JPH02281694A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JPH02281694A JPH02281694A JP1102446A JP10244689A JPH02281694A JP H02281694 A JPH02281694 A JP H02281694A JP 1102446 A JP1102446 A JP 1102446A JP 10244689 A JP10244689 A JP 10244689A JP H02281694 A JPH02281694 A JP H02281694A
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- JP
- Japan
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- viahole
- dielectric
- conductor
- capacitor
- dielectric constant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はコンデンサを内部に一体形成した配線基板に関
し、特にバイアホール部のコンデンサを貫通する配線用
導体とその周囲の構造とに関する。
し、特にバイアホール部のコンデンサを貫通する配線用
導体とその周囲の構造とに関する。
従来、この種の配線基板は第３図に示す様に、コンデン
サ層誘電体３１の両面にコンデンサ電極導体３２を形成
したコンデンサを配線層誘電体３４で挟み、その表面に
配線導体３５ａと３５ｂを形成し１両配線導体３５ａと
３５ｂ間をコンデンサ層の誘電体３１とその上の配線層
誘電体３４とを貫通して形成したバイアホール３６内に
設けた導体３７によって接続した構成を有していた。
サ層誘電体３１の両面にコンデンサ電極導体３２を形成
したコンデンサを配線層誘電体３４で挟み、その表面に
配線導体３５ａと３５ｂを形成し１両配線導体３５ａと
３５ｂ間をコンデンサ層の誘電体３１とその上の配線層
誘電体３４とを貫通して形成したバイアホール３６内に
設けた導体３７によって接続した構成を有していた。
上述した従来のバイアホールは導体３７の貫通する誘電
体の誘電率が高い場合、他の導体との間の浮遊容量が増
大するという欠点がある。さらにバイアホール部分は浮
彫容量の増大によって特性インピーダンスが高くなりバ
イアホール部分において配線とのインピーダンスの不整
合が起こるという欠点がある。
体の誘電率が高い場合、他の導体との間の浮遊容量が増
大するという欠点がある。さらにバイアホール部分は浮
彫容量の増大によって特性インピーダンスが高くなりバ
イアホール部分において配線とのインピーダンスの不整
合が起こるという欠点がある。
本発明は、高誘電率のシート状誘電体とこの両面に形成
した電極とから成るコンデンサ（以下コンデンサ層と呼
ぶ）を内部に一体形成した配線基板において、コンデン
サ層を貫通する第１の導体の周囲にコンデンサ層より低
誘電率の誘電体を有し、この低誘電率の誘電体とコンデ
ンサ層との境界に第１の導体と絶縁された第２の導体を
有することを特徴とする。
した電極とから成るコンデンサ（以下コンデンサ層と呼
ぶ）を内部に一体形成した配線基板において、コンデン
サ層を貫通する第１の導体の周囲にコンデンサ層より低
誘電率の誘電体を有し、この低誘電率の誘電体とコンデ
ンサ層との境界に第１の導体と絶縁された第２の導体を
有することを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は、本発明の第１の実施例の縦断面図である。コンデン
サ層誘電体１１は、平均粒径１μｍ、比誘電率１２００
０の鉛複合ペロブスカイト系のセラミックス粉末に有機
溶剤とポリビニルブチラールとを加えて混合し、ドクタ
ーブレードにより成膜したのち乾燥した厚さ１．２ｍｍ
のセラミックグリーンシートに直径１．９ｍｍの高誘電
率誘電体と低誘電率誘電体との境界に位置する導体を設
置するための穴（以下バイアホールガイド穴と呼ぶ）１
３をパンチングにより形成した後、５００℃にて１０時
間バインダ除去を行った後、９００°Ｃで３時間焼成し
たものである。コンデンサ電極導体１２はコンデンサ層
誘電体１１に無電界銅メツキと電解銅メツキとにより形
成した厚さ１０μｍの銅メツキ被膜にバイアホールガイ
ド穴１３の周囲を片面のみ半径２ｆｆｉＩ１１、幅０．
