JPH02290330A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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Publication number
JPH02290330A
JPH02290330A JP9802989A JP9802989A JPH02290330A JP H02290330 A JPH02290330 A JP H02290330A JP 9802989 A JP9802989 A JP 9802989A JP 9802989 A JP9802989 A JP 9802989A JP H02290330 A JPH02290330 A JP H02290330A
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JP
Japan
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mos transistor
input
circuit
channel mos
output
Prior art date
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Application number
JP9802989A
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Japanese (ja)
Inventor
Souichirou Ishibuchi
石渕 聡一郎
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To detect coincidence or discordance with a few element number by using a p-channel or an n-channel MOSFET to constitute an inverter circuit and a transmission gate circuit respectively. CONSTITUTION:When an input from a terminal 51 is logic 0, a p-channel FET 1 receiving a power supply VDD is turned on, an n-channel FET 4 is turned off and a signal 103 goes to logic 1. When the input 102 to the terminal 52 is logic 0, the n-channel FET 5 is turned on and the output 104 of the terminal 53 goes to logic 0. When the input 102 goes to logic 1, the p-channel FET 2 is turned on and the output 104 goes to logic 1. Moreover, when the input at the terminal 51 is logic 0, the p-channel FET 3 and the n-channel FET 4 keep the off-state. When the input 101 is logic 1, the n-channel FET of common source is turned on and the FETs 2, 5 are turned off. In this case, when the input 102 is logic 0, the FET 3 is turned on, the output 104 goes to logic 1, and when the input 102 goes to logic 1, the n-channel FET 6 is turned on and the output 104 goes to logic 0. Thus, only when the state of the inputs 51, 52 is coincident, the output goes to logic 0 and when discordant, the output is logic 1, then discordance is detected.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路に関し、特に、MOS トラン
ジスタにより構成され、2人力信号における状態値の一
致または不一致を検出して“1゜”を出力する論理回路
を形成する半導体集積回路に閏する。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and in particular to a semiconductor integrated circuit that is configured with MOS transistors and that detects coincidence or mismatch of state values in two human input signals and outputs "1°". This study focuses on semiconductor integrated circuits that form logic circuits.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、2人力信号の状態値の不一致または一致を検出す
る論理回路を形成する半導体集積回路においては、一般
に、第5図、第6図、第7図および第8図等に示される
回路構成が用いられている.この内、第5図および第6
図に示されるのは、2人力信号の状態値の不一致を検出
して、状態値“1”を出力する論理回路(以下、不一致
検出回路という)の例であり、第7図および第8図に示
されるのは、2人力信号の状態値の一致を検出して、状
態値“1”を出力する論理回路《以下、一致検出回路と
いう》の例である.第5図において、入力端子59およ
び60における2人力信号の状態値が、共に“1”また
は“0”をとる場合、すなわち2人力信号の状態値が一
致している場合には、明らかに出力端子61における出
力信号は、状態値“0”として出力される.また、入力
端子59および60における2人力信号の状態値が不一
致の場合には、出力端子61における出力信号は、常に
状態値“1”として出力される.従って、第5図の論理
回路には、2人力信号の状態値の一致または不一致に対
応して、それぞれ“0′゜または“1”の状態値を出力
する論理機能が備えられており、不一致検出回路として
作用する。
Conventionally, in a semiconductor integrated circuit forming a logic circuit for detecting mismatch or coincidence of state values of two human input signals, the circuit configurations shown in FIGS. 5, 6, 7, and 8 are generally used. It is used. Of these, Figures 5 and 6
What is shown in the figure is an example of a logic circuit (hereinafter referred to as a mismatch detection circuit) that detects a mismatch between the state values of two human input signals and outputs a state value of "1". Shown is an example of a logic circuit (hereinafter referred to as a coincidence detection circuit) that detects coincidence of the state values of two human input signals and outputs a state value of "1". In FIG. 5, when the state values of the two human power signals at input terminals 59 and 60 both take "1" or "0", that is, when the state values of the two human power signals match, it is clear that the output The output signal at the terminal 61 is output as a state value "0". Further, when the state values of the two human power signals at the input terminals 59 and 60 do not match, the output signal at the output terminal 61 is always outputted as the state value "1". Therefore, the logic circuit shown in FIG. 5 is equipped with a logic function that outputs a state value of "0'° or "1" in response to the match or mismatch of the state values of the two human input signals, and Acts as a detection circuit.

