JPH02282382A - 4―ビニル1,3―ジオキソラン誘導体の製造方法 - Google Patents
4―ビニル1,3―ジオキソラン誘導体の製造方法Info
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- JPH02282382A JPH02282382A JP1101798A JP10179889A JPH02282382A JP H02282382 A JPH02282382 A JP H02282382A JP 1101798 A JP1101798 A JP 1101798A JP 10179889 A JP10179889 A JP 10179889A JP H02282382 A JPH02282382 A JP H02282382A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、4−ビニル−1,3−ジオキソラン誘導体の
新規な製造方法に関するものである。得られた化合物の
利用分野の例としては、単独に、または他のビニルモノ
マーと共に重合することにより、酸や塩基等に対して反
応性に富んだ1,3−ジオキソラン置換基を有する樹脂
を製造する原料として用いられる。
新規な製造方法に関するものである。得られた化合物の
利用分野の例としては、単独に、または他のビニルモノ
マーと共に重合することにより、酸や塩基等に対して反
応性に富んだ1,3−ジオキソラン置換基を有する樹脂
を製造する原料として用いられる。
(従来の技術)
1.3−ジオキソラン類の製造は、−船釣にはジオール
とケトンまたはアルデヒドとの酸触媒によるアセタール
化反応によって実施されろ。この方法による4−ビニル
置換体の製造にあたっては、ジオールとして、1,2−
ジオール−3−エンを原料とする必要がある。このジオ
ールは対応する1、2−オキサイドの加水分解により得
ることができるが、比較的不安定であるためジオキソラ
ン化合物を収量よく製造することは困難である。また、
Proceedlngs of the Ac
aclemy of 5cience ofthe
USSR,Chemistry 5ection
、 1 0 8 巻、 305〜307頁(19
5’ 6年)によれは、該ジオキシラン類は三フッ化ホ
ウ素エーテル錯体の存在下、ジエンモノオキサイドとケ
トンまたはアルデヒドの反応により製造可能である。し
かしその収率は低く、また反応時間も2日間を要するな
ど工業的実施可能な方法とは言えない。
とケトンまたはアルデヒドとの酸触媒によるアセタール
化反応によって実施されろ。この方法による4−ビニル
置換体の製造にあたっては、ジオールとして、1,2−
ジオール−3−エンを原料とする必要がある。このジオ
ールは対応する1、2−オキサイドの加水分解により得
ることができるが、比較的不安定であるためジオキソラ
ン化合物を収量よく製造することは困難である。また、
Proceedlngs of the Ac
aclemy of 5cience ofthe
USSR,Chemistry 5ection
、 1 0 8 巻、 305〜307頁(19
5’ 6年)によれは、該ジオキシラン類は三フッ化ホ
ウ素エーテル錯体の存在下、ジエンモノオキサイドとケ
トンまたはアルデヒドの反応により製造可能である。し
かしその収率は低く、また反応時間も2日間を要するな
ど工業的実施可能な方法とは言えない。
一方、 32nd Symposium on Or
ganometallic Chemistry、 J
apan B 101 (1985年)によれば、ブタ
ジェンまたはイソプレンから得られるモノオキサイドを
パラジウム触媒の存在下にモノオキサイドと等モルのア
ルデヒド類と反応させて、2位に置換基1個を有する4
−ビニル−1,3−ジオキソランが温和な条件下に収率
よく製造できることが示されている。しかしこの報告で
は、アルデヒドの代わりにケトンを使用すると反応は進
行しないとされている。
ganometallic Chemistry、 J
apan B 101 (1985年)によれば、ブタ
ジェンまたはイソプレンから得られるモノオキサイドを
パラジウム触媒の存在下にモノオキサイドと等モルのア
ルデヒド類と反応させて、2位に置換基1個を有する4
−ビニル−1,3−ジオキソランが温和な条件下に収率
よく製造できることが示されている。しかしこの報告で
は、アルデヒドの代わりにケトンを使用すると反応は進
行しないとされている。
(本発明が解決しようとする課題)
1.3−ジオキソラン置換基を有するビニルモノマーを
ラジカル重合させて、ジオキソラン置換基を有する高分
子化合物を得ようとすれは、ラジカル重合条件下に1,
