JPH02291644A - イオン源 - Google Patents
イオン源Info
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- JPH02291644A JPH02291644A JP1111457A JP11145789A JPH02291644A JP H02291644 A JPH02291644 A JP H02291644A JP 1111457 A JP1111457 A JP 1111457A JP 11145789 A JP11145789 A JP 11145789A JP H02291644 A JPH02291644 A JP H02291644A
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- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 22
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 9
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオン源、特に電子ビーム励起型イオン源に関
するものである。
するものである。
従来、電子ビームとイオン化物質との相互作用によりプ
ラズマを生成し、イオンビームを得るイオン源として第
2図に示すような電子ビーム励起型イオン源がある. このイオン源では、中心部に細孔(図示せず)を有する
カソード1から射出された第1の電子ビーム10が引出
し電極3及び第1のアノード4に与えられた電位によっ
て2段加速され、プラズマ生成室31に突入して電子ビ
ームターゲット21に照射され、イオン化物質導入口3
2から導入されたイオン化物質を第1の電子ビーム10
が衝突@離することによりプラズマを生成している.そ
してこのプラズマから、引出し電極3と第1のアノード
4の電位差にしたがってイオンを引き出し、イオンビー
ム12を得てこれをカソード1の細孔に出射させている
。従って、このイオン源ではカソード1、ウェネルト2
、引出し電極3、第1のアノード4間にかかる電界を用
いて電子ビームを発生・加速するとともにイオンビーム
を引き出し、これを加速している。
ラズマを生成し、イオンビームを得るイオン源として第
2図に示すような電子ビーム励起型イオン源がある. このイオン源では、中心部に細孔(図示せず)を有する
カソード1から射出された第1の電子ビーム10が引出
し電極3及び第1のアノード4に与えられた電位によっ
て2段加速され、プラズマ生成室31に突入して電子ビ
ームターゲット21に照射され、イオン化物質導入口3
2から導入されたイオン化物質を第1の電子ビーム10
が衝突@離することによりプラズマを生成している.そ
してこのプラズマから、引出し電極3と第1のアノード
4の電位差にしたがってイオンを引き出し、イオンビー
ム12を得てこれをカソード1の細孔に出射させている
。従って、このイオン源ではカソード1、ウェネルト2
、引出し電極3、第1のアノード4間にかかる電界を用
いて電子ビームを発生・加速するとともにイオンビーム
を引き出し、これを加速している。
イオン生成率を高めるためには電子ビーム電流を増大さ
せることが一つの手段であるが、カソード1と引出し電
極3間の電界の大きさにしたがって得られる電子ビーム
電流量の最大値が決定されてしまうために、多量の電子
ビーム電流を得るには電子ビームの加速電圧を高めるこ
とが必要である.またプラズマから実用的な電流量のイ
オンを引き出すためには引出し電圧は高い方が望ましい
.従って、電子ビームの加速電圧は最低でも数κVとす
る必要がある. 〔発明が解決しようとする課題〕 ところで、電子ビームの衝突電離作用によりイオン化物
質を電離させるには、イオン化物質の種類にもよるが、
多くの場合電子ビームのエネルギが数100eVのとき
最も電離効率がよくなる。しかしながら前記した理由に
より電子ビーム励起型イオン源では電子ビームのエネル
ギは最低でも数κVであるためにイオン化物質の電離効
率が比較的低く、従って多量のイオンビーム電流を得る
ことが困難であるという欠点があった。
せることが一つの手段であるが、カソード1と引出し電
極3間の電界の大きさにしたがって得られる電子ビーム
