JPH03188402A - 平板型プラスチック光導波路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、プラスチック光導波路に関し、特に光通信あ
るいは画像伝送用の光コネクタあるいは分波器等の光学
部品に使用可能な平板型プラスチック光導波路に関する
ものである。

［従来の技術］ 光学部品あるいは光ファイバの基材としては、光伝送損
失が小さくかつ伝送帯域が広いことから、一般に石英ガ
ラスおよび多成分ガラス等の無機系の物質が使用されて
いる。

一方、プラスチックを基材とする光学部品も開発されて
いる。これらに用いられるプラスチック光学材料は、無
機系の光学材料に比べて加工性が良く、取扱い易いので
、これを用いると比較的特性のよい光導波路を容易に作
製できるのではないかという期待から注目されている。

平板型プラスチック光導波路の製作方法として従来から
知られている代表的な方法は、選択光重合法および感光
性樹脂を利用する方法の２つである。

選択光重合法はポリマに含ませたモノマを選択的に重合
させ、重合部の屈折率を変化させることによりパターン
状の光導波路を作製するものである。まず、第４図（Ａ
）に示すように、ポリカーボネートなどの透明性ポリマ
にアクリル酸メチル等の低屈折率モノマを含有させた低
屈折率モノマ含有ポリマシートまたは基体１１の表面に
所定のパターンを有するマスク１２を載せ、紫外線１３
を照射することにより、マスク１２のパターンにしたが
って低屈折率モノマな選択的に重合させる。ポリマシー
トのうち、重合した部分の屈折率は高屈折率ポリマ母材
の屈折率より低くなる０次に第４図（Ｂ）に示すように
、ポリマシートを真空中で加熱し、紫外線で露光されな
かった部分の未反応のモノマ１４を除去する。その結果
未露光部分は高屈折率のポリマのみとなる。このように
してコア１５となる高屈折率部が所定のパターンで形成
されたパターン化シート１６を得る。そして、最後に第
４図（Ｃ）に示すように、パターン化シート１６を低屈
折率のポリマからなるクラッド１７ではさんで部品化す
る。

一方、感光性樹脂を利用する作製方法は感光性樹脂をパ
ターン状に露光し、選択的に架橋をおこさせ、現像によ
り未露光部分を除去し、コアパターンを得るものである
。まず、第５図（Ａ）に示すように、下部クラッドとな
るポリマ２２をデイツプあるいはスピンコーティングに
より基板２１上に塗布する。ついで、第５図（Ｂ）に示
すようにクラッド２２の上に感光性の架橋剤を含むウレ
タン樹脂のようなポリマ２３を同様に塗布する０次に、
マスク２４を用い、塗布されたポリマ２３にパターン状
に紫外線２５を照射することにより選択的に架橋させる
。次に基板を溶媒に浸せきすることにより未露光部を除
去し、第５図（Ｃ）に示すように、コア２６のパターン
を得る。最後に第５図（Ｄ）に示すように、クラツド材
をデイツプあるいはスピンコードまたはラミネートする
ことにより上部クラッド２７を形成し部品化する。

光損失が少ない実用的光部品を得るためには、光導波路
の作製において、光導波膜が良質であり、微細加工によ
って形成されるパターンの信頼性が高いことが必要であ
る。すなわち、材料としては、材料自身の光損失が少な
いものであり、膜厚および屈折率の制御が高精度にでき
るものが好ましい。一方、微細加工においてはコア側壁
の平滑性９寸法安定性、再現性が高いことなどが重要で
ある。

［発明が解決しようとする課題］ プラスチック材料を用いた場合、選択光重合法および感
光性樹脂を利用する方法の両者とも低波長（０，４８〜
１．１μｍ）では比較的低損失であるが、プラスチック
を構成する炭素−水素結合の赤外振動吸収の高調波があ
るために、現在光通信で使われている近赤外域（１，３
〜１．５５μｍ）では光損失が０．５〜１０ｄＢ／ｃｍ
と高く、実用的でない。また架橋剤などの添加も光損失
を高くする要因となっている。