第6図は、インバ一夕とトランスミッションゲート回路
を用いて構成される不一致検出回路の例である。入力端
子62における入力信号の状態値が“0″の場合、トラ
ンスミッションゲート回路17はオン状態となり、出力
端子64における出力信号の状態値は、入力端子63の
状態値と同相になる。
FIG. 6 is an example of a mismatch detection circuit constructed using an inverter and a transmission gate circuit. When the state value of the input signal at the input terminal 62 is "0", the transmission gate circuit 17 is turned on, and the state value of the output signal at the output terminal 64 is in phase with the state value of the input terminal 63.

また、入力端子62における入力信号の状態値が“1“
の場合には、トランスミッションゲート回路18がオン
状態となるが、インバータ16が介在しているため、出
力端子64における出力信号の状悪値は、入力端子63
の状態値とは逆相になる。従って、この論理回路の場合
においても、2人力信号の状態値の一致または不一致に
対応して、それぞれ“0”または“1”の状態値を出力
する論理機能が備えられている. 第7図においては、入力端子65および66における2
人力信号の状態値が、共に“0“の場合においてのみO
R回路20の出力が“0“゜となり、また、入力端子6
5および66における2人力信号の状態値が、共に“1
”の場合においてのみNAND回路21の出力が“1”
となる.従って、このいずれの場合においても、出力端
子67における出力信号の状態値は゛1″となる。入力
端子65および66における2人力信号の状態値が不一
致の場合には、OR回路20およびNAND回路21の
出力はいずれも“1”となるため、出力端子67におけ
る出力信号の状態値は、常に“0”となる。従っ゛て、
この論理回路の場合には、2人力信号の状態値の一致ま
たは不一致に対応して、それぞれ“1″または“0”の
状態値が出力され、一致検出回路として作用する。
Also, the state value of the input signal at the input terminal 62 is “1”.
In this case, the transmission gate circuit 18 is turned on, but since the inverter 16 is involved, the bad value of the output signal at the output terminal 64 is
The phase is opposite to the state value of . Therefore, this logic circuit also has a logic function that outputs a state value of "0" or "1" in response to the match or mismatch of the state values of the two human input signals. In FIG. 7, two
O only when the state values of human input signals are both “0”
The output of the R circuit 20 becomes “0”°, and the input terminal 6
The state values of the two human power signals at 5 and 66 are both "1".
”, the output of the NAND circuit 21 is “1”
becomes. Therefore, in any of these cases, the state value of the output signal at the output terminal 67 is "1". If the state values of the two human input signals at the input terminals 65 and 66 do not match, the OR circuit 20 and the NAND circuit 21 Since all outputs are "1", the state value of the output signal at the output terminal 67 is always "0". Therefore,
In the case of this logic circuit, a state value of "1" or "0" is output in response to a match or mismatch between the state values of the two human input signals, and acts as a match detection circuit.

