JPH02284521A - Unlocking detection circuit - Google Patents
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Landscapes
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアンロック検出回路に関し、特にPLL回路の
アンロック検出回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an unlock detection circuit, and particularly to an unlock detection circuit for a PLL circuit.
従来のこの種のアンロック検出回路の一例を第4図に示
す。An example of a conventional unlock detection circuit of this type is shown in FIG.
第4図において、位相周波数検出回路10は、対象とす
るPLL回路に含まれ、周期的にレベル変化する電圧制
御発振器からの信号■(以下単に信号■という)と、周
期的に変化する水晶発振器等からの基準入力信号Rどの
位相を比較してこれら信号の位相の進み、遅れと対応し
、かつ位相差の大きさと対応する期間、能動レベル(低
レベル)となるアップ信号π丁及びダウン信号「Wを出
力する。In FIG. 4, the phase frequency detection circuit 10 receives a signal (hereinafter simply referred to as signal) from a voltage controlled oscillator that is included in the target PLL circuit and whose level changes periodically, and a crystal oscillator that changes periodically. Compare which phase of the reference input signal R from etc., and determine the phase lead or lag of these signals, and the up signal πd and the down signal that are at active level (low level) for a period corresponding to the magnitude of the phase difference. “Output W.
アップ信号UP及びダウン信号子WはNANDゲートG
20により統合された後2つに分割され、一方は直接N
ANDゲートG2.に、また他方は遅延回路3を経由し
てNANDゲートG21に入力される。Up signal UP and down signal child W are NAND gate G
After being integrated by 20, it is divided into two parts, one of which is directly connected to N
AND gate G2. and the other is input to the NAND gate G21 via the delay circuit 3.
NANDゲートG21は入力されたこれら信号(Vl、
V2 )のNAND処理を行い、低レベル能動のアンロ
ック検出信号ULDを出力する。The NAND gate G21 receives these input signals (Vl,
V2) and outputs a low-level active unlock detection signal ULD.
遅延回路3はインバータ■4.■6、抵抗R1、R2、
及びコンデンサC,,C2を備え、これらにより設定さ
れる時間だけNANDゲートG20の出力信号v1を遅
延させる。The delay circuit 3 is an inverter ■4. ■6, resistance R1, R2,
and capacitors C, , C2, and delay the output signal v1 of the NAND gate G20 by the time set by these capacitors.
従ってアップ信号UP及びダウン信号DWの能動レベル
の期間が遅延回路3の遅延時間より長くなると能動レベ
ル(低レベル)のアンロック検出信号ULDが出力され
る。Therefore, when the active level period of the up signal UP and the down signal DW becomes longer than the delay time of the delay circuit 3, the unlock detection signal ULD of active level (low level) is output.
このアンロック検出回路の各部信号の動作タイミングを
第5図に示す。FIG. 5 shows the operation timing of each part signal of this unlock detection circuit.
第5図において、第1番目の基準入力信号R(R1)の
立下りエツジに対して、信号■(■1)の立下りエツジ
が遅れている状態を示している。FIG. 5 shows a state in which the falling edge of the signal ■ (■1) lags behind the falling edge of the first reference input signal R (R1).
この場合、基準入力信号R(R1)の立下りエツジでア
ップ信号UPは高レベルから低レベルとなり信号V(V
l)の立下りエツジで高レベルとなる。即ち、位相の遅
れ分だけアップ信号UP信号が低レベルとなる。In this case, the up signal UP changes from high level to low level at the falling edge of the reference input signal R (R1), and the signal V (V
It becomes high level at the falling edge of l). That is, the up signal UP signal becomes low level by the amount of phase delay.
さらに、アップ信号「Tとダウン信号DWとは、NAN
DゲートG2oで統合され、その出力信号vlと遅延回
路3の出力信号■2は、NANDゲートG21に入力さ
れているので、アンロック検出信号ULDは遅延回路3
の出力信号v2の立上りエツジで高レベルから低レベル
となりNANDゲートの出力信号■lの立下りエツジで
高レベルとなる。Furthermore, the up signal "T" and the down signal DW are NAN
The output signal vl of the D gate G2o and the output signal 2 of the delay circuit 3 are input to the NAND gate G21, so the unlock detection signal ULD is output to the delay circuit 3.
