JPH04341010A - Logic circuit - Google Patents
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- JPH04341010A JPH04341010A JP14139791A JP14139791A JPH04341010A JP H04341010 A JPH04341010 A JP H04341010A JP 14139791 A JP14139791 A JP 14139791A JP 14139791 A JP14139791 A JP 14139791A JP H04341010 A JPH04341010 A JP H04341010A
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Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明はMOS型半導体回路で構
成される論理回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a logic circuit composed of a MOS type semiconductor circuit.
【0002】0002
【従来の技術】図3は従来の排他的論理和を得る論理回
路を示す回路図である。NORゲート1はその2つの入
力端が夫々入力端子IN1 ,IN2 に接続されてい
る。
ANDゲート2はその2つの入力端が夫々入力端子IN
1 ,IN2 に接続されている。NORゲート3はそ
の2つの入力端が夫々NORゲート1の出力端及びAN
Dゲート2の出力端に接続されている。そして、NOR
ゲート3の出力端は出力端子OUTに接続されている。2. Description of the Related Art FIG. 3 is a circuit diagram showing a conventional exclusive OR logic circuit. The two input ends of the NOR gate 1 are connected to input terminals IN1 and IN2, respectively. The AND gate 2 has its two input terminals connected to the input terminal IN.
1, is connected to IN2. The NOR gate 3 has its two input terminals connected to the output terminal of the NOR gate 1 and the AN
It is connected to the output terminal of D gate 2. And N.O.R.
The output terminal of gate 3 is connected to output terminal OUT.
【0003】このように構成される論理回路においては
、入力端子IN1,IN2 に入力される2つの入力信
号のいずれか一方のみが“1”であるとき出力端子OU
Tに“1”が出力され、入力端子IN1 ,IN2 に
入力される2つの入力信号が同じであるとき出力端子O
UTに“0”が出力される。In the logic circuit configured as described above, when only one of the two input signals input to the input terminals IN1 and IN2 is "1", the output terminal OU
When "1" is output to T and the two input signals input to input terminals IN1 and IN2 are the same, output terminal O
“0” is output to UT.
【0004】図4は従来の排他的論理和の反転出力を得
る論理回路を示す回路図である。NANDゲート4はそ
の2つの入力端が夫々入力端子IN1 ,IN2 に接
続されている。ORゲート5はその2つの入力端が夫々
入力端子IN1 ,IN2 に接続されている。NAN
Dゲート6はその2つの入力端が夫々NANDゲート4
の出力端及びORゲート5の出力端に接続されている。
そして、NANDゲート6の出力端は出力端子OUTに
接続されている。FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional logic circuit for obtaining an inverted output of exclusive OR. Two input terminals of the NAND gate 4 are connected to input terminals IN1 and IN2, respectively. The two input ends of the OR gate 5 are connected to the input terminals IN1 and IN2, respectively. NAN
The two input terminals of the D gate 6 are connected to the NAND gate 4, respectively.
and the output end of the OR gate 5. The output terminal of the NAND gate 6 is connected to the output terminal OUT.
【0005】このように構成される論理回路は、入力端
子IN1 ,IN2 に入力される2つの入力信号のい
ずれか一方のみが“1”であるとき出力端子OUTに“
0”が出力され、入力端子IN1 ,IN2 に入力さ
れる2つの入力信号が同じであるとき出力端子OUTに
“1”が出力される。[0005] The logic circuit configured as described above outputs "" to the output terminal OUT when only one of the two input signals input to the input terminals IN1 and IN2 is "1".
0" is output, and when the two input signals input to the input terminals IN1 and IN2 are the same, "1" is output to the output terminal OUT.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の論理回路は、CMOS回路で構成する場合に、
10個のMOSトランジスタ(5個のNチャネルMOS
トランジスタ及び5個のPチャネルMOSトランジスタ
)を使用する必要がある。このため、半導体集積回路内
において論理回路が占める面積が大きくなるという問題
点がある。特に、あるデータが偶数であるか、又は奇数
であるかを判定する回路等においては、排他的論理和又
はその反転出力を多く使用するため、論理回路の占有面
積が極めて大きくなってしまう。[Problems to be Solved by the Invention] However, when the above-mentioned conventional logic circuit is configured with a CMOS circuit,
10 MOS transistors (5 N-channel MOS
transistor and five P-channel MOS transistors). Therefore, there is a problem that the area occupied by the logic circuit within the semiconductor integrated circuit increases. In particular, in a circuit that determines whether certain data is an even number or an odd number, the exclusive OR or its inverted output is often used, so the area occupied by the logic circuit becomes extremely large.