第8図は、前述の第6図に示される従来例の場合と同様
の回路構成であるが、トランスミッションゲート回路2
5および26のそれぞれのゲート制御信号となる入力端
子68における入力信号の状態値と、インバータ24の
出力の状態値との関係が、第6図の場合に比較して逆相
の関係にあるため、出力端子70における出力信号の状
態値が“1′″となるのは、入力端子68および69に
おける入力信号の状態値が一致する場合であり、また、
出力端子70における出力信号の状態値が“0”となる
のは、入力端子68および69における入力信号の状態
値が不一致の場合である。従って、この論理回路の場合
は、一致検出回路として作用する。
FIG. 8 shows a circuit configuration similar to that of the conventional example shown in FIG. 6, but the transmission gate circuit 2
This is because the relationship between the state value of the input signal at the input terminal 68, which is the gate control signal for each of the gates 5 and 26, and the state value of the output of the inverter 24 is in an opposite phase compared to the case of FIG. , the state value of the output signal at the output terminal 70 becomes "1'" when the state values of the input signals at the input terminals 68 and 69 match, and
The state value of the output signal at the output terminal 70 becomes "0" when the state values of the input signals at the input terminals 68 and 69 do not match. Therefore, this logic circuit functions as a coincidence detection circuit.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上述した、従来の2人力信号の状態値の一致または不一
致を検出する論理回路を形成する半導体集積回路におい
ては、第5図および第7図の場合には、少なくとも10
素子のlIlOSトランジスタを必要とし、また、第6
図および第8図の場合においては、少なくとも8素子の
14OSトランジスタを必要としており、一mに、その
構成上多数のトランジスタを使用する必要があるため、
半導体集積回路の高密度化に対して障害要因になるとい
う欠点がある. 〔課題を解説するための手段〕 本発明の半導体集積回路は、それぞれ“1′または“0
”の状態値を有する第1の入力信号および第2の入力信
号の入力に対応して、前記第1の入力信号および第2の
入力信号の二つの入力信号の状態値の不一致を検出して
状態値“1゜゜の出力信号を出力する不一致検出回路、
または前記第1の入力信号および第2の入力信号の二つ
の入力信号の状態値の一致を検出して状態値“1゜′の
出力信号を出力する一致検出回路を形成する半導体集積
回路において、前記不一致検出回路は、前記第1の入力
信号が、インバータ回路を形成する第1のPチャネル型
MOS トランジスタおよび第1のNチャネル型MOS
トランジスタのゲートと、トランスミッションゲート回
路を形成する第2のPチャネル型MOS トランジスタ
のゲートと、トランスファーゲート回路を形成する第3
のPチャネル型MOSトランジスタのソースと、に入力
され、前記インバータ回路の出力が、前記トランスミッ
ションゲート回路を形成する第2のNチャネル型MOS
トランジスタのゲートと、トランスファーゲート回路を
形成する第3のNチャネル型MOSトランジスタのソー
スと、に入力され、前記第2の入力信号が、トランスミ
ッションゲート回路を形成する第2のPチャネル型MO
S トランジスタおよび第2のNチャネル型MOS ト
ランジスタのソースと、それぞれトランスファーゲート
回路を形成する第3のPチャネル型MOS トランジス
タおよび第3のNチャネル型MOSトランジスタのゲー
トと、に入力され、前記第2のPチャネル型MOSトラ
ンジスタおよび第2のNチャネル型MOS F−ランジ
スタのドレイン出力と前記第3のPチャネル型MOSI
〜ランジスタおよび第3のNチャネル型uos トラン
ジスタのドレイン出力とが共通接続されて、不一致検出
回路を形成するように構成され、前記一致検出回路は、
前記第1の入力信号が、インバータ回路を形成する第1
のPチャネル型lIlOSトランジスタおよび第1のN
チャネル型MOS トランジスタのゲートと、トランス
ミッションゲー1一回路を形成する第2のNチャネル型
MOSトランジスタのゲートと、トランスファーゲート
回路を形成する第3のNチャネル型VOS トランジス
タのソースと、に入力され、前記インバータ回路の出力
が、前記トランスミッションゲート回路を形成する第2
のPチャネル型MOS トランジスタのゲートと、トラ
ンスファーゲート回路を形成する第3のPチャネル型1
40s トランジスタのソースと、に入力され、前記第
2の入力信号が、トランスミッション回路を形成する第
2のPチャネル型MOS トランジスタおよび第2のN
チャネル型MOSトランジスタのソースと、それぞれト
ランスファーゲート回路を形成する第3のPチャネル型
MOS トランジスタおよび第3のNチャネル型MOS
トランジスタのゲートと、 に入力され、前記第2のPチャネル型MOS トランジ
スタおよび第2のNチャネル型MOSトランジスタのド
レイン出力と前記第3のPチャネル型MOSトランジス
タおよび第3のNチャネル型MOSトランジスタのドレ
イン出力とが共通接続されて、致検出回路を形成するよ
うに構成される。
In the above-mentioned conventional semiconductor integrated circuit forming a logic circuit for detecting coincidence or mismatch of state values of two human input signals, in the case of FIGS. 5 and 7, at least 10
Requires an IIOS transistor for the device and also requires a sixth
In the case of FIG. 8 and FIG. 8, at least eight elements of 14OS transistors are required, and a large number of transistors must be used in one meter due to the configuration.
