００ｎｍ
以下の再生波長用光磁気記録媒体を提供することにある
。
、その目的は低コスト化並びに優れた高温角型性及びキ
ャリ一点を達成し、しかも、波長７００ｎｍ以下の再生
用レーザー光に対して優れたカー回転角が得られ、更に
一層高密度且つ大容量な記録メモリができる７００ｎｍ
以下の再生波長用光磁気記録媒体を提供することにある
。
かかる本発明の７００ｎｍ以下の再生波長用光磁気記録
媒体は、下記式の原子比率のＧｄＤｙＮｄＰｅを主成分
とした非晶質磁性合金から成るとともに膜面に垂直な方
向に磁化容易軸を有することを特徴とする。
媒体は、下記式の原子比率のＧｄＤｙＮｄＰｅを主成分
とした非晶質磁性合金から成るとともに膜面に垂直な方
向に磁化容易軸を有することを特徴とする。
Ｇｄ、 Ｄｙ、 Ｎｄ、、Ｆｅの原子比率をそれぞれｘ
、ｙ、２、−と表わすと、 ＧｄｘＤｙｙＮｄｚＰｅｗ ｘ＋ ｙ＋ ｚ＋ ｗ ＞０．９５ ０．２０≦ｘ ＋ ｙ＋ ｚ≦０．３５０、１３≦ｘ≦
０．２０ ０．０３≦ｚ≦０．０９ 一般的に再生用レーザー光には波長７８０〜８３０ｎｍ
の半導体レーザーが用いられており、更に短波長側のレ
ーザー光を用いた場合にはカー回転角の低下が認められ
る。
、ｙ、２、−と表わすと、 ＧｄｘＤｙｙＮｄｚＰｅｗ ｘ＋ ｙ＋ ｚ＋ ｗ ＞０．９５ ０．２０≦ｘ ＋ ｙ＋ ｚ≦０．３５０、１３≦ｘ≦
０．２０ ０．０３≦ｚ≦０．０９ 一般的に再生用レーザー光には波長７８０〜８３０ｎｍ
の半導体レーザーが用いられており、更に短波長側のレ
ーザー光を用いた場合にはカー回転角の低下が認められ
る。
そこで本発明者等はＧｄＤｙＦｅ非晶質磁性合金にＮｄ
元素を所定の範囲内で添加した光磁気記録媒体により評
価用サンプルを作製し、このサンプルに対して波長７０
０ｒｖ以下の再生光を照射してカー回転角を測定したと
ころ、Ｎｄ元素を含有しないＧｄＤｙＦｅ非晶￥を磁性
合金より作製した評価用サンプルに比べて大きなカー回
転角が得られることを見い出した。
元素を所定の範囲内で添加した光磁気記録媒体により評
価用サンプルを作製し、このサンプルに対して波長７０
０ｒｖ以下の再生光を照射してカー回転角を測定したと
ころ、Ｎｄ元素を含有しないＧｄＤｙＦｅ非晶￥を磁性
合金より作製した評価用サンプルに比べて大きなカー回
転角が得られることを見い出した。
尚、上記ＧｄＤｙＮｄＦｅ非晶質磁性合金は特開昭６２
−２６７９５０号により既に提案されているが、該公報
によれば、７００ｎａ＋以下の再生光におけるカー回転
角の向上は可算示されていない。
−２６７９５０号により既に提案されているが、該公報
によれば、７００ｎａ＋以下の再生光におけるカー回転
角の向上は可算示されていない。
本発明に係る非晶質磁性合金の組成は上述したＸ ｓＶ
％２及び−により表わされ、Ｘ ＋ｙ ＋ｚ ＋−が
０．９５以上の場合には磁気特性や光磁気特性をｔ員わ
ず、しかも、信顛性向上、反射率向上、結晶化温度の向
上などの緒特性を高めるために添加元素を加えることが
できる。
％２及び−により表わされ、Ｘ ＋ｙ ＋ｚ ＋−が
０．９５以上の場合には磁気特性や光磁気特性をｔ員わ
ず、しかも、信顛性向上、反射率向上、結晶化温度の向
上などの緒特性を高めるために添加元素を加えることが
できる。
従って上記磁性合金には５原子％以下の範囲で不純物元
素を含有することが許容され、この不純物元素として例
えばＣＸＮ、Ｈ，Ｂ、計、Ｔｉ 。
素を含有することが許容され、この不純物元素として例
えばＣＸＮ、Ｈ，Ｂ、計、Ｔｉ 。
Ｃｒｓ Ｃ１、Ｃｕ、 Ｐｔ 、、Ｍｏ、 Ｔａ
、Ｓｉｓ Ａｇ 、Ｓｂ。
、Ｓｉｓ Ａｇ 、Ｓｂ。
ｓ、ｐなどの元素がある。