５ｍｍにわたりエツチングにより除去することにより形
成した。
は、本発明の第１の実施例の縦断面図である。コンデン
サ層誘電体１１は、平均粒径１μｍ、比誘電率１２００
０の鉛複合ペロブスカイト系のセラミックス粉末に有機
溶剤とポリビニルブチラールとを加えて混合し、ドクタ
ーブレードにより成膜したのち乾燥した厚さ１．２ｍｍ
のセラミックグリーンシートに直径１．９ｍｍの高誘電
率誘電体と低誘電率誘電体との境界に位置する導体を設
置するための穴（以下バイアホールガイド穴と呼ぶ）１
３をパンチングにより形成した後、５００℃にて１０時
間バインダ除去を行った後、９００°Ｃで３時間焼成し
たものである。コンデンサ電極導体１２はコンデンサ層
誘電体１１に無電界銅メツキと電解銅メツキとにより形
成した厚さ１０μｍの銅メツキ被膜にバイアホールガイ
ド穴１３の周囲を片面のみ半径２ｆｆｉＩ１１、幅０．
５ｍｍにわたりエツチングにより除去することにより形
成した。
配線層誘電体１４は、厚さＱ、ｌ１ｍｍで比誘電率３．
１のポリイミド樹脂をスピンコータによりコンデンサ電
極導体１２の両面にコーティングし、バイアホールのガ
イド穴１３に充填した後、２００ ’Ｃにて２時間硬化
させた。さらに無電解銅メツキと電解銅メツキとにより
厚さ１０μｍの銅被膜を形成し、エツチングすることに
より配線導体１５ａ。
１のポリイミド樹脂をスピンコータによりコンデンサ電
極導体１２の両面にコーティングし、バイアホールのガ
イド穴１３に充填した後、２００ ’Ｃにて２時間硬化
させた。さらに無電解銅メツキと電解銅メツキとにより
厚さ１０μｍの銅被膜を形成し、エツチングすることに
より配線導体１５ａ。
１５ｂを設けた。バイアホール１６は直径０．４ｍｍの
超硬合金のドリルにより形成され、その内壁に銅のバイ
アホールメツキからなる導体１７を形成して配線基板が
完成した。
超硬合金のドリルにより形成され、その内壁に銅のバイ
アホールメツキからなる導体１７を形成して配線基板が
完成した。
表１に従来のバイアホールと本実施例のバイアホールの
特性を示す。
特性を示す。
表−１
これから本実施例では浮遊容量、特性インピーダンス共
、従来のものより低下していることがわがる。
、従来のものより低下していることがわがる。
第２図は本発明の第２の実施例の縦断面図である。コン
デンサ層誘電体２１とコンデンサ電極導体２２とバイア
ホールガイド穴２３とは第１の実施例と同じである。配
線層誘電体２４は厚さ０．６ｍ！ｌのガラス布エポキシ
板で比誘電率４．７である。
デンサ層誘電体２１とコンデンサ電極導体２２とバイア
ホールガイド穴２３とは第１の実施例と同じである。配
線層誘電体２４は厚さ０．６ｍ！ｌのガラス布エポキシ
板で比誘電率４．７である。
配線導体２５ａ、２５ｂは配線層誘電体２４に張り合わ
された厚さ１５μｍの銅でエツチングにより不要部分が
取り除がれている。コンデンサ層誘電体２１と配線層誘
電体２４は比誘電率３．０のシリコーン樹脂よりなる接
着層誘電体２８により２５℃にて３０ｋｇ／ｍｍ２の圧
力で圧着され７０’Ｃで１時間放置され接着される。バ
イアホール２６は直径０．４＋ｎｍの超硬合金のドリル
により形成され、その内壁に銅のバイアホールメツキか
らなる導体２７を形成する。
された厚さ１５μｍの銅でエツチングにより不要部分が
取り除がれている。コンデンサ層誘電体２１と配線層誘
電体２４は比誘電率３．０のシリコーン樹脂よりなる接
着層誘電体２８により２５℃にて３０ｋｇ／ｍｍ２の圧
力で圧着され７０’Ｃで１時間放置され接着される。バ
イアホール２６は直径０．４＋ｎｍの超硬合金のドリル
により形成され、その内壁に銅のバイアホールメツキか
らなる導体２７を形成する。
表２に従来のバイアホールと本実施例のバイアホールの
特性を示す。
特性を示す。
表−２
この実施例の場合も従来例に比べて浮遊容量、特性イン
ピーダンス共に減少している。
ピーダンス共に減少している。
なお、上記実施例においては有機材料と無機材料の組み
合わせについてのみ示したが、有機材料、無機材料同士
の組み合わせにおいても有効である。
合わせについてのみ示したが、有機材料、無機材料同士
の組み合わせにおいても有効である。
以上説明したように、本発明は高誘電率のコンデンサ層
を内部に一体形成した配線基板において、バイアホール
のコンデンサ層を貫通する導体の周囲をコンデンサ層よ
り低誘電率の誘電体で囲み、さらに導体で囲むことによ
