JPH02295052A - プラズマ発生装置 - Google Patents
プラズマ発生装置Info
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- JPH02295052A JPH02295052A JP2076548A JP7654890A JPH02295052A JP H02295052 A JPH02295052 A JP H02295052A JP 2076548 A JP2076548 A JP 2076548A JP 7654890 A JP7654890 A JP 7654890A JP H02295052 A JPH02295052 A JP H02295052A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はイオン、遊離基、その他の励起種のビーム全
生成するための改良された同軸空洞型の共振無線周波数
波プラズマ発生装置、特に小さな挿入口ないし据付け口
全有する分子線エビタキシ−(MBE)装置内に挿入設
置して使用するのに適したプラズマ発生装置に、関する
ものである。
生成するための改良された同軸空洞型の共振無線周波数
波プラズマ発生装置、特に小さな挿入口ないし据付け口
全有する分子線エビタキシ−(MBE)装置内に挿入設
置して使用するのに適したプラズマ発生装置に、関する
ものである。
特にこの発明は同軸構造の空洞中に可動プロ・−ブと可
動プレートを、プラズマ?閉込めるチャンバーの近くで
空洞内におき無線周波数波ケ選択した共振モードに同調
させるため及び共振モードを変史するために設けてある
、改良されたプラズマ発生装置に係る。
動プレートを、プラズマ?閉込めるチャンバーの近くで
空洞内におき無線周波数波ケ選択した共振モードに同調
させるため及び共振モードを変史するために設けてある
、改良されたプラズマ発生装置に係る。
し従来の技術」
プラズマ発生装置の従来例はアスムセン(Asmuss
en)、ラインハード( Reinhard)、その他
に与えらγした米国喘許階4,507,588 , N
Q4,585,668、階4,630,566、隘4,
691,662、階4,727,293、I!14,7
7 7,3 3 6及びl1!14,792,772
に、詳細に記載されている。これらの従来装置において
プローブは、プラズマを閉込めるためのチャンバー及び
無線周波数波の結合器の艮手軸線に対し直父するように
配貨されている。これらの装置は極く良好に機能するが
、無線周波数波結合器の空洞内にプローブを直角方向で
挿入する構造からして、MBE装置のような小さな据付
け口を有する処理装置中で使用することができなかった
。
en)、ラインハード( Reinhard)、その他
に与えらγした米国喘許階4,507,588 , N
Q4,585,668、階4,630,566、隘4,
691,662、階4,727,293、I!14,7
7 7,3 3 6及びl1!14,792,772
に、詳細に記載されている。これらの従来装置において
プローブは、プラズマを閉込めるためのチャンバー及び
無線周波数波の結合器の艮手軸線に対し直父するように
配貨されている。これらの装置は極く良好に機能するが
、無線周波数波結合器の空洞内にプローブを直角方向で
挿入する構造からして、MBE装置のような小さな据付
け口を有する処理装置中で使用することができなかった
。
狭ビーム装置を開示している他の特許としてバール(B
ahr)に与えられた米国特許lI&lL3,757,
518及びlh3,866,414、サクド( Sak
udo)等に与えられた米国特許階4,0 5 8,7
4 8、階4,31.6,090及びトわ4,3 9
3,3 3 3、及びコイヶ( Koike )等に
与えられた米国特許隘4,409,520 がある。無
線周波数波用の空洞としてバールの特許は同軸構造の空
洞を、そして他の特許は開放型の空洞?、それぞれ記載
している。
ahr)に与えられた米国特許lI&lL3,757,
518及びlh3,866,414、サクド( Sak
udo)等に与えられた米国特許階4,0 5 8,7
4 8、階4,31.6,090及びトわ4,3 9
3,3 3 3、及びコイヶ( Koike )等に
与えられた米国特許隘4,409,520 がある。無
線周波数波用の空洞としてバールの特許は同軸構造の空
洞を、そして他の特許は開放型の空洞?、それぞれ記載
している。
他の従来装置としてはR . M − Frederi
cks (フリーダリツクス)に工るミシガン・ステー
ト・ユニバーシティ博士論文[An Experim
ental and The −oretical
Study of Resonantly
Sustained Plas−ma in M
icrowave Cavi ties (−rイ
ク口波空洞内で共振的に維持されるプラズマの実験的及
び理論的研究) J (1972年)、特に第30−4
5頁;R.E . Fritz (フリッッ)によるミ
シガン・ステート・ユニバーシティ修士論文「An
ExperimentalInvestifJatio
n of the Characteristi
cs of RFSurface Wave
Generated Plasmas (無線周波
数地上波により発生されるプラズマの特性の実験的研究
) j (1979年)、特に第30−38頁;R.M
. Fredericks & J . Asmus
sen : Proc . IEEE 59 ,No.
2 , p.315 (1971年2月) ;
R. M. Fredericks & J. As
mussen : J. Appl. Phys .
42 .No, 9 , p.364.7 ( 197
1年8月);及びJ+Rog一ers & J. A
smussen : IEEE Trans. on
Plas−ma Science , PSIO
(1) , 11−16(1982年3月)に、そ′
t12ぞれ吉゛己載されているものがある。これらの文
献は、プローブが空洞の長手軸線に対し平行に移動可能
であり同軸の導体を上記軸線に沼ゎせて用いてある装置
全記載しているが、マイクロ波を閉込める空洞に近接位
置するチャンバー中でプラズマ?形成させることについ
ては何ら述べていない。
cks (フリーダリツクス)に工るミシガン・ステー
ト・ユニバーシティ博士論文[An Experim
ental and The −oretical
Study of Resonantly
Sustained Plas−ma in M
icrowave Cavi ties (−rイ
ク口波空洞内で共振的に維持されるプラズマの実験的及
び理論的研究) J (1972年)、特に第30−4
5頁;R.E . Fritz (フリッッ)によるミ
シガン・ステート・ユニバーシティ修士論文「An
ExperimentalInvestifJatio
n of the Characteristi
cs of RFSurface Wave
Generated Plasmas (無線周波
数地上波により発生されるプラズマの特性の実験的研究
) j (1979年)、特に第30−38頁;R.M
. Fredericks & J . Asmus
sen : Proc . IEEE 59 ,No.
2 , p.315 (1971年2月) ;
R. M. Fredericks & J. As
mussen : J. Appl. Phys .
42 .No, 9 , p.364.7 ( 197
1年8月);及びJ+Rog一ers & J. A
smussen : IEEE Trans. on
Plas−ma Science , PSIO
(1) , 11−16(1982年3月)に、そ′
t12ぞれ吉゛己載されているものがある。これらの文
献は、プローブが空洞の長手軸線に対し平行に移動可能
であり同軸の導体を上記軸線に沼ゎせて用いてある装置
全記載しているが、マイクロ波を閉込める空洞に近接位
置するチャンバー中でプラズマ?形成させることについ
ては何ら述べていない。
したがってこの発明,り目的とするところは、同軸構造
の空洞を備える無線周波数波プラズマの発生装置であっ
て分子線エビタキシー(MBE)装置の小径(約3,5
インチ( 8. 8 9 am )エリ小)の据付け口
中に挿入できるものを、提供するにある。
の空洞を備える無線周波数波プラズマの発生装置であっ
て分子線エビタキシー(MBE)装置の小径(約3,5
インチ( 8. 8 9 am )エリ小)の据付け口
中に挿入できるものを、提供するにある。
特にこの発明は、比較的単純で安価に製作できるビーム
生成用の同軸構造無線周波故波プラズマの発生装置を提
供することを、課題とする。
生成用の同軸構造無線周波故波プラズマの発生装置を提
供することを、課題とする。
〔一般的な説明」
この発明は次のようなプラズマ発生装置、すなわち■金
属製で空洞を形成する形状を有し該穿洞が一或は複数の
モードの共振で励起されるものであるところの極超短波
或はマイクロ波を含む無線周波数波の結合器手段を備え
たプラズマ源であって、プラズマケ取囲み電子サイクロ
トロン共鳴での無線周波数波エネルギーの結合全助成す
ると共に結合器手般内で電気的に絶縁されているチャン
バー−+段内のプラズマ中へのイオンの閉込め全助成す
る静磁界?含み得、上記チャンバー手段が結合器手般と
共】[リの長手[11111線忙有し、結合器手段の領
域と僅力・に距てらn該領域に対し密封さ肛てぃると共
に一端に出口を備えたものであるプラズマ源と、■上記
チャンバー手段内でイオン化されてプラズマ全形成する
気体全供給するための気体供給手段とを、それぞれ備え
ていて、結合器手段に印加さ肛る無線周波数波が」二記
チャンバー手段内において上記長手軸#lまわりにプラ
ズマ全創生して維持するプラズマ発生装置であって、さ
らに、■結合器手段の空洞内に上記長手軸線と直交させ
て配置され、該長手軸線に沿い上記チャンバー手段に対
し遠近させうるように可動に可vJに支持されている金
属製のプレート手段と、■結合器手段に対し無線周波数
波を結合するために該結合器手段の内部に臨ませ結合器
手段に接続さもている可動プローブ手段と鞘、それぞれ
備えているプラズマ発生装置において、 (a).上記ブローブ手段を上紀したチャンバー手段及
び結合器手段の長手軸線と平行に、且つ、該プローブ手
段の一端をチャンバー手段と離隔させて設ける一方、 (b).結合器手段の空洞中に上記畏手軸線上で同軸導
体手段を、該導体手段の末端が上記したチャンバー手段
における出口反対側の開封端に対し近接位置するように
配防して設けたことを特徴とする装置に係る。
属製で空洞を形成する形状を有し該穿洞が一或は複数の
モードの共振で励起されるものであるところの極超短波
或はマイクロ波を含む無線周波数波の結合器手段を備え
