JPH023000A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPH023000A JPH023000A JP63147124A JP14712488A JPH023000A JP H023000 A JPH023000 A JP H023000A JP 63147124 A JP63147124 A JP 63147124A JP 14712488 A JP14712488 A JP 14712488A JP H023000 A JPH023000 A JP H023000A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
回折の少ないＸ線をリソグラフィの光源に用いた露光装
置に関し、 シンクロトロン放射光のうちレジストパターンの異常の
原因となる短波長Ｘ線を除去し、レジストパターンの精
度向上を可能とするＸ線露光装置の提供を目的とし、 シンクロトロン放射光の進行路上に、被加工物の吸収端
と同程度の吸収端を有する材質の透過膜または反射板を
備え、シンクロトロン放射光を前記透過膜または反射板
に透過または反射させ、前記透過膜または反射板の材質
の吸収端を与える波長より短波長側のＸ線を前記透過ｎ
々または反射板にて吸収するビームラインを有すること
を含み構成する。
置に関し、 シンクロトロン放射光のうちレジストパターンの異常の
原因となる短波長Ｘ線を除去し、レジストパターンの精
度向上を可能とするＸ線露光装置の提供を目的とし、 シンクロトロン放射光の進行路上に、被加工物の吸収端
と同程度の吸収端を有する材質の透過膜または反射板を
備え、シンクロトロン放射光を前記透過膜または反射板
に透過または反射させ、前記透過膜または反射板の材質
の吸収端を与える波長より短波長側のＸ線を前記透過ｎ
々または反射板にて吸収するビームラインを有すること
を含み構成する。
〔産業上の利用分野］
近年の半導体の集積化に対する要求に伴い、すソゲラフ
イー技術によるレジストパターンの微細化が要求されて
いる。このため、従来の光を用いるリソグラフィー技術
においては多層レジスト法やＣＥ Ｌ （Ｃｏｎｔｒａ
ｓｔ ＩＥｎｈａｎｃｅｍｅｔ Ｌａｙｅｒ ）法など
のプロセスの改良、および光源に使用される光の短波長
化（ｉ線、エキシマレーザ−等の使用）などの方法が提
案され成果も上がっている。
イー技術によるレジストパターンの微細化が要求されて
いる。このため、従来の光を用いるリソグラフィー技術
においては多層レジスト法やＣＥ Ｌ （Ｃｏｎｔｒａ
ｓｔ ＩＥｎｈａｎｃｅｍｅｔ Ｌａｙｅｒ ）法など
のプロセスの改良、および光源に使用される光の短波長
化（ｉ線、エキシマレーザ−等の使用）などの方法が提
案され成果も上がっている。
しかし、パターン寸法が０．５μｍ程度になってくると
回折の問題が極めて大きな問題となってくる。また、短
波長化に伴う焦点深度の浅さを補うための・プロセスの
工程も？ｔＪ Ｓ”ｌｔになってくる。
回折の問題が極めて大きな問題となってくる。また、短
波長化に伴う焦点深度の浅さを補うための・プロセスの
工程も？ｔＪ Ｓ”ｌｔになってくる。
そこで、サブミクロン（またはハーフミクロン）のパタ
ーン形成に対する光源としては回折が少ないＸ線が現在
最も有ｔ？３視されている。
ーン形成に対する光源としては回折が少ないＸ線が現在
最も有ｔ？３視されている。
本発明は、回折の少ないＸ線をリソグラフィの光源に用
いた露光装置に関する。
いた露光装置に関する。
従来、シンクロトロン放射光を用いたＸ線リソグラフィ
において、レジストパターンの形成は一般に、吸収体パ
ターンを備えた窒化ホウ素、シリコンあるいはシリコン
化合物のメンブレンからなるマスクを用いて、被加工物
（Ａｔ、 ＳＬ等）上に塗布したＸ線レジストを露光し
現像してパターンを形成している。
において、レジストパターンの形成は一般に、吸収体パ
ターンを備えた窒化ホウ素、シリコンあるいはシリコン
化合物のメンブレンからなるマスクを用いて、被加工物