【0007】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、MOSトランジスタの数を従来に比して削
減することができる論理回路を提供することを目的とす
る。The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a logic circuit that can reduce the number of MOS transistors compared to the prior art.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明に係る論理回路は
、電源端子又は接地端子と中間接点との間に直列に接続
され夫々ゲートが第1及び第2の入力端子に接続された
第1導電型の第1及び第2のMOSトランジスタと、ソ
ースが前記第1の入力端子に接続されゲートが前記第2
の入力端子に接続されドレインが前記中間接点に接続さ
れた第2導電型の第3のMOSトランジスタと、ソース
が前記第2の入力端子に接続されゲートが前記第1の入
力端子に接続されドレインが前記中間接点に接続された
第2導電型の第4のMOSトランジスタと、前記中間接
点と出力端子との間に接続された反転回路と、ソースが
前記電源端子又は前記接地端子に接続されゲートが前記
出力端子に接続されドレインが前記中間接点に接続され
た第1導電型の第5のMOSトランジスタとを有するこ
とを特徴とする。[Means for Solving the Problems] A logic circuit according to the present invention has a first circuit connected in series between a power supply terminal or a ground terminal and an intermediate junction, and whose gates are respectively connected to first and second input terminals. first and second MOS transistors of conductivity type, the sources of which are connected to the first input terminal and the gates of which are connected to the second input terminal;
a third MOS transistor of a second conductivity type, whose source is connected to the second input terminal, whose gate is connected to the first input terminal, and whose drain is connected to the intermediate junction; a fourth MOS transistor of a second conductivity type connected to the intermediate junction; an inverting circuit connected between the intermediate junction and the output terminal; and a gate whose source is connected to the power supply terminal or the ground terminal. and a fifth MOS transistor of a first conductivity type connected to the output terminal and having a drain connected to the intermediate junction.
【0009】[0009]
【作用】本発明においては、例えば第5のMOSトラン
ジスタに高インピーダンスのものを使用することにより
、中間接点から第1の入力端子側又は第2の入力端子側
を見たときのインピーダンスを第5のMOSトランジス
タのインピーダンスよりも十分に小さくし、第3及び第
4のMOSトランジスタのいずれか一方がON状態であ
るときには前記中間接点の電位が反転回路の論理閾値よ
りも低くなるように設定する。この場合、第1及び第2
の入力端子に入力される2つの入力信号のいずれか一方
のみが“1”であると、第1又は第2のMOSトランジ
スタがON状態になり、第3又は第4のMOSトランジ
スタがON状態になるため、前記中間接点の電位が前記
反転回路の論理閾値を超えない。一方、第1及び第2の
入力端子に入力される2つの入力信号が同じである場合
は、第1及び第2のMOSトランジスタ、又は第3及び
第4のMOSトランジスタがON状態になるため、前記
中間接点の電位が前記反転回路の論理閾値を超える。
従って、前記第1及び前記第2のMOSトランジスタを
電源端子と中間接点との間に接続した場合に出力端子か
ら排他的論理和を得ることができ、前記第1及び前記第
2のMOSトランジスタを接地端子と中間接点との間に
接続した場合には出力端子から排他的論理和の反転出力
を得ることができる。[Operation] In the present invention, for example, by using a high impedance MOS transistor as the fifth MOS transistor, the impedance when looking from the intermediate junction to the first input terminal side or the second input terminal side can be changed to the fifth MOS transistor. The impedance of the intermediate junction is set to be sufficiently smaller than the impedance of the MOS transistor, and the potential of the intermediate junction is set to be lower than the logic threshold of the inverting circuit when either the third or fourth MOS transistor is in an ON state. In this case, the first and second
If only one of the two input signals input to the input terminal is "1", the first or second MOS transistor will be in the ON state, and the third or fourth MOS transistor will be in the ON state. Therefore, the potential at the intermediate junction does not exceed the logic threshold of the inversion circuit. On the other hand, if the two input signals input to the first and second input terminals are the same, the first and second MOS transistors or the third and fourth MOS transistors are in the ON state. The potential at the intermediate junction exceeds a logic threshold of the inversion circuit. Therefore, when the first and second MOS transistors are connected between the power supply terminal and the intermediate node, an exclusive OR can be obtained from the output terminal, and the first and second MOS transistors can be connected between the power supply terminal and the intermediate node. When connected between the ground terminal and the intermediate node, an inverted output of the exclusive OR can be obtained from the output terminal.