たプラズマ源であって、プラズマケ取囲み電子サイクロ
トロン共鳴での無線周波数波エネルギーの結合全助成す
ると共に結合器手般内で電気的に絶縁されているチャン
バー−+段内のプラズマ中へのイオンの閉込め全助成す
る静磁界?含み得、上記チャンバー手段が結合器手般と
共】[リの長手[11111線忙有し、結合器手段の領
域と僅力・に距てらn該領域に対し密封さ肛てぃると共
に一端に出口を備えたものであるプラズマ源と、■上記
チャンバー手段内でイオン化されてプラズマ全形成する
気体全供給するための気体供給手段とを、それぞれ備え
ていて、結合器手段に印加さ肛る無線周波数波が」二記
チャンバー手段内において上記長手軸#lまわりにプラ
ズマ全創生して維持するプラズマ発生装置であって、さ
らに、■結合器手段の空洞内に上記長手軸線と直交させ
て配置され、該長手軸線に沿い上記チャンバー手段に対
し遠近させうるように可動に可vJに支持されている金
属製のプレート手段と、■結合器手段に対し無線周波数
波を結合するために該結合器手段の内部に臨ませ結合器
手段に接続さもている可動プローブ手段と鞘、それぞれ
備えているプラズマ発生装置において、 (a).上記ブローブ手段を上紀したチャンバー手段及
び結合器手段の長手軸線と平行に、且つ、該プローブ手
段の一端をチャンバー手段と離隔させて設ける一方、 (b).結合器手段の空洞中に上記畏手軸線上で同軸導
体手段を、該導体手段の末端が上記したチャンバー手段
における出口反対側の開封端に対し近接位置するように
配防して設けたことを特徴とする装置に係る。
また特にこの発明は次のようなプラズマ発生装置、すな
わち■金属製で窒洞を形成する形状を有し該空洞が一或
は複数のモードの共弗で励起されるものであるところの
極超短波或はマイクロ波金含む無線周波数波の結合器手
段を備えたプラズマ源であって、プラズマケ取囲み電子
サイクロ1・ロン共鳴での無線周波数波エネルギーの結
合全助成すると共に結合器手段内で電気的に絶縁されて
いるチャンバー手段内のプラズマ中へのイオンの閉込め
全助成する静磁界を含み得、上記チャンバー手段が結合
器手段と共通の艮手IlflII線金有し、結合器手段
の領域と僅かに距てられ該領域に対し密封されていると
共に一端に出口を備えたものであるフラスマ源と、■上
記チャンバー手段内でイオン化されてプラズマ?形成す
る気体を供給するための気体供給手段とを、それぞれ備
えていて、結合器手段に印加される無線周波数波が上記
チャンバー手段内において上記長手IlilI+#!ま
わりにプラズマkMIJ生して維持するプラズマ発生装
置でのって、さらに、■結合器手段の空洞内に上記長手
軸線と血交さぜて配置さ扛、該長手軸線に沿い上記ナヤ
ンバ一手段に対し遠近させうるLうに可動に支持されて
いる金属製のプレート手段と、■結合器手段に対し無線
周波数波t結合するために該結合器手段の内部に臨ませ
結合器手段に接続されている可動プローブ手段とを1そ
れぞれ備えているプラズマ発生装置において、 (d).上記プローブ手段を上記したチャンバー手段及
び結合器手段の長手帖線と平行に、且つ、該プローブ手
段の一端をチャンバー手段と離隔させて設け、 (bl− iた上記プレート手段に上記長手軸線と平
行させた開口を設けて、この開口に上記プローブ手段を
、該プローブ手段を上記長手軸線に沿い移動させうるよ
うに挿通支承させる一方、(c).結合器手段の空洞中
に上紀長手軸線上で同軸導体手段を、該導体千股の末端
が」二記したチャンバー手段における出口反対側の閉封
端に対し近接位置するように配置して設け、 (d). さらに結合器手段の外部に上記プローブ手
段用の支持手段?設けて、この支持手段中に、上記した
プローブ手段とチャンバー手段間のab隔を変更するよ
うに上紀.長手価1線(r(浴いプローブ手段全移動さ
せうることとする位瞳調整pJ能な保持手段を設けると
共に、 (e),上記支持手段に支持され上記プレート手段に対
し、該プレート手段全上記チャンバー手段に対し遠近さ
せうるように可動に接闇してあるロツド手段を設けて、 上記した11/一ト手段とプローブ手段とr結合器手段
中で移動させることにより、共振モードの選択と上記チ
ャンバー手段内での無線周波数波の共振モードの変更と
?行なう工うに罹成してなる装置に係る。
わち■金属製で窒洞を形成する形状を有し該空洞が一或
は複数のモードの共弗で励起されるものであるところの
極超短波或はマイクロ波金含む無線周波数波の結合器手
段を備えたプラズマ源であって、プラズマケ取囲み電子
サイクロ1・ロン共鳴での無線周波数波エネルギーの結
合全助成すると共に結合器手段内で電気的に絶縁されて
いるチャンバー手段内のプラズマ中へのイオンの閉込め
全助成する静磁界を含み得、上記チャンバー手段が結合
器手段と共通の艮手IlflII線金有し、結合器手段
の領域と僅かに距てられ該領域に対し密封されていると
共に一端に出口を備えたものであるフラスマ源と、■上
記チャンバー手段内でイオン化されてプラズマ?形成す
る気体を供給するための気体供給手段とを、それぞれ備
えていて、結合器手段に印加される無線周波数波が上記
チャンバー手段内において上記長手IlilI+#!ま
わりにプラズマkMIJ生して維持するプラズマ発生装
置でのって、さらに、■結合器手段の空洞内に上記長手
軸線と血交さぜて配置さ扛、該長手軸線に沿い上記ナヤ
ンバ一手段に対し遠近させうるLうに可動に支持されて
いる金属製のプレート手段と、■結合器手段に対し無線
周波数波t結合するために該結合器手段の内部に臨ませ
結合器手段に接続されている可動プローブ手段とを1そ
れぞれ備えているプラズマ発生装置において、 (d).上記プローブ手段を上記したチャンバー手段及
び結合器手段の長手帖線と平行に、且つ、該プローブ手
段の一端をチャンバー手段と離隔させて設け、 (bl− iた上記プレート手段に上記長手軸線と平
行させた開口を設けて、この開口に上記プローブ手段を
、該プローブ手段を上記長手軸線に沿い移動させうるよ
うに挿通支承させる一方、(c).結合器手段の空洞中
に上紀長手軸線上で同軸導体手段を、該導体千股の末端
が」二記したチャンバー手段における出口反対側の閉封
端に対し近接位置するように配置して設け、 (d). さらに結合器手段の外部に上記プローブ手
段用の支持手段?設けて、この支持手段中に、上記した
プローブ手段とチャンバー手段間のab隔を変更するよ
うに上紀.長手価1線(r(浴いプローブ手段全移動さ
せうることとする位瞳調整pJ能な保持手段を設けると
共に、 (e),上記支持手段に支持され上記プレート手段に対
し、該プレート手段全上記チャンバー手段に対し遠近さ
せうるように可動に接闇してあるロツド手段を設けて、 上記した11/一ト手段とプローブ手段とr結合器手段
中で移動させることにより、共振モードの選択と上記チ
ャンバー手段内での無線周波数波の共振モードの変更と
?行なう工うに罹成してなる装置に係る。
r rI:IJm 9洞( eoaxial cav
ity ) J ( .J:り晋通には「同軸ケーブル
( coaxial cable ) Jと称さレテ
ィる。)は3つのグループ、+1+磁界垂直[TMJ、
(2)電界垂直1’− T E J 、+31電界及び
磁界垂直「TEM」に分類できる。同軸空洞は、空洞断
面積の一部分を占める中心導体をもつ。この導電性の中
心構造体によってTEMモードの存在が川能となる。
ity ) J ( .J:り晋通には「同軸ケーブル
( coaxial cable ) Jと称さレテ
ィる。)は3つのグループ、+1+磁界垂直[TMJ、
(2)電界垂直1’− T E J 、+31電界及び
磁界垂直「TEM」に分類できる。同軸空洞は、空洞断
面積の一部分を占める中心導体をもつ。この導電性の中
心構造体によってTEMモードの存在が川能となる。
円筒形及び長刀形尋波管は、TEモード及びTMモード
の存在のみを可能とする。
の存在のみを可能とする。
TEMモードは半径方向の電界及び周方向の磁界ケ有す
る。電界と磁界の両者とも、同軸空洞の軸線に垂直な平
面上にある。電界及び磁界が次式で与えられる点に留意
されたい。
る。電界と磁界の両者とも、同軸空洞の軸線に垂直な平
面上にある。電界及び磁界が次式で与えられる点に留意
されたい。
E2=HZ=Eφ=Hr=0
遮断周波数をもち、それエリして或る範囲の周波数のみ
の伝搬を可能とするTE及びTMモードとは対照的に、
T E Mモードは遮断周波牧全もたない。したがって
どのような周波数のTEMモードも同軸空洞内で電磁波
を伝搬しつる。
の伝搬を可能とするTE及びTMモードとは対照的に、
T E Mモードは遮断周波牧全もたない。したがって
どのような周波数のTEMモードも同軸空洞内で電磁波
を伝搬しつる。
同軸空洞はTE,TM或はTEMモードを支持しつる。
好ましい励起方法は、全ての他のTE及びTMモードが
存在せず(伝搬されず)してTEMモードのみによって
励起全得る方法である。
存在せず(伝搬されず)してTEMモードのみによって
励起全得る方法である。
同軸空洞は普通、TEMモードのみが伝搬するように製
作される。したがって電磁エネルギーは、石英管チャン
バー領域中でTE及びTMモードが伝搬しえないことか
らして開放された放電領域から外へ放射しえない。電磁
エネルギーは石英管チャンバーの附近及び内部の中心導
体端に、瞬時的なTE及びTMモードの形で集中せしめ
られる。
作される。したがって電磁エネルギーは、石英管チャン
バー領域中でTE及びTMモードが伝搬しえないことか
らして開放された放電領域から外へ放射しえない。電磁
エネルギーは石英管チャンバーの附近及び内部の中心導
体端に、瞬時的なTE及びTMモードの形で集中せしめ
られる。
これらの強い電磁界は中心導体端から数センチメートル
以内にのみ存在する。
以内にのみ存在する。
分子線エビタキシー(M B E )装置中での新たな
用途にあたっては、イオン及び励起種が低エネルギーで
もって処理基板に当たることが必要である。低圧でほと
んど保守の必要なしに作動する無であると考えられる。
用途にあたっては、イオン及び励起種が低エネルギーで
もって処理基板に当たることが必要である。低圧でほと
んど保守の必要なしに作動する無であると考えられる。
既存のMBE装置はイオン及び遊離基源に対し、極めて
特殊な構造設計金行なうことを要求している。同イオン
及び遊離基源は極く低圧((10−’Torr )且つ
低流量下で、保守をほとんど必要としないか全く必要と
ぜずに稼働しなければならない。
特殊な構造設計金行なうことを要求している。同イオン
及び遊離基源は極く低圧((10−’Torr )且つ
低流量下で、保守をほとんど必要としないか全く必要と
ぜずに稼働しなければならない。
稼働はしばしば酸素、水素、フッ素含有気体のような化
学的に活性な気体の存在下でなされる。既存のMBE装
置の真空ポートは、イオン及び遊離基源の外径f 5.