（Ａｔ、 ＳＬ等）上に塗布したＸ線レジストを露光し
現像してパターンを形成している。
しかし、従来のシンクロトロン放射光を用いたＸ線リソ
グラフィでは、使用波長に対して特別な配慮がなされて
いなかったため、レジストパターンにアンダーカットや
すそ引きが生じたりする。
グラフィでは、使用波長に対して特別な配慮がなされて
いなかったため、レジストパターンにアンダーカットや
すそ引きが生じたりする。
第３図は、従来例に係るレジストパターン形成の問題点
の説明図であり、被加工物としてのＡ Ｌ ＩＩ＋２上
にレジストパターンを形成するときのものである。図に
おいて、１１は被加工物としてのＡｌ膜、■２はＸ線レ
ジスト、１３は窒化ホウ素、ノリコンまたはシリコン化
合物の薄膜よりなるメンブレン１３ａとＡｕ、 Ｗ、
Ｔａ等の金属よりなる吸収体パターン１３ｂとからなる
マスクであり、該マスク１３を介してＡｉｌ＋’、！１
１の上に塗布したＸ線レジスト１２にＸ線を照射して露
光したのち、現像してレジストパターンを形成する。
の説明図であり、被加工物としてのＡ Ｌ ＩＩ＋２上
にレジストパターンを形成するときのものである。図に
おいて、１１は被加工物としてのＡｌ膜、■２はＸ線レ
ジスト、１３は窒化ホウ素、ノリコンまたはシリコン化
合物の薄膜よりなるメンブレン１３ａとＡｕ、 Ｗ、
Ｔａ等の金属よりなる吸収体パターン１３ｂとからなる
マスクであり、該マスク１３を介してＡｉｌ＋’、！１
１の上に塗布したＸ線レジスト１２にＸ線を照射して露
光したのち、現像してレジストパターンを形成する。
ところが、第４図に示す各物質の吸収特性図かられかる
ように、被加工物であるＡｔの吸収端は８．３４人であ
る。この結果、例えば短波長のＸ線（波長： ４．３７
人）に対してレジスト中のＣ原子がＸ線を吸収して放射
する光電子（エネルギー＝２．５４ｋｅＶ）の発生量に
比べて約２０倍のオージェ電子（エネルギー： １．５
５ｋ ｃ Ｖ）がＡｔ膜中のＡｔ原子より放出される。
ように、被加工物であるＡｔの吸収端は８．３４人であ
る。この結果、例えば短波長のＸ線（波長： ４．３７
人）に対してレジスト中のＣ原子がＸ線を吸収して放射
する光電子（エネルギー＝２．５４ｋｅＶ）の発生量に
比べて約２０倍のオージェ電子（エネルギー： １．５
５ｋ ｃ Ｖ）がＡｔ膜中のＡｔ原子より放出される。
Ｘ線レジスト１２はこの被加工物であるＡｔ膜中のＡｌ
原子より放出される電子とも反応するので、マスク１３
の吸収体パターン１３ｂすれすれに入射してきたＸ線に
より発生するオージェ電子によって、本来は吸収体パタ
ーン１３ｂの直下にあってＸ線の照射を受けない部分ま
で露光されることになる。例えば、ポジ型Ｘ棉レジスト
１４を用いた場合、現像後のレジストパターンにはアン
ダーカットが生じ（第３図（ｂ））、ネガ型Ｘ線レジス
ト１５を用いた場合、現像後のレジストパターンにはす
そ引きが生じる（第３図（Ｃ））。特にパターンが微細
化されると、このアンダーカントやすそ引きがレジスト
の倒壊や開口部の不形成を招くなどして大きな問題とな
る。
原子より放出される電子とも反応するので、マスク１３
の吸収体パターン１３ｂすれすれに入射してきたＸ線に
より発生するオージェ電子によって、本来は吸収体パタ
ーン１３ｂの直下にあってＸ線の照射を受けない部分ま
で露光されることになる。例えば、ポジ型Ｘ棉レジスト
１４を用いた場合、現像後のレジストパターンにはアン
ダーカットが生じ（第３図（ｂ））、ネガ型Ｘ線レジス
ト１５を用いた場合、現像後のレジストパターンにはす
そ引きが生じる（第３図（Ｃ））。特にパターンが微細
化されると、このアンダーカントやすそ引きがレジスト
の倒壊や開口部の不形成を招くなどして大きな問題とな
る。
なお、長波長のｘｖＡ（波長： ８．３４人）に対して
はレジスト中より発生する光電子とＡｔ膜中より発生す
るオージェ電子の壜はほぼ同じ程度なので、第５図にそ
の一例を示すように、ＡＬ膜２１の上に形成されるレジ
ストパターン２２にはアンターカントやすそ引きが生じ