電流量の最大値が決定されてしまうために、多量の電子
ビーム電流を得るには電子ビームの加速電圧を高めるこ
とが必要である.またプラズマから実用的な電流量のイ
オンを引き出すためには引出し電圧は高い方が望ましい
.従って、電子ビームの加速電圧は最低でも数κVとす
る必要がある. 〔発明が解決しようとする課題〕 ところで、電子ビームの衝突電離作用によりイオン化物
質を電離させるには、イオン化物質の種類にもよるが、
多くの場合電子ビームのエネルギが数100eVのとき
最も電離効率がよくなる。しかしながら前記した理由に
より電子ビーム励起型イオン源では電子ビームのエネル
ギは最低でも数κVであるためにイオン化物質の電離効
率が比較的低く、従って多量のイオンビーム電流を得る
ことが困難であるという欠点があった。
本発明は上述した欠点に鑑みてなされたもので、新たに
電源を付加することなく比較的簡単な楕成で電離効率を
高め、比較的大電流を得ることができる電子ビーム励起
型イオン源を提供することを目的とする. 〔課題を解決するための手段〕 上記目的を達成するため、本発明による電子ビーム励起
型イオン源においては、中心部に細孔が設けられたカソ
ードを有する電子銃と、第1のウェネルト、引出し電極
および第1のアノードと、該電子銃から射出された電子
ビームが入射してプラズマを生成するプラズマ生成室と
を有し、前記電子ビーム進路をさかのぼらせて前記プラ
ズマから引き出されたイオンビームを前記カソードの細
孔に射出させる電子ビーム励起型イオン源において、 前記電子ビームを入射せしめる孔を有し、電気的に絶縁
されている第2のウェネルトと、第2のアノードと、該
第2のアノードと同電位に保たれ前記第2のウェネルト
を囲むシールド電極とを前記プラズマ生成室をはさんで
前記カソードと反対側に配置し、前記第2のウェネルト
と前記シールド電極との少なくとも一方の表面を絶縁物
で被覆したものである. 〔作用〕 本発明のイオン源において、プラズマ生成室後方に設け
られて電気的に絶縁された第2のウェネルト電極は、こ
れに電子ビームが入射することによりフローティングポ
テンシャルとなる.この第2のウェネルト電極と第2の
アノードとの電位差によって放電が発生し、第2のウェ
ネルト電極内にプラズマが生成される.従ってこのプラ
ズマをカソードとするプラズマ電子銃が形成され、プラ
ズマ生成室内にこのプラズマ電子銃から発生した電子ビ
ームが入射して電離にあずがるため、プラズマ生成室内
での電離効率が高まり、イオン電流を増大させることが
できる.シールド電極または第2のウェネルト電極表面
に絶縁物が被覆されているために、所望の放電路以外の
放電をきわめて低く抑えることが可能となり、安定にプ
ラズマ電子銃を形成することができる.またプラズマ電
子銃の電子ビームは比較的高エネルギであるため、電子
ビームはイオン引出し電極付近にまで到達することがで
き、イオン引出しにおける空間電荷緩和係数を増大させ
ることができるためさらに比較的多量のイオンを引き出
すことができる.〔実施例〕 以下に本発明の実施例を図によって説明する。
電源を付加することなく比較的簡単な楕成で電離効率を
高め、比較的大電流を得ることができる電子ビーム励起
型イオン源を提供することを目的とする. 〔課題を解決するための手段〕 上記目的を達成するため、本発明による電子ビーム励起
型イオン源においては、中心部に細孔が設けられたカソ
ードを有する電子銃と、第1のウェネルト、引出し電極
および第1のアノードと、該電子銃から射出された電子
ビームが入射してプラズマを生成するプラズマ生成室と
を有し、前記電子ビーム進路をさかのぼらせて前記プラ
ズマから引き出されたイオンビームを前記カソードの細
孔に射出させる電子ビーム励起型イオン源において、 前記電子ビームを入射せしめる孔を有し、電気的に絶縁
されている第2のウェネルトと、第2のアノードと、該
第2のアノードと同電位に保たれ前記第2のウェネルト
を囲むシールド電極とを前記プラズマ生成室をはさんで
前記カソードと反対側に配置し、前記第2のウェネルト
と前記シールド電極との少なくとも一方の表面を絶縁物
で被覆したものである. 〔作用〕 本発明のイオン源において、プラズマ生成室後方に設け
られて電気的に絶縁された第2のウェネルト電極は、こ
れに電子ビームが入射することによりフローティングポ
テンシャルとなる.この第2のウェネルト電極と第2の