3−ジオキソラン置換基は安定でなければならない。一
方、Journal of Organic Chem
istry、 53巻、2859頁(1988年)に
よれは、ジオキソランの2位の炭素が水素原子と結合す
る場合、即ちジエンモノオキサイドとアルデヒドから導
かれるジオキソラン類においては、ラジカル開始剤の存
在下に2位の水素の弓き抜き反応に基づく開環反応等が
進行することが明かとなっている。従って、このような
ジオキソランからは所望の高分子化合物を製造すること
は困難であると考えられる。ところが同じ論文ここよれ
ば、2位の炭素が四級炭素であるジオキソランの場合に
は、安定で開環反応も進行しないことが示されており、
式3に示すような、2位に四級炭素を有する4−ビニル
−1,3−ジオキソラン類の工業的製造実施可能な方法
の確立が期待されている。
ラジカル重合させて、ジオキソラン置換基を有する高分
子化合物を得ようとすれは、ラジカル重合条件下に1,
3−ジオキソラン置換基は安定でなければならない。一
方、Journal of Organic Chem
istry、 53巻、2859頁(1988年)に
よれは、ジオキソランの2位の炭素が水素原子と結合す
る場合、即ちジエンモノオキサイドとアルデヒドから導
かれるジオキソラン類においては、ラジカル開始剤の存
在下に2位の水素の弓き抜き反応に基づく開環反応等が
進行することが明かとなっている。従って、このような
ジオキソランからは所望の高分子化合物を製造すること
は困難であると考えられる。ところが同じ論文ここよれ
ば、2位の炭素が四級炭素であるジオキソランの場合に
は、安定で開環反応も進行しないことが示されており、
式3に示すような、2位に四級炭素を有する4−ビニル
−1,3−ジオキソラン類の工業的製造実施可能な方法
の確立が期待されている。
式3に示す構造のジオキソラン類を効率よく製造するに
はパラジウム触媒によるジエンモノオキサイドとケトン
のアセタール化反応を利用することが、原料入手の容易
さや、製造方法の簡便さ等の観点から最も望ましい。従
って、ジエンモノオキサイドとケトンの反応性を向上す
る反応条件を見出すことが問題解決のポイントとなる。
はパラジウム触媒によるジエンモノオキサイドとケトン
のアセタール化反応を利用することが、原料入手の容易
さや、製造方法の簡便さ等の観点から最も望ましい。従
って、ジエンモノオキサイドとケトンの反応性を向上す
る反応条件を見出すことが問題解決のポイントとなる。
(課題を解決するための手段)
比較例に示すように、例えばブタジェンモノオキサイド
とアセトンの反応を32nd Symposium o
nOrganometallic Chemistry
、 Japan B 101 (1985年)に示され
た方法で行っても、目的とする2、2−ジメチル−4−
ビニル−1,3−ジオキソランは6%の収率で得られる
のみである。この反応生成物を詳纒に調へた結果、副生
物の多くはブタジェンモノオキサイドが二重化した化合
物であることが判明した。従って目的生成物の収率向上
のためには、反応雰囲気においてジエンモノオキサイド
に対するケトンのモル比を大きくとることが有効である
と考えられる。本発明者等はこの観点から検討を進めた
結果、上記の原料のモル比を、僅か数倍から士数倍とす
ることによって、意外にも、目的物の収率は大幅に向上
することが見いだされ、本発明を完成した。
とアセトンの反応を32nd Symposium o
nOrganometallic Chemistry
、 Japan B 101 (1985年)に示され
た方法で行っても、目的とする2、2−ジメチル−4−
ビニル−1,3−ジオキソランは6%の収率で得られる
のみである。この反応生成物を詳纒に調へた結果、副生
物の多くはブタジェンモノオキサイドが二重化した化合
物であることが判明した。従って目的生成物の収率向上
のためには、反応雰囲気においてジエンモノオキサイド
に対するケトンのモル比を大きくとることが有効である
と考えられる。本発明者等はこの観点から検討を進めた
結果、上記の原料のモル比を、僅か数倍から士数倍とす
ることによって、意外にも、目的物の収率は大幅に向上
することが見いだされ、本発明を完成した。
即ち本発明は、下記のジエンモノオキサイド(式1)及
びケトン(式2)を、ケトンがジエンモノオキサイIζ
に対して過剰に存在する条件の下で、パラジウム触媒の
存在下に反応させることを特徴とする、下記の4−ビニ
ル−1,3−ジオキソラン誘導体′(式3)の製造方法
である。
びケトン(式2)を、ケトンがジエンモノオキサイIζ
に対して過剰に存在する条件の下で、パラジウム触媒の
存在下に反応させることを特徴とする、下記の4−ビニ