It changes from a high level to a low level at the rising edge of the output signal v2 of the NAND gate, and changes to a high level at the falling edge of the output signal 1 of the NAND gate.
即ち、位相周波数検出器10の入力信号(R。That is, the input signal (R.
■)の位相差が遅延回路3で設定される遅延時間よりも
大きくなったときだけ、アンロック検出信号ULDが低
レベルとなり、PLL回路のアンロックを検出すること
ができる。Only when the phase difference ((2)) becomes larger than the delay time set by the delay circuit 3, the unlock detection signal ULD becomes low level, and unlocking of the PLL circuit can be detected.
また第3番目と第4番目の基準入力信号R(R3,R4
)、信号V (V3.V4)の場合は、ジャストロック
状態であり、この場合、アンロック検出信号ULDは低
レベルにはならない。In addition, the third and fourth reference input signals R (R3, R4
), the signal V (V3.V4) indicates a just lock state, and in this case, the unlock detection signal ULD does not go to a low level.
また、第6番目の基準入力信号R(R6)に対して信号
V(V6)の位相が進んでいる状態を示している。Further, a state in which the phase of the signal V (V6) is ahead of the sixth reference input signal R (R6) is shown.
この場合はダウン信号DWが信号V(V6)の立下りエ
ツジで高レベルから低レベルとなり基準入力信号R(R
6)の立下りエツジで高レベルとなる。In this case, the down signal DW changes from high level to low level at the falling edge of the signal V (V6), and the reference input signal R (R
It becomes high level at the falling edge of 6).
このダウン信号DWの低レベルの期間は遅延回路3の遅
延時間より大きいので、低レベルのアンロック検出信号
ULDが出力される。Since the low level period of this down signal DW is longer than the delay time of the delay circuit 3, a low level unlock detection signal ULD is output.
また、第2番目、第5番目においては、アップ信号■下
、ダウン信号DWとも遅延回路3の遅延時間を越える低
レベルの期間がないので低レベルのアンロック検出信号
ULDは出力されない。Furthermore, in the second and fifth periods, there is no low-level period exceeding the delay time of the delay circuit 3 for both the up signal (2) and the down signal DW, so the low-level unlock detection signal ULD is not output.
なお、アンロック検出の対象となるPLL回路の一例を
第6図に示す。Note that FIG. 6 shows an example of a PLL circuit that is subject to unlock detection.
上述した従来のアンロック検出回路は、アップ信号UP
及びダウン信号DWの能動レベルの期間が、遅延回路3
のインバータI4.I5、抵抗R,,R2、コンデンサ
C1,C2により定まる遅延時間より長くなると能動レ
ベルのアンロック検出信号を出力する構成となっている
ので、これら回路素子の製造ばらつきや温度変化等の環
境変化により遅延時間が変動するため、アンロックの検
出基準が変化したり不安定になったりするという欠点が
ある。The conventional unlock detection circuit described above uses the up signal UP.
and the active level period of the down signal DW is determined by the delay circuit 3.
Inverter I4. I5, resistors R, R2, and capacitors C1 and C2 are configured to output an active level unlock detection signal when the delay time is longer than that determined by R, R2, and capacitors C1 and C2. Since the delay time fluctuates, there is a drawback that the unlock detection criteria changes or becomes unstable.
本発明の目的は、製造ばらつきや環境変化に影響されず
、かつ一定の基準で安定してアンロックを検出すること
ができるアンロック検出回路を提供することにある。An object of the present invention is to provide an unlock detection circuit that is not affected by manufacturing variations or environmental changes and is capable of stably detecting unlock based on a fixed standard.
