JPH02297899A - 加速器用電磁石 - Google Patents

加速器用電磁石

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JPH02297899A
JPH02297899A JP11750889A JP11750889A JPH02297899A JP H02297899 A JPH02297899 A JP H02297899A JP 11750889 A JP11750889 A JP 11750889A JP 11750889 A JP11750889 A JP 11750889A JP H02297899 A JPH02297899 A JP H02297899A
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JP
Japan
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electromagnet
shock
cover
accelerator
electric magnet
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Application number
JP11750889A
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Inventor
Takahito Toshizawa
利沢 隆人
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明はシンクロトロン装置等の加速器用電磁石の改良
に関する。
(従来の技術) 加速器は電子・陽子・イオン等の荷電粒子ビームを10
億電子ボルト(l GeV)程度の高エネルギー状態に
加速するためのものである。
加速器において荷電粒子はビームダクトと呼ばれる真空
容器中を運動するが、このビームダクト内部は荷電粒子
がダクト内の残存粒子と衝突、散乱しないよう、 10
−’Torr程度の超高真空に保たなければならない。
この超高真空状態を保つ上での障害はいくつかあるが、
そのうちの1つに相対論的速度で運動する電子が軌道方
向を変える際に発するシンクロトロン軌道放射光(SO
R光と言われる)の照射によるガス放出があげられる。
SOR光は高指向性を持った高輝度(、すなわち高エネ
ルギー)の光であり、これが物質表面を照射すると、光
衝撃脱離という現象が起きて表面よりガスが放出される
電子シンクロトロンの場合、ファーストキツカー等に用
いられるパルス電磁石をビームダクト内部に組み込む方
法が広く行なわれている。(以下は、パルス電磁石を例
に説明するが、後述するように直流電磁石についても同
様の改良が可能である。)この方法の利点は。
■ 電磁石の磁極間距離を小さくすることが可能である
ため、電磁石の起磁力が減少し、電源への負荷が小さく
なる。また、立ち上げ時間も早くなる。
■ 磁極間にビームダクトがないため、ビームダクト外
部にパルス電磁石がある場合には必ず問題となるビーム
ダクトでの渦電流の発生の対策を考慮せずにすむ。(こ
の対策としては、ダクトをセラミック製にする等が考え
られているが、技術的に容易でなくコストもかかる) といった点である。
従来のビームダクト内に組み込まれた加速器用パルス電
磁石を第4図に示す、ビームダクト1の中心部を電子が
、図と垂直方向に運動している。
当然ながら、パルス電磁石もSOR光の照射を受ける。
特に、鉄心2やコイル3のビームラインに面した内部表
面には、もれ出てきたSOR光が当たることを考慮しな
ければならない。
鉄心2やコイル3は、通常フェライト等の磁性体ででき
ており、その光衝撃脱離係数は大きく、かなりのガス放
出があると考えられる。
(発明が解決しようとする課題) このように、ビームダクト内に組み込まれたパルス電磁
石は大きなガス放出源となり、超高真空保持上の大きな
問題であった。
そこで本発明は、ガス放出が少くビームダクト内を高真
空に保つことのできる加速器用電磁石を提供することを
目的とする。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) 本発明は上記の課題を解決するために電磁石のSOR光
によって照射されうる部分に光衝撃脱離係数の小さい物
質で表面を覆われたガス放出防止カバーを取りつける。
(作 用) このようにすると、鉄心やコイルにSOR光が当らない
のでガス放出が低減される。
(実施例) 本発明に係る加速器用パルス電磁石の一実施例について
、第1図、第2図および第3図を用いて説明する。
第1図はビームダクト内のパルス電磁石を示す縦断面図
である。
ビームダクト1内に組み込まれたパルス電磁石において
、鉄心2.コイル3の80尺光によって照射されうる表
面部に、ガス放出防止カバー4が取りつけられている。
第2図は第1図の■−■矢視図であるが、コイルの両端
部もSOR光の照射を受けるため、この部分には、ビー
ムの進行方向に垂直なカバーを取りつけている。
ガス放出防止カバー4の拡大図を第3図に示した。
カバーは、絶縁材5の内面に、光衝撃脱離係数の小さい
物質、この実施例ではAQ (アルミニウム)をコーテ
ィングしたものである。パルス電磁石においては、この
Alコーティング6に渦電流が生じるため、渦電流が生
じる部分は薄くなければならない、このため、 Alコ
ーティング6は薄く、また。
コーティングする母材は、絶縁材5でなければならない
このガス放出防止カバー4を取りつけることにより、従
来大きな問題となっていたビームダクト内組み込みパル
ス電磁石部におけるガス放出を軽減し、良好な真空状態
を保持することが可能となる。
(他の実施例) ■ 直流電磁石の場合、渦電流の発生がないため、光衝
撃脱離係数の小さい物質によるコーティング部の厚さは
薄くする必要はなくなる。このため、直流電磁石の場合
のガス放出防止カバーは、単にAQ等の単層構造でもか
まわない。
■ 光衝撃脱離係数が小さい上に絶縁性の物質が存在す
れば、ガス放出防止カバーは、この物質の単層構造でも
かまわない。
■ ビーム進行方向に垂直な、ガス防止カバーの両端部
は、ビームが直接当たる上流側のみにしてもよい。
に) また、 Affiのほかに、無酸素銅やシリコン
も用いることができる。
〔発明の効果〕
以上説明した□ように本発明によれば、ビームダクト内
に組み込まれた電磁石において、SOR光の照射による
ガス放出を低減できるため、超高真空の保持を容易に行
なうことが可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の加速器用電磁石を示す縦断
面図、第2図は第1図のn−n矢視図、第3図は第1図
に示すガス放出防止カバーを示す斜視図、第4図は従来
の加速器用電磁石を示す縦断面である。 1・・・ビームダクト    2・・・鉄心・3・・・
コイル       4・・・ガス放出防止カバー5・
・・絶縁材       6・・・AQコーティング代
理人 弁理士 則 近 憲 佑 同    第子丸   健 り 第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. シンクロトロン等の加速器のビームダクト中に組みこま
    れた、ファーストキッカー等の電磁石において、電磁石
    のビームラインを囲む面に光衝撃脱離係数の小さい物質
    で表面を覆ったガス放出防止カバーを取りつけたことを
    特徴とする加速器用電磁石。
JP11750889A 1989-05-12 1989-05-12 加速器用電磁石 Pending JPH02297899A (ja)

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JP11750889A JPH02297899A (ja) 1989-05-12 1989-05-12 加速器用電磁石

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JPH02297899A true JPH02297899A (ja) 1990-12-10

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JP11750889A Pending JPH02297899A (ja) 1989-05-12 1989-05-12 加速器用電磁石

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009510484A (ja) * 2005-09-30 2009-03-12 ハザードスキャン インコーポレイテッド 電子加速器をベースにしたマルチエネルギー貨物検査システム

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009510484A (ja) * 2005-09-30 2009-03-12 ハザードスキャン インコーポレイテッド 電子加速器をベースにしたマルチエネルギー貨物検査システム

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