It has the disadvantage of becoming a hindrance to increasing the density of semiconductor integrated circuits. [Means for explaining the problem] The semiconductor integrated circuit of the present invention has a “1” or a “0”, respectively.
Detecting a mismatch between the state values of two input signals, the first input signal and the second input signal, in response to the input of a first input signal and a second input signal having a state value of ". A discrepancy detection circuit that outputs an output signal with a state value of "1°",
Alternatively, in a semiconductor integrated circuit forming a coincidence detection circuit that detects coincidence of state values of two input signals, the first input signal and the second input signal, and outputs an output signal with a state value of "1°", The mismatch detection circuit is configured such that the first input signal is connected to a first P-channel MOS transistor and a first N-channel MOS transistor forming an inverter circuit.
The gate of the transistor and the second P-channel MOS forming the transmission gate circuit The gate of the transistor and the third P-channel MOS forming the transfer gate circuit
the source of the P-channel MOS transistor, and the output of the inverter circuit forms the transmission gate circuit.
The second input signal is input to the gate of the transistor and the source of a third N-channel MOS transistor forming a transfer gate circuit, and the second input signal is input to a second P-channel MOS transistor forming a transmission gate circuit.
S transistor and the sources of the second N-channel MOS transistor, and the gates of the third P-channel MOS transistor and the third N-channel MOS transistor forming transfer gate circuits, respectively, and the second The drain output of the P-channel MOS transistor and the second N-channel MOS F-transistor and the third P-channel MOS transistor
~transistor and the drain output of the third N-channel type UOS transistor are commonly connected to form a mismatch detection circuit, the coincidence detection circuit comprising:
The first input signal is connected to a first input signal forming an inverter circuit.
of the P-channel type lIlOS transistor and the first N
input to the gate of the channel type MOS transistor, the gate of the second N-channel type MOS transistor forming the transmission gate 1 circuit, and the source of the third N-channel type VOS transistor forming the transfer gate circuit; The output of the inverter circuit is connected to a second transmission gate circuit forming the transmission gate circuit.
The gate of the P-channel MOS transistor and the third P-channel MOS transistor 1 forming the transfer gate circuit.
The second input signal is input to the source of the 40s transistor, and the second input signal is input to the second P channel type MOS transistor and the second N transistor forming the transmission circuit.
A source of a channel type MOS transistor, a third P channel type MOS transistor, and a third N channel type MOS transistor forming a transfer gate circuit, respectively.
the gate of the transistor, and the drain output of the second P-channel MOS transistor and the second N-channel MOS transistor and the third P-channel MOS transistor and the third N-channel MOS transistor. The drain outputs are commonly connected to form a coincidence detection circuit.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。第1図
は、本発明の第1の実施例の回路図である。本実施例は
、2人力信号の状態値の不一致を検出する論理回路を形
成する場合の一例であり、第1図に示されるように、P
チャネル型MOSトランジスタ1〜3と、Nチャネル型
MOS トランジスタ4〜6と、を備えて構成される。
Next, the present invention will be explained with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention. This embodiment is an example of forming a logic circuit for detecting a mismatch between the state values of two human input signals, and as shown in FIG.
The device includes channel type MOS transistors 1 to 3 and N channel type MOS transistors 4 to 6.

第1図において、Pチャネル型140s トランジスタ
1およびNチャネル型MOSトランジスタ4は、入力端
子51からの入力信号LOIを直接ゲート入力として受
け、信号103を出力するインバータ回路として作用す
る。また、Pチャネル型MOSトランジスタ2およびN
チャネル型MOSトランジスタ5は、入力端子52から
の入力信号102をソース入力とするトランスミッショ
ンゲート回路を構成している。
In FIG. 1, a P-channel type 140s transistor 1 and an N-channel type MOS transistor 4 function as an inverter circuit that directly receives an input signal LOI from an input terminal 51 as a gate input and outputs a signal 103. In addition, P channel type MOS transistor 2 and N
The channel type MOS transistor 5 constitutes a transmission gate circuit whose source input is the input signal 102 from the input terminal 52.

