JP2000098162A - フィルム型高分子導波路の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 安価に、かつ容易にフィルム型高分子導波路
を形成する。 【解決手段】 リッジ状の凸部を有する高分子フィルム
５１を用意し、この高分子フィルムの表裏の表面から所
定（一定の）深さまで、重合すると高分子フィルムより
も屈折率が低くなるラジカル重合性モノマー６１および
ラジカル発生剤６３を拡散させる。そののち、高分子フ
ィルム５１に光を照射することにより、ラジカル重合性
モノマー６１を重合させてクラッド６５を形成する。そ
のとき、クラッド６５により囲まれる部分が必然的に高
屈折率のコア５９となり、フィルム型高分子導波路６７
が形成できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、フィルム型高分
子導波路の形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】通信分野においては、大容量通信を実現
するため、光を用いた通信ネットワークの構築が求めら
れている。このため、光導波路の開発が大きな課題とな
っている。

【０００３】従来、光導波路の材料には、ガラスや無機
結晶材料が用いられていた。しかしながら、これらの材
料は高価で、しかも加工が困難であった。

【０００４】そのため、近年、ガラスや無機結晶材料よ
りも、価格が安く加工の容易な例えばＰＭＭＡ（ポリメ
チルメタクリレート）などの高分子材料（ポリマーとも
称する。）が用いられてきている。このような材料を用
いれば、従来よりも面積が広くて可撓性に優れたフィル
ム状の光導波路を形成することができる。また、機能性
化合物や官能基をこの高分子材料中に導入することによ
って機能性導波路を形成することができる。

【０００５】このような光導波路を形成するためには、
高分子材料を所望のパターン形状に加工する方法が不可
欠である。そのような方法として、酸素プラズマを用い
た反応性エッチング（ＲＩＥ）法が主として用いられて
いた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このＲ
ＩＥ法に用いる装置は高価であり、しかも高度な操作技
術が要求されるという問題点があった。また、エッチン
グ処理を行う前に、予めリソグラフィ法を用いてエッチ
ングされるポリマー上にパターン形状に対応したエッチ
ングマスクを形成しておく必要があるという問題点があ
った。以下、具体的に説明する。

【０００７】ＲＩＥ法を用いて高分子の光導波路を形成
するためには、例えば図５に概略的に示すような工程を
経る必要がある。なお、図５は、ＲＩＥ法を用いてフィ
ルム型高分子導波路を形成するための主要な工程を順に
示している概略的な断面図である。

【０００８】まず、下地１０１上に、下側クラッドとし
ての高分子膜１０３ａと、コア形成用の高分子膜１０３
ｂと、エッチングマスク形成のためのフォトレジスト膜
１０５とを、この順に形成する（図５（Ａ））。ただ
し、高分子膜１０３ａを設けずに、下地１０１自体が下
側クラッドを兼ねる場合もある。

【０００９】次に、このフォトレジスト膜１０５を加工
して所望のパターン形状に対応するエッチングマスクを
得るために、該パターン形状に対応するフォトマスク１
０７を介してフォトレジスト膜１０５を選択的に露光す
る。これによりフォトレジスト膜１０５内にパターン潜
像１０９が形成される（図５（Ｂ））。露光済みのフォ
トレジスト膜を現像してレジストパターン１０５ｘを得
る（図５（Ｃ）。ここではネガ型レジストを用いた例を
示している。））。

【００１０】次に、このレジストパターン１０５ｘをエ
ッチングマスク１０５ｘとして用いて、酸素をエッチン
グガスとするＲＩＥを行って、エッチングマスク１０５
ｘから露出している高分子膜１０３ｂの部分を取り除
く。次いで、エッチングマスク１０５ｘを除去する。こ
れにより、下側クラッド１０３ａ上に高分子膜１０３ｂ
の残存部分からなるコア１０３ｘが得られる（図５
（Ｄ））。

【００１１】次に、コア１０３ｘの形成を終えた試料上
に、上側クラッドとなる高分子膜１１１を形成すること
で、光導波路１１３が得られる。上側クラッド１１１
は、例えば、試料上に、上側クラッドの材料の塗布液を
塗布してそれを乾燥させることで得られる（図５
（Ｅ））。

【００１２】この図５を用いて説明した工程から明らか
なように、ＲＩＥ法を用いる場合、パターンを形成する
工程数が多く、時間もかかる。

【００１３】このため、安価に、かつ容易に高分子（ポ
リマー）のフィルム型導波路を形成する方法の出現が望
まれていた。

【００１４】

【課題を解決するための手段】そこで、この発明に係る
発明者らは、高分子フィルムにラジカル重合性モノマー
およびラジカル発生剤とを所定深さまで拡散させたの
ち、この高分子フィルムに光を照射すると、モノマーが
ラジカルの部分に付加および重合してポリマーが成長す
ることに着目し、この発明を完成するに至った。

【００１５】したがって、この出願に係る第一発明のフ
ィルム型高分子導波路の形成方法によれば、リッジ状の
凸部を有する高分子フィルムの少なくとも凸部が存在す
る部分の表裏から所定深さまでの領域である第１領域
に、重合するとこの高分子フィルムよりも屈折率が低く
なるラジカル重合性モノマーとラジカル発生剤とを拡散
させる工程と、その拡散済みの高分子フィルムに光を照
射することにより、前述のラジカル発生剤から発生した
ラジカルに前述のラジカル重合性モノマーを付加および
重合させて、前述した第１領域にクラッドを形成すると
同時に、第１領域以外の前記高分子フィルム内部の領域
にコアを形成する工程とを含むことを特徴とする。

【００１６】なお、リッジ状の凸部の平面形状は、光導
波路に要求される平面形状に応じた任意の形状とでき
る。例えば、直線導波路、曲がり導波路、分岐導波路等
に応じた任意の形状とすることができる。また、高分子
フィルムの表裏とは、リッジ状の凸部の上面、側面、お
よび、リッジ状の凸部が存在する部分の裏面とを含む、
高分子フィルムの表面のことである。また、表裏から所
定の深さまでとは、表裏での深さが同一の場合、異なる
場合のいずれの場合をも含む意味である。また、この所
定の深さと、凸部の形状および寸法とによって、コアの
形状は決定される。そのため、コアの形状は、例えば、
高分子フィルムの凸部の形状を適切に調節し、それに応
じて、拡散させる深さ（前述の所定の深さ）も適切に調
節することにより決定することができる。そして典型的
には、コアは、高分子フィルムが厚くなっているリッジ
状に延びる凸部の中心の近傍に形成される。