8 cm以内に制限する。高密度のイオン及び励起I
nk得るために、その源となる装置は基板の至近位置、
つまり処理チャンバー内に置かれねばならない。本発明
に従った好適する装置は、MBE用途の諸要求を満たす
ように特に設計された2. 4 5 GHzのECRイ
オン及び遊離基源とされる。
学的に活性な気体の存在下でなされる。既存のMBE装
置の真空ポートは、イオン及び遊離基源の外径f 5.
8 cm以内に制限する。高密度のイオン及び励起I
nk得るために、その源となる装置は基板の至近位置、
つまり処理チャンバー内に置かれねばならない。本発明
に従った好適する装置は、MBE用途の諸要求を満たす
ように特に設計された2. 4 5 GHzのECRイ
オン及び遊離基源とされる。
本発明装置は4種類の独立した調整が行なわれるものと
なっている。すなわち(1)中心導体の出入移動、(2
)可動プレートの位置調整、(3)空洞内でのプローブ
・ループアンテナの位置調整、+41同ループアンテナ
自体の軸線まわりでの方位角φの調整が、それである。
なっている。すなわち(1)中心導体の出入移動、(2
)可動プレートの位置調整、(3)空洞内でのプローブ
・ループアンテナの位置調整、+41同ループアンテナ
自体の軸線まわりでの方位角φの調整が、それである。
〔明細な説明]
第1図はこの発明のプラズマ発生装欣の好ましい天施例
を示す縦断正面図で、無線周波数波の結合器を構成する
空洞箱1()及び導体管11の軸線a−aと平行配置さ
れている可動プローブ】6、及ヒフラズマ100i閉込
めるためのチャンバー14cに近接させて同調金得るた
めの可動プレート12が示されている。第2図一第9図
は第1図に図示の装置の複数部分についての横断面図で
、第6図及び第7図はそ扛ぞれ、第1図の6−6線及び
7−7線に沿って切断した断面ケ拡大して画いている。
を示す縦断正面図で、無線周波数波の結合器を構成する
空洞箱1()及び導体管11の軸線a−aと平行配置さ
れている可動プローブ】6、及ヒフラズマ100i閉込
めるためのチャンバー14cに近接させて同調金得るた
めの可動プレート12が示されている。第2図一第9図
は第1図に図示の装置の複数部分についての横断面図で
、第6図及び第7図はそ扛ぞれ、第1図の6−6線及び
7−7線に沿って切断した断面ケ拡大して画いている。
第10図は第1図に図示の装置を真空チャンバー102
中に挿入して据付けた状態全示している。第11図及び
第12図はそれぞれ、チャンバ−14C内で異なつ1ヒ
電子サイクロトロン共鳴(ECR)を創生ずるための磁
石27の異なった配@全示している。第13図は本発明
装置を通常のMBE装置内に据付けた状態會示している
。
中に挿入して据付けた状態全示している。第11図及び
第12図はそれぞれ、チャンバ−14C内で異なつ1ヒ
電子サイクロトロン共鳴(ECR)を創生ずるための磁
石27の異なった配@全示している。第13図は本発明
装置を通常のMBE装置内に据付けた状態會示している
。
第1−9図に図示のイオン及び遊離基源となるプラズマ
発生装置の各部の素材は、後述する希土類磁石金除いて
全て非磁性である。
発生装置の各部の素材は、後述する希土類磁石金除いて
全て非磁性である。
同軸構造の無線周波数波共振器ないし結合器が外側のス
テンレス鋼製筒状空洞箱10、内側の黄銅製で電導性の
導体管11、及び黄銅またはステンレス鋼製の摺動短絡
子ないし可動プレート12によって形成され、チャンバ
ー14cは石英カツプ14にモリブデン管14d′!!
−取付けて成るチャンバー手段によって形成されておク
、モリブデン青14dの端にはステンレスgA製のフラ
ンジ部材】3が溶眉さ扛でいる。チャンバー手段14,
14dにおけるフランジ部祠13反対側の端14aは封
鎖されており、その逆の端14bは開放されている。可
動プレート12は空洞38の長さlk調整するために用
いられる。空洞38の長さでは約7から1 5 LM,
幅Wは約3.5から6鍋、長さlと幅Wとの比は杓2;
1或はそれより大であるのが、好ましい。
テンレス鋼製筒状空洞箱10、内側の黄銅製で電導性の
導体管11、及び黄銅またはステンレス鋼製の摺動短絡
子ないし可動プレート12によって形成され、チャンバ
ー14cは石英カツプ14にモリブデン管14d′!!
−取付けて成るチャンバー手段によって形成されておク
、モリブデン青14dの端にはステンレスgA製のフラ
ンジ部材】3が溶眉さ扛でいる。チャンバー手段14,
14dにおけるフランジ部祠13反対側の端14aは封
鎖されており、その逆の端14bは開放されている。可
動プレート12は空洞38の長さlk調整するために用
いられる。空洞38の長さでは約7から1 5 LM,
幅Wは約3.5から6鍋、長さlと幅Wとの比は杓2;
1或はそれより大であるのが、好ましい。
銀メツギした銅より成るブラシ15(rコンタクト・7
インガー( contact fingers )
Jまたは「フィンガー・ストック( finger
stock)Jといった商品名で市販されているもの)
盆、可動プレート12と空洞箱10間の電気的な接続t
イJ+るために用いている。可動プレート12と導体管
11間を電気的に接緯するためには、他のブラン15a
が用いられている。こnらのブラシ15.15aは第1
.4図に示すように、可動プレート12の全外周及び可
動プレート12の中心穴12aの全周にわたって配置さ
れたリングに切込みを設けた形のものに形成されている
。可動プローブ16は外管16a1内部の導体18、及
びループアンテナ17全有し、空洞箱10の内部にマイ
クロ波エネルギーを結合する。可動プローブ16の位置
調整によって空洞38内で、可動プレート】2と空洞箱
10と後述のリング状拘束クリップ28及びチャンバー
手段14,146によって区画形成さ汎た励起領域への
マイクロ波エネルギーのインピーダンス整合が得られる
,,町動プローブ】6はN形接続器(図示せず)茫有す
る。外管16aには導体18を挿入して固定するための
ねじ切Qが施されており、種々の寸法のループアンテナ
17を用いることができる。ループアンテナ17は外管
16aK半田付けすることができる。共振器内で1ロー
ブ16及びループアンテナ17ill線方向移動及び回
動変位させることによって、チャンバ−41914.1
4d内のプラズマ1 0 0 IIC結合スる電磁エネ
ルギーが父更される。同調のために共振器内で可動プレ
ート12は、ロッド19によってllIIIl線方回に
動かされる。ロッド19は駆動板2oに取付けてある。
インガー( contact fingers )
Jまたは「フィンガー・ストック( finger
stock)Jといった商品名で市販されているもの)
盆、可動プレート12と空洞箱10間の電気的な接続t
イJ+るために用いている。可動プレート12と導体管
11間を電気的に接緯するためには、他のブラン15a
が用いられている。こnらのブラシ15.15aは第1
.4図に示すように、可動プレート12の全外周及び可
動プレート12の中心穴12aの全周にわたって配置さ
れたリングに切込みを設けた形のものに形成されている
。可動プローブ16は外管16a1内部の導体18、及
びループアンテナ17全有し、空洞箱10の内部にマイ
クロ波エネルギーを結合する。可動プローブ16の位置
調整によって空洞38内で、可動プレート】2と空洞箱
10と後述のリング状拘束クリップ28及びチャンバー
手段14,146によって区画形成さ汎た励起領域への
マイクロ波エネルギーのインピーダンス整合が得られる
,,町動プローブ】6はN形接続器(図示せず)茫有す
る。外管16aには導体18を挿入して固定するための
ねじ切Qが施されており、種々の寸法のループアンテナ
17を用いることができる。ループアンテナ17は外管
16aK半田付けすることができる。共振器内で1ロー
ブ16及びループアンテナ17ill線方向移動及び回
動変位させることによって、チャンバ−41914.1
4d内のプラズマ1 0 0 IIC結合スる電磁エネ
ルギーが父更される。同調のために共振器内で可動プレ
ート12は、ロッド19によってllIIIl線方回に
動かされる。ロッド19は駆動板2oに取付けてある。
石英カップ14及びモリブデン管14dの集合体とステ
ンレス鋼装フランジ部材13は、フ゜ラズマ100?閉
込めるためのチャンバー14ct区画形成している。気
体はチャンバー14c中に気体供給管21と気体供給用
7ランジ部材22とt介し供給されるものとされ、気体
供給用7ランジ部材22は7ランジ13VCIy.付け
られ気体ケ通す溝穴22a (at9図)を有する。プ
ラズマ散乱スクリーン24を、気体供給用7ランジ部材
22に取付けてある。気体供給用フランジ部材22とプ
ラズマ散乱スクリーン24とは、ねじ23によって結合
さ汎でいる。散乱スクリーン24には、プラズマ1(}
0からのイオン或は電子?加速するように電気バイアス
をかけつる。空洞箱10の外uDに沿わせてあるグリッ
ド導線37Kよって、散乱スクリーン24を電気的にバ
イアスすることができる。
ンレス鋼装フランジ部材13は、フ゜ラズマ100?閉
込めるためのチャンバー14ct区画形成している。気
体はチャンバー14c中に気体供給管21と気体供給用
7ランジ部材22とt介し供給されるものとされ、気体
供給用7ランジ部材22は7ランジ13VCIy.付け
られ気体ケ通す溝穴22a (at9図)を有する。プ
ラズマ散乱スクリーン24を、気体供給用7ランジ部材
22に取付けてある。気体供給用フランジ部材22とプ
ラズマ散乱スクリーン24とは、ねじ23によって結合
さ汎でいる。散乱スクリーン24には、プラズマ1(}
0からのイオン或は電子?加速するように電気バイアス
をかけつる。空洞箱10の外uDに沿わせてあるグリッ
ド導線37Kよって、散乱スクリーン24を電気的にバ
イアスすることができる。
直列配置の3個のリング状滋石2 6 :5−、チャン
バー手段14,14dの周りに設けてある。甘た円盤状
磁石27t1チャンバー手段14,146の封鎖ざれた