また、微細加工に関しては、両方法ともガラス導波路の
製造に比べると簡便で手軽に製造することができる。し
かし、選択光重合法では溶媒の揮発条件によってモノマ
含有量が変化し屈折率変化が微妙に変動する等の問題が
ある。一方、感光性樹脂を利用する方法では、現像時の
膨潤により解像性が悪く、また表面に凸凹ができやすい
という問題がある。これらのことも従来のプラスチック
光導波路の光損失が高い原因となっている。

本発明はこのような現状に鑑みてなされたものであり、
その目的は可視光〜近赤外光域にわたり低損失である平
板型プラスチック光導波路を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ かかる目的を達成するために、本発明は、重水素または
ハロゲン原子を含むポリマからなるコア部と、該コア部
を囲み、コア部より低い屈折率を有するポリマからなる
クラッド部とを有することを特徴とする。

さらに、本発明は基板と、該基板上に順次形成され、そ
れぞれポリマからなる下層クラッド部。

コア部、および下層クラッド部と共にコア部を囲む上層
クラッド部とを有し、前記コア部は重水素化またはハロ
ゲン化アクリレートの重合体または共重合体９重水素化
またはハロゲン化シロキサンの重合体または共重合体お
よび重水素化またはハロゲン化スチレンの重合体または
共重合体の一種からなることを特徴とする。

［作　用］ 本発明による平板型プラスチック光導波路は、コア部の
ポリマに重水素またはハロゲン原子を含んでいる。その
ために、本発明による平板型プラスチック光導波路は、
従来の光導波路に比べ、可視〜近赤外光域において極め
て優れた光伝送特性を有する。コアとクラッドの屈折率
差をハロゲン原子含有率によって制御することも可能で
ある。

［実施例］ プラスチックの光伝送損失の最も大きな要因はプラスチ
ックを構成する炭素−水素結合の赤外振動吸収の高調波
である。本発明によるプラスチック光導波路はこの炭素
−水素結合に起因する高調波を小さ（し、また長波長側
ヘシフトさせるために、プラスチック構造中の水素を弗
素等のハロゲン原子や重水素に置換したものである。こ
れにより材料自体を低損失化でき、光導波路の高性能化
を図ることができる。

このような光導波路は、基板上に形成されたプラスチッ
ク膜上にリソグラフィによりレジストのパターンを形成
し、これをマスクとして酸素あるいは弗素系ガスを用い
たドライエツチングすることにより得ることができる。

すなわち、加工するポリマの上にレジストを塗布し、紫
外線、電子線、　Ｘ線等をパターン状に照射する０次に
、溶媒に浸せきすることにより現像し、パターンを得る
。このパターンをマスクにして下層のポリマに弗素系あ
るいは酸素ガスの反応性ドライエッチングでパターンを
転写する。

これらの工程を組み合わせることにより光導波路を作製
することができるが、代表的なプロセス工程を第１図（
Ａ）〜（Ｇ）に示す。まず、基板１にクラツド材を塗布
し、層状のクラッド２を形成する（第１図（Ａ））、ク
ラッド２の上に有機ポリマからなるコア材を塗布し、コ
ア層３を形成する　（第１図（Ｂ））。次に第１図（Ｃ
）に示すように、コア層３上にシリコーン樹脂系のレジ
スト４を塗布し、マスク５を介して紫外線６を照射する
。その後、現像してマスクパターンな得（第１図（Ｄ）
）、さらに酸素ガスを用いた反応性イオンエツチングを
行い、パターン部以外のコア層を除去する　（第１図（
Ｅ））。レジストを剥離し　（第１図（Ｆ））、最後に
クラッド２と同じクラツド材７を塗布あるいはラミネー
トする　（第１図（Ｇ））。

この製造法は、解像性や寸法安定性の高いパターンが、
また反応性イオンエツチングにより急峻で平坦な側壁が
得られ、しかも工程が少なく、再現性にも優れている。

大面積の基板上に複数の光導波路を同時に作り、スタン
パ−（金型）を用いて成形加工する方法も量産性の点か
らメリットがあり使用することができる。

光導波路はコアとクラッドとの屈折率の差を利用して光
をコア内で伝搬させるものである。プラスチック光導波
路の場合、異なる系統のプラスチックをコアとクラッド
のそれぞれに使用するによって屈折率差を生じさせるこ
とができる。さらに樹脂中のフッ素含有量によって屈折
率の値を制御することもできる。第２図は重水素化へブ
タフルオロイソプロピルメタクリレートと重水素化メチ
ルメタクリレートの共重合物中のフッ素含有量による屈
折率の変化を示す。直線Ａは波長０、６３２８μｍ　、
直１１Ｂは波長１．５２３０μｍの光に対する屈折率で
あって、いずれの場合も屈折率はフッ素含有量の増化と
共に直線的に減少する。