【００１７】この第一発明の構成によると、リッジ状の
凸部を有する高分子フィルムに、ラジカル発生剤および
ラジカル重合性モノマーを、凸部の形状に応じた適切な
深さまで拡散させたのち、その拡散後の高分子フィルム
に光を照射することによりモノマーを重合固定させてク
ラッドを形成している。したがって、新規でかつ簡単な
方法でフィルム型高分子導波路を形成することができ
る。

【００１８】また、この発明の実施に当たり、より好適
には、前述のクラッド形成済みの高分子フィルムから、
重合せずにこの高分子フィルム内に未反応のまま残存し
た前述のラジカル重合性モノマーを、除去する処理を実
施するのが良い。なお、このとき、未反応のラジカル重
合性モノマーを除去すると同時に、未反応のラジカル発
生剤が除去されることがあっても良い。

【００１９】この構成によると、高分子フィルム内に未
反応のまま残存したラジカル重合性モノマー（未反応モ
ノマー）を除去しているため、光導波路の屈折率分布が
未反応モノマー重合によって経年的に変化してしまうの
を抑制することができる。一般的に、ラジカル重合性モ
ノマーは、その開始反応を発生させるためにラジカルを
必要とするが、ラジカル以外によるエネルギー、すなわ
ち熱や光などのエネルギーによっても少しずつ重合反応
が進行する。したがって、未反応のモノマーを除去しな
い場合、光導波路として稼働中においても、未反応モノ
マーが重合して、光導波路の屈折率分布が徐々に変化し
てしまうこととなる場合がある。

【００２０】ここで、このような未反応モノマーを除去
する方法としては、例えば、高分子フィルムを減圧した
雰囲気中に設置して、熱によるポリマーの分解が生じな
い程度に加熱することにより行えばよい。

【００２１】また、この発明の実施に当たり、より好適
には、前述の高分子フィルムを、フッ化ポリイミドまた
はフッ化ポリメチルメタクリレートのいずれか一方を含
むフィルムとするのが良い。この構成によると、光ファ
イバー通信で用いられている赤外領域の光に対して透過
性に優れたフィルム型高分子導波路を得ることができ
る。

【００２２】また、この発明の実施に当たり、より好適
には、前述した光を紫外光とするのが良い。後述するよ
うに、この発明で用いるラジカル発生剤は紫外領域（ま
たはその近傍領域）の光に対してラジカルを発生するも
のが多いためである。

【００２３】上述したフィルム型高分子導波路は、リッ
ジ状の凸部を有する高分子フィルムを用いて形成した
が、そのような凸部のない高分子フィルムを用いても、
同様の思想のもとにフィルム型高分子導波路を形成する
ことができる。

【００２４】したがって、この出願に係る第二発明のフ
ィルム型高分子導波路の形成方法によれば、重合すると
高分子フィルムよりも屈折率が低くなるラジカル重合性
モノマーとラジカル発生剤とを含む当該高分子フィルム
の、コア形成予定領域を挟む少なくとも２つの領域であ
ってこの高分子フィルムの表裏に渡る領域（すなわち第
２領域）に、光を照射することにより、ラジカル発生剤
からラジカルを発生させて前述のラジカル重合性モノマ
ーを重合させ、この第２領域にクラッドを形成する工程
と、クラッド形成済みの高分子フィルムの表裏から所定
深さまでの領域である第１領域に、重合するとこの高分
子フィルムよりも屈折率が低くなるラジカル重合性モノ
マーとラジカル発生剤とを拡散させたのち、この高分子
フィルムに光を照射することにより、ラジカル発生剤か
らラジカルを発生させてラジカル重合性モノマーを重合
させ、この第１領域にクラッドを形成すると同時に、第
１および第２領域の各クラッドよりも内部の領域にコア
を形成する工程とを含むことを特徴とする。

【００２５】また、この第二発明において、第１領域に
クラッドを形成する工程と第２領域にクラッドを形成す
る工程との手順を入れ替えても良い。

【００２６】すなわち、この出願に係る第三発明のフィ
ルム型高分子導波路の形成方法によれば、高分子フィル
ムの表裏から所定深さまでの領域である第１領域に、重
合するとこの高分子フィルムよりも屈折率が低くなるラ
ジカル重合性モノマーとラジカル発生剤とを拡散させた
のち、この高分子フィルムに光を照射することにより、
ラジカル発生剤からラジカルを発生させてラジカル重合
性モノマーを重合させ、この第１領域にクラッドを形成
する工程と、クラッド形成済みの高分子フィルムの内部
に、重合するとこの高分子フィルムよりも屈折率が低く
なるラジカル重合性モノマーとラジカル発生剤とを拡散
させたのち、この高分子フィルムの、コア形成予定領域
を挟む少なくとも２つの領域であってこの高分子フィル
ムの表裏に渡る領域（すなわち第２領域）に、光を照射
することにより、ラジカル発生剤からラジカルを発生さ
せてラジカル重合性モノマーを重合させて、この第２領
域にクラッドを形成すると同時に、第１および第２領域
の各クラッドよりも内部の領域にコアを形成する工程と
を含むことを特徴とする。

【００２７】なお、コア形成予定領域とは、コアを形成
する予定となっている高分子フィルム内の領域のことで
ある。また、第２領域とは、このコア形成予定領域を挟
む領域であって高分子フィルムの表裏に至る領域のこと
である。したがって、第１領域および第２領域に囲まれ
た部分がコア形成予定領域となっている。

【００２８】上述の第二発明の構成によれば、ラジカル
重合性モノマーとラジカル発生剤を含む高分子フィルム
の第２領域に光を選択的に照射することにより、この第
２領域にクラッドを形成し、そして、この高分子フィル
ムの第１領域にラジカル重合性モノマーとラジカル発生
剤とを拡散させたのち、高分子フィルムに光を照射する
ことにより、この第１領域にクラッドを形成している。

【００２９】なお、この第二発明において、ラジカル重
合性モノマーとラジカル発生剤を含む高分子フィルムを
得るには、高分子フィルムを形成する際に、ラジカル重
合性モノマーおよびラジカル発生剤を、液体状の高分子
材料中に混入させても良いし、高分子フィルムを形成し
たのち、ラジカル重合性モノマーおよびラジカル発生剤
をそのフィルム内に液相または気相にて拡散させても良
い。