ル−1,3−ジオキソラン誘導体′(式3)の製造方法
である。
但し1記各式において、R1は水素またはメチル基を示
し、R2およびR3は炭素数1〜4の直鎮状アルキル基
またはアリール基を示す。ざらに、R2およびR3は共
に−(CH2)n−(。は4または5)で表される環状
置換基であってもよい。
し、R2およびR3は炭素数1〜4の直鎮状アルキル基
またはアリール基を示す。ざらに、R2およびR3は共
に−(CH2)n−(。は4または5)で表される環状
置換基であってもよい。
本発明に示された方法によって、式3に示された構造を
有する4−ビニル−1,3−ジオキソラン類が効率よく
製造される。
有する4−ビニル−1,3−ジオキソラン類が効率よく
製造される。
本発明には、ジエンモノオキサイドとして、1゜3−ブ
タジェンやイソプレンの酸化反応によって得られるブタ
ジェンモノオキサイド、イソプレンモノオキサイドが使
用される。
タジェンやイソプレンの酸化反応によって得られるブタ
ジェンモノオキサイド、イソプレンモノオキサイドが使
用される。
又、本発明には、ケトンとして、炭素数1〜4の直鎮状
アルキル基および/またはアリール基を有するケトンあ
るいは炭素数5〜6のシクロアルカノンが使用される。
アルキル基および/またはアリール基を有するケトンあ
るいは炭素数5〜6のシクロアルカノンが使用される。
また反応を妨害しないかぎり、該アリール基にはさらに
ハロゲノ基、ニトロ基、アルキル基、アリール基などの
置換基を有していてもよい。具体的には、アセトン、メ
チルエチルケトン、ジエチルケトン、メチル−n−プロ
ピルケトン、アセトフェノン、メチル−I)−)ルイル
ケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなとが例
示される。これらケトンの使用量はジエンモノオキサイ
ドとケトンの反応およびジエンモノオキサイド自身の三
量化反応との速度比によって決められるので一概にいえ
ないが、通常ケトンが過剰に存在する条件下に実施され
る。−船釣にはジエンモノオキサイドに対するケトンの
モル比としては1.5ないし100、好ましくは2ない
し50の範囲である。ケトンの使用量はケトンと触媒の
溶液にジエンモノオキサイドを滴下する方法をとること
によって、削減することも可能である。
ハロゲノ基、ニトロ基、アルキル基、アリール基などの
置換基を有していてもよい。具体的には、アセトン、メ
チルエチルケトン、ジエチルケトン、メチル−n−プロ
ピルケトン、アセトフェノン、メチル−I)−)ルイル
ケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなとが例
示される。これらケトンの使用量はジエンモノオキサイ
ドとケトンの反応およびジエンモノオキサイド自身の三
量化反応との速度比によって決められるので一概にいえ
ないが、通常ケトンが過剰に存在する条件下に実施され
る。−船釣にはジエンモノオキサイドに対するケトンの
モル比としては1.5ないし100、好ましくは2ない
し50の範囲である。ケトンの使用量はケトンと触媒の
溶液にジエンモノオキサイドを滴下する方法をとること
によって、削減することも可能である。
次に、本発明に使用されるパラジウム触媒につき説明す
る。
る。
本発明には、0価のパラジウム化合物が使用される。具
体的にはテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジ
ウム、カルボニルトリス(トリフェニルホスフィン)パ
ラジウム、ビス(イソシアン化し一ブチル)パラジウム
、エチレンビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム
、トリス(ジヘンジリデンアセトン)ニパラジウム等が
例示される。また下記に述べる配位子との組合せtこお
いて、反応系内で0価のパラジウムを生成する化合物、
例えば酢酸パラジウム、プロピオン酸パラジウムなども
配位子と組合せて使用することができる。ざらに塩化パ
ラジウム、硫酸パラジウム、硝酸パラジウム、炭酸パラ
ジウム、ジクロロビス(ベンゾニトリル)パラジウム、
パラジウムアセチルアセトナート、π−アリルパラジウ
ムアセテート等のような二価のパラジウム化合物も、同
一反応系または別の反応器中で、アルカリ金属水酸化物
や水素化ホウ素ナトリウム等の還元剤で低原子価パラジ
ウムを生成させることによって使用することが可能であ
る。またパラジウムは活性炭等の不活性担体上に担持し
たものも使用することができる。パラジウムの使用量は
、原料であるジエンモノオキサイドに対して0.000
1ないし1モル比、好ましくは0.001ないし0.