夫胤■ユ ５個の水素が重水素に置換されたモノマであるヘプタフ
ルオロイソプロピルメタクリレートｄ−５２０モル％と
、メチルメタクリレートの水素をすべて重水素に置換し
たバーデユーテロメチルメタクリレート８０モル％との
モノマ混合物を、２．２°−アゾビスイソブチロニトリ
ル（ＡＩＢＮ）を重合開始剤として重合させ、共重合体
（屈折率ｎ　＝　１．４６）を得た。さらに、ヘプタフ
ルオロイソプロピルメタクリレート−ｄ５をＡＩＢＮを
重合開始剤として重合させ、重合体（ｎ＝１．３７）を
得た。

そして前者のポリマなコア成分、後者のポリマをクラッ
ド成分とする導波路を作製した。まず、前述した２種の
ポリマなそれぞれ１．３−ビス（トリフルオロメチル）
ベンゼンに溶解し溶液とした０次にクラッド成分ポリマ
溶液をシリコン基板上に乾燥後の厚さが約ＩＯμｍにな
る様に塗布した。基板を９０℃に加熱して塗布層を乾燥
処理後、クラッド成分ポリマ上にコア成分ポリマ溶液を
約８μｍの厚さに塗布した。

次にシリコーン系ホトレジストを塗布し、露光現像して
レジストパターンを形成した。さらに酸素ガスによる反
応性イオンエツチングを行い、パターン部以外のコア成
分ポリマを除去し、コア成分ポリマな長さ５０ｍｍ、幅
８μｍ、高さ８μｍの直線矩形パターンに加工した。基
板をアルカリ溶液に浸漬してレジストを剥離し、最後に
下層と同じクラッド層を塗布した。上層クラッドの厚さ
はコア上で１０μｍとした。

この様にして作製された導波路の一端から光を照射し、
他端から出てくる光量を測定することにより導波路の光
損失を計算した。第３図に光損失の波長依存性を示す、
波長１．３μｍにおけるこの導波路の光損失は０．１ｄ
Ｂ／ａｍ以下であった。

夫鳳ヨユ 実施例１と同じ２種のポリマを用いて別法で導波路を作
製した。まず２種のポリマな１．３−ビス（トリフルオ
ロメチル）ベンゼンに溶解し溶液とした。次にクラッド
成分ポリマをシリコン基板上に約１５μｍの厚さに塗布
し、クラッドを形成した。乾燥処理後、クラッドの上に
シリコーン系レジストを塗布し、露光現像を行なった。

さらに酸素ガスの反応性イオンエツチングを行い、暢８
μｍ、深さ６μｍの溝を設けた。

次にレジストを剥離し、コア材を厚さ１０μｍに塗布し
た０次に酸素ガスの反応性イオンエツチングによってバ
ックエツチングを行い、溝の外部にあるコア材を除去し
た。最後に下層のクラッドと同じクラツド材を厚さ１０
μｍに塗布した。

この工程により長さ５０ｍｍ、幅８μｍ、高さ６μｍの
直線矩形パターンのコアを持つ導波路が得られた。波長
１．３μｍの光を導波路の一端から照射し、他端から出
て（る光量を測定することにより導波路の光損失を計算
した。この導波路の光損失は０．１ｄＢ／ｃｍ以下であ
った。

爽胤！旦 フェニル基の５個の水素が重水素に置換されたフェニル
トリクロルシランｄ−５を加水分解し、得られたＯＨ化
合物をトルエンに溶かし、ＫＯＤを添加して還流するこ
とによりポリマを得た。得られたポリフェニルシルセス
キオキサン（ｎ　＝　１．５６）をコア成分とした。フ
ェニルトリクロルシランｄ−５の代わりにメチル基の３
個の水素が重水素に置換されたメチルトリクロロシラン
ｄ−３を用い、同様の工程によって得られたポリメチル
シルセスキオキサン（ｎ　＝　１．４８）をクラッド成
分とする光導波路を作製した。その作製工程を以下に述
べる。