【００３０】上述の第三発明の構成によれば、高分子フ
ィルムの第１領域にラジカル重合性モノマーとラジカル
発生剤とを拡散させたのち、高分子フィルムに光を照射
することにより、この第１領域にクラッドを形成し、そ
して、この高分子フィルムにラジカル重合性モノマーと
ラジカル発生剤とを拡散させたのち、第２領域に光を選
択的に照射することにより、この第２領域にクラッドを
形成している。

【００３１】このように第二発明または第三発明では、
ラジカル重合性モノマーおよびラジカル発生剤を所望の
深さで拡散させたのち光を照射する工程、および、ラジ
カル重合性モノマーおよびラジカル発生剤を拡散させた
のち選択的に光を照射する工程の二つの工程を行ってい
る。したがって、新規でかつ簡単な方法でフィルム型高
分子導波路を形成することができる。更に、前述した第
一発明とは異なり、リッジ状の凸部を有する高分子フィ
ルムを用意する必要もない。

【００３２】また、この第二および第三発明の実施に当
たり、より好適には、前述の第１および第２領域に拡散
させるラジカル重合性モノマーを同一としておくのが良
い。それにより、コアを囲むクラッドにおいて屈折率が
一定となるためである。

【００３３】また、この第二および第三発明の実施に当
たり、より好適には、前述の第１領域にクラッドを形成
する工程および前述の第２領域にクラッドを形成する工
程の少なくとも一方の工程で、クラッド形成済みの高分
子フィルムから、重合せずにこの高分子フィルム内に残
存したラジカル重合性モノマーを除去する処理を実施す
るのが良い。なお、これらを行う際、未反応のラジカル
重合性モノマーを除去すると同時に、未反応のラジカル
発生剤が除去されることがあっても良い。

【００３４】この構成によると、第一発明の好適な実施
の例にて説明したことと同様に、高分子フィルム内に未
反応のまま残存したラジカル重合性モノマーを除去でき
るため、光導波路の屈折率分布が未反応モノマーの重合
によって経年的に変化してしまうのを抑制することがで
きる。また、未反応モノマーを除去するためには、例え
ば、第一発明で説明したと同様に、高分子フィルムを減
圧した雰囲気中に設置して、熱によるポリマーの分解が
生じない程度に加熱することにより行えばよい。なお、
この処理を行うのは、第１領域にクラッドを形成したの
ちに実施しても良いし、第２領域にクラッドを形成した
のちに実施しても良いし、あるいは、第１および第２領
域にクラッドを形成したその都度に実施しても良い。

【００３５】また、この第二および第三発明の実施に当
たり、より好適には、前述の高分子フィルムを、フッ化
ポリイミドまたはフッ化ポリメチルメタクリレートのい
ずれか一方を含むフィルムとするのが良い。この構成に
よると、光ファイバー通信で用いられている赤外領域の
光に対して透過性に優れたフィルム型高分子導波路を得
ることができる。

【００３６】また、この第二および第三発明の実施に当
たり、より好適には、前述の光を、紫外線とするのが良
い。後述するように、この発明で用いるラジカル発生剤
は紫外領域（またはその近傍領域）の光に対してラジカ
ルを発生するものが多いためである。

【００３７】

【発明の実施の形態】以下、図を参照して、フィルム型
高分子導波路の形成方法に関する第一、第二および第三
の発明の実施の形態について、それぞれ第１および第２
の実施の形態として説明する。なお、この説明に用いる
各図は、これらの発明を理解できる程度に各構成成分の
形状、大きさおよび配置関係を概略的に示してあるに過
ぎない。また、各図において同様な構成成分は、同一の
番号を付して示し、その重複する説明を省略することが
ある。

【００３８】１．第１の実施の形態 図１は、第一発明のフィルム型高分子導波路の形成方法
を用いて、フィルム型高分子導波路を形成する第１の実
施の形態を説明する工程図である。なお、図１は、フィ
ルム型高分子導波路の主要な形成工程を断面によって示
した図である。

【００３９】このフィルム型高分子導波路の形成方法の
第１の実施の形態では、先ず、リッジ状の凸部を有する
高分子フィルム５１を用意する（図１（Ａ））。典型的
には、この高分子フィルム５１内の一部がそのままコア
となるため、高分子フィルム５１は、光導波路のコアと
して要求される光学的諸性質（適切な屈折率、高い光透
過性）を有していることが望ましい。

【００４０】先ず、この高分子フィルム５１に要求され
る形状につき説明する。既に説明したように、典型的に
は、リッジ状の凸部を有する高分子フィルム５１内部の
領域であって、この高分子フィルムの表面および裏面の
それぞれから所定深さまでの領域（第１領域）によって
囲まれる部分がコアとなる。すなわち、この高分子フィ
ルム５１の形状は、ラジカル発生剤およびラジカル重合
性モノマーを拡散させる深さと相俟って、コアの形状を
決定する。したがって、この高分子フィルム５１は、形
成されるコアの形状が光導波層として適切な形状となる
ような形状を有している必要がある。図１では、特に、
この第１領域５７を高分子フィルム５１のすべての面か
ら一定の深さまでの領域として示している。

【００４１】図２は、高分子フィルム５１の形状と、ラ
ジカル発生剤およびラジカル重合性モノマーを拡散させ
る深さとの関係を示す模式図である。特に、リッジ状の
凸部５３が矩形となっていて、かつ、リッジ状の凸部５
３以外の部分５５が平坦となっているフィルム型高分子
導波路を例としている。図２（Ａ）において、高分子フ
ィルム５１の第１領域５７（すなわち、拡散される領域
のこと）に囲まれている領域が、コア形成予定領域６９
である。また、図２（Ｂ）は、そのリッジ状の凸部５３
の部分のみを拡大して示した図である。リッジ状の凸部
５３以外の部分５５における高分子フィルム５１の厚さ
をＴ、リッジ状の凸部５３以外の部分５５からのリッジ
状の凸部５３の高さをＨ、リッジ状の凸部の幅をＷ、お
よび、拡散させる深さをｄとしてある。そのとき、光導
波路のコアが形成されるためには、コア形成予定領域６
９が実効的な大きさを有している必要がある。そのた
め、次の（１）式および（２）式、すなわち、 Ｗ＞２ｄ …（１） Ｈ＋Ｔ＞２ｄ …（２） で示される関係が成立しなければならない。更に、リッ
ジ状の凸部５３以外の部分５５を全てクラッドとするの
が望ましいため、次の（３）式、すなわち、 Ｔ＜２ｄ …（３） で示される関係が成立するのが良い。また、コア形成予
定領域６９を、光導波層の断面形状として好適な対称性
を有する形状とするには、次の（４）式、すなわち、 Ｔ≦ｄ …（４） で示される関係を有していることが望ましい。