りバイアホール部分が同軸線路と同様になるため、特性
インピーダンスの設定ができるので配線の特性インピー
ダンスと整合できる効果がある。さらに誘電率の高いコ
ンデンサ層との間に低誘電率の誘電体を有するためバイ
アホールの浮遊容量が低下できる効果がある。
を内部に一体形成した配線基板において、バイアホール
のコンデンサ層を貫通する導体の周囲をコンデンサ層よ
り低誘電率の誘電体で囲み、さらに導体で囲むことによ
りバイアホール部分が同軸線路と同様になるため、特性
インピーダンスの設定ができるので配線の特性インピー
ダンスと整合できる効果がある。さらに誘電率の高いコ
ンデンサ層との間に低誘電率の誘電体を有するためバイ
アホールの浮遊容量が低下できる効果がある。
２２．３２・・・コンデンサ電極導体、１３．２３・・
・バイアホールガイド穴、１４，２４．３４・・・配線
層誘電体、１５ａ、１５ｂ、２５ａ、２５ｂ。
・バイアホールガイド穴、１４，２４．３４・・・配線
層誘電体、１５ａ、１５ｂ、２５ａ、２５ｂ。
３５ａ、３５ｂ−−−配線導体、１６，２６．３６・、
−バイアポール、１７，２７．３７・・・導体、２８・
・・接着層誘電体。
−バイアポール、１７，２７．３７・・・導体、２８・
・・接着層誘電体。
代理人 弁理士 内 原 晋
第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図、第２図は本
発明の第２の実施例の断面図、第３図は従来例の縦断面
図である。 １１．２１．３１・・・コンデンサ層誘電体、１２゜ｌ
ど因
発明の第２の実施例の断面図、第３図は従来例の縦断面
図である。 １１．２１．３１・・・コンデンサ層誘電体、１２゜ｌ
ど因
Claims (1)
- 高誘電率のシート状誘電体とこのシート状誘電体の両面
に対向形成した電極とから構成されたコンデンサを内部
に一体形成した配線基板において、前記コンデンサを厚
さ方向に貫通する第１の導体の周囲にコンデンサより低
誘電率の誘電体を有し、前記低誘電率の誘電体と前記コ
ンデンサとの境界に前記第１の導体と絶縁された第２の
導体を有することを特徴とする配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1102446A JPH02281694A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1102446A JPH02281694A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02281694A true JPH02281694A (ja) | 1990-11-19 |
Family
ID=14327695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1102446A Pending JPH02281694A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02281694A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009064869A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Toppan Printing Co Ltd | 多層配線板及びその製造方法 |
| JP4634665B2 (ja) * | 2001-08-20 | 2011-02-16 | 富士通株式会社 | キャパシタ内蔵回路基板及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-04-21 JP JP1102446A patent/JPH02281694A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4634665B2 (ja) * | 2001-08-20 | 2011-02-16 | 富士通株式会社 | キャパシタ内蔵回路基板及びその製造方法 |
| JP2009064869A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Toppan Printing Co Ltd | 多層配線板及びその製造方法 |
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