上端14aに近接させて導体管11内に設けてある。リ
ング状磁石26は、金属製の拘束クリップ28によって
位置保持されている。
バー手段14,14dの周りに設けてある。甘た円盤状
磁石27t1チャンバー手段14,146の封鎖ざれた
上端14aに近接させて導体管11内に設けてある。リ
ング状磁石26は、金属製の拘束クリップ28によって
位置保持されている。
円盤状磁石27に瞬接させて導体管11の内周面に、長
芋NiAa−aに平行する冷却用スロット11a′k形
成してあり、該スロット1 i aによって導体管11
の下端部分31に管下端に甘で達する渦穴か提供され、
そ肚により導体管11内から空気が空洞箱10と導体管
11間の空洞:38へと流n込みうる工うにされている
。リング状磁石26、チャンバー手段14,14d及び
7ランジ部材13の冷却は、拘束クリップ28附近に端
?有し希土類磁石27の内側方でチャンバー手段14,
14dへと向けら扛ている4本の冷却空気導入管30に
裏って達成さnる。
芋NiAa−aに平行する冷却用スロット11a′k形
成してあり、該スロット1 i aによって導体管11
の下端部分31に管下端に甘で達する渦穴か提供され、
そ肚により導体管11内から空気が空洞箱10と導体管
11間の空洞:38へと流n込みうる工うにされている
。リング状磁石26、チャンバー手段14,14d及び
7ランジ部材13の冷却は、拘束クリップ28附近に端
?有し希土類磁石27の内側方でチャンバー手段14,
14dへと向けら扛ている4本の冷却空気導入管30に
裏って達成さnる。
リング状磁石26は黄鋼製のリングと銀メッキ鋼ブラシ
とから成る拘束クリップ28によって、拘束さnると共
に電磁エネルギーにズ1し遮蔽されている。21固の円
盤状磁石27は導体管11中で、該磁石27の上方側で
管11K螺着してめるねじ29と管11端内に嵌合固定
してある黄銅製プラグllbとにエシ拘束されている。
とから成る拘束クリップ28によって、拘束さnると共
に電磁エネルギーにズ1し遮蔽されている。21固の円
盤状磁石27は導体管11中で、該磁石27の上方側で
管11K螺着してめるねじ29と管11端内に嵌合固定
してある黄銅製プラグllbとにエシ拘束されている。
4本の冷却空気導入管30の端は石英カツブ14に軽<
脊リかかつており、チャンバー手段1 4 , 1 4
dの周りへの空気流れが可能どなっている。
脊リかかつており、チャンバー手段1 4 , 1 4
dの周りへの空気流れが可能どなっている。
導体管11は、剖分11cで互に螺合してある2部分エ
リ成る。このように管11′?f:分割彫成することに
よっては、円盤状磁石27の挿入或は取出しが容易とな
る。管】1の上端11dKは冷却空気導入用の普通形式
のアダプタ(図示せず冫が嵌合される。導体(g 1
1は真空装置への取付け用上部フランジ33付近でねじ
部1 1 t2 {!−イイし、上部7ランジ33の内
ねじ2 3 a IC螺合さ扛てぃる。
リ成る。このように管11′?f:分割彫成することに
よっては、円盤状磁石27の挿入或は取出しが容易とな
る。管】1の上端11dKは冷却空気導入用の普通形式
のアダプタ(図示せず冫が嵌合される。導体(g 1
1は真空装置への取付け用上部フランジ33付近でねじ
部1 1 t2 {!−イイし、上部7ランジ33の内
ねじ2 3 a IC螺合さ扛てぃる。
導体’7711端と円盤状磁石27の位置は、l gl
!フランジ33中で管】1を回転させることにより変更
できる。
!フランジ33中で管】1を回転させることにより変更
できる。
摺動短絡子である自〕動プレート12と可動プローブ1
6との位置調整を行なうために、調整機講40 .41
が設けられている。調整手幾,1苦4. 1 [/こお
いて、可動プレート12は駆動板20に取付けらnてい
るロッドl9に工って動かさ几る。ロツド19の位直は
調整ナット34全回1賑さぜることで変更され、調整ナ
ット34は、上部7ランジ33に取付け支持させてある
ねじ付けロッド35に螺合されている。調整機構40に
おいて、可動プローブ16は2種の調整手段で動かされ
る。このプローブ16は,プレート部材36を貫通させ
該プレート部材36に取付けられている。またブロー1
16は駆動板20,上部7ランジ33及び町動プレート
12全通して自由に動きつる。可動プローブ16は調整
ナット37全回転さぜることで、装置長手軸線a−aに
沿って動かされる。調整ナット37は、駆動板20に取
付けたねじ付けロツド39に螺合されている。つまり可
動プローブ16は、調整機構41中の調整ナット34に
より駆動板20の位置が変更さnるときと、調整機構4
0中の調整ナット37によりプレート部材36の位置が
変史されるときとに、位@を変えられることになる。駆
動板20−またけプレート部材36の動きによって位置
変更されるブローブ16は第2図に示すねじ42によっ
てプレート部材36に対し固定さnており、このねじ4
2ケ一旦緩めてプローブ16を回転変位させることで装
@長手軸線a一aに対するループアンテナ17の相対位
置も変更できる。
6との位置調整を行なうために、調整機講40 .41
が設けられている。調整手幾,1苦4. 1 [/こお
いて、可動プレート12は駆動板20に取付けらnてい
るロッドl9に工って動かさ几る。ロツド19の位直は
調整ナット34全回1賑さぜることで変更され、調整ナ
ット34は、上部7ランジ33に取付け支持させてある
ねじ付けロッド35に螺合されている。調整機構40に
おいて、可動プローブ16は2種の調整手段で動かされ
る。このプローブ16は,プレート部材36を貫通させ
該プレート部材36に取付けられている。またブロー1
16は駆動板20,上部7ランジ33及び町動プレート
12全通して自由に動きつる。可動プローブ16は調整
ナット37全回転さぜることで、装置長手軸線a−aに
沿って動かされる。調整ナット37は、駆動板20に取
付けたねじ付けロツド39に螺合されている。つまり可
動プローブ16は、調整機構41中の調整ナット34に
より駆動板20の位置が変更さnるときと、調整機構4
0中の調整ナット37によりプレート部材36の位置が
変史されるときとに、位@を変えられることになる。駆
動板20−またけプレート部材36の動きによって位置
変更されるブローブ16は第2図に示すねじ42によっ
てプレート部材36に対し固定さnており、このねじ4
2ケ一旦緩めてプローブ16を回転変位させることで装
@長手軸線a一aに対するループアンテナ17の相対位
置も変更できる。
第10図は第1−9図に図示のプラズマ発生装政を、チ
ャンバー102を有する真空装置101中に挿入設置し
た状態?示している。既存のパーキy − 工/L/
マ− ( Perkin − F.lmer ) 或
はバリアン( Varian )真空装置またはMBE
装置の図示挿入口105は普通、2.25インチ( 5
. 7 2側)である。
ャンバー102を有する真空装置101中に挿入設置し
た状態?示している。既存のパーキy − 工/L/
マ− ( Perkin − F.lmer ) 或
はバリアン( Varian )真空装置またはMBE
装置の図示挿入口105は普通、2.25インチ( 5
. 7 2側)である。
望ましい装置部品の具体例を次に示す。
共振機構:
導体管】1・・・外径0.625(1.59(7))、
内径0.509’(1.29鋼)、艮さ 一空洞長+4 − 5’( 1 0. 2 −12.7
61n) 空洞箱10・・・ステンレス鋼管、外径2。25’(
5.72σ)、内径2. 0 8 4’ ( 5.21
c+++ )、長さ=空洞長、非磁性 冷却空気導入管30・・・ステンレス鋼管、外径0.0
4 7’(0.1 1 9側)、内径0. 0 3
1“(0.078側)、長さ=空洞箱10の長さ十数イ
ンチ、 5本 可動プレート1. 2−0.2 5’(0.6 3 5
(Mn)厚の黄銅板、直径2.25’(5.72 磁石2 7 − SmCo円盤、直径0. 5’( 1
. 2 7 z)、厚さ0. 2 5’(0. 6 3
5備)、2個クリップ28・・・0. 0 2 0’
( 0. 0 5側)厚の黄銅板、直径2. 2 5
’( 5. 7 7 cIR)ブラシ15,15.a・
・・17個 磁石2 6 − SmCoリング、外径1. 9 4’
( 4.93co+)、内径1. 6 2 5“(4
.13ce+)、厚さ0.50(1.27側)、3個 石英カツプ14−モリブデン管14d集合体・・・市販
品 7ランジ部材13・・・ステンレス鋼、外径2.25(
5.72cm),内径1.484″’(3.77側)、
厚さ3/16 ’( 0.48側)、非磁性 気体供給用7ランジ部材22・・・薄いステンレス鋼板
、厚さ3/16’( 0.487)、直径2.25’(
5.72側)、非磁 性 プローブ1 6−0.3 2 5’(0.8 3m)径
でN形接続器付きの剛性ケーブル ねじ23・・・テフロンまたはセラミックLり成るグラ
メット座金(図示せず)付 きのステンレス鋼製 駆動機構: 駆動板20・・・アルミニウム板、2 578’(6
.67側) X ] 1/2’( 3.81砿)xi
/8’( 0. 3 2 am ) プレート部材36・・・アルミニウム板、1 1./
8’( 2. 8 6側) X 1 1/2 (3.
81σ)XI/8“( 0. 3 2側) ねじ付けロッド・・・鋼製、直径1/8“( 0.32
cur )、長さ約5“(12.7閑) ロッド19・・・ステンレス鋼製、il!径1/8 (
0.32α)、長さ一空洞長さ+3′(7.62m〕、
2本 調整ナット34.37・・・黄銅製、直径1/2’(1
.27a)、厚さ約1 1/’2’( 3. 8 1
国) プラズマ散乱スクリーン24・・・孔径]/8−1/4
’(0.22−0.635礪)、厚さ 1/32−1716 ’ ( 0.079−0.159
c+++)、非磁性ステンレス鋼製 空洞箱10、7ランジ部材13.22等についての外径
2.25’(5.72礪)は、真空装置10102.