【００４２】このような高分子フィルム５１を形成する
手段として、例えば、上述の凸部に対応する凹部を有す
る鋳型に液状の高分子材料をコーティングし、その高分
子材料を乾燥させてフィルム状としたのち、それを鋳型
から剥離して高分子フィルムを得る方法がある。あるい
は、平坦な基板の上に、高分子材料をコーティングし、
ゲル状としたのち、スタンパーなどで圧する方法などが
ある。

【００４３】次に、以上説明したような形状の高分子フ
ィルム５１の第１領域５７に、ラジカル重合性モノマー
６１およびラジカル発生剤６３を拡散させる（図１
（Ｂ））。典型的には、図に示すように高分子フィルム
５１の全表面に対して、均一に拡散が行われる。なお、
このラジカル重合性モノマー６１は、重合するとこの高
分子フィルム５１よりも屈折率が低くなるモノマーとし
ておく。高分子フィルム５１へのこのような拡散は、液
相または気相で行えばよい。すなわち、ラジカル発生剤
およびラジカル重合性モノマーを均一に含む液相または
気相の雰囲気中に、高分子フィルムを設置して行えばよ
い。例えば、液相にて拡散を行う場合、有機溶媒などか
らなる拡散用溶媒に、ラジカル重合性モノマーおよびラ
ジカル発生剤を所定量だけ混合した拡散用溶液を調製
し、その拡散用溶液に高分子フィルムを浸漬させて行え
ばよい。また、拡散を行う際、拡散されたラジカル発生
剤から活性化したラジカルが発生しないように、活性化
する波長の光を遮断した雰囲気中で行うことが好適であ
る。また、上述した（１）式〜（４）式の関係を満たす
深さで拡散させるのが望ましい。

【００４４】続いて、拡散後の高分子フィルム５１に光
を照射する（図１（Ｃ））。このとき、例えば、高分子
フィルム５１に均一な光を照射する。この照射は、高分
子フィルム５１の片面からの照射でも良いし、両面から
の照射でも良い。このような照射を行うと、ラジカル発
生剤６３からラジカルが発生し、このラジカルにラジカ
ル重合性モノマー６１が付加および重合してポリマーを
形成する。このポリマーの形成により、高分子フィルム
５１中に局所的に（第１領域５７の部分のみに）屈折率
の低下が生じて、クラッド６５が形成される。なお、こ
の光は、ラジカル発生剤からラジカルを発生させるため
の光である。ラジカル発生剤として紫外線によって励起
されてラジカルを発生するものが多く、この発明で用い
る光の波長を紫外線とするのが好適である。また、光の
照射強度および照射時間は、拡散されたラジカル発生剤
からラジカルが発生し、ラジカル重合性モノマーの重合
の進行に十分な強度および時間で、かつ、高分子フィル
ムを構成するポリマーを分解してしまわない程度の強度
および時間で行えばよい。

【００４５】以上のような工程を経て、高分子フィルム
５１は、その内部にクラッド６５と、クラッドに囲まれ
るコア５９とが形成され、フィルム型高分子導波路６７
となる（図１（Ｄ））。

【００４６】より好適には、上述したクラッドの形成の
のちに、フィルム型高分子導波路６７から、高分子フィ
ルム５１内部に残存した未反応のラジカル重合性モノマ
ー、すなわち、前述の光の照射に対しても反応を起こさ
なかったラジカル重合性モノマーを除去する処理を行う
（図１（Ｅ））。この除去処理を行うことにより、光導
波路の屈折率の分布の経年的な変化を抑制することがで
きる。例えば、この処理は、クラッド形成済みのフィル
ム型高分子導波路６７を、真空手段によって減圧された
雰囲気中で、ラジカル重合性モノマーが揮発する程度の
温度に加熱して行えばよい。

【００４７】２．第２の実施の形態 図３および図４は、第二発明のフィルム型高分子導波路
の形成方法を用いて、フィルム型高分子導波路を形成す
る第２の実施の形態を説明する工程図である。なお、図
３および図４は、フィルム型高分子導波路の主要な形成
工程を断面によって示した図である。なお、第三発明
は、第二発明の第１および第２領域にクラッドを形成す
る各工程の順序を入れ替えた発明であるため、この実施
の形態で併せて説明する。

【００４８】このフィルム型高分子導波路の形成方法の
第２の実施の形態（第二発明および第三発明の双方の場
合）では、先ず、高分子フィルム７１を用意する（図３
（Ａ））。この高分子フィルム７１は、第１の実施の形
態にて用いたリッジ状の凸部を有する高分子フィルム５
１ではなく、平坦な高分子フィルム７１であっても良
い。この第２の実施の形態では、図３（Ａ）に示すよう
に、平坦な高分子フィルム７１を用いている。典型的に
は、この高分子フィルム７１内の一部がそのままコアと
なるため、第１の実施の形態と同様に、高分子フィルム
７１は、光導波路のコアとして要求される光学的諸性質
を有している必要がある。

【００４９】このような平坦な高分子フィルム７１は、
例えば、平坦な下地の上に高分子材料を塗布して、それ
を硬化させてフィルム状としたのち、剥離させることに
より得られる。

【００５０】次に、第二発明の場合は、このような高分
子フィルム７１内にラジカル重合性モノマー６１および
ラジカル発生剤６３を均一に含ませる（図３（Ｂ））。
ラジカル重合性モノマー６１およびラジカル発生剤６３
を高分子フィルム７１に含ませるためには、例えば、気
相または液相における拡散を用いればよい。この拡散
は、一定深さへの拡散という点以外は、第１の実施の形
態にて行った拡散と同様の手段をとることにより実施で
きる。

【００５１】なお、このような拡散を用いるのではな
く、高分子フィルムを形成する際に、予め、液体状の高
分子材料にラジカル重合性モノマーおよびラジカル発生
剤を均一に含ませたのち、固化させてフィルム状にする
場合があっても良い。