ず、マスク２３に忠実なパターンが形成される。そこで
、本発明はシンクロトロン放射光のうちレジストパター
ンの異常の原因となる短波長Ｘ線を除去し、レジストパ
タンの精度向上を可能とするＸ線露光装置の提供を目的
とする。
はレジスト中より発生する光電子とＡｔ膜中より発生す
るオージェ電子の壜はほぼ同じ程度なので、第５図にそ
の一例を示すように、ＡＬ膜２１の上に形成されるレジ
ストパターン２２にはアンターカントやすそ引きが生じ
ず、マスク２３に忠実なパターンが形成される。そこで
、本発明はシンクロトロン放射光のうちレジストパター
ンの異常の原因となる短波長Ｘ線を除去し、レジストパ
タンの精度向上を可能とするＸ線露光装置の提供を目的
とする。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的は、シンクロトロン放射光の進行路上に、被加
工物の吸収端と同程度の吸収端を有する材質の透過膜ま
たは反射板を備え、シンクロトロン放射光を前記透過膜
または反射板に透過または反射させ、前記透過膜または
反射板の材質の吸収端を与える波長よ−り短波長側のＸ
線を前記透過膜または反射板にて吸収するビームライン
を有することを特徴とするＸ線露光装置により達成され
る。
工物の吸収端と同程度の吸収端を有する材質の透過膜ま
たは反射板を備え、シンクロトロン放射光を前記透過膜
または反射板に透過または反射させ、前記透過膜または
反射板の材質の吸収端を与える波長よ−り短波長側のＸ
線を前記透過膜または反射板にて吸収するビームライン
を有することを特徴とするＸ線露光装置により達成され
る。
（作用）
本発明では、シンクロトロン放射光の進行路上に設けた
透過１りまたは反射板（これらの材質は被加工物の材質
により選択され、被加工物の吸収端とほぼ同じ吸収端を
有する物質で構成される。例えば、ＡＬの被加工物に対
してはＡｔまたはＡｔ化合物で透過膜または反射板を構
成するなど）により、オージェ電子の大量発生を招く被
加工物の吸収端を与える波長より短波長（ｊｊ＋ｌのＸ
線が吸収される。
透過１りまたは反射板（これらの材質は被加工物の材質
により選択され、被加工物の吸収端とほぼ同じ吸収端を
有する物質で構成される。例えば、ＡＬの被加工物に対
してはＡｔまたはＡｔ化合物で透過膜または反射板を構
成するなど）により、オージェ電子の大量発生を招く被
加工物の吸収端を与える波長より短波長（ｊｊ＋ｌのＸ
線が吸収される。
従って、本発明のＸ線露光装置で照射されるＸ線は、そ
の連続スペクトルが被加工物の吸収係数が最も低い吸収
端の波長付近に集中したものとなる。
の連続スペクトルが被加工物の吸収係数が最も低い吸収
端の波長付近に集中したものとなる。
従って、オージェ電子の発生量が抑えられ、レジスト中
のＣ原子により発生する光電子の発生量と大差なくなる
。
のＣ原子により発生する光電子の発生量と大差なくなる
。
〔実施例）
次に参照にしながら本発明の一実施例について説明する
。第１図は、本発明の実施例に係るＸ線露光装置におけ
るビームラインの構成図である。
。第１図は、本発明の実施例に係るＸ線露光装置におけ
るビームラインの構成図である。
図において、■はシンクロトロン円形加速器で、ここよ
り取り出された放射光は図中に点線で示すように、光路
上に設けた反射板２で反射される。
り取り出された放射光は図中に点線で示すように、光路
上に設けた反射板２で反射される。
なお、反射板２は１〜２０ （ｍｒａｄ〕の範囲内で角
度が調節可能である。さらに反射板２の材質は、被加工
物の材質に応じて適宜選択される。例えば、４Ｌの被加
工物に対してはＡｔまたはＡｔ化合物を用い、Ｓｌの被
加工物に対してはＳｉまたはＳＬ化合物を用いるなどし
て、Ｘ線の使用波長の最適化が行われる。
度が調節可能である。さらに反射板２の材質は、被加工
物の材質に応じて適宜選択される。例えば、４Ｌの被加
工物に対してはＡｔまたはＡｔ化合物を用い、Ｓｌの被
加工物に対してはＳｉまたはＳＬ化合物を用いるなどし
て、Ｘ線の使用波長の最適化が行われる。