2 5’( 5. 7 2 cIR)径の挿入口105
への挿入嵌台のために約2.2 4 5’(5. 7
0 2 cs)へと減少させる。
内径0.509’(1.29鋼)、艮さ 一空洞長+4 − 5’( 1 0. 2 −12.7
61n) 空洞箱10・・・ステンレス鋼管、外径2。25’(
5.72σ)、内径2. 0 8 4’ ( 5.21
c+++ )、長さ=空洞長、非磁性 冷却空気導入管30・・・ステンレス鋼管、外径0.0
4 7’(0.1 1 9側)、内径0. 0 3
1“(0.078側)、長さ=空洞箱10の長さ十数イ
ンチ、 5本 可動プレート1. 2−0.2 5’(0.6 3 5
(Mn)厚の黄銅板、直径2.25’(5.72 磁石2 7 − SmCo円盤、直径0. 5’( 1
. 2 7 z)、厚さ0. 2 5’(0. 6 3
5備)、2個クリップ28・・・0. 0 2 0’
( 0. 0 5側)厚の黄銅板、直径2. 2 5
’( 5. 7 7 cIR)ブラシ15,15.a・
・・17個 磁石2 6 − SmCoリング、外径1. 9 4’
( 4.93co+)、内径1. 6 2 5“(4
.13ce+)、厚さ0.50(1.27側)、3個 石英カツプ14−モリブデン管14d集合体・・・市販
品 7ランジ部材13・・・ステンレス鋼、外径2.25(
5.72cm),内径1.484″’(3.77側)、
厚さ3/16 ’( 0.48側)、非磁性 気体供給用7ランジ部材22・・・薄いステンレス鋼板
、厚さ3/16’( 0.487)、直径2.25’(
5.72側)、非磁 性 プローブ1 6−0.3 2 5’(0.8 3m)径
でN形接続器付きの剛性ケーブル ねじ23・・・テフロンまたはセラミックLり成るグラ
メット座金(図示せず)付 きのステンレス鋼製 駆動機構: 駆動板20・・・アルミニウム板、2 578’(6
.67側) X ] 1/2’( 3.81砿)xi
/8’( 0. 3 2 am ) プレート部材36・・・アルミニウム板、1 1./
8’( 2. 8 6側) X 1 1/2 (3.
81σ)XI/8“( 0. 3 2側) ねじ付けロッド・・・鋼製、直径1/8“( 0.32
cur )、長さ約5“(12.7閑) ロッド19・・・ステンレス鋼製、il!径1/8 (
0.32α)、長さ一空洞長さ+3′(7.62m〕、
2本 調整ナット34.37・・・黄銅製、直径1/2’(1
.27a)、厚さ約1 1/’2’( 3. 8 1
国) プラズマ散乱スクリーン24・・・孔径]/8−1/4
’(0.22−0.635礪)、厚さ 1/32−1716 ’ ( 0.079−0.159
c+++)、非磁性ステンレス鋼製 空洞箱10、7ランジ部材13.22等についての外径
2.25’(5.72礪)は、真空装置10102.
2 5’( 5. 7 2 cIR)径の挿入口105
への挿入嵌台のために約2.2 4 5’(5. 7
0 2 cs)へと減少させる。
ロツド19はpJ動プレート(摺動短絡子)12に対し
、ねじ?用いて取付けることもできる。ブラシ15.1
5aはそnぞれ、可動プレート12に取付けるリング(
図示せず)によって位置保持させうる。
、ねじ?用いて取付けることもできる。ブラシ15.1
5aはそnぞれ、可動プレート12に取付けるリング(
図示せず)によって位置保持させうる。
磁石27(或は磁石26)の磁極配列は第11.12図
に示すように、チャンバー手段14 .14d内でのプ
ラズマ100の電子サイクロトロン共鳴?菱更するよう
に変更することができる。このことは当業者であルば容
易に行なえる。
に示すように、チャンバー手段14 .14d内でのプ
ラズマ100の電子サイクロトロン共鳴?菱更するよう
に変更することができる。このことは当業者であルば容
易に行なえる。
本発明に係る改良さnたプラズマ発生装置は、要約して
述べると次の特徴?有する。
述べると次の特徴?有する。
11.同心構造のTEM波の励起(空洞箱10の内径が
好ましくは3.5インチ( 8. 8 9 cpn )
より小さいことから、他の全ての同軸導波管モードは伝
搬しえない。) t2).空洞38の一端で摺動短絡子(町動プレート)
120位置調整がI’TRヒ。
好ましくは3.5インチ( 8. 8 9 cpn )
より小さいことから、他の全ての同軸導波管モードは伝
搬しえない。) t2).空洞38の一端で摺動短絡子(町動プレート)
120位置調整がI’TRヒ。
(3).ループアンテナ17ケ回動父位さぜるかプロー
ブ16を軸線方向に動かすことにより、円筒状空洞38
端でマイクロ波入力を結合。
ブ16を軸線方向に動かすことにより、円筒状空洞38
端でマイクロ波入力を結合。
(4).導体管11をその端のフリンジ磁界が、プラズ
マ1()0に対する最良のマイクロ波結合ケ得させる配
置におか扛る工9に、位置調整IIJ能。
マ1()0に対する最良のマイクロ波結合ケ得させる配
置におか扛る工9に、位置調整IIJ能。
J遺し析丙
装置のインピーダンス整合は、(】j4体管1】、i2
1結合用のループ17とプローブ16、及び(3)可動
プレート12の位置を各独立的に調整することにエク達
成される。
1結合用のループ17とプローブ16、及び(3)可動
プレート12の位置を各独立的に調整することにエク達
成される。
フラスマ100は、空洞38の一端でチャンバー手段1
4.14d中に形成されている円盤状(或は円筒状)放
軍テヤンパー14c内で形成さnる。このフ゜ラズマ1
00は、減圧下に維持さ扛気体供給管21から供給気体
(イオン及び遊離基源)が流入するチャンバー手段14
.14d内に閉込めら庇る。
4.14d中に形成されている円盤状(或は円筒状)放
軍テヤンパー14c内で形成さnる。このフ゜ラズマ1
00は、減圧下に維持さ扛気体供給管21から供給気体
(イオン及び遊離基源)が流入するチャンバー手段14
.14d内に閉込めら庇る。
希土類磁石26.27は、電子サイクロトロン共鳴(E
CR)のために用いらnる。第11.12図に示すLう
に希土類磁石26 .27はチャンノ《−14ciとV
捲いて、該チャンバー14c内にECR域106,10
7i生じさせ、チャンバー手段14,14dの壁に対す
るイオン及び電子の散乱損失勿減らす。2. 4 5
GHzにおいて第11.12図に示す工うに、磁界強度
が875ガウスに等しい磁界面でECR域が生じる。磁
石26.27による磁界は励起端14aで高磁界が、そ
してチャンバー14c内とチャンバー手段14,14d
の電子或は遊離基の取出し端14bとで低磁界が、それ
ぞれ生ぜしめられるような形状ケとる。
CR)のために用いらnる。第11.12図に示すLう
に希土類磁石26 .27はチャンノ《−14ciとV
捲いて、該チャンバー14c内にECR域106,10
7i生じさせ、チャンバー手段14,14dの壁に対す
るイオン及び電子の散乱損失勿減らす。2. 4 5
GHzにおいて第11.12図に示す工うに、磁界強度
が875ガウスに等しい磁界面でECR域が生じる。磁
石26.27による磁界は励起端14aで高磁界が、そ
してチャンバー14c内とチャンバー手段14,14d
の電子或は遊離基の取出し端14bとで低磁界が、それ
ぞれ生ぜしめられるような形状ケとる。
本装置に特有の特徴は、導体管11内でチャンバー手段
14,14dに近接位置させて2個の円盤状希土類磁石
葡設けた点にある。これらの磁石27は磁石26と共に
チャンバー手段14.14dを取囲み、該手段14,1
4dの励起端14aでECR域106或は107を生成
さゼうる。磁気鞘は放電物の出口に向けて、磁気鏡のよ
うに減少さ扛発散する。こnに二って出口端14bから
出る電子(またしたがってイオン)が加速される(おさ
れる)効果が与えられる。
14,14dに近接位置させて2個の円盤状希土類磁石
葡設けた点にある。これらの磁石27は磁石26と共に
チャンバー手段14.14dを取囲み、該手段14,1
4dの励起端14aでECR域106或は107を生成
さゼうる。磁気鞘は放電物の出口に向けて、磁気鏡のよ
うに減少さ扛発散する。こnに二って出口端14bから
出る電子(またしたがってイオン)が加速される(おさ
れる)効果が与えられる。
次にプラズマ発生装置の特定の運転例ケ掲げる。
(l).放電域14cf低圧(< 1 m Torr
) ヘと真空吸引する。
) ヘと真空吸引する。
(2),可動プレート12、導体管11及びプローブ1
6を、装置の初期共振周波数校正テストによって定めた
(放電)スタート位置へと調整する。
6を、装置の初期共振周波数校正テストによって定めた
(放電)スタート位置へと調整する。
(3).気体供給管21全開放して5 − 1 5 s
ec組の流量で気体ケ供給し、放電域14c中に1−1
0m ’fOrrの圧力を生じさせる。
ec組の流量で気体ケ供給し、放電域14c中に1−1
0m ’fOrrの圧力を生じさせる。
(4).マイクロ波電力供給源全作動させ2 0 −5
0W CWに調整し、入力及び反射電力全測定する。
0W CWに調整し、入力及び反射電力全測定する。
さらに印加器を、チャンバー14c内で放電及びプラズ
マ形成が生じるまで、反射電力全最小とするように「同
調(tune)J制御する。
マ形成が生じるまで、反射電力全最小とするように「同
調(tune)J制御する。
(6).放電が達成されると入力電力及び供給管21中
の気体流fit′k所望のレベルの値に調整し、装置を
反射電力が零の状態へと再同調させる。
の気体流fit′k所望のレベルの値に調整し、装置を
反射電力が零の状態へと再同調させる。
(6).運転中に供給管21中の気体流量、入力電力及
び結合器同調tJ9i望の稼働条件に合わせて調整する
。MBE装置と組合せて使用するときは、シャッター1
04(第10図)紫使用すべきである。このシャツター
104はイオン及び遊離基が低圧チャンバー102中に
出ること?、同イオン及び遊離基が必要とされる時まで
阻止する。
び結合器同調tJ9i望の稼働条件に合わせて調整する
。MBE装置と組合せて使用するときは、シャッター1
04(第10図)紫使用すべきである。このシャツター
104はイオン及び遊離基が低圧チャンバー102中に
出ること?、同イオン及び遊離基が必要とされる時まで
阻止する。
空洞38の1つの作動例はTEMモードでの励起であり
、次に以下のように調整する。
、次に以下のように調整する。
(l).導体管11全石英カツプ14の上方、約3閣以
内に位置させる。
内に位置させる。
I2).フ゜ローフ゛16のノレーフ゜アンテナ17葡
一二〇の位置(第1図に図示の工うに軸@a−Hに対し
放射方向で浴う位置)におく。
一二〇の位置(第1図に図示の工うに軸@a−Hに対し
放射方向で浴う位置)におく。
(3).可動プレート12は、空洞内で導体管11が該
プレー1−12と石英カップ14間で占める長さL6が
次の工うになる位置におきつる。すなわちn=1.3.
5の奇数の整数であり,TEMモ−ドの電界バクーンは
、 3λ Ls=−モード で表わされる。/=2.45GHzであると、λ= 1
2.25側でL8=9側である。
プレー1−12と石英カップ14間で占める長さL6が
次の工うになる位置におきつる。すなわちn=1.3.