また、Ｘ ＋ｙ ＋ｚが０．２０未満の場合、あるいは
０．３５を越えた場合には磁化Ｍｓが大きくなり過ぎ、
その結果、保磁力Ｈｃがｌ ＫＯｅ以下となるか、もし
くは面内磁化膜となる。
０．３５を越えた場合には磁化Ｍｓが大きくなり過ぎ、
その結果、保磁力Ｈｃがｌ ＫＯｅ以下となるか、もし
くは面内磁化膜となる。
Ｘが０．１３未満の場合には７００ｎｍ以下の波長領域
においてカー回転角θｋ及びキュリ一温度が低下する。
においてカー回転角θｋ及びキュリ一温度が低下する。
Ｘが０．２０を越えた場合には保磁力Ｈｃが小さくなる
。
。
２が０．０３未満の場合には７００ｎｍ以下の波長領域
においてカー回転角θｋが所望通りに向上しない。
においてカー回転角θｋが所望通りに向上しない。
ｌが０．０９を越えた場合には７ＱＯｎａ＋以下の波長
領域においてカー回転角θにの向上が認められるが、全
波長領域に亘ってθｋが小さくなる。
領域においてカー回転角θにの向上が認められるが、全
波長領域に亘ってθｋが小さくなる。
かくして上記組成の光磁気記録媒体によれば、７００ｎ
−以下の短波長領域のレーザー光により十分な分解能を
維持しながら記録及び再生を行うことができ、更に一層
高密度且つ大容量のメモリができる。
−以下の短波長領域のレーザー光により十分な分解能を
維持しながら記録及び再生を行うことができ、更に一層
高密度且つ大容量のメモリができる。
以下本発明を実施例により詳述する。
（例１）
基板ホルダの中心に対して１２０ °の回転対称の位
置に各ターゲットを配置できる基板回転式直流三元同１
１−１マグネトロンスパツタリング装置を用いる。第１
ターゲツトには口ｙチップ、Ｎｄチップ又はＰｒチップ
を載置したＧｄ製円板（φ５インチ）を、第２ターゲツ
トにはＦｅ製円板（φ５インチ）を用いて同時スパッタ
リングを行い、評価用サンプルとしてガラス基板上にＧ
ｄＤｙＦｅ、 ＧｄＤｙＮｄＦｅ又はＧｄＤｙＰｒＦｅ
から成る非晶質垂直磁化膜を膜厚６００人で形成した。
置に各ターゲットを配置できる基板回転式直流三元同１
１−１マグネトロンスパツタリング装置を用いる。第１
ターゲツトには口ｙチップ、Ｎｄチップ又はＰｒチップ
を載置したＧｄ製円板（φ５インチ）を、第２ターゲツ
トにはＦｅ製円板（φ５インチ）を用いて同時スパッタ
リングを行い、評価用サンプルとしてガラス基板上にＧ
ｄＤｙＦｅ、 ＧｄＤｙＮｄＦｅ又はＧｄＤｙＰｒＦｅ
から成る非晶質垂直磁化膜を膜厚６００人で形成した。
また、第３ターゲツトとしてＴｉ製円板（φ５インチ）
が配置され、上記成膜についで連続的に各々の磁化膜の
上にＴｉ保護膜を６００人の厚みで形成した。
が配置され、上記成膜についで連続的に各々の磁化膜の
上にＴｉ保護膜を６００人の厚みで形成した。
この成膜条件は下記の通りである。
到達真空度 ５ Ｘ １０−’Ｔｏｒ
ｒアルゴンガス圧 ３ ｘ １ｏ３Ｔｏｒ
ｒ基板とターゲットの距離 １２０ａｍ基板の回転
中心とターゲット中心との距離０−一 基板回転数 ５０ｒｐ鶴第１ターゲ
ツトの投入電力 約１００ｗ第２ターゲツトの投入
電力 約４００−このように第１ターゲツトに配置
するチップの種類を変え、そして、そのチップ枚数や投
入電力比を変えることにより第１表に示す通り各種原子
組成の垂直磁化膜をもつ光磁気ディスクを作製した。
ｒアルゴンガス圧 ３ ｘ １ｏ３Ｔｏｒ
ｒ基板とターゲットの距離 １２０ａｍ基板の回転
中心とターゲット中心との距離０−一 基板回転数 ５０ｒｐ鶴第１ターゲ
ツトの投入電力 約１００ｗ第２ターゲツトの投入
電力 約４００−このように第１ターゲツトに配置
するチップの種類を変え、そして、そのチップ枚数や投
入電力比を変えることにより第１表に示す通り各種原子