また、ＡＬ、Ｓｉ、 Ｍｏ、 Ｗなど５ｉＩＣでよく用
いられる物質の吸収端は５．４〜８．４人の間にあるの
で、この場合は反射板２の材質にＡｔまたはＡｔ化合物
を用いて８．４Å以下の波長のＸ線を吸収してしまえば
よい。
いられる物質の吸収端は５．４〜８．４人の間にあるの
で、この場合は反射板２の材質にＡｔまたはＡｔ化合物
を用いて８．４Å以下の波長のＸ線を吸収してしまえば
よい。
３はＢｅ窓で、このＢｅ窓３によりビームライン内の真
空状態が外部と遮断されており、反射板２で反射された
Ｘ線がＢｅ窓３を通して、Ｘ線マスク５およびウェハ６
に照射される。
空状態が外部と遮断されており、反射板２で反射された
Ｘ線がＢｅ窓３を通して、Ｘ線マスク５およびウェハ６
に照射される。
なお、４ａ〜４ｃは真空状態を保つためのバルブであり
、反射板２の交換などのメンテナンスを考慮して設けで
ある。
、反射板２の交換などのメンテナンスを考慮して設けで
ある。
本実施例のＸ線露光装置によれば、ビームラインの途中
に設けた反射板２において、被加工物の吸収端を与える
波長により短波長側のＸ線が吸収され、ウェハ６に照射
されるＸ線は被加工物の吸収端を与える波長付近にピー
クを持つスペクトル分布になる。これによりオージェ電
子の発生量は、レジスト中での光電子の発生量と大差な
くなる。
に設けた反射板２において、被加工物の吸収端を与える
波長により短波長側のＸ線が吸収され、ウェハ６に照射
されるＸ線は被加工物の吸収端を与える波長付近にピー
クを持つスペクトル分布になる。これによりオージェ電
子の発生量は、レジスト中での光電子の発生量と大差な
くなる。
従って、レジスト底部でのオージェ電子によるオーバー
露光が解消されるので、アンダーカットやすそ引きのな
いレジストパターンが形成されるようになり、半導体装
置のより一層の高集積化に効果がある。
露光が解消されるので、アンダーカットやすそ引きのな
いレジストパターンが形成されるようになり、半導体装
置のより一層の高集積化に効果がある。
また第２図は、本発明の別の実施例に係るＸ線露光装置
おけるビームラインの構成図である。図において、４ｄ
、４ｅは真空を保つパルプ、７は短波長Ｘ線を吸収する
透過膜である。なお、第１の実施例と同等の部材には同
じ符号を付しである。
おけるビームラインの構成図である。図において、４ｄ
、４ｅは真空を保つパルプ、７は短波長Ｘ線を吸収する
透過膜である。なお、第１の実施例と同等の部材には同
じ符号を付しである。
本実施例では、短波長Ｘ線は透過膜７で吸収されてＸ線
の波長の最適化が行われ、第１の実施例と同等の効果、
すなわち被加工物がらのオージェ電子あるいは光電子の
発生量が抑えられるようになり、レジストパターンのア
ンダー力、トやすそ引きが防止されるようになる。
の波長の最適化が行われ、第１の実施例と同等の効果、
すなわち被加工物がらのオージェ電子あるいは光電子の
発生量が抑えられるようになり、レジストパターンのア
ンダー力、トやすそ引きが防止されるようになる。
なお、透過膜７の材質は被加工物の材質により適宜選択
されることは言うまでもない。
されることは言うまでもない。
［発明の効果］
本発明のＸ線露光装置によれば、被加工物に照射される
Ｘ線の最適化が行われ、被加工物からのオージェ電子あ
るいは光電子の発生量とレジスト中での光電子の発生量
とが大差なくなるので、従来のようなオージェ電子によ
るオーバ露光がなくなり、マスクパターンに忠実なレジ
スト膜パターンが形成されるようになる。
Ｘ線の最適化が行われ、被加工物からのオージェ電子あ
るいは光電子の発生量とレジスト中での光電子の発生量
とが大差なくなるので、従来のようなオージェ電子によ
るオーバ露光がなくなり、マスクパターンに忠実なレジ
スト膜パターンが形成されるようになる。
従って、より微細なパターンの形成が可能となり、半導
体装置の高集積化に効果がある。
体装置の高集積化に効果がある。
６・・・ウエハ、
７・・・透過膜。
第１図は、本発明の実施例に係るＸ線露光装置における