本発明のアンロック検出回路は、対象とするPLL回路
に含まれ、周期的にレベル変化する電圧制御発振器から
の信号と、周期的にレベル変化する基準入力信号との位
相を比較してこれら信号の位相の進み、遅れと対応しか
つ位相差の大きさと対応した期間能動レベルとなるアッ
プ信号及びダウン信号を出力する位相周波数検出器の前
記ア= 5−
ツブ信号の能動レベルの期間が前記基準入力信号の一周
期より長くなったとき第1のアンロック検出信号を出力
する第1の検出回路と、前記タウン信号の能動レベルの
期間が前記電圧制御発振器からの信号の一周期より長く
なったとき第2のアンロック検出信号を出力する第2の
検出回路とを有している。The unlock detection circuit of the present invention is included in a target PLL circuit, and compares the phases of a signal from a voltage controlled oscillator whose level changes periodically with a reference input signal whose level changes periodically, and detects these signals. The phase frequency detector outputs an up signal and a down signal that are at an active level for a period corresponding to the phase advance or lag and corresponding to the magnitude of the phase difference. a first detection circuit that outputs a first unlock detection signal when the input signal becomes longer than one period; and a period of the active level of the town signal becomes longer than one period of the signal from the voltage controlled oscillator. and a second detection circuit that outputs a second unlock detection signal.
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明の第1の実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.
第1図において、位相周波数検出回路10は、対象とす
るPLL回路に含まれ、周期的にレベル変化する電圧制
御発振器からの信号■(以下単に信号Vという)と、周
期的に変化する水晶発振器等からの基準入力信号Rどの
位相を比較してこれら信号の位相の進み、遅れと対応し
、かつ位相差の大きさと対応する期間、能動レベル(低
レベル)となるアップ信号UP及びダウン信号DWを出
力する。In FIG. 1, a phase frequency detection circuit 10 receives a signal (hereinafter simply referred to as signal V) from a voltage controlled oscillator that is included in a target PLL circuit and whose level changes periodically, and a crystal oscillator whose level changes periodically. The up signal UP and the down signal DW are at an active level (low level) for a period corresponding to the phase lead or lag of these signals and corresponding to the magnitude of the phase difference by comparing the phases of the reference input signal R from etc. Output.
第1の検出回路1は、NORゲー)Gl、G2、インバ
ータ■1、D型のフリップフロップFF1、及びNAN
DゲートG5を備え、アップ信号π下の能動レベル(低
レベル)の期間が基準入力信号百の一周期より長くなっ
たとき第1のアンロック検出信号v13を出力する。The first detection circuit 1 includes a NOR game) Gl, G2, an inverter 1, a D-type flip-flop FF1, and a NAN
It is provided with a D gate G5, and outputs a first unlock detection signal v13 when the period of active level (low level) under the up signal π becomes longer than one period in one hundred of the reference input signal.
第2の検出回路2は、NORゲートG、、G4、インバ
ータ■2、D型のフリップフロップFF2、及びNAN
DゲートG6を備え、ダウン信号DWの能動レベル(低
レベル)の期間が信号■の一周期より長くなったとき第
2のアンロック検出信号v23を出力する。The second detection circuit 2 includes NOR gates G, G4, inverter 2, D-type flip-flop FF2, and NAN
It includes a D gate G6, and outputs a second unlock detection signal v23 when the active level (low level) period of the down signal DW becomes longer than one cycle of the signal (2).
NANDゲートG7及びインバータ■3は、第1及び第
2のアンロック検出信号V1.. V2.を統合し、ア
ンロック検出信号ULDとして出力する。NAND gate G7 and inverter 3 receive first and second unlock detection signals V1. .. V2. are integrated and output as an unlock detection signal ULD.
次に、この実施例の動作について説明する。Next, the operation of this embodiment will be explained.
第2図はこの実施例の動作を説明するための各部信号の
タイミング図である。FIG. 2 is a timing chart of signals of various parts for explaining the operation of this embodiment.
第1番目の基準入力信号π(R1)、信号■(Vl)(
以下、信号R1,信号■1のように表示する)の場合、
信号v1が信号R2よりも遅れている状態であり、従来
例と同様に信号R1の立下りエツジから信号■1の立下
りエツジまでアップ信号UPは低レベルとなる。The first reference input signal π (R1), the signal ■ (Vl) (
In the case of (hereinafter displayed as signal R1, signal ■1),
The signal v1 is in a state lagging behind the signal R2, and the up signal UP is at a low level from the falling edge of the signal R1 to the falling edge of the signal 1, as in the conventional example.