【0010】本発明によれば、前記反転回路を2個のM
OSトランジスタで構成した場合、全体として7個のM
OSトランジスタで論理回路を構成することができる。
従って、論理回路に使用するMOSトランジスタの数を
従来に比して削減することができる。これにより、半導
体集積回路内における論理回路の占有面積を小さくする
ことができ、半導体集積回路の面積を小さくすることが
できる。According to the present invention, the inverting circuit has two M
When configured with OS transistors, a total of 7 M
A logic circuit can be constructed using OS transistors. Therefore, the number of MOS transistors used in the logic circuit can be reduced compared to the conventional technology. Thereby, the area occupied by the logic circuit within the semiconductor integrated circuit can be reduced, and the area of the semiconductor integrated circuit can be reduced.
【0011】[0011]
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。Embodiments Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
【0012】図1は本発明の第1の実施例に係る論理回
路を示す回路図である。PチャネルMOSトランジスタ
M1 ,M2 は電源端子VCCと中間接点N1 との
間に直列に接続されていて、このPチャネルMOSトラ
ンジスタM1 ,M2 のゲートは夫々入力端子IN1
,IN2 に接続されている。NチャネルMOSトラ
ンジスタM3 はそのソースが入力端子IN1 に接続
され、そのゲートが入力端子IN2 に接続され、その
ドレインが中間接点N1 に接続されている。Nチャネ
ルMOSトランジスタM4 はそのソースが入力端子I
N2 に接続され、そのゲートが入力端子IN1 に接
続され、そのドレインが中間接点N1 に接続されてい
る。インバータ(反転回路)I1 はその入力端が中間
接点N1 に接続され、その出力端が出力端子OUTに
接続されている。高インピーダンスのPチャネルMOS
トランジスタM5はそのソースが電源端子VCCに接続
され、そのゲートが出力端子OUTに接続され、そのド
レインが中間接点N1 に接続されている。
なお、本実施例においては、中間接点N1 から入力端
子IN1 側又は入力端子IN2 側を見たときのイン
ピーダンスをPチャネルMOSトランジスタM5 がO
N状態であるときのインピーダンスよりも十分に小さく
し、NチャネルMOSトランジスタM3 ,M4 のい
ずれか一方がON状態であるときに中間接点N1 の電
位がインバータI1 の論理閾値よりも低くなるように
設定されている。FIG. 1 is a circuit diagram showing a logic circuit according to a first embodiment of the present invention. P-channel MOS transistors M1 and M2 are connected in series between power supply terminal VCC and intermediate node N1, and the gates of these P-channel MOS transistors M1 and M2 are connected to input terminal IN1, respectively.
, IN2. The N-channel MOS transistor M3 has its source connected to the input terminal IN1, its gate connected to the input terminal IN2, and its drain connected to the intermediate node N1. N-channel MOS transistor M4 has its source connected to input terminal I.
N2, its gate is connected to the input terminal IN1, and its drain is connected to the intermediate node N1. The inverter (inversion circuit) I1 has its input terminal connected to the intermediate junction N1, and its output terminal connected to the output terminal OUT. High impedance P channel MOS
The transistor M5 has its source connected to the power supply terminal VCC, its gate connected to the output terminal OUT, and its drain connected to the intermediate node N1. In this embodiment, the impedance when looking from the intermediate junction N1 to the input terminal IN1 side or the input terminal IN2 side is set to O by the P-channel MOS transistor M5.
The impedance is set to be sufficiently lower than the impedance when it is in the N state, and the potential of the intermediate node N1 is set to be lower than the logic threshold of the inverter I1 when either of the N channel MOS transistors M3 and M4 is in the ON state. has been done.