ビームラインの構成図、 第２図は、本発明の別の実施例に係るＸ線露光装置にお
けるビームラインの構成図、 第３図は、従来例に係るレジストパターンの問題点の説
明図、 第４図は、各物質の吸収特性図、 第５図は、長波長Ｘ線露光によるレジス１・パターンの
一例図である。 （符号の説明） １・・・シンクロトロン円形加速器、 ２・・・反射板、 ３・・・Ｂｅ窓、 ４ａ〜４ｅ・・・バルブ ５・・・Ｘ線マスク、
ビームラインの構成図、 第２図は、本発明の別の実施例に係るＸ線露光装置にお
けるビームラインの構成図、 第３図は、従来例に係るレジストパターンの問題点の説
明図、 第４図は、各物質の吸収特性図、 第５図は、長波長Ｘ線露光によるレジス１・パターンの
一例図である。 （符号の説明） １・・・シンクロトロン円形加速器、 ２・・・反射板、 ３・・・Ｂｅ窓、 ４ａ〜４ｅ・・・バルブ ５・・・Ｘ線マスク、
Claims (3)
- （１）シンクロトロン放射光の進行路上に、被加工物の
吸収端と同程度の吸収端を有する材質の透過膜または反
射板を備え、シンクロトロン放射光を前記透過膜または
反射板に透過または反射させ、前記透過膜または反射板
の材質の吸収端を与える波長より短波長側のＸ線を前記
透過膜または反射板にて吸収するビームラインを有する
ことを特徴とするＸ線露光装置。 - （２）アルミニウム、シリコン、モリブデン、タングス
テンのいずれかの被加工物に対し、アルミニウムまたは
アルミ化合物による反射板あるいは透過膜を用いること
を特徴とする請求項１記載のＸ線露光装置。 - （３）シリコンの被加工物に対し、シリコンまたはシリ
コン化合物による反射板あるいは透過膜を用いることを
特徴とする請求項１記載のＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63147124A JPH023000A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63147124A JPH023000A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH023000A true JPH023000A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15423086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63147124A Pending JPH023000A (ja) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH023000A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58115154A (ja) * | 1981-12-03 | 1983-07-08 | シプラ パテンテントビツクルングス−ウント ベタイリグングスゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 選択された糸を編成されている糸に接合する方法と装置 |
| KR20020025055A (ko) * | 2000-09-27 | 2002-04-03 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 노광 방법, 노광 장치, ｘ선 마스크, 레지스트, 반도체장치 및 미세 구조체 |
| JP2003056266A (ja) * | 2001-08-15 | 2003-02-26 | Kawajun Co Ltd | 固定車輪付き折り畳み脚立 |
-
1988
- 1988-06-14 JP JP63147124A patent/JPH023000A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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