前述の２種のポリマなそれぞれメチルイソブチルケトン
に溶かし溶液とした。まず、クラッド成分ポリマなシリ
コン基板上に約ｌＯμｍの厚さに塗布した。乾燥処理後
、クラッド成分ポリマ上にコア成分ポリマな約８μｍの
厚さに塗布した０次に厚膜のホトレジストを塗布し、パ
ターン化した。

このレジストをマスクとして（：Ｆ４＋Ｈｌガスによる
反応性イオンエツチングを行い、コア部を長さ５０ｍｍ
、幅８μｍ、高さ８μｍの直線矩形バタンに加工した。

レジストを剥離し、最後に下層のクラッドと同じクラツ
ド材を塗布した。

波長１．３μｍおよび１．５μｍの光を導波路の一端か
ら照射し、他端から出てくる光量を測定することにより
導波路の光損失を計算した。この導波路の光損失は上述
した各波長に対し、それぞれ０、１ｄＢ／ｃ＋＋以下で
あり充分に種々の光回路に供することが可能である。

１立１ フェニルトリクロロシランｄ−５を加水分解し、得られ
たＯＨ化合物をトルエンに溶かしＫＯＤを添加して還流
することによりポリマを得た。得られたポリフェニルシ
ルセスキオキサンをコア成分（ｎ＝１．５６）　、メチ
ルトリクロロシランｄ−３から同様にして得たポリメチ
ルシルセスキオキサンをクラッド成分（ｎ　＝　１．４
８）とする導波路を作製した。前述の２種のポリマなそ
れぞれメチルイソブチルケトンに溶かし溶液とした。先
ずクラッド成分ポリマなシリコン基板上に約ｌＯμｍの
厚さに塗布した。ベーク乾燥処理後、クラッド成分ポリ
マ上に弗素系ポリマを約９μｍの厚さに塗布した。

次にシリコーン系レジストを塗布し、パターン化した。

これをマスクとして酸素ガスにより、反応性イオンエツ
チングを行い、長さ５０ｍｍ＋、幅８μｍ、高さ９μｍ
の直線矩形溝型パターンに加工した。レジストを剥離し
、コア成分を溝に流し込んだ、乾燥処理後弗素ポリマな
溶媒で溶解し、コアパターンをえた。レジストを剥離し
、最後に下層のクラッドと同じクラツド材を塗布した。

波長１．３μｍおよび１．５μｍの光を導波路の一端か
ら照射し、他端から出てくる光量を測定することにより
導波路の光損失を計算した。この導波路の光損失は上述
した各波長に対し、それぞれ０、１ｄＢ／ｃｍ以下テア
ツタ。

罠五五二 フェニルトリクロロシランｄ−５２０部、ジフェニルジ
クロロシランｄ−１０５部を加水分解し、えられたＯＨ
化合物をトルエンに溶かしＫＯＤを添加して還流するこ
とによりポリマを得た。得られたポリフェニルシルセス
キオキサンをコア成分（ｎ　＝１．５８）　、メチルト
リクロロシランｄ−３から同様にして得たポリメチルシ
ルセスキオキサンをクラッド成分（ｎ　＝　１．４８）
とする光導波路を作製した。

前述の２種のポリマをそれぞれメチルイソブチルケトン
に溶かし溶液とした。まず、クラッド成分ポリマをシリ
コン基板上に約ｌＯμｍの厚さに塗布した。乾燥処理後
、クラッド成分ポリマ上にコア成分ポリマを約８μｍの
厚さに塗布した。次に厚膜のホトレジストを塗布し、パ
ターン化した。このレジストをマスクとしてＣＦ４４Ｈ
＊ガスによる反応性イオンエツチングを行い、コア部を
長さ５０ｍｍ。