【００５２】続いて、ラジカル重合性モノマー６１およ
びラジカル発生剤６３を均一に含んだ高分子フィルム７
１に対して部分的に光を照射する（図３（Ｃ））。な
お、この光は、高分子フィルム７１の内部の領域である
第２領域７３に対してのみ照射される。なお、既に説明
したように、この第２領域７３は、コア形成予定領域６
９を挟む少なくとも２つの領域であって、この高分子フ
ィルム７１の表裏に渡る領域である（図示例では３つの
第２領域７３となっている。）。また、この照射は、例
えば、クラッドの形成予定部分に開口部を有するフォト
マスク７５を高分子フィルム７１上に設置して、露光す
ることにより行えばよい。なお、この光は高分子フィル
ム７１の内部のラジカル発生剤６３からラジカルを発生
させるための光である。そして、その波長、照射強度お
よび照射時間は、第１の実施の形態にて述べた条件で行
えばいよい。このような光の照射により発生したラジカ
ルにラジカル重合性モノマー６１を付加および重合させ
て、第２領域７３にポリマーが形成される。高分子フィ
ルム７１内部の第２領域７３においてポリマーが形成さ
れると、その領域７３の屈折率が低下してクラッド６５
となる（図３（Ｄ））。

【００５３】また、好適には、第２領域７３にクラッド
６５を形成したのち、この高分子フィルム７１から、前
述したような付加および重合に寄与せずに高分子フィル
ム７１内に残存した未反応のラジカル重合性モノマー６
１を除去する処理を行う（図３（Ｅ））。この除去処理
を行うことにより、光導波路の屈折率の分布の経年的な
変化を抑制することができる。この処理は、上述の第１
の実施の形態にて説明したような手段で行えばよい。

【００５４】上述したような手順で以て、第２領域７３
にクラッド６５を形成する工程を実施することができ
る。さらに、上述の第２領域７３にクラッド６５を形成
する工程を行ったのち、以下に 述べる第１領域５７に
クラッド６５を形成する工程を行う。

【００５５】図４は、第２領域７３にクラッドを形成し
た高分子フィルム７１の第１領域５７に、クラッドを形
成する工程を示した図である。

【００５６】先ず、上述の工程で、第２領域７３にクラ
ッド６５が形成された高分子フィルム７１の内部の領域
であって（図４（Ａ））、第１の実施の形態と同様に、
高分子フィルム７１の表面および裏面のそれぞれから一
定深さまでの領域、すなわち、第１領域５７にラジカル
重合性モノマー６１およびラジカル発生剤６３を拡散さ
せる（図４（Ｂ））。この拡散は、第１の実施の形態に
て説明した第１領域への拡散と同様の手段をとることに
より行える。また、第１の実施の形態にて説明したよう
に、液相中の拡散を用いる場合は、有機溶媒などからな
る拡散用溶媒に、ラジカル重合性モノマーおよびラジカ
ル発生剤を所定量だけ混合した拡散用溶液を調製し、そ
の拡散用溶液に高分子フィルムを浸漬させて行えばよ
い。このような拡散により、図４（Ｂ）に示すように、
高分子フィルム７１の全ての表面から一定の深さの第１
領域５７にラジカル重合性モノマー６１およびラジカル
発生剤６３が拡散される。

【００５７】ここで拡散させるラジカル重合性モノマー
６１は、上述の第２領域に拡散させたラジカル重合性モ
ノマーと同じモノマーとしておくのが好適である。それ
により、コアを囲むクラッドの屈折率を均一にすること
が容易となる。

【００５８】次に、上述の拡散済みの高分子フィルム７
１に光を照射する（図４（Ｃ））。この照射により、ラ
ジカル発生剤６３からラジカルが発生し、このラジカル
にラジカル重合性モノマー６３が付加および重合してポ
リマーを形成する。このポリマーが形成された第１領域
５７がクラッド６５となり、フィルム型高分子導波路６
７が形成される（図４（Ｄ））。また、この光の照射の
各条件は、上述した第１の実施の形態での条件で行うこ
とができる。

【００５９】また、好適には、光を照射してラジカル重
合性モノマーを重合させて光導波路を形成したのち、未
反応のラジカル重合性モノマー６１を除去する処理を行
うのが良い（図４（Ｅ））。この除去処理についても、
上述の第１の実施の形態にて説明した除去処理と同様の
手順および条件で行うことができる。

【００６０】一方、第三発明の場合は、図３（Ａ）を用
いて説明した高分子フィルムを用意したのち、先ず、こ
の高分子フィルムに対して、第１の実施の形態にて説明
したフィルム型高分子導波路の形成方法（図４（Ｂ）を
用いて説明した方法と同様の方法）と同じく、ラジカル
重合性モノマーおよびラジカル発生剤を、フィルム表面
および裏面のそれぞれから所定深さまでの領域（すなわ
ち、第１領域５７）に拡散させる。次に、図４（Ｃ）を
用いて説明した方法と同様の方法で光を照射する。これ
により、第１領域にクラッドを形成できる。続いて、図
３（Ｂ）〜（Ｄ）を用いて説明した方法と同様な方法で
第２領域にもクラッドを形成することができる。

【００６１】以上説明したように、第二および第三発明
を用いて、第１領域５７および第２領域７３にクラッド
６５を形成する工程を経て、フィルム型高分子導波路６
７を形成することができる。このとき、図４（Ｅ）に示
すように、第１および第２領域に囲まれる部分が、コア
５９となっている。

【００６２】また、第二または第三発明のそれぞれの第
１領域にクラッドを形成する工程および第２領域にクラ
ッドを形成する工程の少なくとも一方の工程で、未反応
モノマーの除去を実施するのが好適である。この除去処
理は、第１領域にクラッドを形成した後のみ行っても良
いし、第２領域にクラッドを形成した後のみに行っても
良いし、あるいは、第１領域および第２領域にクラッド
を形成した後にその都度行っても良い。

【００６３】なお、上述した第１および第２の実施の形
態の各工程に用いられる材料につき、以下に説明する。

【００６４】例えば、高分子フィルムを形成するための
高分子材料としては、ポリイミド、ポリメチルメタクリ
レート（ＰＭＭＡ）などの光透過性に優れる材料を用い
ることができる。また、それらの重水素化物、あるい
は、それらのフッ化物などを用いるのが好適である。特
に、フッ化ポリイミドまたはフッ化ＰＭＭＡは、光ファ
イバー通信に用いられる波長帯での透過率に優れている
ため、好適である。なかでも、フッ化ポリイミドは高い
耐熱性を有しているため、好適である。耐熱性は、一般
的に電子部品と同じ基板上に設けられることが多いフィ
ルム型の光導波路において、それら電子部品のはんだ付
けなどの際に生じる熱などによる光導波路の透過性が劣
化するのを低減できるためである。