組成の垂直磁化膜をもつ光磁気ディスクを作製した。
上記垂直磁化膜の最適な原子比率を決めるに当たり、２
４００ｒｐｍ以上の高速回転でも半導体レーザにより記
録が可能であるという点でキュリ一温度を約２００℃近
傍に設定し、しかも、記録ビットの安定性という点で保
磁力を約ＩＫＯｅ以上に設定した。
４００ｒｐｍ以上の高速回転でも半導体レーザにより記
録が可能であるという点でキュリ一温度を約２００℃近
傍に設定し、しかも、記録ビットの安定性という点で保
磁力を約ＩＫＯｅ以上に設定した。
かくして波長が８３Ｏｎ＋＊又は６３３ｎｍの再生用レ
ーザー光を用いた場合のカー回転角並びにキュリ一温度
Ｔｃ及び保磁力Ｈｃを測定したところ、第１表に示す通
りの結果が得られた。
ーザー光を用いた場合のカー回転角並びにキュリ一温度
Ｔｃ及び保磁力Ｈｃを測定したところ、第１表に示す通
りの結果が得られた。
尚、これらのディスクについてガラス基板側よりレーザ
ー光を照射してカー回転角θｋを測定するに当たり、日
本分光（株）製のカー効果測定装置を用いた。キュリ一
温度Ｔｃ及び保磁力１１ｃは東英工業（株）製の振動試
料型磁力計（シ、Ｓ、Ｍ）を用いて求めた。
ー光を照射してカー回転角θｋを測定するに当たり、日
本分光（株）製のカー効果測定装置を用いた。キュリ一
温度Ｔｃ及び保磁力１１ｃは東英工業（株）製の振動試
料型磁力計（シ、Ｓ、Ｍ）を用いて求めた。
第１表
第１表に示す結果より明らかな通り、サンプルＢは波長
６３３ｎｍにおいてサンプルＡＳＣより大きなカー回転
角が得られたことが判る。しかも、サンプルＢは他に比
べてキュリ一温度が高いが、この程度のキュリ一温度で
あれば再生用レーザー光の照射に伴う温度比界に対して
記録ビ・ノドを熱的に安定でき、また、カー回転角の低
下が小さいという点で有利になる。
６３３ｎｍにおいてサンプルＡＳＣより大きなカー回転
角が得られたことが判る。しかも、サンプルＢは他に比
べてキュリ一温度が高いが、この程度のキュリ一温度で
あれば再生用レーザー光の照射に伴う温度比界に対して
記録ビ・ノドを熱的に安定でき、また、カー回転角の低
下が小さいという点で有利になる。
また本発明者等は上記サンプルのカー回転角の波長依存
性を求めたところ、第１図に示す通りの結果が得られた
。
性を求めたところ、第１図に示す通りの結果が得られた
。
同図中横軸は波長であり、縦軸はカー回転角であり、そ
して、Ｘ印、○印及びΔ印はそれぞれサンプル＾、Ｂ
ＬびＣの測定プロットであり、ａに係るサンプルＢは
他に比べて波長７００ｎｍ以下の大きなカー回転角が得
られることが判る。
して、Ｘ印、○印及びΔ印はそれぞれサンプル＾、Ｂ
ＬびＣの測定プロットであり、ａに係るサンプルＢは
他に比べて波長７００ｎｍ以下の大きなカー回転角が得
られることが判る。
（例２）
本例においては主にＮｄ元素の含有比率を第２表に示す
通りに変え、その他の成膜条件は（例１）と同一に設定
した３種類のサンプルＤ、Ｅ、Ｐを作製した。
通りに変え、その他の成膜条件は（例１）と同一に設定
した３種類のサンプルＤ、Ｅ、Ｐを作製した。
第２表
第２表に示す結果より明らかな通り、サンプルＤ、Ｅ、
Ｆは波長６３３ｎｍにおいてサンプルＢに比べてカー回
転角の向上が認められず、就中、サンプルＦについては
カー回転角の値が最も小さく、しかも、保磁力が顕著に
小さくなったことが判る。
Ｆは波長６３３ｎｍにおいてサンプルＢに比べてカー回
転角の向上が認められず、就中、サンプルＦについては
カー回転角の値が最も小さく、しかも、保磁力が顕著に
小さくなったことが判る。
即ち、Ｎｄ元素の含有比率が本発明の範囲から外れたサ
