JPH02281026A - イメージセンサ材料とイメージセンサ用光導波路の製造方法とイメージセンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ファクシミリやイメージスキャナなどに用い
られる密着型イメージセンサに関するものである。

従来の技術 第４図は、従来から提案されているイメージセンサの断
面図を示す。

第４図において、２１はＬＥＤアレイ、２２は被読取原
稿、２３はロッドレンズアレイ、２４は光電変換素子ア
レイ、２５はプリント基板、２７はガラス板、２６はシ
リコーン成形物である。

このような構成において、ＬＥＤアレイ２１から放射さ
れる光を被読取原稿２３上に照射させ、この原稿２３か
らの反射光をロッドレンズアレイ２３を用いて光電変換
素子アレイ２４に吸収させ反射光量によって原稿上の情
報を読み取るように構成されている。そして、前記光電
変換素子アレイ２４はプリント基板２５とワイヤボンデ
ィング等にて単純に接続され、さらにこの接続部分をシ
リコーン樹脂２６で封止している。

発明が解決しようとする課題 しかし上記従来のイメージセンサでは、原稿からの反射
光を光電変換素子アレイに伝達するのに高価なロッドレ
ンズアレイを用いているため、コストが高（なるという
問題がある。

このようなロッドレンズアレイに替えて導波路を用いる
ことが考えられるが、従来の導波路はモノマーキャステ
ィング法に基いて製造されるため、膜厚が均一にならな
い、大面積化が困難である、必要な所に必要な形状で膜
を形成することが困難であるといった問題があり、良質
の導波路を用いた低コストのイメージセンサを提供する
ことが望まれている。

課題を解決するための手段 請求項１の発明は、ビスフェノールＦ系エポキシ樹脂と
、（１）式で示されるイミダゾール系硬化剤を、重量比
で９：１に混合したもののなかに、イソシヌアレート基
を有するポリエン−ポリチオール付加重合化合物（（２
）式＋（４）式：（３）式＋（！５）式）を、１０ｗｔ
％から５Ｑｗｔ％混合したもののなかに、少なくとも１
つ以上のフェニル基と不飽和の２重結合を有する官能基
を持ったシラン化合物を、１ｗｔ％以上１以上１火 により重合して得られるイメージセンサ材料。

ＣＨ　−ＣＨ　＝ＣＨ２ ■ Ｃ１ｌ，　＝ＣＨ　−Ｃ）ｌ，、　−Ｒ　−ＣＩ−Ｃｌ
　＝ＣＢ２Ｉ２ を１ｗｔ％以上１以上１篤 を、薄層型アプリケータを用いて薄膜を形成し、これに
スリットを有するマスクを通してＵＶ光を照射し、その
のち、減圧真空にしてモノマーを取り除（ことによって
イメージセンサ用先導波路を得ることを特徴とするイメ
ージセンサ用先導波路の製造方法。

υ 請求項２の発明は、ビスフェノールＦ系エポキシ樹脂と
、（１）式で示されるイミダゾール系硬化剤を、重量比
で９＝１に混合したもののなかに、イソシヌアレート基
を有するポリエン−ポリチオール付加重合化合物（（２
）式＋■式：（３）式＋（５）式）を、１　０　ｗ　ｔ
％から５Ｑｗｔ％混合したもののなかに、少なくとも・
１つ以上のフェニル基と不飽和の２重結合を有する官能
基を持ったシラン化合物ＣＦＩ−ＣＨ＝ＣＩ（２ ＣＨ　　＝ＣＨ−ｅｌｌ，−Ｒ−ＣＩ−Ｃ）Ｉ＝ＣＩ２
ＣＩ　　−ＣＩ　　−０−Ｃ−ＣＨ２−ＣＨ２−５ｉｔ
請求項３の発明は、ビスフェノールＦ系エポキシ樹脂と
、（１）式で示されるイミダゾール系硬化剤を重量比９
：１に混合したもののなかに、イソシヌアレート基を有
するポリエン−ポリチオール型付加重合化合物（（２）
式＋（４）式，（３）式＋（５）式）を１０ｗｔ％から
５　０　ｗ　ｔ％混合したもののなかに、少なくとも１
つ以上のフェニル基と不飽和の２重結合を有する官能基
を持ったシラン化合物を光変換受光素子が形成されたガ
ラス基板上に塗布して薄膜を形成し、これに光電変換素
子の位置をあわせたマスクを通してＵＶ光を照射し、そ
ののち減圧真空によって未反応物を取り除き、先導波路
をガラス基板上に得、光導波路が形成された受光素子か
らのひき出し電極と、処理回路部のひき出し電極部とを
、インターコネクタにより接続してイメージセンサを得
ることを特徴とするイメージセンサの製造方法。