幅８μｍ、高さ９μｍの直線矩形バタンに加工した。レ
ジストを剥離し、最後に下層のクラッドと同じクラツド
材を塗布した。

波長１．３μｍおよび１．５μｍの光を導波路の一端か
ら照射し、他端から出て（る光量を測定することにより
導波路の光損失を計算した。この導波路の光損失は上述
した各波長に対し、それぞれ０、１ｄＢ／ｃｍ以下であ
った。

裏立皿玉 下記一般式（Ｉ）で表わされる化学構造を繰り返し単位
として有し、かつ組成の異なるポリアクリレートをコア
およびクラッドとしてプラスチック光導波路を作製した
。

ここで、ｘｌおよびｘ２はそれぞれ重水素またはハロゲ
ン原子、Ｒ１は重水素、　ＣＤ＊基、およびハロゲン原
子のうちの一種、Ｒ３はＣｎＹｔｎ−ｓで表わされるハ
ロゲン化または重水素化アルキル基（Ｙはハロゲン原子
または重水素、ｎは５以下の正の整数）である。

プラスチック光導波路の作製方法は実施例１または２と
同様である。

各光導波路のコアおよびクラッドに用いたポリマの化学
構造および各導波路の波長１．５μｍの光に対する損失
を表１に示す、損失は０．０４〜０、１１ｄＢ／ｃｍと
極めて低かった。

八ｚ　　　Ｌ、、ＵＵｌｌｇ 表１ 大」Ｕ糺ヱ 下記一般式（ｎ）で表される化学構造を繰り返し単位と
して有する直鎖状ポリシロキサンの一種および／または
下記一般式（ＩＩＩ）で表される化学構造を繰り返し単
位として有するラダー型ポリシロキサンの一種をコアお
よびクラッドとしてプラスチック光導波路を作製した。

１４ ここで、Ｒ，およびＲ４はそれぞれＣｎＹｔｎ、Ｉ（Ｙ
は重水素あるいはハロゲン原子、ｎは５以下の正の整数
）またはｃｏｙ、である。

プラスチック光導波路の作製方法は実施例３〜５と同様
である。

各光導波路のコアおよびクラッドに用いたポリマの化学
構造および各光導波路の波長１．５μｍの光に対する損
失を表２に示す０表２中の主鎖構造欄の■および■はそ
れぞれ前述した一般式（ＩＩ）および（ＩＩＩ）に対応
する。各光導波路の波長１．５μｍの光に対する損失は
０．０５〜０．１１ｄＢ／ｃｍと極めて低かった。

表２ 叉１１糺旦 フェニルトリクロロシランｄ−５を加水分解し、えられ
たＯＨ化合物をトルエンに溶かしＫＯＨな添加して還流
することによりポリマを得た。得られたポリフェニルシ
ルセスキオキサンをコア成分（ｎ＝１．５６）、実施例
１で得たヘプタフルオロイソプロピルメタクリレートｄ
−５とメチルメタクリレートｄ−８の共重合体（混合比
２０／８０）をクラッド成分（ｎ　＝　１．４６）とす
る導波路を作製した。前述の２種のポリマなそれぞれメ
チルイソブチルケトンに溶かし溶液とした。まず、クラ
ッド成分ポリマなシリコン基板上に約ｌＯμｍの厚さに
塗布した。乾燥処理後、クラッド成分ポリマ上にコア成
分ポリマな約８μｍの厚さに塗布した０次に厚膜のホト
レジストを塗布し、パターン化した。このレジストをマ
スクとしてＣＦ４＋Ｈｔガスによる反応性イオンエツチ
ングを行い、コア部を長さ５０ｍｍ、幅８μｍ、高さ８
μｍの直線矩形バタンに加工した。レジストを剥離し、
最後に下層のクラッドと同じクラツド材を塗布した。

波長１．３μｍおよび１．５μｍの光を導波路の一端か
ら照射し、他端から出てくる光量を測定することにより
導波路の光損失を計算した。この導波路の光損失は上述
した各波長に対し、それぞれ０、１ｄＢ／ｃｍ以下であ
った。