フリップフロップFF・1の出力信号v12はNORゲ
ートG1の出力信号V11の立下りエツジにより低レベ
ルから高レベルとなりアップ信号UPの立上りエツジで
低レベルとなる。The output signal v12 of the flip-flop FF.1 changes from a low level to a high level at the falling edge of the output signal V11 of the NOR gate G1, and changes to a low level at the rising edge of the up signal UP.
さらにNORゲートG□の出力信号v11とフリップフ
ロップFF、の出力信号■12とはNANDゲートG5
に入力されるので、この場合にはNANDゲートG5の
出力、即ち、第1のアンロック検出信号V13は高レベ
ルのままであり、アンロック検出信号ULDも高レベル
のままとなる。Furthermore, the output signal v11 of the NOR gate G□ and the output signal ■12 of the flip-flop FF are the NAND gate G5.
In this case, the output of the NAND gate G5, that is, the first unlock detection signal V13, remains at a high level, and the unlock detection signal ULD also remains at a high level.
また、第4番目の信号R4,信号■4の場合、信号■4
が信号R4よりも進んでいるので、ダウン信号DWは従
来例と同様に信号V4の立下りエツジから信号R4の立
下りエツジまで低レベルとなる。In addition, in the case of the fourth signal R4, signal ■4, signal ■4
is ahead of the signal R4, the down signal DW is at a low level from the falling edge of the signal V4 to the falling edge of the signal R4, as in the conventional example.
フリップフロップFF2の出力信号V22は、NORゲ
ートG3の出力信号■21の立上りエツジにより低レベ
ルから高レベルとなり、ダウン信号DWの立上りエツジ
で低レベルとなる。The output signal V22 of the flip-flop FF2 changes from a low level to a high level at the rising edge of the output signal 21 of the NOR gate G3, and changes to a low level at the rising edge of the down signal DW.
この場合も、第2のアンロック検出信号■23及びアン
ロック検出信号ULDは高レベルのままである。Also in this case, the second unlock detection signal 23 and the unlock detection signal ULD remain at high level.
ところが、第5番目の信号R5の場合、例えば第5番目
の信号V5(破線で示したところ)が第6番目の信号R
6の前に存在すれば前述の第1番目の信号R1,Vlの
ようなタイミングになるが、第5番目の信号■5は存在
しないため、アップ信号UPは第5番目の信号R5の立
下りエツジで高レベルから低レベルとなり、第6番目の
信号v6の立下りエツジにより高レベルとなる。However, in the case of the fifth signal R5, for example, the fifth signal V5 (indicated by a broken line) is the sixth signal R5.
If it exists before 6, the timing will be like that of the first signal R1, Vl described above, but since the fifth signal 5 does not exist, the up signal UP is at the falling edge of the fifth signal R5. It goes from high level to low level at the edge, and goes to high level at the falling edge of the sixth signal v6.
さらにフリップフロップFFlの出力信号■12はNO
RゲートG1の立下りエツジで低レベルから高レベルと
なり、NORゲートG1の出力信号v11の次の立下り
エツジにより低レベルとなる。Furthermore, the output signal ■12 of the flip-flop FFl is NO.
It changes from low level to high level at the falling edge of R gate G1, and changes to low level at the next falling edge of output signal v11 of NOR gate G1.
NANDゲートG、の出力信号、即ち第1のアンロック
検出信号■ISは、NORゲートG□の出力信号、■l
lの立上りエツジで高レベルから低レベルとなり、NO
RゲートG1の出力信号■11の立上りエツジで高レベ
ルとなる。The output signal of the NAND gate G, that is, the first unlock detection signal ■IS, is the output signal of the NOR gate G□, ■l
At the rising edge of l, it goes from high level to low level, and NO
It becomes high level at the rising edge of the output signal 11 of the R gate G1.
このときのアンロック検出信号ULDはNANDゲート
G5の出力信号の立下りエツジにより高レベルから低レ
ベルとなり、立上りエツジにより高レベルとなってアン
ロック状態であることを検出する。At this time, the unlock detection signal ULD changes from a high level to a low level at the falling edge of the output signal of the NAND gate G5, and changes to a high level at the rising edge, thereby detecting the unlocked state.