作　　　用 本発明において、ビスフェノールＦ／イミダゾール系エ
ポキシ樹脂と、イソシヌアレート基を有するポリエン−
ポリチオール型付加重合化合物は、光導波路のコア材と
しての作用をし、少なくとも１つ以上のフェニル基と不
飽和の２重結合を有する官能基を持ったシラン化合物は
、クラツド材としての作用をする。

実施例 以下、本発明の実施例を第１図〜第３図に基づいて説明
する。

まず、母材料として、ビスフェノールＦ系エポキシ樹脂
を９ｇ、請求の範囲（１）で示した化学構造式（１）式
のイミダゾール系硬化剤を１ｇ混合したもののなかに、
請求の範囲（１）で示した化学構造式のポリエン−ポリ
チオール型付加重合化合物（（２）武士（４）式）を２
０　ｗ　ｔ％混合したもののなかに、ジフェニルアリル
シランを２　ｗ　ｔ％混合した混合物をこれをガラス基
板上に塗布して薄層アプリケータを用いて、厚み５０μ
ｍの厚膜を作成した。この厚膜に２５０Ｗ超高圧水銀灯
を５分間照射し、ベースのポリスチレンとともにその屈
折率を測定した。その結果ベースのエポキシ樹脂が１．
５９であるのに対して、本発明のグラフト材料は１．４
９１のものが得られた。これ、により、トリフェニルシ
ランの重量分率を変化させることによって、１．４８８
から１．５２まで屈折率を変えることが可能なことがわ
かった。

前記材料系を用い、第１図で示す製造プロセスにより、
屈折率の異なるステップインデックス型のポリマーシー
トを作製した。

■　モノマ含有フィルムの形成（第１図（ａ））母材と
してビスフェノールＦ／イミダゾール系材料を用い、ド
ープモノマーとしてジフェニルアリルシランを用いて、
キャスティングによりフィルム１１（５〜１００μｍｔ
）を形成する。

■　マスク露光による選択的光重合（第１図（ｂ））所
望のパターンのホトマスク１２をフィルム１１上に重ね
、紫外線ＵＶ露光により、露光部１３のみ光重合を起こ
させ、パターンの転写をする。

■　未反応モノマーの除去（第１図（Ｃ））未露光部１
４の残存モノマーを真空乾燥により除去す１５は、第２
図に示すような屈折率の分布が確認された。これより、
このシート１５を導波路として用いることが可能である
ことがわかった。

以下に示す構成のこのようなポリマーシート１５を高分
子光導波路３に用いたイメージセンサヘッドの構成を説
明する。

第３図において、ｌは光源、２は被読取原稿、４は光電
変換素子アレイ、５はプリント基板、６は保護膜（封止
樹脂）、７はインターコネクタ、８はガラス基板である
。

このような構成において、光源１を発光させ、被読取原
稿２上に照射させる。そして、その反射光を光導波路３
で集光し、光電変換素子アレイ４に吸収させる。この際
、この反射光量によって被読取原稿２の情報を読みとる
ことができる。

また、光電変換素子アレイ４から出力された信号は、イ
ンターコネクタ７でプリント基板５に送られるが、本実
施例では光電変換素子アレイ４とプリント基板５とを、
インターコネクタ７によって接続しているので、光電変
換素子アレイ４、あるいはプリント基板５の一方に不良
が生じた際に、両者の分離が容易であり、不良の分だけ
を取り換えれば他の正常な方をそのまま使える。従って
両者を廃棄する必要がなくなる。