5の奇数の整数であり,TEMモ−ドの電界バクーンは
、 3λ Ls=−モード で表わされる。/=2.45GHzであると、λ= 1
2.25側でL8=9側である。
プラズマ放電が点弧すると、整合状態(反射電力零)を
得るように可動プレート12を若干再調整する〔普通、
数篇さらに引出す。〕 プラズマケ監視するために金属遮蔽の監視窓(図不ぜず
)を、チャンバー部材14,14dに近接させて空洞箱
10に形成することができる。
得るように可動プレート12を若干再調整する〔普通、
数篇さらに引出す。〕 プラズマケ監視するために金属遮蔽の監視窓(図不ぜず
)を、チャンバー部材14,14dに近接させて空洞箱
10に形成することができる。
この監視窓は勿論、装置が真空チャン/’: − 1
0 2の内部に組込まf′Lたときは利用することがで
きないO イオン或は遊離基の取出しは、次のような格子ないしス
クリーン24仕様で得ら扛る。
0 2の内部に組込まf′Lたときは利用することがで
きないO イオン或は遊離基の取出しは、次のような格子ないしス
クリーン24仕様で得ら扛る。
ill. X空チャンハ− 1 0 2中へのプラズマ
100(イオン、電子及ひ遊離基)の自由な散乱ケ許す
大きな円形孔ま1こは−・連の比較的大きな孔(約1/
161/4′(0.1 5 9−0.6 3 5側))
。供給管21中の気体流量と放電圧力とを調整すること
によって励起気体種の濃度金変史することができる。
100(イオン、電子及ひ遊離基)の自由な散乱ケ許す
大きな円形孔ま1こは−・連の比較的大きな孔(約1/
161/4′(0.1 5 9−0.6 3 5側))
。供給管21中の気体流量と放電圧力とを調整すること
によって励起気体種の濃度金変史することができる。
(2).微細メッシュのスクリーン24(1間−10ミ
クロン)?用い該スクリーン24に低d c 電圧(2
0−300ボルト){i−印加することにより、プラズ
マ1()Oから低エネルギーのイオンビーム會取出すこ
とができる。
クロン)?用い該スクリーン24に低d c 電圧(2
0−300ボルト){i−印加することにより、プラズ
マ1()Oから低エネルギーのイオンビーム會取出すこ
とができる。
(3).中オロフィラメントケ有する2重格子を、高エ
ネルギーイオンピーム( 600−2,000 V )
を取出すために利用できる。
ネルギーイオンピーム( 600−2,000 V )
を取出すために利用できる。
通當のECR(電子サイクロトロン共鳴)イオン及びプ
ラズマ源は嵩張っていて重い電磁石、及び直径が7傭エ
リ小さくさnると2. 4 5 GHzでの波伝iを許
さない導波管印加器の使用を、必要とするものかはとん
どである。したがってMBE(分子線エビタキシー)に
利用するため、粕′fc.なECR装置が要望さ牡てい
た。本発明は、いくつかの新規な特徴的構造全組合せて
いる。先ずTEMモードで励起さ几る同調可能な同軸印
加器装置10金、プラズマ閉込め用のチャンバー部材1
4,14dの円筒状石英放電域中でマイクロ波を整合さ
せるために採用している。また放電容積内にECR面を
生成するため、及びフ゜ラズマ源出力部に発散ミラー状
の磁界金生成するために、希土類磁石26によって放電
部?取囲ませている。80150Wのマイクロ波電力で
作動する本装置10は直径3. 7 5 c組の放電物
(プラズマ)?形成し、1重または2重の引出し格子2
4を用いて、或は基板処理空間中への電子、イオン、そ
の他の励起種の放散を許す完全に開放した出力部r用い
て、稼働させることができる。本イオンー遊離基源装置
はコンパクトな構造を有し、第13図に示すようにMB
E装置内に十分に挿入設置できる。したがってMBE処
理空間中にイオン及び遊離基の高密度源が提供さnる。
ラズマ源は嵩張っていて重い電磁石、及び直径が7傭エ
リ小さくさnると2. 4 5 GHzでの波伝iを許
さない導波管印加器の使用を、必要とするものかはとん
どである。したがってMBE(分子線エビタキシー)に
利用するため、粕′fc.なECR装置が要望さ牡てい
た。本発明は、いくつかの新規な特徴的構造全組合せて
いる。先ずTEMモードで励起さ几る同調可能な同軸印
加器装置10金、プラズマ閉込め用のチャンバー部材1
4,14dの円筒状石英放電域中でマイクロ波を整合さ
せるために採用している。また放電容積内にECR面を
生成するため、及びフ゜ラズマ源出力部に発散ミラー状
の磁界金生成するために、希土類磁石26によって放電
部?取囲ませている。80150Wのマイクロ波電力で
作動する本装置10は直径3. 7 5 c組の放電物
(プラズマ)?形成し、1重または2重の引出し格子2
4を用いて、或は基板処理空間中への電子、イオン、そ
の他の励起種の放散を許す完全に開放した出力部r用い
て、稼働させることができる。本イオンー遊離基源装置
はコンパクトな構造を有し、第13図に示すようにMB
E装置内に十分に挿入設置できる。したがってMBE処
理空間中にイオン及び遊離基の高密度源が提供さnる。
こ扛に工ってMBE装置中で新しい低温化学処理ヶ行な
えることになる。本装置は(1)高エネルギーイオンの
広幅ビーム源(プラズマチャンバーの出口に2重格子2
4を用い、600−1,500 MHzの周波数を用い
ることにLり。)、+21 低エネルギーイオン及び遊
離基源(プラズマチャンバーの出口に1重格子24ケ用
い、5〇一150ボルトの電圧で加速して。) 、t3
i単なる低エネルギープラズマ源(プラズマチャンノく
ーの出口?開放状態とする〃・、大きな孔のスクリーン
24ケ用いて。)として、そnぞれ稼働さゼうる。
えることになる。本装置は(1)高エネルギーイオンの
広幅ビーム源(プラズマチャンバーの出口に2重格子2
4を用い、600−1,500 MHzの周波数を用い
ることにLり。)、+21 低エネルギーイオン及び遊
離基源(プラズマチャンバーの出口に1重格子24ケ用
い、5〇一150ボルトの電圧で加速して。) 、t3
i単なる低エネルギープラズマ源(プラズマチャンノく
ーの出口?開放状態とする〃・、大きな孔のスクリーン
24ケ用いて。)として、そnぞれ稼働さゼうる。
第13図に図示のMBE装置20()は、(l).イオ
ンビームミリング及びエッチング、(2).スパッタリ
ング被覆、及び (3).薄膜析出一ダイヤモンド及び超電導体膜一用の
低エネルギーイオン/遊離基源 として、それぞれ利用できる。本装置はまた02,S
F6+ C F,, H,等のような化学的に活性な気
体と共に用いることができる。無電極式のものであるこ
とからして装置の保守はさほど必要としない。
ンビームミリング及びエッチング、(2).スパッタリ
ング被覆、及び (3).薄膜析出一ダイヤモンド及び超電導体膜一用の
低エネルギーイオン/遊離基源 として、それぞれ利用できる。本装置はまた02,S
F6+ C F,, H,等のような化学的に活性な気
体と共に用いることができる。無電極式のものであるこ
とからして装置の保守はさほど必要としない。
第13図に図示のMBE装置において本発明に係る装置
(空洞箱全指す符号10で示す。)は、ケイ素(Si)
及びアンチモン(sb)r膜の形で析出させるための真
壁チャンノ<−2(11中に組込まれている。そrL自
体は普通のものである装置要累としてチタンザブリメー
ションボンプ2u2、夕一ボ分子ポンプ203、電子銃
Sl源2 0 4 、軍離ゲージ205、質量分析劃2
06、熱シールド207、熱電対208、石英結晶厚モ
ニタ209、任意のものである熱板2】0、基板ホルダ
2】1、監視点ないし監視口2 1 2 、.@様式シ
ャッター213、Sb放出セル214が設けら肛、イオ
ン及びラジカル励起種215が示さnている。
(空洞箱全指す符号10で示す。)は、ケイ素(Si)
及びアンチモン(sb)r膜の形で析出させるための真
壁チャンノ<−2(11中に組込まれている。そrL自
体は普通のものである装置要累としてチタンザブリメー
ションボンプ2u2、夕一ボ分子ポンプ203、電子銃
Sl源2 0 4 、軍離ゲージ205、質量分析劃2
06、熱シールド207、熱電対208、石英結晶厚モ
ニタ209、任意のものである熱板2】0、基板ホルダ
2】1、監視点ないし監視口2 1 2 、.@様式シ
ャッター213、Sb放出セル214が設けら肛、イオ
ン及びラジカル励起種215が示さnている。
第1図はこの発明のプラズマ発生装置の一実施例を示す
縦断正面図、 第2図、第3図、第4図及び第5図はそnぞn、第1図
の2−2線、3−3線、4−4線及び55線に沼う断而
図、 第6図及び第7図はそ扛ぞ汎、第1図の6−6線及び7
−7線に沿う拡大断面図、 第8図及び第9図はそ扛ぞn1第1図の8−8線及び9
−9線VC沿う断面図、 第10図は第1図に図示の装置全真空チャンバー中に挿
入して据付けた状態を示す縦断正面図、第11図及び第
12図はそ扛ぞ扛、第1図に図示の装置について2つの
異なった磁石配置を示す縦断正面図、 第13図はこの発明に係るプラズマ発生装置を、通常の
分子線エビタキシー装置内に据付けた状態を示す縦断面
図である。 10・・・空洞箱、11・・・導体管、1 1. a・
・・冷却用スロット、12・・・可動プレート、12a
・・・中心穴、13・・・フランジ部材、14・・・石
英カップ、14a・・封鎖端、14c・・・チャンバー
14d・・・モリブデン管、15・・・ブラシ、15
a・・・ブラシ、16・・・511)Jフロープ、】6
a・・・外管、17・・・ループアンテナ、】8・・・
導体、19・・・ロツド、20・・・駆動板、21・・
・気体供絵管、22・・・気体供給用7ランジ部材、2
2a・・・溝穴、24・・・スクリーン(又は格子)、
26・・・リング状磁石、27・・・円盤状磁石、28
・・・拘束クリップ、30・・・冷却空気導入管、31
・・・溝穴、33・・・上部7ランジ、34・・・調整
ナット、35・・・ねじ付けロッド、36・・・プレー
ト部材、37・・・調整ナッ1・、38・・・空洞、4
0・・・調整機構、41・・・調整機構、42・・・ね
じ、100・・・プラズマ、101・・・真空装置、1
02・・・真空テヤンバ− 200・・・分子線エビタ
キシー(MBE)ili&。
縦断正面図、 第2図、第3図、第4図及び第5図はそnぞn、第1図
の2−2線、3−3線、4−4線及び55線に沼う断而
図、 第6図及び第7図はそ扛ぞ汎、第1図の6−6線及び7
−7線に沿う拡大断面図、 第8図及び第9図はそ扛ぞn1第1図の8−8線及び9
−9線VC沿う断面図、 第10図は第1図に図示の装置全真空チャンバー中に挿
入して据付けた状態を示す縦断正面図、第11図及び第
12図はそ扛ぞ扛、第1図に図示の装置について2つの
異なった磁石配置を示す縦断正面図、 第13図はこの発明に係るプラズマ発生装置を、通常の
分子線エビタキシー装置内に据付けた状態を示す縦断面
図である。 10・・・空洞箱、11・・・導体管、1 1. a・
・・冷却用スロット、12・・・可動プレート、12a
・・・中心穴、13・・・フランジ部材、14・・・石
英カップ、14a・・封鎖端、14c・・・チャンバー
14d・・・モリブデン管、15・・・ブラシ、15
a・・・ブラシ、16・・・511)Jフロープ、】6
a・・・外管、17・・・ループアンテナ、】8・・・
導体、19・・・ロツド、20・・・駆動板、21・・
・気体供絵管、22・・・気体供給用7ランジ部材、2
2a・・・溝穴、24・・・スクリーン(又は格子)、
26・・・リング状磁石、27・・・円盤状磁石、28
・・・拘束クリップ、30・・・冷却空気導入管、31
・・・溝穴、33・・・上部7ランジ、34・・・調整
ナット、35・・・ねじ付けロッド、36・・・プレー
ト部材、37・・・調整ナッ1・、38・・・空洞、4
0・・・調整機構、41・・・調整機構、42・・・ね
じ、100・・・プラズマ、101・・・真空装置、1
02・・・真空テヤンバ− 200・・・分子線エビタ
キシー(MBE)ili&。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(1)金属製で空洞を形成する形状を有し該空洞が
一或は複数のモードの共振で励起されるものであるとこ
ろの極超短波或はマイクロ波を含む無線周波数波の結合
器手段を備えたプラズマ源であつて、プラズマを取囲み
電子サイクロトロン共鳴での無線周波数波エネルギーの
結合を助成すると共に結合器手段内で電気的に絶縁され
ているチャンバー手段内のプラズマ中へのイオンの閉込
めを助成する静磁界を含み得、上記チャンバー手段が結
合器手段と共通の長手軸線を有し、結合器手段の領域と
僅かに距てられ該領域に対し密封されていると共に一端
に出口を備えたものであるプラズマ源と、(2)上記チ
ャンバー手段内でイオン化されてプラズマを形成する気
体を供給するための気体供給手段とを、それぞれ備えて
いて、結合器手段に印加される無線周波数波が上記チャ
ンバー手段内において上記長手軸線まわりにプラズマを
創生して維持するプラズマ発生装置であつて、さらに、
(3)結合器手段の空洞内に上記長手軸線と直交させて
配置され、該長手軸線に沿い上記チャンバー手段に対し
遠近させうるように可動に支持されている金属製のプレ
ート手段と、(4)結合器手段に対し無線周波数波を結
合するために該結合器手段の内部に臨ませ結合器手段に
接続されている可動プローブ手段とを、それぞれ備えて
いるプラズマ発生装置において、 (a)、上記プローブ手段を上記したチャンバー手段及
び結合器手段の長手軸線と平行に、且つ、該プローブ手
