JPH02285275A - 磁気低抗素子 - Google Patents
磁気低抗素子Info
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- JPH02285275A JPH02285275A JP1106504A JP10650489A JPH02285275A JP H02285275 A JPH02285275 A JP H02285275A JP 1106504 A JP1106504 A JP 1106504A JP 10650489 A JP10650489 A JP 10650489A JP H02285275 A JPH02285275 A JP H02285275A
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- JP
- Japan
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- Pending
Links
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Landscapes
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、回転数、位置検出機器等で使用される磁気抵
抗素子に関するものである。
抗素子に関するものである。
従来は磁気抵抗素子の基板として硼珪酸ガラス基板や石
英ガラス基板が用いられていた。硼珪酸ガラスは比較的
安価で商品に用いられ、石英ガラス基板は主として実験
用に用いられていた。これらの基板の熱伝導率には、１
．４Ｗ／ｍ−にであり、通電時の素子の放熱が小さい基
板であった。一般的に入手可能な非磁性の絶縁基板材料
としては、第１表に示されるようなホウケイ酸ガラス基
板、普通ガラス基板があり、これらは熱伝導率Ｋが１．
５Ｗ／ｍ−にのものであった。
英ガラス基板が用いられていた。硼珪酸ガラスは比較的
安価で商品に用いられ、石英ガラス基板は主として実験
用に用いられていた。これらの基板の熱伝導率には、１
．４Ｗ／ｍ−にであり、通電時の素子の放熱が小さい基
板であった。一般的に入手可能な非磁性の絶縁基板材料
としては、第１表に示されるようなホウケイ酸ガラス基
板、普通ガラス基板があり、これらは熱伝導率Ｋが１．
５Ｗ／ｍ−にのものであった。
第 １ 表
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来用いられている磁気抵抗素子は第１図に示す様にガ
ラス基板１の表面上に磁界の強さによってその電気抵抗
が変化する磁気抵抗体からなる検出部２を配置し、これ
らを同様に基板ｌの上に形成した薄膜状の電気良導体か
らなる配線３により接続したものである。−最に出力電
圧を上げるために、図示の様に４個の検出部２をブリッ
ジ接続する。また、回転方向を検出するために９０°位
相の異なった２つの信号が必要となるため図示の様に８
個の検出部２を接続する。電気的等価回路を第２図に示
す。上記構成において各検出部２の抵抗Ｒ２〜Ｒ８がす
べて等しいのなら、出力電圧ＶＡＩ”ＶＡ２．Ｖ□−ｖ
ｏとなってオフセット電圧、ＶＡＩ−ＶＡＩ！及びＶｌ
ｌ−Ｖｏは零となる。従来の磁気抵抗素子は、基板の熱
伝導が悪く放熱が悪いため通電時に検出部２が発熱した
さい、第３図の様に急激な温度勾配があった。−最に検
出部２の抵抗は温度特性を有するために、各検出部２の
抵抗が異なりＶＡＩ≠Ｖ、、、Ｖ□≠■、２となってオ
フセット電圧は周囲の温度に依存して変化するという問
題点があった。
ラス基板１の表面上に磁界の強さによってその電気抵抗
が変化する磁気抵抗体からなる検出部２を配置し、これ
らを同様に基板ｌの上に形成した薄膜状の電気良導体か
らなる配線３により接続したものである。−最に出力電
圧を上げるために、図示の様に４個の検出部２をブリッ
ジ接続する。また、回転方向を検出するために９０°位
相の異なった２つの信号が必要となるため図示の様に８
個の検出部２を接続する。電気的等価回路を第２図に示
す。上記構成において各検出部２の抵抗Ｒ２〜Ｒ８がす
べて等しいのなら、出力電圧ＶＡＩ”ＶＡ２．Ｖ□−ｖ
ｏとなってオフセット電圧、ＶＡＩ−ＶＡＩ！及びＶｌ
ｌ−Ｖｏは零となる。従来の磁気抵抗素子は、基板の熱
伝導が悪く放熱が悪いため通電時に検出部２が発熱した
さい、第３図の様に急激な温度勾配があった。−最に検
出部２の抵抗は温度特性を有するために、各検出部２の
抵抗が異なりＶＡＩ≠Ｖ、、、Ｖ□≠■、２となってオ
フセット電圧は周囲の温度に依存して変化するという問
題点があった。
本発明の目的は、各検出部２間の温度特性に起因して生
じる抵抗のばらつきを少くシ、オフセット電圧の温度依
存性を改善することである。
じる抵抗のばらつきを少くシ、オフセット電圧の温度依
存性を改善することである。
本発明は検出部２を熱伝導率６０〜２６ ｉ ／ｒａ・
Ｋである非磁性絶縁基板に被着することを特徴とする磁
気抵抗素子である。
Ｋである非磁性絶縁基板に被着することを特徴とする磁
気抵抗素子である。
本発明において熱伝導の高い非磁性絶縁基板を用いるこ
とにより検出部２からの発熱を放熱し、素子内の温度勾
配を小さくすることができるため、各検出部２の抵抗の
ばらつきが小さくなり、オフセット電圧の温度依存性を