見立■旦 フェニルトリクロロシランｄ−５を加水分解し、えられ
たＯＨ化合物をトルエンに溶かしＫＯＨを添加して還流
することによりポリマを得た。得られたポリフェニルシ
ルセスキオキサンをコア成分（ｎ＝１．５６）　、重水
素化されていないメチルトリクロロシランから同様にし
て得たポリメチルシルセスキオキサンをクラッド成分（
ｎ＝１．４８）とする導波路を作製した。前述の２種の
ポリマなそれぞれメチルイソブチルケトンに溶かし溶液
とした。まず、クラッド成分ポリマなシリコン基板上に
約ｌＯμｍの厚さに塗布した。乾燥処理後、クラッド成
分ポリマ上にコア成分ポリマな約８μｍの厚さに塗布し
た６次に厚膜のホトレジストを塗布し、パターン化した
。このレジストをマスクとしてＣＦ４＋Ｈ＊ガスによる
反応性イオンエツチングを行い、コア部を長さ５０ｍｍ
、幅８μｍ、高さ８μｍの直線矩形バタンに加工した。

レジストを剥離し、最後に下層のクラッドと同じクラツ
ド材を塗布した。

波長１．３μｍおよび１．５μｍの光を導波路の一端か
ら照射し、他端から出てくる光量を測定することにより
導波路の光損失を計算した。この導波路の光損失は上述
した各波長に対し、それぞれ０、１ｄＢ／ｃａ＋以下で
あった。

罠直五且 下記一般式（ｒＶ）で表される化学構造を繰返し単位と
して有するハロゲン化または重水素化ポリスチロールを
コアおよびクラツド材とし、実施例１〜３と同様な方法
で平板型プラスチック光導波路を作製した。

ただし、Ｙはハロゲン原子または重水素である。各光導
波路のコアおよびクラッドに用いたボリマの化学構造お
よび各光導波路の波長１．３μｍの光に対する損失を表
３に示す。各光導波路の損失は０．０６〜０．０９ｄＢ
／ｃｍと極めて低かった。

表３ る損失を表４に示す。光損失は０．０８〜０．０９ｄＢ
／ｃｍと極めて低かった。

表４ 前述した一般式（Ｉ）で表される繰返し単位を有するポ
リアクリレートをクラッドとし、前述した一般式（！Ｖ
）で表される繰返し単位を有するポリスチレンまたは前
述した一般式（ｎ）で表される繰返し単位を有するポリ
アクリレートをクラッドとして平板型プラスチック光導
波路を作製した。

光導波路の構造および波長１．３μｍの光に対す重水素
化あるいはハロゲン化アクリレートの共重合体９重水素
化あるいはハロゲン化シロキサンの共重合体および重水
素化またはハロゲン化スチレンの共重合体をそれぞれコ
ア部またはクラッド部に用いてプラスチック光導波路を
構成することもできる。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明による平板型プラスチック
光導波路は、従来の光導波路に比べ、可視〜近赤外光域
において極めて優れた光伝送特性を有する。