【００６５】また、ラジカル重合性モノマーとしては、
メチルアクリレート、メチルメタクリレート、アクリロ
ニトリル若しくはスチレンなどのラジカル重合性を有す
るモノマーを用いることができる。ただし、光導波路の
クラッドを構成するために、重合すると高分子フィルム
よりも屈折率が低くなるような材料を用いなければなら
ない。

【００６６】また、ラジカル発生剤としては、ベンゾイ
ンエチルエーテル、ジアゾ化合物、２，２−ジメチル−
２−フェニル−アセトフェノン（２，２−ｄｉｍｅｔｈ
ｙｌ−２−ｐｈｅｎｙｌ−ａｃｅｔｏｐｈｅｎｏｎ
ｅ）、チタノセンクロライド（ｔｉｔａｎｏｃｅｎｅｃ
ｈｌｏｒｉｄｅ）、ベンジル（ｂｅｎｚｉｌ）、１−
（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−
メチルプロパン−１−オン（１−（４−ｉｓｏｐｒｏｐ
ｙｌｐｈｅｎｙｌ）−２−ｈｙｄｒｏｘｙ−２−ｍｅｔ
ｈｙｌｐｒｏｐａｎ−１−ｏｎ）、２−ヒドロキシ−２
−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン（２−ｈｙ
ｄｒｏｘｙ−２−ｍｅｔｈｙｌ−１−ｐｈｅｎｙｌｐｒ
ｏｐａｎ−１−ｏｎ）、アゾイソブチルニトリル（ａｚ
ｏｉｓｏｂｕｔｙｌｎｉｔｒｉｌ）などを用いることが
できる。これら以外にも、紫外線などの光によりラジカ
ルを発生する物質であれば良い。

【００６７】また、液相で拡散を行う場合において、拡
散用溶液を調製するための拡散用溶媒としては、メタノ
ール、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアル
コール類、アセトンなどのケトン類、ジクロロメタンな
どの低沸点溶媒などを用いることができる。これらのよ
うに揮発性の溶媒を用いると、高分子フィルムから簡単
に溶媒を除去できるため好適である。

【００６８】

【実施例】以下、この出願の各発明につき、第１および
第２の実施例を用いて、更に説明する。なお、以下の説
明で用いる使用材料、使用装置、また、使用材料の使用
量や工程中で述べる温度、圧力、膜厚、露光条件、各部
の寸法などの数値的な条件は、この発明の範囲内の一例
に過ぎない。従って、この発明はこれらの条件になんら
限定されるものではない。なお、第１および第２の実施
例において、高分子フィルムとしてフッ化ポリイミドを
用い、ラジカル重合性モノマーとしてメチルアクリレー
トを用い、ラジカル発生剤としてベンゾインエチルエー
テルを用いた例につき説明する。

【００６９】１．第１の実施例 先ず、幅３０μｍおよび深さ２６μｍの溝を有するシリ
コンウェハを用意した。このシリコンウェハの上に、フ
ッ素化ポリイミド（日立化成社製：商品名ＯＰＩ−Ｎ２
００５）をスピンコート法によってコーティングした。
このフッ素化ポリイミドは、フッ化ポリイミドを溶媒と
してのジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）に溶解したも
のである。なお、このスピンコートは、３０００ｒｐｍ
の回転速度で４０秒間行った。そして、コートされたフ
ッ化ポリイミドをシリコンウェハと共に、１００℃で３
０分、２００℃で３０分および３７０℃で４０分間、こ
の順序で焼成した。それにより、シリコンウェハ上にフ
ィルム状の高分子膜が形成され、その膜をシリコンウェ
ハより剥離して、高分子フィルムとした。そのとき、各
部のおおよその寸法は、図２（Ｂ）に示す記号を用いる
と、それぞれ、Ｔ＝４μｍ、Ｈ＝２６μｍおよびＷ＝３
０μｍとなっている。このようにして、リッジ状の凸部
５３を有する高分子フィルム（フッ化ポリイミドフィル
ム）５１を得た（図１（Ａ））。

【００７０】次に、遮光した状態で、ラジカル重合性モ
ノマーおよびラジカル発生剤を含んだ溶液によって、ラ
ジカル重合性モノマーおよびラジカル発生剤を高分子フ
ィルム内の一定の深さまで拡散させる。そこで先ず、ベ
ンゾインエチルエーテル（ラジカル発生剤）を１重量％
含むメチルアクリレート（ラジカル重合性モノマー）２
重量部と、メタノール（拡散用溶媒）８重量部とを混合
した拡散用溶液を調製した。そして、室温（約２０℃）
となっている拡散用溶液に、上述の高分子フィルム５１
を１時間にわたり浸漬した。それにより、高分子フィル
ム５１の表面から約１０μｍの深さまでメチルアクリレ
ート６１およびベンゾインエチルエーテル６３が拡散し
た（図１（Ｂ））。

【００７１】続いて、拡散済みの高分子フィルム５１に
対して露光を行う（図１（Ｃ））。露光の光源として、
５００Ｗの超高圧水銀灯を用いる。その超高圧水銀灯か
ら発生する紫外線を、高分子フィルムの片側全面に、そ
のフィルムから４０ｃｍだけ離れた位置から５分間照射
した。それにより、ベンゾインエチルエーテル６３から
ラジカルが発生して、メチルアクリレート６１が重合す
ることによりクラッド６５が形成された（図１
（Ｄ））。

【００７２】次に、重合してクラッド６５が形成された
高分子フィルム５１から、前述のような重合をせずに高
分子フィルム５１内部に残存した未反応のメチルアクリ
レート６１を除去する。この除去処理は、遮光したチャ
ンバ内に高分子フィルムを設置し、そのフィルムを約１
００℃に加熱しつつ、チャンバ内を約５ｍｍＨｇに減圧
することにより行った。この除去処理により、高分子フ
ィルム５１から未反応のメチルアクリレート６１が除去
されて、フィルム型高分子導波路が得られた（図１
（Ｅ））。

【００７３】このようにして形成されたフィルム型高分
子導波路の１３３０ｎｍの光に対する透過減衰量を調べ
たところ、約０．５ｄＢとなっており、フィルム内の複
数の導波路においてほぼ一定値を示した。