1モル比の範囲で使用される。
体的にはテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジ
ウム、カルボニルトリス(トリフェニルホスフィン)パ
ラジウム、ビス(イソシアン化し一ブチル)パラジウム
、エチレンビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム
、トリス(ジヘンジリデンアセトン)ニパラジウム等が
例示される。また下記に述べる配位子との組合せtこお
いて、反応系内で0価のパラジウムを生成する化合物、
例えば酢酸パラジウム、プロピオン酸パラジウムなども
配位子と組合せて使用することができる。ざらに塩化パ
ラジウム、硫酸パラジウム、硝酸パラジウム、炭酸パラ
ジウム、ジクロロビス(ベンゾニトリル)パラジウム、
パラジウムアセチルアセトナート、π−アリルパラジウ
ムアセテート等のような二価のパラジウム化合物も、同
一反応系または別の反応器中で、アルカリ金属水酸化物
や水素化ホウ素ナトリウム等の還元剤で低原子価パラジ
ウムを生成させることによって使用することが可能であ
る。またパラジウムは活性炭等の不活性担体上に担持し
たものも使用することができる。パラジウムの使用量は
、原料であるジエンモノオキサイドに対して0.000
1ないし1モル比、好ましくは0.001ないし0.
1モル比の範囲で使用される。
次に本発明に好ましく用いられることがある配位子につ
いて説明する。
いて説明する。
配位子は、反応系内で低原子価パラジウムを安定化する
ために使用される。従って、反応系内でパラジウムが安
定に触媒作用を行う限り使用する必要はない。しかしな
がら、例えば2,3−0−イソプロピリデン−2,3−
ジヒドロキシ−1゜4−ビス(ジフェニルホスフィノ)
ブタン(以後DIOPと略記)のように、反応を促進す
るものもある。配位子の例としては、トリフェニルホス
フィン、トリトルイルホスフィン、ジフェニルベンジル
ホスフィン、ジフェニルメチルホスフィンなどの第三級
ホスフィン類が使用される。またDIOPなどの二座配
位子も使用することができる。
ために使用される。従って、反応系内でパラジウムが安
定に触媒作用を行う限り使用する必要はない。しかしな
がら、例えば2,3−0−イソプロピリデン−2,3−
ジヒドロキシ−1゜4−ビス(ジフェニルホスフィノ)
ブタン(以後DIOPと略記)のように、反応を促進す
るものもある。配位子の例としては、トリフェニルホス
フィン、トリトルイルホスフィン、ジフェニルベンジル
ホスフィン、ジフェニルメチルホスフィンなどの第三級
ホスフィン類が使用される。またDIOPなどの二座配
位子も使用することができる。
パラジウムに対するこれら配位子の使用量は、工ないし
50モル比、好ましくは2ないし10モル比の範囲であ
る 溶媒について 本発明においては、反応に必ずしも溶媒を使用する必要
はないが、ケトンが反応条件下に固体であったり、その
他の理由によって反応系を希釈する必要がある場合は、
溶媒を使用してもよい。使用される溶媒の種類及び使用
量は、目的とする反応を阻害したり、原料と溶剤が反応
しないかぎり任意であるが、例えば、テトラヒドロフラ
ン、ジエチルエーテル、ジオキサン、ジイソプロピルエ
ーテルなどのエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレ
ンなどの芳香属炭化水素類などが使用できる。
50モル比、好ましくは2ないし10モル比の範囲であ
る 溶媒について 本発明においては、反応に必ずしも溶媒を使用する必要
はないが、ケトンが反応条件下に固体であったり、その
他の理由によって反応系を希釈する必要がある場合は、
溶媒を使用してもよい。使用される溶媒の種類及び使用
量は、目的とする反応を阻害したり、原料と溶剤が反応
しないかぎり任意であるが、例えば、テトラヒドロフラ
ン、ジエチルエーテル、ジオキサン、ジイソプロピルエ
ーテルなどのエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレ
ンなどの芳香属炭化水素類などが使用できる。
本発明反応は回分式、連続式のいずれの方法によっても
実施可能である。以下に本発明の比較例および実施例と
その結果を示し、本発明の具体例及びその効果を明かに
する。
実施可能である。以下に本発明の比較例および実施例と
その結果を示し、本発明の具体例及びその効果を明かに
する。
比較例
内容量20m1のフラスコに窒素雰囲気下、テトラキス
(トリフェニルホスフィン)パラジウム11、 6mg
(0,01ミリmol)、テトラヒドロフラン1.m
f、アセトン58mg(1ミリmo1)およびブタジェ
ンモノオキサイド70.1mg(1ミリm o 1.
)を仕込み、室温で30分攪拌した。反応液をガスクロ
マトグラフィーによって分析した結果、ブタジェンモノ
オキサイドの転化率は99%であり、2,2−ジメチル
−4−ビニル−1,3−ジオキソランへの選択率は6%
であった。
(トリフェニルホスフィン)パラジウム11、 6mg
(0,01ミリmol)、テトラヒドロフラン1.m
f、アセトン58mg(1ミリmo1)およびブタジェ
ンモノオキサイド70.1mg(1ミリm o 1.