入力端子51からの入力信号101が“0゜゜レベルす
なわちLOWレベルの場合には、ソース入力として電源
vanが供給されるPチャネル型MOSトランジスタ1
がオン状態となり、Nチャネル型MOSトランジスタ4
はオフ状態にあるため、信号103はHIGHレベルに
なる.この場合、入力端子52からの入力信号102が
LO%I1レベルである時には、Nチャネル型MOS 
トランジスタ5は、そのゲート入力が信号103により
旧GHレベルの状態にあるためオン状態となり、出力端
子53からは、LO%llレベルすなわち“0”レベル
の信号104が出力される.また、この場合、入力端子
52からの入旅信号102がHIGHレベルである時に
は、Pチャネル型MOS トランジスタ2は、そのゲー
ト入力が信号101によりLOWレベルの状態にあるた
めオン状態となり、出力端子53からは、HIGHレベ
ルすなわち“1″レベルの信号104が出力される.な
お、入力端子51における入力信号101が“Onレベ
ルである場合、Pチャネル型MOS トランジスタ3お
よびNチャネル型MOS トランジスタ6は、いずれも
オフ状態のままで保持される. 次に、入力端子51からの入力信号101が“1”レベ
ルすなわち旧GHレベルの場合には、ソース入力がGN
Dに接続されるNチャネル型MOS トランジスタ4が
オン状態となり、信号103はLOIIレベルになるた
め、入力端子5lからの入力信号101を直接ゲート入
力とするPチャネル型MOSトランジスタ2と、信号1
03をゲート入力とするNチャネル型MOS トランジ
スタ5は、共にオフ状態になる.この場合、入力端子5
2からの入力信号102がLO%IIレベルである時に
は、ソース入力として、HIGHレベルの入力信号10
1が入力されているPチャネル型MOS トランジスタ
3はオン状態となり、出力端子63からは、HIGHレ
ベルすなわち“1″レベルの出力信号104が出力され
る。また、この場合、入力端子52からの入力信号10
2が旧GHレベルである時には、ソース入力として、L
OI1レベルの信号103が入力されているNチャネル
型MOS トランジスタ6がオン状態となり、出力端子
53からは、LOWレベルすなわち“0゜゜レベルの出
力信号104が出力される。
When the input signal 101 from the input terminal 51 is at the 0° level, that is, the LOW level, the P-channel MOS transistor 1 is supplied with the power supply van as a source input.
turns on, and the N-channel MOS transistor 4
Since . is in the off state, the signal 103 becomes HIGH level. In this case, when the input signal 102 from the input terminal 52 is at the LO%I1 level, the N-channel MOS
The transistor 5 is turned on because its gate input is at the old GH level due to the signal 103, and the output terminal 53 outputs a signal 104 at the LO%ll level, that is, the "0" level. Further, in this case, when the incoming signal 102 from the input terminal 52 is at the HIGH level, the P-channel MOS transistor 2 is turned on because its gate input is at the LOW level due to the signal 101, and the output terminal 53 A signal 104 of HIGH level, ie, "1" level, is output from. Note that when the input signal 101 at the input terminal 51 is at the "On level," the P-channel MOS transistor 3 and the N-channel MOS transistor 6 are both held in the OFF state. When the input signal 101 is at the “1” level, that is, the old GH level, the source input is
Since the N-channel MOS transistor 4 connected to D is turned on and the signal 103 becomes the LOII level, the P-channel MOS transistor 2 whose gate input is directly the input signal 101 from the input terminal 5l and the signal 1
Both N-channel type MOS transistors 5 with gate input 03 are turned off. In this case, input terminal 5
When the input signal 102 from 2 is at the LO%II level, the input signal 102 at the HIGH level is used as the source input.