第9番目の信号v9の場合、前述の第5番目の信号R5
と同様に、第9番目の信号■9に対して破線の9番目信
号R9が存在しないため、ダウン信号DWは信号■9の
立下りエツジで高レベルから低レベルとなり、第10番
目の信号R1oの立下りエツジにより高レベルとなる。In the case of the ninth signal v9, the aforementioned fifth signal R5
Similarly, since the broken-line 9th signal R9 does not exist for the 9th signal ■9, the down signal DW changes from a high level to a low level at the falling edge of the signal ■9, and the 10th signal R1o The falling edge of causes a high level.
さらにフリップフロップFF2の出力信号V22はNO
RゲートG3の出力信号V 21の立下りエツジで低レ
ベルから高レベルとなり、NORゲートG3の出力信号
■21の次の立下りエツジで低レベルとなる。Furthermore, the output signal V22 of flip-flop FF2 is NO.
It changes from a low level to a high level at the falling edge of the output signal V21 of the R gate G3, and changes to a low level at the next falling edge of the output signal V21 of the NOR gate G3.
また、NANDゲートG6の出力信号、即ち第2のアン
ロック検出信号■23はNORゲートG3の出力信号V
21の立上りエツジで高レベルから低レベルとなり、立
下りエツジで高レベルとなる。Further, the output signal of the NAND gate G6, that is, the second unlock detection signal 23 is the output signal V of the NOR gate G3.
The rising edge of 21 changes from high level to low level, and the falling edge changes to high level.
このときのアンロック検出信号ULDはNANDゲート
G6の出力信号の立下りエツジで高レベルから低レベル
となり、立上りエツジで高レベルとなって前述と同様、
アンロック状態であることを検出する。At this time, the unlock detection signal ULD changes from high level to low level at the falling edge of the output signal of the NAND gate G6, and changes to high level at the rising edge, and as described above,
Detects that it is unlocked.
第3図は本発明の第2の実施例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.
この第2の実施例が第1の実施例と相違する点は、検出
回路のフリップフロップFF、、FF2のD端子入力を
、第1の実施例においては各フリップフロップFF、、
FF2の反転出力信号(Q)としているのに対し、第2
の実施例においては高電位側の電源電圧とした点にある
。The difference between this second embodiment and the first embodiment is that the D terminal input of the flip-flops FF, FF2 of the detection circuit is connected to each flip-flop FF, FF2 in the first embodiment.
While the inverted output signal (Q) of FF2 is used, the second
In this embodiment, the power supply voltage is on the high potential side.
従って、アップ信号UP、ダウン信号DWの低レベルの
期間が長く、この期間内に基準入力信号Rまたは信号■
の複数の周期が入る場合、第1の実施例においては周期
が変るごとにフリップフロップFF+ 、FF2の出力
信号が反転するので、−周期おきにアンロック検出信号
ULDが低レベルのアンロック状態になるのに対し、第
2の実施例においてはフリップフロップの出力信号が反
転しないので、各周期ごとにアンロック検出信号ULD
を低レベルのアンロック状態にすることができる利点が
ある。Therefore, the low level period of the up signal UP and the down signal DW is long, and within this period, the reference input signal R or the signal ■
When a plurality of cycles occur, in the first embodiment, the output signals of flip-flops FF+ and FF2 are inverted every time the cycle changes, so the unlock detection signal ULD goes to a low level unlocked state every - cycle. On the other hand, in the second embodiment, the output signal of the flip-flop is not inverted, so the unlock detection signal ULD is
It has the advantage that it can be unlocked at a low level.
上述したように本発明においては、従来のような抵抗、
コンテンサ、インバータ等による遅延回路が不要となり
、ディジタル回路のみで構成することができる。As mentioned above, in the present invention, the conventional resistance,
Delay circuits such as capacitors and inverters are no longer required, and can be constructed using only digital circuits.
以上説明したように本発明は、対象とするPLL回路の
位相周波数検出器のアップ信号、ダウン信号の能動レベ
ルの期間が、基準入力信号または電圧制御発振器からの
信号の一周期より長くなったときアンロック検出信号を
出力する構成とすることにより、従来のような抵抗、コ
ンデンサ、インバータ等による遅延回路が不要となり、
ディジタル回路のみで構成することができるので、製造
ばらつきや環境変化に影響されることなく一定の基準で
安定してアンロックを検出することができる効果がある
。As explained above, the present invention is applicable when the period of the active level of the up signal and down signal of the phase frequency detector of the target PLL circuit becomes longer than one period of the reference input signal or the signal from the voltage controlled oscillator. By adopting a configuration that outputs an unlock detection signal, there is no need for conventional delay circuits such as resistors, capacitors, and inverters.