)を仕込み、室温で30分攪拌した。反応液をガスクロ
マトグラフィーによって分析した結果、ブタジェンモノ
オキサイドの転化率は99%であり、2,2−ジメチル
−4−ビニル−1,3−ジオキソランへの選択率は6%
であった。
実施例1〜4
内容20m、eのフラスコに窒素雰囲気下、テトラキス
(トリフェニルホスフィン)パラジウム11.6mg(
0,01ミリm01)、表1に示すケトンおよびブタジ
ェンモノオキサイド70.1mg(1ミリm01)を仕
込み、この溶液を所定の温度で所定の時間攪拌した。反
応液をガスクロマトグラフィーによって分析した結果を
表1に示した。
(トリフェニルホスフィン)パラジウム11.6mg(
0,01ミリm01)、表1に示すケトンおよびブタジ
ェンモノオキサイド70.1mg(1ミリm01)を仕
込み、この溶液を所定の温度で所定の時間攪拌した。反
応液をガスクロマトグラフィーによって分析した結果を
表1に示した。
実施例5
実施例1において、ブタジェンモノオキサイドの代わり
にイソプレンモノオキサイドを使用した以外は実施例1
と同様な操作を行った。反応液の分析の結果、イソプレ
ンモノオキサイドの転化率は98%であり、2. 2.
4−)ツメチル−4−ビニル−1,3−ジオキソラン
への選択率は80%であった。
にイソプレンモノオキサイドを使用した以外は実施例1
と同様な操作を行った。反応液の分析の結果、イソプレ
ンモノオキサイドの転化率は98%であり、2. 2.
4−)ツメチル−4−ビニル−1,3−ジオキソラン
への選択率は80%であった。
実施例6
実施例1において、触媒として酢酸パラジウム2、 2
m、g (0,01ミリmol)、 (+) D l0
P22.1mg(0,02ミリmol)を使用し、アセ
トン1.59g(27,4ミリmol)ブタジェンモノ
オキサイド438.2mg(6゜3ミリm o 1 )
を使用し、かつ反応時間を1時間とした以外は実施例1
と同様な操作を行った。反応液の分析の結果、ブタジェ
ンモノオキサイドの転化率は98.7%で、2,2−ジ
メチル−4−ビニル−1,3−ジオキソランへの選択率
は99%以上であった。
m、g (0,01ミリmol)、 (+) D l0
P22.1mg(0,02ミリmol)を使用し、アセ
トン1.59g(27,4ミリmol)ブタジェンモノ
オキサイド438.2mg(6゜3ミリm o 1 )
を使用し、かつ反応時間を1時間とした以外は実施例1
と同様な操作を行った。反応液の分析の結果、ブタジェ
ンモノオキサイドの転化率は98.7%で、2,2−ジ
メチル−4−ビニル−1,3−ジオキソランへの選択率
は99%以上であった。
Claims (1)
- (1)ブタジエンまたはイソプレンの酸化反応によって
得られる下記のジエンモノオキサイド(式1)およびケ
トン(式2)を、ケトンがジエンモノオキサイドに対し
て過剰に存在する条件の下で、パラジウム触媒の存在下
に反応させることを特徴とする、下記の4−ビニル−1
,3−ジオキソラン誘導体(式3)の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼(式1)▲数式、化
学式、表等があります▼(式2)▲数式、化学式、表等
があります▼(式3)但し上記各式において、R^1は
水素またはメチル基を示し、R^2およびR^3は炭素
数1〜4の直鎖状アルキル基またはアリール基を示す。 さらに、R^2およびR^3は共に−(CH_2)_n
−(nは4または5)で表される環状置換基であっても
よい。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1101798A JPH02282382A (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | 4―ビニル1,3―ジオキソラン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1101798A JPH02282382A (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | 4―ビニル1,3―ジオキソラン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02282382A true JPH02282382A (ja) | 1990-11-19 |
Family
ID=14310168
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1101798A Pending JPH02282382A (ja) | 1989-04-24 | 1989-04-24 | 4―ビニル1,3―ジオキソラン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02282382A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112473748A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-03-12 | 北京交通大学 | 一种可控氧化的四三苯基膦钯催化剂及其制备方法和用途 |
-
1989
- 1989-04-24 JP JP1101798A patent/JPH02282382A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112473748A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-03-12 | 北京交通大学 | 一种可控氧化的四三苯基膦钯催化剂及其制备方法和用途 |
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