【0013】次に、上述した論理回路の動作について説
明する。先ず、入力端子IN1 ,IN2 に入力され
る2つの入力信号がいずれも“0”である場合、Pチャ
ネルMOSトランジスタM1 ,M2 がON状態にな
り、NチャネルMOSトランジスタM3 ,M4 がO
FF状態になるので、出力端子OUTに“0”が出力さ
れる。また、入力端子IN1 ,IN2 に入力される
2つの入力信号がいずれも“1”である場合、Pチャネ
ルMOSトランジスタM1 ,M2 がOFF状態にな
り、NチャネルMOSトランジスタM3 ,M4 がO
N状態になるので、出力端子OUTに“0”が出力され
る。Next, the operation of the above-mentioned logic circuit will be explained. First, when the two input signals input to the input terminals IN1 and IN2 are both "0", the P channel MOS transistors M1 and M2 are turned on, and the N channel MOS transistors M3 and M4 are turned on.
Since it is in the FF state, "0" is output to the output terminal OUT. Furthermore, when the two input signals input to the input terminals IN1 and IN2 are both "1", the P channel MOS transistors M1 and M2 are in the OFF state, and the N channel MOS transistors M3 and M4 are in the OFF state.
Since it is in the N state, "0" is output to the output terminal OUT.
【0014】次に、入力端子IN1 ,IN2 に入力
される2つの入力信号のいずれか一方のみが“1”であ
る場合、PチャネルMOSトランジスタM1 又はM2
がON状態になり、NチャネルMOSトランジスタM
3 又はM4 がON状態になる。この場合、中間接点
N1 の電位はインバータI1 の論理閾値よりも低く
なるため、出力端子OUTには“1”が出力される。Next, when only one of the two input signals input to the input terminals IN1 and IN2 is "1", the P channel MOS transistor M1 or M2
turns on, and the N-channel MOS transistor M
3 or M4 becomes ON state. In this case, since the potential of the intermediate node N1 is lower than the logical threshold of the inverter I1, "1" is output to the output terminal OUT.
【0015】従って、本実施例に係る論理回路において
は、図3に示す従来の論理回路と同様にして、排他的論
理和を得ることができる。Therefore, in the logic circuit according to this embodiment, an exclusive OR can be obtained in the same manner as the conventional logic circuit shown in FIG.
【0016】本実施例によれば、インバータI1 を2
個のMOSトランジスタで構成した場合、全体として7
個のMOSトランジスタで論理回路を構成することがで
きる。従って、論理回路に使用するMOSトランジスタ
の数を従来に比して削減することができる。これにより
、半導体集積回路内における論理回路の占有面積を小さ
くすることができる。According to this embodiment, the inverter I1 is
When configured with MOS transistors, the total is 7
A logic circuit can be constructed with these MOS transistors. Therefore, the number of MOS transistors used in the logic circuit can be reduced compared to the conventional technology. Thereby, the area occupied by the logic circuit within the semiconductor integrated circuit can be reduced.
【0017】図2は本発明に第2の実施例に係る論理回
路を示す回路図である。NチャネルMOSトランジスタ
M11,M12は接地端子VSSと中間接点N11との
間に直列に接続されていて、このNチャネルMOSトラ
ンジスタM11,M12のゲートは夫々入力端子IN1
,IN2 に接続されている。PチャネルMOSトラ
ンジスタM13はそのソースが入力端子IN1 に接続
され、そのゲートが入力端子IN2 に接続され、その
ドレインが中間接点N11に接続されている。Pチャネ
ルMOSトランジスタM14はそのソースが入力端子I
N2 に接続され、そのゲートが入力端子IN1 に接
続され、そのドレインが中間接点N11に接続されてい
る。インバータ(反転回路)I11はその入力端が中間
接点N11に接続され、その出力端が出力端子OUTに
接続されている。高インピーダンスのNチャネルMOS
トランジスタM15はそのソースが接地端子VSSに接
続され、そのゲートが出力端子OUTに接続され、その
ドレインが中間接点N11に接続されている。
なお、本実施例においては、中間接点N11から入力端
子IN1 側又は入力端子IN2 側を見たときのイン
ピーダンスをNチャネルMOSトランジスタM15がO
N状態であるときのインピーダンスよりも十分に小さく
し、PチャネルMOSトランジスタM13,M14のい
ずれか一方がON状態であるときに中間接点N11の電
位がインバータI11の論理閾値よりも低くなるように
設定されている。FIG. 2 is a circuit diagram showing a logic circuit according to a second embodiment of the present invention. N-channel MOS transistors M11 and M12 are connected in series between the ground terminal VSS and intermediate node N11, and the gates of these N-channel MOS transistors M11 and M12 are connected to input terminal IN1, respectively.