The P-channel MOS transistor 3 to which 1 is input is turned on, and the output terminal 63 outputs an output signal 104 at a HIGH level, that is, a "1" level. Further, in this case, the input signal 10 from the input terminal 52
2 is the old GH level, the L
The N-channel MOS transistor 6 to which the signal 103 at the OI1 level is input is turned on, and the output terminal 53 outputs an output signal 104 at the LOW level, that is, the "0° level."

従って、上記第1の実施例においては、入力端子51お
よび52における入力信号の状態値が一致する場合には
、出力端子53に“0”レベルの出力信号104が出力
され、一致しない場合には、出力端子53に“1”レベ
ルの出力信号104が出力される。この真理値表は、第
2図に示されるとおりである。すなわち、第1の実施例
は、不一致検出回路として作用する。
Therefore, in the first embodiment, when the state values of the input signals at the input terminals 51 and 52 match, the output signal 104 at the "0" level is output to the output terminal 53; , an output signal 104 of "1" level is output to the output terminal 53. This truth table is as shown in FIG. That is, the first embodiment functions as a mismatch detection circuit.

次に、本発明の第2の実施例について説明する。第3図
は、本発明の第2の実施例の回路図である。本実施例は
、2人力信号の状態値の一致を検出する論理回路を形成
する場合の一例であり、第3図に示されるように、Pチ
ャネル型MOS トランジスタ7〜9と、Nチャネル型
MOS トランジスタ10〜12と、を備えて構成され
る。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a circuit diagram of a second embodiment of the invention. This embodiment is an example of forming a logic circuit for detecting coincidence of state values of two human input signals, and as shown in FIG. The device includes transistors 10 to 12.

第3図において、Pチャネル型MOS トランジスタ7
およびNチャネル型MOS トランジスタ10は、入力
端子55からの入力端子105を直接ゲート入力として
受け、信号107を出力するインバータ回路として作用
する。また、Pチャネル型MOS トランジスタ8およ
びNチャネル型MOS トランジスタ11は、入力端子
56からの入力端子106をソース入力とするトランシ
ミッションゲート回路を構成している。第3図より明ら
かなように、インバータ回路として作用するPチャネル
型MOS トランジスタ7およびNチャネル型MOS 
トランジスタ10の出力側は、第1図に示される前記第
1の実施例におけるインバータ回路の場合とは逆相の関
係にある。
In FIG. 3, a P-channel MOS transistor 7
The N-channel MOS transistor 10 directly receives an input terminal 105 from the input terminal 55 as a gate input, and functions as an inverter circuit that outputs a signal 107. Further, the P-channel type MOS transistor 8 and the N-channel type MOS transistor 11 constitute a transmission gate circuit whose source input is the input terminal 106 from the input terminal 56. As is clear from FIG. 3, the P-channel MOS transistor 7 and the N-channel MOS transistor 7 act as an inverter circuit.
The output side of the transistor 10 has a reverse phase relationship with that of the inverter circuit in the first embodiment shown in FIG.

従って、第3図の場合においては、入力端子55および
56における入力信号の状態値が一致する場合には、出
力端子57に“1”レベルの出力信号108が出力され
、一致しない場合には、出力端子57に“0”レベルの
出力信号108が出力される。この真理値表は、第4図
に示されるとおりである。すなわち、第2の実施例は、
一致検出回路として動作することが分る。
Therefore, in the case of FIG. 3, when the state values of the input signals at the input terminals 55 and 56 match, the output signal 108 at the "1" level is output to the output terminal 57, and when they do not match, An output signal 108 of “0” level is output to the output terminal 57. This truth table is as shown in FIG. That is, the second example is
It can be seen that it operates as a coincidence detection circuit.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上、詳細に説明したように、本発明は、それぞれ1組
のインバータ回路およびトランスミッションゲート回路
と、それぞれ1素子のPチャネル型MOSトランジスタ
およびNチャネル型MOS トランジスタとを用いて構
成され、従来の回路構成に比較して、少ない素子数によ
り一致検出回路および不一致検出回路を形成することが
可能となり、半導体集積回路の高密度化に対する障害を
排除することができるという効果がある。
As described above in detail, the present invention is configured using one set of an inverter circuit and a transmission gate circuit, and one element of a P-channel MOS transistor and an N-channel MOS transistor, respectively, and is different from conventional circuits. It is possible to form a coincidence detection circuit and a mismatch detection circuit with a smaller number of elements than in the conventional structure, and there is an effect that an obstacle to increasing the density of semiconductor integrated circuits can be eliminated.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図および第3図は、それぞれ本発明の第1および第
2の実施例の回路図、第2図および第4図は、それぞれ
前記第1および第2の実施例における真理値表を示す図
、第5図、第6図、第7図および第8図は、それぞれ従
来の半導体集積回路の回路図である. 図において、1〜3.7〜9・・・・・・Pチャネル型
MOS トランジスタ、4〜6,10〜12・・・・・
・Nチャネル型MOS トランジスタ、13・・・・・
・AND回路、14.15・・・・・・NOR回路、1
6,19,23.24・−・・・・インバータ、17.