段の一端をチャンバー手段と離隔させて設ける一方、 (b)、結合器手段の空洞中に上記長手軸線上で同軸導
体手段を、該導体手段の末端が上記したチャンバー手段
における出口反対側の閉封端に対し近接位置するように
配置して設けたことを特徴とするプラズマ発生装置。 2、前記チャンバー手段の外部で該チャンバー手段の周
りに磁石を設けてある、請求項1に記載のプラズマ発生
装置。 3、前記導体手段の末端に磁石を設けてある、請求項1
に記載のプラズマ発生装置。 4、結合器手段が前記長手軸線に対し垂直な横断面の幅
よりも十分に大きい長さを有する、請求項1に記載のプ
ラズマ発生装置。 5、無線周波数波を閉込める前記空洞が約7−15cm
の範囲内の長さ、約3.5−6cmの範囲内の幅を有す
る、請求項4に記載のプラズマ発生装置。 6、真空装置内に挿入して据付けてある、請求項1に記
載のプラズマ発生装置。 7、(1)金属製で空洞を形成する形状を有し該空洞が
一或は複数のモードの共振で励起されるものであるとこ
ろの極超短波或はマイクロ波を含む無線周波数波の結合
器手段を備えたプラズマ源であつて、プラズマを取囲み
電子サイクロトロン共鳴での無線周波数波エネルギーの
結合を助成すると共に結合器手段内で電気的に絶縁され
ているチャンバー手段内のプラズマ中へのイオンの閉込
めを助成する静磁界を含み得、上記チャンバー手段が結
合器手段と共通の長手軸線を有し、結合器手段の領域と
僅かに距てられ該領域に対し密封されていると共に一端
に出口を備えたものであるプラズマ源と、(2)上記チ
ャンバー手段内でイオン化されてプラズマを形成する気
体を供給するための気体供給手段とを、それぞれ備えて
いて、結合器手段に印加される無線周波数波が上記チャ
ンバー手段内において上記長手軸線まわりにプラズマを
創生して維持するプラズマ発生装置であつて、さらに、
(3)結合器手段の空洞内に上記長手軸線と直交させて
配置され、該長手軸線に沿い上記チャンバー手段に対し
遠近させうるように可動に支持されている金属製のプレ
ート手段と、(4)結合器手段に対し無線周波数波を結
合するために該結合器手段の内部に臨ませ結合器手段に
接続されている可動プローブ手段とを、それぞれ備えて
いるプラズマ発生装置において、 (a)、上記プローブ手段を上記したチャンバー手段及
び結合器手段の長手軸線と平行に、且つ、該プローブ手
段の一端をチャンバー手段と離隔させて設け、 (b)、また上記プレート手段に上記長手軸線と平行さ
せた開口を設けて、この開口に上記プローブ手段を、該
プローブ手段を上記長手軸線に沿い移動させうるように
挿通支承させる一方、 (c)、結合器手段の空洞中に上記長手軸線上で同軸導
体手段を、該導体手段の末端が上記したチャンバー手段
における出口反対側の閉封端に対し近接位置するように
配置して設け、 (d)、さらに結合器手段の外部に上記プローブ手段用
の支持手段を設けて、この支持手段中に、上記したプロ
ーブ手段とチャンバー手段間の間隔を変更するように上
記長手軸線に沿いプローブ手段を移動させうることとす
る位置調整可能な保持手段を設けると共に、 (e)、上記支持手段に支持され上記プレート手段に対
し、該プレート手段を上記チャンバー手段に対し遠近さ
せうるように接続してあるロッド手段を設けて、 上記したプレート手段とプローブ手段とを結合器手段中
で移動させることにより、共振モードの選択と上記チャ
ンバー手段内での無線周波数波の共振モードの変更とを
行なうように構成してなるプラズマ発生装置。 8、前記チャンバー手段の外部で該チャンバー手段の周
りに1組の磁石を設けてある、請求項7に記載のプラズ
マ発生装置。 9、前記したチャンバー手段及び導体手段をそれぞれ、
前記長手軸線のまわりに外周面を有する横断面形状円形
のものに形成してある、請求項8に記載のプラズマ発生
装置。 10、前記したチャンバー手段の閉封端に近接位置させ
た第2の組の磁石を前記導体手段に支持させて設けてあ
る、請求項9に記載のプラズマ発生装置。 11、前記導体手段を導体管に形成してこの導体管中に
前記第2の組の磁石を、前記したチャンバー手段の閉封
端に近接位置させて配置し、該第2の組の磁石に隣接さ
せて上記導体管に孔を形成して、導体管内から該孔を通
し前記空洞内に流れる冷却気体により第2の組の磁石と
チャンバー手段とを冷却するように構成した、請求項1
0に記載のプラズマ発生装置。 12、前記長手軸線に対し平行に配置され前記1組の磁
石の側方で前記チヤンバー手段の外周面近くに開口する
磁石冷却用の冷却気体導入管を設けてある、請求項9に
記載のプラズマ発生装置。 13、結合器手段を、前記長手軸線のまわりで前記チャ
ンバー手段に対し間隔をあけて配置し、前記1組の磁石
を、該結合器手段とチャンバー手段の外周面との間に配
設し結合器手段に支持させた拘束手段によつて位置拘束
してある、請求項9に記載のプラズマ発生装置。 14、前記プローブ手段をその長手軸線まわりで回転変
位可能に支持し、このプローブ手段を拘束解除可能に拘
束する拘束手段を前記支持手段に設けると共に、該プロ
ーブ手段における前記チャンバー手段側の一端にループ
アンテナを設けて、該ループアンテナの位置を前記空洞
内で、プローブ手段をその長手軸線まわりで回転変位さ
せることにより変更可能としてある、請求項7に記載の
プラズマ発生装置。 15、前記したチャンバー手段の出口に、チャンバー手
段内にプラズマを閉込めると共にプラズマ中に生成され
るイオン及び励起種をチャンバー手段から取出し可能と
する少なくとも1個の格子手段或はスクリーン手段を設
けてある、請求項7に記載のプラズマ発生装置。 16、前記したチャンバー手段、プローブ手段、プレー
ト手段、結合器手段及び導体手段が全て、前記長手軸線
に対し直交する横断面の形状が円形のものである、請求
項7に記載のプラズマ発生装置。 17、前記気体供給手段を、前記チャンバー手段中に気
体を供給しうるように配置して結合器手段の内壁面上に
設けてある、請求項7に記載のプラズマ発生装置。 18、前記チャンバー手段を円筒状に形成して、このチ
ャンバー手段の外周面側に1組のリング状磁石を配設す
ると共に、前記導体手段を導体管に形成して、この導体
管内に前記したチャンバー手段の閉封端に近接位置させ
た第2の組の磁石を設け、この第2の組の磁石に隣接さ
せて上記導体管に孔を形成することにより、第2の組の
磁石と前記空洞及びチャンバー手段を冷却するように導
体管内から空洞内へ冷却気体を流しうるように構成する
一方、上記1組のリング状磁石を冷却するための冷却気
体導入管を結合器手段の内面上に、前記長手軸線に対し
平行配置し上記1組のリング状磁石の側方位置に開口さ
せて設けてある、請求項7に記載のプラズマ発生装置。 19、前記冷却気体導入管を、前記長手軸線に対し平行
させて結合器手段の内面に形成した凹溝中に配置してあ
る、請求項18に記載のプラズマ発生装置。 20、プラズマを形成する気体を供給する前記気体供給
手段を、前記長手軸線に対し平行させて結合器手段の内
面に形成した第2の凹溝中に配置の気体導管にて構成し
てある、請求項19に記載のプラズマ発生装置。 21、結合器手段が前記長手軸線まわりで前記チャンバ
ー手段の外周壁を間隔をあけて取囲む壁を有し、この壁
の内面とチャンバー手段外周壁の外面との間に前記1組
のリング状磁石を配設してあり、該リング状磁石を結合
器手段に支持させた導電性の拘束手段によつて位置拘束
してある、請求項20に記載のプラズマ発生装置。 22、前記プローブ手段に前記チャンバー手段側の端で
ループアンテナを設けてある、請求項21に記載のプラ
ズマ発生装置。 23、前記したチャンバー手段の出口に、チャンバー手
段内にプラズマを閉込めると共にプラズマからイオン及
び励起種を制御しつつ取出し可能とする少なくとも1個
の格子手段或はスクリーン手段を設けてある、請求項2
2に記載のプラズマ発生装置。 24、前記したチャンバー手段、プローブ手段、プレー
ト手段、結合器手段及び導体手段を、前記長手軸線に対
し直交する横断面の形状が円形であるものに形成してあ
る、請求項23に記載のプラズマ発生装置。 25、前記チャンバー手段がその構成素材として石英を
含むものである、請求項24に記載のプラズマ発生装置
。 26、前記チャンバー手段がその構成素材として石英と
共にモリブデンを含むものである、請求項25に記載の
プラズマ発生装置。 27、前記プローブ手段をその長手軸線まわりで回転変
位可能に支持し、このプローブ手段を拘束解除可能に拘
束する拘束手段を前記支持手段に設けると共に、該プロ
ーブ手段における前記チャンバー手段側の一端にループ
アンテナを設けて、該ループアンテナの位置を前記空洞
内で、プローブ手段をその長手軸線まわりで回転変位さ
せることにより変更可能としてある、請求項18に記載
のプラズマ発生装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US331,754 | 1989-04-03 | ||
US07/331,754 US4906900A (en) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | Coaxial cavity type, radiofrequency wave, plasma generating apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02295052A true JPH02295052A (ja) | 1990-12-05 |
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GR (2) | GR910300023T1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010525155A (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | エコール ポリテクニク | プラズマ発生装置 |
CN109243956A (zh) * | 2017-07-10 | 2019-01-18 | 真实仪器公司 | 等离子体源、激发系统和操作激发测量系统的方法 |
US10923324B2 (en) | 2017-07-10 | 2021-02-16 | Verity Instruments, Inc. | Microwave plasma source |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5227695A (en) * | 1989-06-05 | 1993-07-13 | Centre National De La Recherche Scientifique | Device for coupling microwave energy with an exciter and for distributing it therealong for the purpose of producing a plasma |
DE69026337T2 (de) * | 1989-10-31 | 1996-08-14 | Nippon Electric Co | Ionenantrieb für Weltraumflüge |
US5274306A (en) * | 1990-08-31 | 1993-12-28 | Kaufman & Robinson, Inc. | Capacitively coupled radiofrequency plasma source |
DE4037091C2 (de) * | 1990-11-22 | 1996-06-20 | Leybold Ag | Vorrichtung für die Erzeugung eines homogenen Mikrowellenfeldes |
US7235819B2 (en) * | 1991-03-18 | 2007-06-26 | The Trustees Of Boston University | Semiconductor device having group III nitride buffer layer and growth layers |
US5311103A (en) * | 1992-06-01 | 1994-05-10 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Apparatus for the coating of material on a substrate using a microwave or UHF plasma |
US5292370A (en) * | 1992-08-14 | 1994-03-08 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Coupled microwave ECR and radio-frequency plasma source for plasma processing |
FR2702119B1 (fr) * | 1993-02-25 | 1995-07-13 | Metal Process | Dispositif d'excitation d'un plasma à la résonance cyclotronique électronique par l'intermédiaire d'un applicateur filaire d'un champ micro-onde et d'un champ magnétique statique. |