アノードとの電位差によって放電が発生し、第2のウェ
ネルト電極内にプラズマが生成される.従ってこのプラ
ズマをカソードとするプラズマ電子銃が形成され、プラ
ズマ生成室内にこのプラズマ電子銃から発生した電子ビ
ームが入射して電離にあずがるため、プラズマ生成室内
での電離効率が高まり、イオン電流を増大させることが
できる.シールド電極または第2のウェネルト電極表面
に絶縁物が被覆されているために、所望の放電路以外の
放電をきわめて低く抑えることが可能となり、安定にプ
ラズマ電子銃を形成することができる.またプラズマ電
子銃の電子ビームは比較的高エネルギであるため、電子
ビームはイオン引出し電極付近にまで到達することがで
き、イオン引出しにおける空間電荷緩和係数を増大させ
ることができるためさらに比較的多量のイオンを引き出
すことができる.〔実施例〕 以下に本発明の実施例を図によって説明する。
第1図において、カソード1の上方にウェネルト(第1
のウェネルト)2、引出し電極3、アノード(第1のア
ノード)4が設置され、その上方には電磁レンズ20に
囲まれたプラズマ生成室が形成されている.本発明にお
いては、プラズマ生成室の上方にアノード(第2のアノ
ード)5と、電子ビームを入射せしめる孔を有するウェ
ネルト(第2のウェネルl一)6と、該第2のアノード
5と同電位に保たれ、前記第2のウェネルト6を囲むシ
ールド電極7とを配置したものである。′シールド電極
7の内面は絶縁物8で被膜され、第2のウェネルト6に
開口したイオン化物質導入口32は絶縁管35内に形成
されている.図中51は加速電源、52はバイアス電源
、53は引出し電源であり、第1及び第2のアノード4
,5は同電位に保たれている。33. 34は排気口で
ある。
のウェネルト)2、引出し電極3、アノード(第1のア
ノード)4が設置され、その上方には電磁レンズ20に
囲まれたプラズマ生成室が形成されている.本発明にお
いては、プラズマ生成室の上方にアノード(第2のアノ
ード)5と、電子ビームを入射せしめる孔を有するウェ
ネルト(第2のウェネルl一)6と、該第2のアノード
5と同電位に保たれ、前記第2のウェネルト6を囲むシ
ールド電極7とを配置したものである。′シールド電極
7の内面は絶縁物8で被膜され、第2のウェネルト6に
開口したイオン化物質導入口32は絶縁管35内に形成
されている.図中51は加速電源、52はバイアス電源
、53は引出し電源であり、第1及び第2のアノード4
,5は同電位に保たれている。33. 34は排気口で
ある。
本発明において、プラズマ生成室31は第1のプラズマ
生成領域36を形成し、その上方の第2のウェネルト6
内は第2のプラズマ生成領域37を形成する。中心部に
細孔(図示せず)を有するカソード1はW製の直熱型リ
ボンフィラメントからなり、これを加熱することによっ
て発生した熱電子は第1のウェネルト2によって成形さ
れるとともに加速電源51によってカソード1に印加さ
れる加速電圧と引出し電源53によって引出し@極3に
印加される引出し電圧との電位差、および第1のアノー
ド4と引出し電極3との電位差によって2段加速され、
さらに電磁レンズ20によって集束されつつ第1の電子
ビーム10としてプラズマ生成室31に突入する。この
ときイオン化物質導入口32がら気体として導入された
イオン化物資(以下イオン化ガスという)は第1の電子
ビーム10によって衝突電離され、第1のグラズマ生成
領域36でプラズマを生成する。
生成領域36を形成し、その上方の第2のウェネルト6
内は第2のプラズマ生成領域37を形成する。中心部に
細孔(図示せず)を有するカソード1はW製の直熱型リ
ボンフィラメントからなり、これを加熱することによっ
て発生した熱電子は第1のウェネルト2によって成形さ
れるとともに加速電源51によってカソード1に印加さ
れる加速電圧と引出し電源53によって引出し@極3に
印加される引出し電圧との電位差、および第1のアノー
ド4と引出し電極3との電位差によって2段加速され、
さらに電磁レンズ20によって集束されつつ第1の電子
ビーム10としてプラズマ生成室31に突入する。この
ときイオン化物質導入口32がら気体として導入された
イオン化物資(以下イオン化ガスという)は第1の電子
ビーム10によって衝突電離され、第1のグラズマ生成
領域36でプラズマを生成する。
プラズマ生成室31に突入した第1の電子ビーム10は