1g,25.26・−・・一トランスミッションゲート
回路、20・・−・・・OR回路、21.22・−・・
・・NAND回路.代理人 弁理士  内 原  音 尤 1 図 尤 2t!1 素 凹 閃 口 f3−AND回呈ん 74〜15−NOR口路 床 図 1G,I’l−−−インハ一タ 17−18−一・+ラ〕又三ッショシ1ニト■ηトχ ム 関
1 and 3 are circuit diagrams of the first and second embodiments of the present invention, respectively, and FIGS. 2 and 4 are truth tables in the first and second embodiments, respectively. 5, 6, 7, and 8 are circuit diagrams of conventional semiconductor integrated circuits, respectively. In the figure, 1 to 3.7 to 9...P channel type MOS transistor, 4 to 6, 10 to 12...
・N-channel MOS transistor, 13...
・AND circuit, 14.15...NOR circuit, 1
6,19,23.24...Inverter, 17.
1g, 25.26 --- one transmission gate circuit, 20 --- OR circuit, 21.22 ---
・NAND circuit. Agent Patent Attorney Uchihara Onyu 1 Zuyu 2t! 1 Sub-concave flash mouth f3-AND rotation 74-15-NOR mouth roadbed diagram 1G, I'l---Inhata 17-18-1. Seki

Claims (1)

【特許請求の範囲】 それぞれ“1”または“0”の状態値を有する第1の入
力信号および第2の入力信号の入力に対応して、前記第
1の入力信号および第2の入力信号の二つの入力信号の
状態値の不一致を検出して状態値“1”の出力信号を出
力する不一致検出回路、または前記第1の入力信号およ
び第2の入力信号の二つの入力信号の状態値の一致を検
出して状態値“1”の出力信号を出力する一致検出回路
を形成する半導体集積回路において、 前記不一致検出回路は、前記第1の入力信号が、インバ
ータ回路を形成する第1のPチャネル型MOSトランジ
スタおよび第1のNチャネル型MOSトランジスタのゲ
ートと、トランスミッションゲート回路を形成する第2
のPチャネル型MOSトランジスタのゲートと、トラン
スファーゲート回路を形成する第3のPチャネル型MO
Sトランジスタのソースと、に入力され、前記インバー
タ回路の出力が、前記トランスミッションゲート回路を
形成する第2のNチャネル型MOSトランジスタのゲー
トと、トランスファーゲート回路を形成する第3のNチ
ャネル型MO5トランジスタのソースと、に入力され、
前記第2の入力信号が、トランスミッションゲート回路
を形成する第2のPチャネル型MOSトランジスタおよ
び第2のNチャネル型MOSトランジスタのソースと、
それぞれトランスファーゲート回路を形成する第3のP
チャネル型MOSトランジスタおよび第3のNチャネル
型MOSトランジスタのゲートと、に入力され、前記第
2のPチャネル型MOSトランジスタおよび第2のNチ
ャネル型MOSトランジスタのドレイン出力と前記第3
のPチャネル型MOSトランジスタおよび第3のNチャ
ネル型MOSトランジスタのドレイン出力とが共通接続
されて、不一致検出回路を形成するように構成され、 前記一致検出回路は、前記第1の入力信号が、インバー
タ回路を形成する第1のPチャネル型MOSトランジス
タおよび第1のNチャネル型MOSトランジスタのゲー
トと、トランスミッションゲート回路を形成する第2の
Nチャネル型MOSトランジスタのゲートと、トランス
ファーゲート回路を形成する第3のNチャネル型MOS
トランジスタのソースと、に入力され、前記インバータ
回路の出力が、前記トランスミッションゲート回路を形
成する第2のPチャネル型MOSトランジスタのゲート
と、トランスファーゲート回路を形成する第3のPチャ
ネル型MOSトランジスタのソースと、に入力され、前
記第2の入力信号が、トランスミッション回路を形成す
る第2のPチャネル型MOSトランジスタおよび第2の
Nチャネル型MOSトランジスタのソースと、それぞれ
トランスファーゲート回路を形成する第3のPチャネル
型MOSトランジスタおよび第3のNチャネル型MOS
トランジスタのゲートと、に入力され、前記第2のPチ
ャネル型MOSトランジスタおよび第2のNチャネル型
MOSトランジスタのドレイン出力と前記第3のPチャ
ネル型MOSトランジスタおよび第3のNチャネル型M
OSトランジスタのドレイン出力とが共通接続されて、
一致検出回路を形成するように構成されることを特徴と
する半導体集積回路。
[Scope of Claims] In response to the input of a first input signal and a second input signal each having a state value of "1" or "0", the first input signal and the second input signal are A discrepancy detection circuit that detects a discrepancy between the state values of two input signals and outputs an output signal with a state value of "1", or a discrepancy detection circuit that detects a discrepancy between the state values of the two input signals, the first input signal and the second input signal In a semiconductor integrated circuit forming a coincidence detection circuit that detects coincidence and outputs an output signal with a state value of "1," the mismatch detection circuit is configured such that the first input signal is connected to a first input terminal forming an inverter circuit. The gates of the channel type MOS transistor and the first N-channel type MOS transistor, and the second gate forming the transmission gate circuit.