特に、光フアイバ通信に用いられている６５０〜１６０
０止の波長域において低損失であるので、この光導波路
は多成分系ガラスおよび石英系光ファイバと、光／電気
変換あるいは電気／光変換なしに接続して使用すること
ができる。このため、これらの光導波路を使って作製し
た光部品により、経済性に優れたローカルエリアネット
ワークなどの光信号伝送システムを構成することができ
るという利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は°本発明によるプラスチック光導波の製造方法
の一例における各工程を示す模式的断面図、 第２図はポリアクリレートの屈折率のツク素含有率への
依存性を示す特性図、 第３図は本発明によるプラスチック光導波路の実施例の
光損失の波長依存性を示す特性図、第４図および第５図
はそれぞれ従来の平板型プラスチック光導波路の製造工
程を説明する模式的断面図である。 ｌ・・・基板、 ２・・・クラッド、 ３・・・コア層、 ４・・・レジスト、 ５・・・マスク、 ７・・・クラッド。 損失 （ｄｓ／ｃｍ） １５ ）Ｅ打率 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）重水素またはハロゲン原子を含むポリマからなるコ
   ア部と、 該コア部を囲み、コア部より低い屈折率を有するポリマ
   からなるクラッド部と を有することを特徴とする平板型プラスチック光導波路
   。 ２）前記コア部が下記一般式（ I ）で表される化学構
   造を繰り返し単位として有する重水素化またはハロゲン
   化ポリアクリレートであることを特徴とする請求項１に
   記載の平板型プラスチック光導波路： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ただし、Ｘ＿１およびＸ＿２はそれぞれ重水素またはハ
   ロゲン原子、Ｒ＿１は重水素、ＣＤ＿３基、およびハロ
   ゲン原子のうちの一種、Ｒ＿２はＣ＿ｎＹ＿２＿ｎ＿−
   ＿１で表わされるハロゲン化または重水素化アルキル基
   （Ｙはハロゲン原子または重水素、ｎは５以下の正の整
   数）である。 ３）前記コア部が下記一般式（ I ）で表される化学構
   造のうち、２種以上の異なった繰り返し単位からなる共
   重合体の重水素化またはハロゲン化ポリアクリレートで
   あることを特徴とする請求項１に記載の平板型プラスチ
   ック光導波路： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ただし、Ｘ＿１およびＸ＿２はそれぞれ重水素またはハ
   ロゲン原子、Ｒ＿１は重水素、ＣＤ＿３基、およびハロ
   ゲン原子のうちの一種、Ｒ＿２はＣ＿ｎＹ＿２＿ｎ＿−
   ＿１で表わされるハロゲン化または重水素化アルキル基
   （Ｙはハロゲン原子または重水素、ｎは５以下の正の整
   数）である。 ４）前記コア部が下記一般式（II）または（III）で表
   される化学構造を繰り返し単位として有する重水素化ま
   たはハロゲン化ポリシロキサンであることを特徴とする
   請求項１に記載の平板型プラスチック光導波路： ▲数式、化学式、表等があります▼（II）▲数式、化学
   式、表等があります▼（III） ただし、Ｒ＿３およびＲ＿４はそれぞれＣ＿ｎＹ＿２＿
   ｎ＿＋＿１（Ｙは重水素あるいはハロゲン原子、ｎは５
   以下の正の整数）またはＣ＿６Ｙ＿５である。 ５）前記コア部が下記一般式（II）または（III）で表
   される化学構造のうち２種以上の異なった繰り返し単位
   からなる共重合体の重水素またはハロゲン化ポリシロキ
   サンであることを特徴とする請求項１に記載の平板型プ
   ラスチック光導波路：▲数式、化学式、表等があります
   ▼（II）▲数式、化学式、表等があります▼（III） ここで、Ｒ＿３およびＲ＿４はそれぞれＣ＿ｎＹ＿２＿
   ｎ＿＋＿１（Ｙは重水素あるいはハロゲン原子、ｎは５
   以下の正の整数）またはＣ＿６Ｙ＿５である。 ６）前記コア部がそれぞれ下記一般式（II）および（I
   II）で表される化学構造を繰返し単位として有する重水
   素化またはハロゲン化シロキサンの共重合体であること
   を特徴とする請求項１に記載の平板型プラスチック光導
   波路： ▲数式、化学式、表等があります▼（II）▲数式、化学
   式、表等があります▼（III） ７）前記コア部が、下記一般式（IV）で表される化学構
   造を繰返し単位として有するハロゲン化または重水素化
   ポリスチレンであることを特徴とする請求項１に記載の
   平板型プラスチック光導波路： ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） ただし、Ｙはハロゲン原子または重水素である。 ８）前記コア部が下記一般式（IV）で表される化学構造
   のうち２種類以上の異なった繰り返し単位からなる共重
   合体の重水素化またはハロゲン化ポリスチレンであるこ
   とを特徴とする請求項１に記載の平板型プラスチック光