改善できる。以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明
する。
とにより検出部２からの発熱を放熱し、素子内の温度勾
配を小さくすることができるため、各検出部２の抵抗の
ばらつきが小さくなり、オフセット電圧の温度依存性を
改善できる。以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明
する。
第４図は本発明の一実施例を示す断面図である。
本実施例は、非磁性絶縁基板で熱電導率が高いＡＩＮ基
板１の表面上に検出部２を配置し、配線３により相互に
接続したものであるが、これらの検出部および配線を形
成した基板１の表面上に、絶縁性保護膜である５ｉＯ１
膜が被着しである。この様に表面に熱電導率の低い保護
膜が被着していても、基板に熱電導率の高いＡＩＮを用
いることにより図示の様に温度勾配が改善されるためオ
フセット電圧の温度依存性を解消する効果がある。
板１の表面上に検出部２を配置し、配線３により相互に
接続したものであるが、これらの検出部および配線を形
成した基板１の表面上に、絶縁性保護膜である５ｉＯ１
膜が被着しである。この様に表面に熱電導率の低い保護
膜が被着していても、基板に熱電導率の高いＡＩＮを用
いることにより図示の様に温度勾配が改善されるためオ
フセット電圧の温度依存性を解消する効果がある。
本発明によれば検出部を配置する基板に熱伝導性の良好
な非磁性絶縁基板を用いることにより、素子全面にわた
って温度分布を均一にすることができ、当該温度分布の
不均一により、各検出部の抵抗温度特性に起因して生じ
るオフセット電圧の温度依存性を改善することができる
。
な非磁性絶縁基板を用いることにより、素子全面にわた
って温度分布を均一にすることができ、当該温度分布の
不均一により、各検出部の抵抗温度特性に起因して生じ
るオフセット電圧の温度依存性を改善することができる
。
第１図は磁気抵抗素子の構成例を示す平面図、第２図は
その電気的等価回路図、第３図は従来の磁気抵抗素子の
温度分布、第４図は本発明の一実施例を示す温度分布で
ある。 １・・・基板、２・・・検出部、３・・・配線部、４・
・・保護膜。 第１図 第２図 ４６７一
その電気的等価回路図、第３図は従来の磁気抵抗素子の
温度分布、第４図は本発明の一実施例を示す温度分布で
ある。 １・・・基板、２・・・検出部、３・・・配線部、４・
・・保護膜。 第１図 第２図 ４６７一
Claims (1)
- 磁界によって電気抵抗が変化する磁気抵抗体からなる磁
気検出部を備えた磁気抵抗素子において上記磁気検出部
を熱伝導率が６０〜２６０Ｗ／ｍ・Ｋである非磁性絶縁
基板上に被着することを特徴とする磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1106504A JPH02285275A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 磁気低抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1106504A JPH02285275A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 磁気低抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02285275A true JPH02285275A (ja) | 1990-11-22 |
Family
ID=14435261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1106504A Pending JPH02285275A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 磁気低抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02285275A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5243280A (en) * | 1991-03-20 | 1993-09-07 | Sony Magnescale, Inc. | Magnetic sensor and position detector |
| JP2003097904A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Toyota Motor Corp | アレイ型センサ |
-
1989
- 1989-04-26 JP JP1106504A patent/JPH02285275A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5243280A (en) * | 1991-03-20 | 1993-09-07 | Sony Magnescale, Inc. | Magnetic sensor and position detector |
| JP2003097904A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Toyota Motor Corp | アレイ型センサ |
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