, IN2. The P-channel MOS transistor M13 has its source connected to the input terminal IN1, its gate connected to the input terminal IN2, and its drain connected to the intermediate node N11. P-channel MOS transistor M14 has its source connected to input terminal I.
N2, its gate is connected to the input terminal IN1, and its drain is connected to the intermediate node N11. The inverter (inverting circuit) I11 has its input terminal connected to the intermediate junction N11, and its output terminal connected to the output terminal OUT. High impedance N-channel MOS
The transistor M15 has its source connected to the ground terminal VSS, its gate connected to the output terminal OUT, and its drain connected to the intermediate node N11. In this embodiment, the N-channel MOS transistor M15 sets the impedance when looking from the intermediate junction N11 to the input terminal IN1 side or the input terminal IN2 side.
The impedance is set to be sufficiently smaller than the impedance when it is in the N state, and the potential of the intermediate node N11 is set to be lower than the logic threshold of the inverter I11 when either of the P channel MOS transistors M13, M14 is in the ON state. has been done.
【0018】次に、上述した論理回路の動作について説
明する。先ず、入力端子IN1 ,IN2 に入力され
る2つの入力信号がいずれも“0”である場合、Pチャ
ネルMOSトランジスタM13,M14がON状態にな
り、NチャネルMOSトランジスタM11,M12がO
FF状態になるので、出力端子OUTに“1”が出力さ
れる。また、入力端子IN1 ,IN2 に入力される
2つの入力信号がいずれも“1”である場合、Pチャネ
ルMOSトランジスタM13,M14がOFF状態にな
り、NチャネルMOSトランジスタM11,M12がO
N状態になるので、出力端子OUTに“1”が出力され
る。Next, the operation of the above-mentioned logic circuit will be explained. First, when the two input signals input to the input terminals IN1 and IN2 are both "0", the P channel MOS transistors M13 and M14 are in the ON state, and the N channel MOS transistors M11 and M12 are in the OFF state.
Since it is in the FF state, "1" is output to the output terminal OUT. Furthermore, when the two input signals input to the input terminals IN1 and IN2 are both "1", the P channel MOS transistors M13 and M14 are turned off, and the N channel MOS transistors M11 and M12 are turned off.
Since it is in the N state, "1" is output to the output terminal OUT.
【0019】次に、入力端子IN1 ,IN2 に入力
される2つの入力信号のいずれか一方のみが“1”であ
る場合、PチャネルMOSトランジスタM13又はM1
4がON状態になり、NチャネルMOSトランジスタM
11又はM12がON状態になる。この場合、中間接点
N11の電位はインバータI11の論理閾値よりも低く
なるため、出力端子OUTには“0”が出力される。Next, when only one of the two input signals input to the input terminals IN1 and IN2 is "1", the P channel MOS transistor M13 or M1
4 turns on, and the N-channel MOS transistor M
11 or M12 is turned on. In this case, since the potential of the intermediate node N11 is lower than the logical threshold of the inverter I11, "0" is output to the output terminal OUT.
【0020】従って、本実施例に係る論理回路において
は、図4に示す従来の論理回路と同様にして、排他的論
理和の反転出力を得ることができる。また、本実施例に
おいても、第1の実施例と同様にして、論理回路に使用
するMOSトランジスタの数を従来に比して削減するこ
とができ、半導体集積回路内における論理回路の占有面
積を小さくすることができる。Therefore, in the logic circuit according to this embodiment, the inverted output of the exclusive OR can be obtained in the same manner as the conventional logic circuit shown in FIG. Also, in this embodiment, as in the first embodiment, the number of MOS transistors used in the logic circuit can be reduced compared to the conventional one, and the area occupied by the logic circuit in the semiconductor integrated circuit can be reduced. Can be made smaller.