the gate of a P-channel MOS transistor, and a third P-channel MOS transistor forming a transfer gate circuit.
the source of the S transistor, and the output of the inverter circuit is input to the gate of the second N-channel MOS transistor forming the transmission gate circuit, and the third N-channel MO5 transistor forming the transfer gate circuit. and the source of
The second input signal connects the sources of a second P-channel MOS transistor and a second N-channel MOS transistor forming a transmission gate circuit;
a third P, each forming a transfer gate circuit;
the gates of the channel type MOS transistor and the third N-channel type MOS transistor, and the drain output of the second P-channel type MOS transistor and the second N-channel type MOS transistor and the third
The drain outputs of the P-channel MOS transistor and the third N-channel MOS transistor are commonly connected to form a mismatch detection circuit, and the coincidence detection circuit is configured such that the first input signal is The gates of the first P-channel MOS transistor and the first N-channel MOS transistor forming an inverter circuit and the gates of the second N-channel MOS transistor forming a transmission gate circuit form a transfer gate circuit. Third N-channel MOS
The output of the inverter circuit is input to the source of the transistor, and the output of the inverter circuit is input to the gate of the second P-channel MOS transistor forming the transmission gate circuit, and the third P-channel MOS transistor forming the transfer gate circuit. and the second input signal is input to the sources of a second P-channel MOS transistor and a second N-channel MOS transistor forming a transmission circuit, respectively, and a third input signal forming a transfer gate circuit. P-channel MOS transistor and third N-channel MOS
the gate of the transistor, and the drain output of the second P-channel MOS transistor and the second N-channel MOS transistor, and the third P-channel MOS transistor and the third N-channel MOS transistor.
The drain output of the OS transistor is commonly connected,
A semiconductor integrated circuit configured to form a coincidence detection circuit.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7218153B2 (en) * 2005-08-22 2007-05-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Word line driver with reduced leakage current

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7218153B2 (en) * 2005-08-22 2007-05-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Word line driver with reduced leakage current

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