ンプルＥＳＦは本発明の目的が達成できず、また、Ｎｄ
元素の原子比率が本発明の範囲内であるサンプルＤにつ
いてもＧｄ元素の含有比率が０．１１と小さくなり、本
発明の目的が達成できないことｐ！ 第２図は各サン
プルのカー回転角の波長依存性を示す。
ンプルＥＳＦは本発明の目的が達成できず、また、Ｎｄ
元素の原子比率が本発明の範囲内であるサンプルＤにつ
いてもＧｄ元素の含有比率が０．１１と小さくなり、本
発明の目的が達成できないことｐ！ 第２図は各サン
プルのカー回転角の波長依存性を示す。
同図中Ｘ印、０印及びΔ印はそれぞれサンプル口、Ｂ、
Ｆの測定プロットであり、ｄｓｅｓｆはそれぞれの特性
曲線である。
Ｆの測定プロットであり、ｄｓｅｓｆはそれぞれの特性
曲線である。
第２図よりサンプル［１、Ｅ、ＦはサンプルＢに比べて
波長７００ｎ−以下の全領域に亘ってカー回転角θｋが
小さいことが判る。
波長７００ｎ−以下の全領域に亘ってカー回転角θｋが
小さいことが判る。
（例３）
次に主にＧｄ元素の含有比率を第３表に示す通りに変え
、その他の成膜条件は（例１）と同一に設定した３種類
のサンプルＧ、Ｈ２Ｉを作製した。
、その他の成膜条件は（例１）と同一に設定した３種類
のサンプルＧ、Ｈ２Ｉを作製した。
第３表
第３表に示す結果より明らかな通り、本発明に係るサン
プルＨ，，Ｉ はサンプルＧに比べて波長６３３ｎｍに
おけるカー回転角の向上が認められる。
プルＨ，，Ｉ はサンプルＧに比べて波長６３３ｎｍに
おけるカー回転角の向上が認められる。
第３図は各光磁気ディスクのカー回転角の波長依存性を
示す。
示す。
同図中Ｘ印、Ｏ印及びΔ印はそれぞれサンプルＧ 、１
１ 、ｌの測定プロットであり、ｇｓｌｌｓｌはそれぞ
れの特性曲線である。
１ 、ｌの測定プロットであり、ｇｓｌｌｓｌはそれぞ
れの特性曲線である。
第３図よりサンプルｈｓｔは波長７００ｎ−以下の全領
域でサンプルＢと同程度に高いカー回転角が得られたこ
とが判る。
域でサンプルＢと同程度に高いカー回転角が得られたこ
とが判る。
また本発明者等は種々の実験を繰り返し行った結果、Ｇ
ｄ元素の含有比率が０．２０を越えた場合、１ＫＯｅ以
上の保磁力の垂直磁化膜を作るのが非常に難しいことを
ｖ／！認した。
ｄ元素の含有比率が０．２０を越えた場合、１ＫＯｅ以
上の保磁力の垂直磁化膜を作るのが非常に難しいことを
ｖ／！認した。
［発明の効果〕
以上の通り、本発明によれば、所定の範囲内に成る光磁
気記録媒体に比ペア００ｎｍ以下の再生光に対して高い
カー回転角が得られ、これにより、トラック密度やビッ
ト密度を高めるとともに再生性能指数が向上し、その結
果、Ｃ／Ｎが向上した高密度且つ大容量の記録メモリが
できる７ＱＧｎ＋ｓ以下の再生波長用光磁気記録媒体を
提供することができた。
気記録媒体に比ペア００ｎｍ以下の再生光に対して高い
カー回転角が得られ、これにより、トラック密度やビッ
ト密度を高めるとともに再生性能指数が向上し、その結
果、Ｃ／Ｎが向上した高密度且つ大容量の記録メモリが
できる７ＱＧｎ＋ｓ以下の再生波長用光磁気記録媒体を
提供することができた。
加えて、本発明に係る光磁気記録媒体によれば、高価で
且つ化学的に不安定なＴｂ元素と、Ｃｏ元素とを用いな
いので低コスト化が達成でき、しかも、本発明者等が既
に特開昭６２−１４９０５７号により提案したＧｄＤｙ
Ｆｅ磁性合金と同じような優れた高温角型性及びキュリ
一点も得られた。
且つ化学的に不安定なＴｂ元素と、Ｃｏ元素とを用いな
いので低コスト化が達成でき、しかも、本発明者等が既
に特開昭６２−１４９０５７号により提案したＧｄＤｙ
Ｆｅ磁性合金と同じような優れた高温角型性及びキュリ
一点も得られた。