第2のアノード5を通過し、第2のウェネルト6に入射
する。第2のウェネルト6は電気的に絶縁されているな
め、第1の電子ビーム10の入射量にしたがって電位が
高まる.第2のウェネルト6の電位が高まり、カソード
1の電位に近ずくとイオン化ガスを媒体として第2のア
ノード5との間で放電がおき、第2のウェネルト6内の
第2のプラズマ生成領域37でプラズマが生成される。
第2のアノード5を通過し、第2のウェネルト6に入射
する。第2のウェネルト6は電気的に絶縁されているな
め、第1の電子ビーム10の入射量にしたがって電位が
高まる.第2のウェネルト6の電位が高まり、カソード
1の電位に近ずくとイオン化ガスを媒体として第2のア
ノード5との間で放電がおき、第2のウェネルト6内の
第2のプラズマ生成領域37でプラズマが生成される。
このときこのプラズマを安定に生成するには第2のウェ
ネルト6と第2のアノード5の間の放電路を一定に保つ
ことが必要である.シールド電極7は放電路を確保する
ため、放電が第2のウェネルト6と第2のアノード5以
外で起きるのを防いでいる。第2のウェネルト6とシー
ルド電極7の近傍は真空度が悪いなめに放電がおきやす
いが、シールド電極7の表面に絶縁物8を被覆すること
によって耐電圧が上昇し、シールド電径7と第2のウェ
ネルト6間の放電をきわめて低く抑えることができる. ここで生成されたプラズマをカソード面とするプラズマ
電子銃が形成され、第2のウェネルト6と第2のアノー
ド゛5との電位差によって電子が引き出され、加速され
てプラズマ生成室31に入射する.本発明ではこのプラ
ズマ電子銃を形成するにあたり、第1の電子ビーム10
のエネルギを利用して電位を与えているために特別にプ
ラズマ電子銃を形成するための電源を必要としない.プ
ラズマ生成室31に入射した第2の電子ビーム11もプ
ラズマ生成室31での電離にあずかるため電離効率を高
めることができる。第2の電子ビーム11のエネルギは
第2のウェネルト6の電位によって決まるが、この電位
はカソード1の電位に近いため比較的高いエネルギであ
り、従って第2の電子ビーム11は引出し電極3近傍ま
で到達することができる.カソード1の細孔に出射させ
るイオンビーム12はプラズマ生成室31で生成された
イオンが引出し電極3と第1のアノード4が作る電界に
従って引き出されることによって形成されるが、第2の
電子ビーム11が引出しti3の近傍に存在することで
イオンの空間電荷を緩和し、イオン引出しにおける空間
電荷緩和係数を増大させることによって、より多量のイ
オンの引出しが可能となる. 〔発明の効果〕 以上述べた通り本発明によれば、従来の電子ビーム励起
型イオン源に電源を必要としない比較的簡単な梢遣の電
極を付加することによって電離効率を高めることができ
、さらにイオン引出しにおいてイオンの空間電荷を緩和
できるため、より多量のイオン電流を得ることができる
。
ネルト6と第2のアノード5の間の放電路を一定に保つ
ことが必要である.シールド電極7は放電路を確保する
ため、放電が第2のウェネルト6と第2のアノード5以
外で起きるのを防いでいる。第2のウェネルト6とシー
ルド電極7の近傍は真空度が悪いなめに放電がおきやす
いが、シールド電極7の表面に絶縁物8を被覆すること
によって耐電圧が上昇し、シールド電径7と第2のウェ
ネルト6間の放電をきわめて低く抑えることができる. ここで生成されたプラズマをカソード面とするプラズマ
電子銃が形成され、第2のウェネルト6と第2のアノー
ド゛5との電位差によって電子が引き出され、加速され
てプラズマ生成室31に入射する.本発明ではこのプラ
ズマ電子銃を形成するにあたり、第1の電子ビーム10
のエネルギを利用して電位を与えているために特別にプ
ラズマ電子銃を形成するための電源を必要としない.プ
ラズマ生成室31に入射した第2の電子ビーム11もプ
ラズマ生成室31での電離にあずかるため電離効率を高
めることができる。第2の電子ビーム11のエネルギは
第2のウェネルト6の電位によって決まるが、この電位
はカソード1の電位に近いため比較的高いエネルギであ
り、従って第2の電子ビーム11は引出し電極3近傍ま
で到達することができる.カソード1の細孔に出射させ
るイオンビーム12はプラズマ生成室31で生成された
イオンが引出し電極3と第1のアノード4が作る電界に
従って引き出されることによって形成されるが、第2の