【0021】[0021]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、中
間接点に例えば高インピーダンスの第5のMOSトラン
ジスタを接続することにより、第1乃至第5のMOSト
ランジスタ及び反転回路により論理回路を構成すること
ができ、論理回路に使用するMOSトランジスタの数を
従来に比して削減することができる。これにより、半導
体集積回路内における論理回路の占有面積を小さくする
ことができ、半導体集積回路の面積を小さくすることが
できる。As explained above, according to the present invention, by connecting, for example, a high-impedance fifth MOS transistor to the intermediate junction, a logic circuit can be configured by the first to fifth MOS transistors and the inverting circuit. Therefore, the number of MOS transistors used in the logic circuit can be reduced compared to the conventional method. Thereby, the area occupied by the logic circuit within the semiconductor integrated circuit can be reduced, and the area of the semiconductor integrated circuit can be reduced.
【図1】本発明の第1の実施例に係る論理回路を示す回
路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a logic circuit according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2の実施例に係る論理回路を示す回
路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a logic circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図3】従来の排他的論理和を得る論理回路を示す回路
図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a conventional logic circuit for obtaining an exclusive OR.
【図4】従来の排他的論理和の反転出力を得る論理回路
を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional logic circuit that obtains an inverted output of exclusive OR.
IN1 ,IN2 ;入力端子
OUT;出力端子
N1 ,N11;中間接点
M1 ,M2 ,M5 ,M13,M14;Pチャネル
MOSトランジスタ
M3 ,M4 ,M11,M12,M15;Nチャネル
MOSトランジスタ
I1 ,I11;インバータ
VCC;電源端子
VSS;接地端子IN1, IN2; Input terminal OUT; Output terminal N1, N11; Intermediate junction M1, M2, M5, M13, M14; P channel MOS transistor M3, M4, M11, M12, M15; N channel MOS transistor I1, I11; Inverter VCC ; Power terminal VSS; Ground terminal
Claims (1)
間に直列に接続され夫々ゲートが第1及び第2の入力端
子に接続された第1導電型の第1及び第2のMOSトラ
ンジスタと、ソースが前記第1の入力端子に接続されゲ
ートが前記第2の入力端子に接続されドレインが前記中
間接点に接続された第2導電型の第3のMOSトランジ
スタと、ソースが前記第2の入力端子に接続されゲート
が前記第1の入力端子に接続されドレインが前記中間接
点に接続された第2導電型の第4のMOSトランジスタ
と、前記中間接点と出力端子との間に接続された反転回
路と、ソースが前記電源端子又は前記接地端子に接続さ
れゲートが前記出力端子に接続されドレインが前記中間
接点に接続された第1導電型の第5のMOSトランジス
タとを有することを特徴とする論理回路。1. First and second MOS transistors of a first conductivity type connected in series between a power supply terminal or a ground terminal and an intermediate junction, and having gates connected to first and second input terminals, respectively. a third MOS transistor of a second conductivity type, the source of which is connected to the first input terminal, the gate of which is connected to the second input terminal, and the drain of which is connected to the intermediate junction; a fourth MOS transistor of a second conductivity type connected to the input terminal, having a gate connected to the first input terminal and a drain connected to the intermediate junction; and a fourth MOS transistor connected between the intermediate junction and the output terminal. It is characterized by comprising an inverting circuit and a fifth MOS transistor of a first conductivity type, the source of which is connected to the power supply terminal or the ground terminal, the gate of which is connected to the output terminal, and the drain of which is connected to the intermediate junction. logic circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14139791A JPH04341010A (en) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | Logic circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14139791A JPH04341010A (en) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | Logic circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04341010A true JPH04341010A (en) | 1992-11-27 |
Family
ID=15291050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP14139791A Pending JPH04341010A (en) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | Logic circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04341010A (en) |
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JP2012525774A (en) * | 2009-04-30 | 2012-10-22 | テラ イノヴェイションズ インコーポレイテッド | XOR and XNOR logic circuit and layout |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP14139791A patent/JPH04341010A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012525774A (en) * | 2009-04-30 | 2012-10-22 | テラ イノヴェイションズ インコーポレイテッド | XOR and XNOR logic circuit and layout |
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