   導波路： ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） ただし、Ｙはハロゲン原子または重水素である。 ９）前記クラッド部が重水素またはハロゲン原子を有す
   るポリマからなることを特徴とする請求項１ないし８の
   いずれかに記載の平板型プラスチック光導波路。 １０）前記クラッド部が下記一般式（ I ）で表される
   化学構造を繰り返し単位として有する重水素化またはハ
   ロゲン化ポリアクリレートであることを特徴とする請求
   項９に記載の平板型プラスチック光導波路： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ここで、Ｘ＿１およびＸ＿２はそれぞれ重水素またはハ
   ロゲン原子、Ｒ＿１は重水素、ＣＤ＿３基、およびハロ
   ゲン原子のうちの一種、Ｒ＿２はＣ＿ｎＹ＿２＿ｎ＿−
   ＿１で表わされるハロゲン化または重水素化アルキル基
   （Ｙはハロゲン原子または重水素、ｎは５以下の正の整
   数）である。 １１）前記クラッド部が下記一般式（ I ）で表される
   化学構造のうち、２種以上の異なった繰り返し単位から
   なる共重合体の重水素化またはハロゲン化ポリアクリレ
   ートであることを特徴とする請求項９に記載の平板型プ
   ラスチック光導波路：▲数式、化学式、表等があります
   ▼（ I ） ただし、Ｘ＿１およびＸ＿２はそれぞれ重水素またはハ
   ロゲン原子、Ｒ＿１は重水素、ＣＤ＿３基、およびハロ
   ゲン原子のうちの一種、Ｒ＿２はＣ＿ｎＹ＿２＿ｎ＿−
   ＿１で表わされるハロゲン化または重水素化アルキル基
   （Ｙはハロゲン原子または重水素、ｎは５以下の正の整
   数）である。 １２）前記クラッド部が下記一般式（II）または（III
   ）で表される化学構造を繰り返し単位として有する重水
   素化またはハロゲン化ポリシロキサンであることを特徴
   とする請求項９に記載の平板型プラスチック光導波路： ▲数式、化学式、表等があります▼（II）▲数式、化学
   式、表等があります▼（III） ここで、Ｒ＿３およびＲ＿４はそれぞれＣ＿ｎＹ＿２＿
   ｎ＿＋＿１（Ｙは重水素あるいはハロゲン原子、ｎは５
   以下の正の整数）またはＣ＿６Ｙ＿５である。 １３）前記クラッド部が下記一般式（II）または（III
   ）で表される化学構造のうち２種以上の異なった繰り返
   し単位からなる共重合体の重水素またはハロゲン化ポリ
   シロキサンであることを特徴とする請求項９に記載の平
   板型プラスチック光導波路： ▲数式、化学式、表等があります▼（II）▲数式、化学
   式、表等があります▼（III） ここで、Ｒ＿３およびＲ＿４はそれぞれＣ＿ｎＹ＿２＿
   ｎ＿＋＿１（Ｙは重水素あるいはハロゲン原子、ｎは５
   以下の正の整数）またはＣ＿６Ｙ＿５である。 １４）前記クラッド部がそれぞれ下記一般式（II）およ
   び（III）で表される化学構造を繰返し単位として有す
   る重水素化またはハロゲン化ポリシロキサンの共重合体
   であることを特徴とする請求項９に記載の平板型プラス
   チック光導波路： ▲数式、化学式、表等があります▼（II）▲数式、化学
   式、表等があります▼（III） １５）前記クラッド部が、下記一般式（IV）で表される
   化学構造を繰返し単位として有するハロゲン化または重
   水素化ポリスチレンであることを特徴とする請求項９に
   記載の平板型プラスチック光導波路： ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） ただし、Ｙはハロゲン原子または重水素である。 １６）前記クラッド部が下記一般式（IV）で表される化
   学構造のうち２種類以上の異なった繰り返し単位からな
   る共重合体の重水素化またはハロゲン化ポリスチレンで
   あることを特徴とする請求項９に記載の平板型プラスチ
   ック光導波路： ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） ただし、Ｙはハロゲン原子または重水素である。 １７）基板と、 該基板上に順次形成され、それぞれポリマからなる下層
   クラッド部、コア部、および下層クラッド部と共にコア
   部を囲む上層クラッド部とを有し、 前記コア部は重水素化またはハロゲン化アクリレートの
   重合体または共重合体、重水素化またはハロゲン化シロ
   キサンの重合体または共重合体および重水素化またはハ
   ロゲン化スチレンの重合体または共重合体の一種からな
   る ことを特徴とする平板型プラスチック光ファイバ。 １８）前記下層および上層クラッド部は重水素化または
   ハロゲン化アクリレートの重合体または共重合体、重水
   素化またはハロゲン化シロキサンの重合体または共重合
   体および重水素化またはハロゲン化スチレンの重合体ま
   たは共重合体の一種からなることを特徴とする請求項１
   ７に記載の平板型プラスチック光導波路。