電子ビーム11が引出しti3の近傍に存在することで
イオンの空間電荷を緩和し、イオン引出しにおける空間
電荷緩和係数を増大させることによって、より多量のイ
オンの引出しが可能となる. 〔発明の効果〕 以上述べた通り本発明によれば、従来の電子ビーム励起
型イオン源に電源を必要としない比較的簡単な梢遣の電
極を付加することによって電離効率を高めることができ
、さらにイオン引出しにおいてイオンの空間電荷を緩和
できるため、より多量のイオン電流を得ることができる
。
第1図は本発明の一実施例の構成図、第2図は従来のイ
オン源の構造図である. 1・・・カソード 2・・・第1のウェネルト
3・・・引出し電極 4・・・第1のアノード5
・・・第2のアノード 6・・・第2のウェネルト7
・・・シールド電極 8・・・絶縁物10・・・第
1の電子ビーム 11・・・第2の電子ビーム12・・
・イオンビーム 20・・・電磁レンズ21・・・
電子ビームターゲット 31・・・プラズマ生成室 32・・・イオン化物質導入口 33. 34・・・排気口 35・・・絶縁管3
6・・・第1のプラズマ生成領域 37・・・第2のプラズマ生成領域 51・・・加速電源 52・・・バイアス電源
53・・・引出し電源 特許出願人 日本電気株式会社
オン源の構造図である. 1・・・カソード 2・・・第1のウェネルト
3・・・引出し電極 4・・・第1のアノード5
・・・第2のアノード 6・・・第2のウェネルト7
・・・シールド電極 8・・・絶縁物10・・・第
1の電子ビーム 11・・・第2の電子ビーム12・・
・イオンビーム 20・・・電磁レンズ21・・・
電子ビームターゲット 31・・・プラズマ生成室 32・・・イオン化物質導入口 33. 34・・・排気口 35・・・絶縁管3
6・・・第1のプラズマ生成領域 37・・・第2のプラズマ生成領域 51・・・加速電源 52・・・バイアス電源
53・・・引出し電源 特許出願人 日本電気株式会社
Claims (1)
- (1)中心部に細孔が設けられたカソードを有する電子
銃と、第1のウェネルト、引出し電極および第1のアノ
ードと、該電子銃から射出された電子ビームが入射して
プラズマを生成するプラズマ生成室とを有し、前記電子
ビーム進路をさかのぼらせて前記プラズマから引き出さ
れたイオンビームを前記カソードの細孔に射出させる電
子ビーム励起型イオン源において、 前記電子ビームを入射せしめる孔を有し、電気的に絶縁
されている第2のウェネルトと、第2のアノードと、該
第2のアノードと同電位に保たれ前記第2のウェネルト
を囲むシールド電極とを前記プラズマ生成室をはさんで
前記カソードと反対側に配置し、前記第2のウェネルト
と前記シールド電極との少なくとも一方の表面を絶縁物
で被覆したことを特徴とするイオン源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1111457A JPH02291644A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1111457A JPH02291644A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | イオン源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02291644A true JPH02291644A (ja) | 1990-12-03 |
Family
ID=14561717
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1111457A Pending JPH02291644A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | イオン源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02291644A (ja) |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP1111457A patent/JPH02291644A/ja active Pending
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