Since it can be constructed using only digital circuits, it has the advantage of being able to stably detect unlocking based on a fixed standard without being affected by manufacturing variations or environmental changes.
第1図及び第2図はそれぞれ本発明の第1の実施例の回
路図及びこの実施例の動作を説明するための各部信号の
タイミング図、第3図は本発明の第2の実施例の回路図
、第4図及び第5図はそれぞれ従来のアンロック検出回
路の一例を示す回路図及びこのアンロック検出回路の動
作を説明するための各部信号のタイミング図、第6図は
アンロック検出対象のPLL回路のブロック図である。
1、IA 、2.2A・・・検出回路、3・・・遅延回
路、10・・・位相周波数検出器、20・・・低減フィ
ルタ、30・・・電圧制御発振器、40・・・分周器、
C1,C2・・・コンデンサ、FF、、FF2・・・フ
リップフロップ、01〜G4・・・NORゲート、G。
〜G7
G11〜G21・・・NANDゲート、■0
■
〜■5・・・インバータ、
・・・抵抗。1 and 2 are a circuit diagram of a first embodiment of the present invention and a timing chart of signals of each part to explain the operation of this embodiment, and FIG. 3 is a circuit diagram of a second embodiment of the present invention. The circuit diagram, FIGS. 4 and 5 are a circuit diagram showing an example of a conventional unlock detection circuit, and the timing diagram of each part signal to explain the operation of this unlock detection circuit, and FIG. 6 is a circuit diagram showing an example of a conventional unlock detection circuit. FIG. 2 is a block diagram of a target PLL circuit. 1, IA, 2.2A...detection circuit, 3...delay circuit, 10...phase frequency detector, 20...reduction filter, 30...voltage controlled oscillator, 40...frequency division vessel,
C1, C2...Capacitor, FF, FF2...Flip-flop, 01-G4...NOR gate, G. ~G7 G11~G21...NAND gate, ■0 ■ ~■5...Inverter,...Resistance.
Claims (1)
る電圧制御発振器からの信号と、周期的にレベル変化す
る基準入力信号との位相を比較してこれら信号の位相の
進み、遅れと対応しかつ位相差の大きさと対応した期間
能動レベルとなるアップ信号及びダウン信号を出力する
位相周波数検出器の前記アップ信号の能動レベルの期間
が前記基準入力信号の一周期より長くなったとき第1の
アンロック検出信号を出力する第1の検出回路と、前記
ダウン信号の能動レベルの期間が前記電圧制御発振器か
らの信号の一周期より長くなったとき第2のアンロック
検出信号を出力する第2の検出回路とを有することを特
徴とするアンロック検出回路。The phase of the signal from the voltage controlled oscillator, which is included in the target PLL circuit and whose level changes periodically, is compared with the reference input signal whose level changes periodically, and the phase lead or lag of these signals is determined. and when the period of the active level of the up signal of the phase frequency detector that outputs the up signal and the down signal that are at the active level for a period corresponding to the magnitude of the phase difference becomes longer than one period of the reference input signal, the first a first detection circuit that outputs an unlock detection signal; and a second detection circuit that outputs a second unlock detection signal when the active level period of the down signal becomes longer than one cycle of the signal from the voltage controlled oscillator. An unlock detection circuit comprising: a detection circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1106205A JPH02284521A (en) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | Unlocking detection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1106205A JPH02284521A (en) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | Unlocking detection circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02284521A true JPH02284521A (en) | 1990-11-21 |
Family
ID=14427660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1106205A Pending JPH02284521A (en) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | Unlocking detection circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02284521A (en) |
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5531310A (en) * | 1978-08-27 | 1980-03-05 | Japan Radio Co Ltd | Detection circuit for phase difference fluctuation |
-
1989
- 1989-04-25 JP JP1106205A patent/JPH02284521A/en active Pending
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