【００７４】２．第２の実施例 ここでは、先ず、直径が２インチのシリコンウェハを用
意した。このシリコンウェハの上に、フッ素化ポリイミ
ド（日立化成社製：商品名ＯＰＩ−Ｎ２００５）をスピ
ンコート法によってコーティングした。このフッ素化ポ
リイミドは、フッ化ポリイミドを溶媒としてのジメチル
アセトアミド（ＤＭＡＣ）に溶解したものである。な
お、このスピンコートは、３０００ｒｐｍの回転速度で
４０秒間行った。このようにコートされたフッ化ポリイ
ミドをシリコンウェハと共に、１００℃で３０分、２０
０℃で３０分、３７０℃で４０分間、この順序で焼成し
た。このとき、シリコンウェハの上に厚さ約４μｍのフ
ッ化ポリイミド膜が形成された。そして更に、この手順
を、５回繰り返すことにより、シリコンウェハ上に約２
４μｍの厚さのフッ化ポリイミド膜を形成した。その膜
を剥離して、高分子フィルム７１を得た（図３
（Ａ））。

【００７５】次に、遮光した状態で、ラジカル重合性モ
ノマーおよびラジカル発生剤を含んだ溶液によって、ラ
ジカル重合性モノマーおよびラジカル発生剤を高分子フ
ィルム内の一定の深さまで拡散させる。そこで先ず、ベ
ンゾインエチルエーテル（ラジカル発生剤）を１重量％
含むメチルアクリレート（ラジカル重合性モノマー）２
重量部と、メタノール（拡散用溶媒）８重量部を混合し
た拡散用溶液を調製した。そして、室温（約２０℃）と
なっている拡散用溶液に、上述の高分子フィルム７１を
６時間にわたり浸漬した。それにより、高分子フィルム
７１の内部に対して均一にメチルアクリレート６１およ
びベンゾインエチルエーテル６３が拡散した（図３
（Ｂ））。

【００７６】続いて、拡散済みの高分子フィルム７１の
第２領域７３に選択的に露光する（図３（Ｃ））。この
選択的な露光は、第２領域７３に対応する幅１０μｍの
細長い開口部を有する露光マスク７５を高分子フィルム
７１の上に設置して行う。露光の光源としては、５００
Ｗの超高圧水銀灯を用いる。この超高圧水銀灯から発生
する紫外線を、高分子フィルム７１の片側全面に、その
フィルムから４０ｃｍ離れた位置から５分間照射した。
それにより、ベンゾインエチルエーテル６３からラジカ
ルが発生して、メチルアクリレート６１の重合が生じる
ことにより第２領域７３にクラッド６５が形成された
（図３（Ｄ））。

【００７７】次に、重合させたのちの高分子フィルム７
１から、未反応のままフィルム内に残存するメチルアク
リレート６１を除去する。この処理は、遮光したチャン
バ内に高分子フィルムを設置し、そのフィルムを約１０
０℃に加熱しつつ、チャンバ内を約５ｍｍＨｇに減圧す
ることにより行った。この除去処理により、高分子フィ
ルム７１から未反応のメチルアクリレート６１が除去さ
れた（図３（Ｅ））。

【００７８】続いて、未反応モノマーの除去処理を施し
た高分子フィルム７１に（図４（Ａ））、メチルアクリ
レート６１およびベンゾインエチルエーテル６３を拡散
させる。そのため、上述した第２屈折率形成領域への拡
散と同様に、室温となっている前述の拡散用溶液に、未
反応モノマーの除去処理を行った高分子フィルム７１を
４０分間にわたり浸漬した。それにより、高分子フィル
ム７１の表面から約１０μｍの深さ（すなわち、第１領
域５７）まで、メチルアクリレート６１およびベンゾイ
ンエチルエーテル６３が拡散した（図４（Ｂ））。

【００７９】次に、この拡散済みの高分子フィルム７１
に対して露光を行う（図４（Ｃ））。この露光の光源と
して、５００Ｗの超高圧水銀灯を用いる。この超高圧水
銀灯から発生する紫外線を、高分子フィルムの片側全面
に、そのフィルムから４０ｃｍ離れた位置から５分間に
わたり照射した。それにより、ベンゾインエチルエーテ
ル６３からラジカルが発生して、メチルアクリレート６
１が重合することにより、第１領域５７にクラッド６５
が形成された（図４（Ｄ））。

【００８０】続いて、重合させたのちの高分子フィルム
７１から、未反応のままフィルム内に残存するメチルア
クリレート６１を除去する。この処理は、遮光したチャ
ンバ内に高分子フィルムを設置し、そのフィルムを約１
００℃に加熱しつつ、チャンバ内を約５ｍｍＨｇに減圧
することにより行った。この除去処理により、高分子フ
ィルム７１から未反応のメチルアクリレート６１が除去
されて、フィルタ型高分子導波路が得られた（図４
（Ｅ））。

【００８１】このようにして形成されたフィルム型高分
子導波路の１３３０ｎｍの光に対する透過減衰量を調べ
たところ、約０．５ｄＢとなっており、フィルム内の複
数の導波路においてほぼ一定値を示した。

【００８２】

【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
第一発明のフィルム型高分子導波路の形成方法によれ
ば、リッジ状の凸部を有する高分子フィルムに、その表
面から一定の深さまでの領域に、ラジカル重合性モノマ
ーおよびラジカル発生剤を拡散させたのち、この高分子
フィルムに光を照射することにより、このラジカル発生
剤から発生したラジカルにラジカル重合性モノマーを重
合させて、クラッドを形成している。このように、この
第一発明によれば、ＲＩＥ法を用いることなくフィルム
型高分子導波路を形成できるので、ＲＩＥ法を用いてい
た際の様々な問題点を解決することができる。したがっ
て、従来に比べ、安価にかつ容易にフィルム型高分子導
波路を形成することができる。また、第二発明とは異な
り、二度のラジカル重合性モノマーおよびラジカル発生
剤の拡散を行うことなくフィルム型高分子導波路を形成
することができる。