FR2711035B1 (fr) * | 1993-10-04 | 1995-12-29 | Plasmion | Dispositif et procédé pour former un plasma par application de micro-ondes. |
US5470423A (en) * | 1994-01-25 | 1995-11-28 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Microwave pultrusion apparatus and method of use |
FR2722213B1 (fr) * | 1994-07-05 | 1996-09-20 | Plasmion | Dispositif pour creer un faisceau d'ions d'energie ajustable notamment pour le traitement au defile et sous vide de surfaces de grandes dimensions |
EP0743671A3 (en) * | 1995-05-19 | 1997-07-16 | Hitachi Ltd | Method and device for a plasma processing device |
US5736818A (en) * | 1996-03-15 | 1998-04-07 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Resonant radiofrequency wave plasma generating apparatus with improved stage |
DE19756774B4 (de) * | 1997-12-19 | 2009-12-31 | Tec Tra Gmbh | Mikrowellenplasmaquelle |
DE19801366B4 (de) * | 1998-01-16 | 2008-07-03 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
US20030152700A1 (en) * | 2002-02-11 | 2003-08-14 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Process for synthesizing uniform nanocrystalline films |
US7511246B2 (en) | 2002-12-12 | 2009-03-31 | Perkinelmer Las Inc. | Induction device for generating a plasma |
CA2595230C (en) | 2005-03-11 | 2016-05-03 | Perkinelmer, Inc. | Plasmas and methods of using them |
US8622735B2 (en) * | 2005-06-17 | 2014-01-07 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Boost devices and methods of using them |
US7742167B2 (en) * | 2005-06-17 | 2010-06-22 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Optical emission device with boost device |
WO2008100642A2 (en) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Ad Astra Rocket Company | Improved plasma source |
US9259798B2 (en) | 2012-07-13 | 2016-02-16 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Torches and methods of using them |
WO2017085746A1 (en) * | 2015-11-18 | 2017-05-26 | Jsw Steel Limited | A microwave electrothermal thruster adapted for in-space electrothermal propulsion |
US10492287B2 (en) * | 2017-09-06 | 2019-11-26 | Omega-P R&D, Inc. | Apparatus and method for isotope production based on a charged particle accelerator |
TWI721373B (zh) * | 2018-06-28 | 2021-03-11 | 美商梅瑞堤儀器公司 | 電漿源,用於一電漿之激發之激發系統及光學監控系統 |
ES2696227B2 (es) * | 2018-07-10 | 2019-06-12 | Centro De Investig Energeticas Medioambientales Y Tecnologicas Ciemat | Fuente de iones interna para ciclotrones de baja erosion |
US11701734B2 (en) * | 2019-07-25 | 2023-07-18 | The Esab Group, Inc. | Apparatus and methods associated with operating a plasma torch |
CN114899067A (zh) * | 2022-03-24 | 2022-08-12 | 兰州大学 | 一种八极永磁体结构天线内置式rf离子源 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3757518A (en) * | 1970-11-03 | 1973-09-11 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Ion engine |
DE2219545A1 (de) * | 1972-04-21 | 1973-10-31 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Ionentriebwerk |
US4058748A (en) * | 1976-05-13 | 1977-11-15 | Hitachi, Ltd. | Microwave discharge ion source |
JPS5852297B2 (ja) * | 1979-06-04 | 1983-11-21 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波イオン源 |
US4393333A (en) * | 1979-12-10 | 1983-07-12 | Hitachi, Ltd. | Microwave plasma ion source |
JPS5947421B2 (ja) * | 1980-03-24 | 1984-11-19 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波イオン源 |
US4507588A (en) * | 1983-02-28 | 1985-03-26 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Ion generating apparatus and method for the use thereof |
US4691662A (en) * | 1983-02-28 | 1987-09-08 | Michigan State University | Dual plasma microwave apparatus and method for treating a surface |
US4585668A (en) * | 1983-02-28 | 1986-04-29 | Michigan State University | Method for treating a surface with a microwave or UHF plasma and improved apparatus |
US4630566A (en) * | 1984-08-16 | 1986-12-23 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Microwave or UHF plasma improved apparatus |
US4727293A (en) * | 1984-08-16 | 1988-02-23 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Plasma generating apparatus using magnets and method |
US4777336A (en) * | 1987-04-22 | 1988-10-11 | Michigan State University | Method for treating a material using radiofrequency waves |
US4792772A (en) * | 1987-08-24 | 1988-12-20 | Michigan State University | Microwave apparatus |
US4778561A (en) * | 1987-10-30 | 1988-10-18 | Veeco Instruments, Inc. | Electron cyclotron resonance plasma source |
DE3738352A1 (de) * | 1987-11-11 | 1989-05-24 | Technics Plasma Gmbh | Filamentloses magnetron-ionenstrahlsystem |
-
1989
- 1989-04-03 US US07/331,754 patent/US4906900A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-02-16 CA CA002010245A patent/CA2010245C/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-22 AT AT90105450T patent/ATE123915T1/de not_active IP Right Cessation
- 1990-03-22 DE DE69020031T patent/DE69020031T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-22 ES ES90105450T patent/ES2018464T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-22 EP EP90105450A patent/EP0391156B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-22 DE DE199090105450T patent/DE391156T1/de active Pending
- 1990-03-22 DK DK90105450.2T patent/DK0391156T3/da active
- 1990-03-26 JP JP2076548A patent/JPH02295052A/ja active Granted
-
1991
- 1991-11-15 GR GR91300023T patent/GR910300023T1/el unknown
-
1995
- 1995-08-09 GR GR950402197T patent/GR3017069T3/el unknown
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010525155A (ja) * | 2007-03-30 | 2010-07-22 | エコール ポリテクニク | プラズマ発生装置 |
CN109243956A (zh) * | 2017-07-10 | 2019-01-18 | 真实仪器公司 | 等离子体源、激发系统和操作激发测量系统的方法 |
JP2019016599A (ja) * | 2017-07-10 | 2019-01-31 | ヴェリティー インストルメンツ,インコーポレイテッド | マイクロ波プラズマソース |
US10679832B2 (en) | 2017-07-10 | 2020-06-09 | Verity Instruments, Inc. | Microwave plasma source |
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