発明の効果 請求項１の発明によれば光導波路を形成するのに好適な
イメージセンサ用光導波路の素材を得ることができ、請
求項２の発明によれば前記素材を用いて膜厚が均一で大
面積化や必要な所に必要な形状で形成することができる
イメージセンサ用光導波路を得ることができ、そして請
求項３の発明によれば前記光導波路を用いた良質で低コ
ストのイメージセンサを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例の光導波路を作製するためのプ
ロセス図、第２図はポリマーシートの屈折率の分布状態
を示す図、第３図はイメージセンサの断面図、第４図は
従来のイメージセンサヘッド部の断面図である。 １・・・・・・ＬＥＤアレイ、２・・・・・・被読取原
稿、３・・・・・・高分子光導波路、４・・・・・・光
電変換素子アレイ、５・・・・・・プリント基板、６・
・・・・・保護膜、７・・・・・・インターコネクタ、
８・・・・・・ガラス基板、１１・・・・・・フィルム
、１２・・・・・・ホトマスク、１３・・・・・・露光
部、１４・・・・・・未露光部、１５・・・・・・ポリ
マシート。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）ビスフェノールＦ系エポキシ樹脂と、（１）式で
   示されるイミダゾール系硬化剤を、重量比で９：１に混
   合したもののなかに、イソシヌアレート基を有するポリ
   エン−ポリチオール付加重合化合物（（２）式＋（４）
   式：（３）式＋（５）式）を、１０ｗｔ％から５０ｗｔ
   ％混合したもののなかに、少なくとも１つ以上のフェニ
   ル基と不飽和の２重結合を有する官能基を持ったシラン
   化合物を、１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下混合し、ＵＶ光
   により重合して得られるイメージセンサ材料。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （１） ▲数式、化学式、表等があります▼ （２） ＣＨ＿２＝ＣＨ−ＣＨ＿２−Ｒ−ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ＿２
   （３） ▲数式、化学式、表等があります▼ （４） ▲数式、化学式、表等があります▼ （５） （２）ビスフェノールＦ系エポキシ樹脂と、（１）式で
   示されるイミダゾール系硬化剤を、重量比で９：１有す
   るポリエン−ポリチオール付加重合化合物（（２）式＋
   （４）式：（３）式＋（５）式）を、１０ｗｔ％から５
   ０ｗｔ％混合したもののなかに、少なくとも１つ以上の
   フェニル基と不飽和の２重結合を有する官能基を持った
   シラン化合物を１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下混合した混
   合物を、薄層型アプリケータを用いて薄膜を形成し、こ
   れにスリットを有するマスクを通してＵＶ光を照射し、
   そののち、減圧真空にしてモノマーを取り除くことによ
   ってイメージセンサ用光導波路を得ることを特徴とする
   イメージセンサ用光導波路の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （１） ▲数式、化学式、表等があります▼ （２） ＣＨ＿２＝ＣＨ−ＣＨ＿２−Ｒ−ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ＿２
   （３） ▲数式、化学式、表等があります▼ （４） ▲数式、化学式、表等があります▼ （５） （３）ビスフェノールＦ系エポキシ樹脂と、（１）式で
   示されるイミダゾール系硬化剤を重量比９：１に混合し
   たもののなかに、イソシヌアレート基を有するポリエン
   −ポリチオール型付加重合化合物（（２）式＋（４）式
   、（３）式＋（５）式）を１０ｗｔ％から５０ｗｔ％混
   合したもののなかに、少なくとも１つ以上のフェニル基
   と不飽和の２重結合を有する官能基を持ったシラン化合
   物を光変換受光素子が形成されたガラス基板上に塗布し
   て薄膜を形成し、これに光電変換素子の位置をあわせた
   マスクを通してＵＶ光を照射し、そののち減圧真空によ
   って未反応物を取り除き、光導波路をガラス基板上に得
   、光導波路が形成された受光素子からのひき出し電極と
   、処理回路部のひき出し電極部とを、インターコネクタ
   ーにより接続してイメージセンサを得ることを特徴とす
   るイメージセンサの製造方法。