【００８３】また、この第二および第三発明のフィルム
型高分子導波路の形成方法によれば、ラジカル重合性モ
ノマーおよびラジカル発生剤をそれぞれ均一に含む高分
子フィルムに局所的（第２領域のみに）に光を照射する
ことにより、第２領域にクラッドの一部を形成する工程
と、高分子フィルムの表面から一定の深さまでの領域
（第１領域）に、ラジカル重合性モノマーおよびラジカ
ル発生剤を拡散させたのち、この高分子フィルムに光を
照射することにより、第１領域にクラッドの一部を形成
する工程とを含む工程を行っている。このように、この
第二および第三発明によれば、ＲＩＥ法を用いることな
くフィルム型高分子導波路を形成できるので、ＲＩＥ法
を用いていた際の様々な問題点を解決することができ
る。したがって、従来に比べ、安価にかつ容易にフィル
ム型高分子導波路を形成することができる。また、上述
した第一発明とは異なり、リッジ状の凸部を有する高分
子フィルムを用いることなくフィルム型高分子導波路を
形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態の説明に供する図である。

【図２】第１の実施の形態における高分子フィルムのリ
ッジ状の凸部と、拡散させる深さとの関係の説明に供す
る図である。

【図３】第２の実施の形態および第２の実施例のそれぞ
れの説明に供する図（その１）である。

【図４】第２の実施の形態および第２の実施例のそれぞ
れの説明に供する図（その２）である。

【図５】従来のフィルム型高分子導波路の形成方法の断
面図である。

【符号の説明】

５１、７１：高分子フィルム ５３：リッジ状の凸部 ５５：リッジ状の凸部以外の部分 ５７：第１領域 ５９：コア ６１：ラジカル重合性モノマー（メチルアクリレート） ６３：ラジカル発生剤（ベンゾインエチルエーテル） ６５：クラッド ６７：フィルム型高分子導波路 ６９：コア形成予定領域 ７３：第２領域 ７５：フォトマスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 見田 充郎 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 (72)発明者 海部 勝晶 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H047 KA04 PA02 PA12 PA15 PA17 PA28 QA05 TA43

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 リッジ状の凸部を有する高分子フィルム
   の表裏から所定深さまでの領域である第１領域に、重合
   すると前記高分子フィルムよりも屈折率が低くなるラジ
   カル重合性モノマーとラジカル発生剤とを拡散させる工
   程と、 前記拡散済みの前記高分子フィルムに光を照射すること
   により、前記ラジカル発生剤からラジカルを発生させて
   前記ラジカル重合性モノマーを重合させ、前記第１領域
   にクラッドを形成すると同時に、該クラッドよりも内部
   の領域にコアを形成する工程とを含むことを特徴とする
   フィルム型高分子導波路の形成方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のフィルム型高分子導波
   路の形成方法において、 前記クラッド形成済みの前記高分子フィルムから、重合
   せずに該高分子フィルム内に残存している前記ラジカル
   重合性モノマーを除去する工程をさらに含むことを特徴
   とするフィルム型高分子導波路の形成方法。
3. 【請求項３】 請求項１に記載のフィルム型高分子導波
   路の形成方法において、 前記高分子フィルムを、フッ化ポリイミドおよびフッ化
   ポリメチルメタクリレートのいずれか一方を含むフィル
   ムとしたことを特徴とするフィルム型高分子導波路の形
   成方法。
4. 【請求項４】 請求項１に記載のフィルム型高分子導波
   路の形成方法において、 前記光を、紫外線としたことを特徴とするフィルム型高
   分子導波路の形成方法。
5. 【請求項５】 重合すると高分子フィルムよりも屈折率
   が低くなるラジカル重合性モノマーとラジカル発生剤と
   を含む当該高分子フィルムの、コア形成予定領域を挟む
   少なくとも２つの領域であって該高分子フィルムの表裏
   に渡る領域（第２領域）に、光を照射することにより、
   前記ラジカル発生剤からラジカルを発生させて前記ラジ
   カル重合性モノマーを重合させ、前記第２領域にクラッ
   ドを形成する工程と、 前記クラッド形成済みの高分子フィルムの表裏から所定
   深さまでの領域である第１領域に、重合すると該高分子
   フィルムよりも屈折率が低くなるラジカル重合性モノマ
   ーとラジカル発生剤とを拡散させたのち、 該高分子フィルムに光を照射することにより、前記ラジ
   カル発生剤からラジカルを発生させて前記ラジカル重合
   性モノマーを重合させ、前記第１領域にクラッドを形成
   すると同時に、前記第１および前記第２領域の各クラッ
   ドよりも内部の領域にコアを形成する工程とを含むこと
   を特徴とするフィルム型高分子導波路の形成方法。
6. 【請求項６】 高分子フィルムの表裏から所定深さまで
   の領域である第１領域に、重合すると該高分子フィルム
   よりも屈折率が低くなるラジカル重合性モノマーとラジ
   カル発生剤とを拡散させたのち、 該高分子フィルムに光を照射することにより、前記ラジ
   カル発生剤からラジカルを発生させて前記ラジカル重合
   性モノマーを重合させ、前記第１領域にクラッドを形成
   する工程と、 前記クラッド形成済みの高分子フィルムに、重合すると
   該高分子フィルムよりも屈折率が低くなるラジカル重合
   性モノマーとラジカル発生剤とを拡散させたのち、 該高分子フィルムの、コア形成予定領域を挟む少なくと
   も２つの領域であって該高分子フィルムの表裏に渡る領
   域（第２領域）に、光を照射することにより、前記ラジ
   カル発生剤からラジカルを発生させて前記ラジカル重合
   性モノマーを重合させ、前記第２領域にクラッドを形成
   すると同時に、前記第１および第２領域の各クラッドよ
   りも内部の領域にコアを形成する工程とを含むことを特
   徴とするフィルム型高分子導波路の形成方法。
7. 【請求項７】 請求項５または請求項６に記載のフィル
   ム型高分子導波路の形成方法において、 前記第１領域にクラッドを形成する工程および前記第２
   領域にクラッドを形成する工程の少なくとも一方の工程
   で、 前記クラッド形成済みの高分子フィルムから、重合せず
   に該高分子フィルム内に残存した前記ラジカル重合性モ
   ノマーを除去する処理を実施することを特徴とするフィ
   ルム型高分子導波路の形成方法。
8. 【請求項８】 請求項５または請求項６に記載のフィル
   ム型高分子導波路の形成方法において、 前記高分子フィルムを、フッ化ポリイミドおよびフッ化
   ポリメチルメタクリレートのいずれか一方を含むフィル
   ムとしたことを特徴とするフィルム型高分子導波路の形
   成方法。
9. 【請求項９】 請求項５または請求項６に記載のフィル
   ム型高分子導波路の形成方法において、 前記光を、紫外線としたことを特徴とするフィルム型高
   分子導波路の形成方法。