第１図、第２図及び第３図はいずれもカー回転角の波長
依存性を表わす線図である。 特許出願人 （６６３）京セラ株式会社代表者安城欽
寿 Ｅｌ 長 （ａ肌） 第２図 シ良 ＊ （ｎｍ）
依存性を表わす線図である。 特許出願人 （６６３）京セラ株式会社代表者安城欽
寿 Ｅｌ 長 （ａ肌） 第２図 シ良 ＊ （ｎｍ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 原子比率が下記式で表わされるＧｄ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｆ
ｅを主成分とした非晶質磁性合金から成るとともに膜面
に垂直な方向に磁化容易軸を有することを特徴とする７
００ｎｍ以下の再生波長用光磁気記録媒体。 Ｇｄ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｆｅの原子比率をそれぞれｘ、ｙ、
ｚ、ｗと表わすと ＧｄｘＤｙｙＮｄｚＦｅｗ ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＞０．９５ ０．２０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦０．３５ ０．１３≦ｘ≦０．２０ ０．０３≦ｚ≦０．０９
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12096889A JPH02301043A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | ７００ｎｍ以下の再生波長用光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12096889A JPH02301043A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | ７００ｎｍ以下の再生波長用光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02301043A true JPH02301043A (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=14799477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12096889A Pending JPH02301043A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | ７００ｎｍ以下の再生波長用光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02301043A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62267950A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 磁気光学記録媒体 |
-
1989
- 1989-05-15 JP JP12096889A patent/JPH02301043A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62267950A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 磁気光学記録媒体 |
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