JPH02278848A - Integrated circuit device - Google Patents
Integrated circuit deviceInfo
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- JPH02278848A JPH02278848A JP10060889A JP10060889A JPH02278848A JP H02278848 A JPH02278848 A JP H02278848A JP 10060889 A JP10060889 A JP 10060889A JP 10060889 A JP10060889 A JP 10060889A JP H02278848 A JPH02278848 A JP H02278848A
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路装置に関し、特にスタンダードセル方
式による集積回路装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an integrated circuit device, and particularly to an integrated circuit device using a standard cell method.
スタンダードセル方式のカスタム集積回路装置は、ウェ
ハ製造の最初のバターニング工程から集積回路装置の機
能に固有の素子配置構造で作られ、製造チエツクパター
ンは別にして集積回路装置に必要な機能素子だけがチッ
プにレイアウトされる。Standard cell type custom integrated circuit devices are manufactured with an element arrangement structure specific to the function of the integrated circuit device from the initial patterning process of wafer manufacturing, and only the functional elements necessary for the integrated circuit device are manufactured, apart from the manufacturing check pattern. is laid out on the chip.
このため、予め種々の回路に共通利用できるように配列
構成されたトランジスタ群の上で所望回路を実現し、使
わないで残った素子はそのまま放置するゲートアレイに
比較して、スタンダードセルの方がチップ面積を小さく
することができ、コストを低減することができる利点を
有している。For this reason, standard cells are better than gate arrays, in which a desired circuit is realized on a group of transistors arranged in advance so that they can be commonly used in various circuits, and the remaining elements are left as is. This has the advantage that the chip area can be reduced and costs can be reduced.
上述した従来のスタンダードセル方式による集積回路装
置では、試作後に回路修正を行う場合、修正回路に基づ
いて再度レイアウトし、ウェハ製造の最初の工程からそ
れを作り直すことが必要となる。このため、ウェハ製造
上の配線工程だけで殆どの場合に回路修正を行うことが
できるゲートアレイに比べ、より多くの修正日数が必要
になるという問題がある。In the conventional integrated circuit device using the standard cell method described above, when the circuit is modified after prototype production, it is necessary to lay out the circuit again based on the modified circuit and rebuild it from the first step of wafer manufacturing. For this reason, there is a problem in that more days are required for modification than in the case of gate arrays, in which circuit modification can be performed in most cases just by the wiring process during wafer manufacturing.
本発明は修正に要する工程を軽減して、修正日数の短縮
化を可能にした集積回路装置を提供することを目的とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an integrated circuit device in which the number of days required for modification can be shortened by reducing the number of steps required for modification.
本発明の集積回路装置は、特定の素子配置構造で構成し
た外部機能構成部及び内部機能構成部のいずれかのスペ
ース領域に、配設に周期性を有しかつ前記所定の機能に
関係しない素子列を形成している。In the integrated circuit device of the present invention, an element having periodicity and not related to the predetermined function is arranged in a space region of either an external functional component or an internal functional component configured with a specific element arrangement structure. forming a line.
また、素子列はゲートアレイと共通の構成とすることが
可能である。Further, the element array can have a common configuration with the gate array.
〔作用]
この構成では、集積回路装置の回路動作に不具合が生じ
たときに、素子列の一部を使用して回路変更等に伴う機
能ブロックの配置位置移動や回路追加を行って回路の修
正を行う、この修正は配線工程のパターン変更で実現で
き、これにより修正工程をトランジスタ形成工程まで遡
らせる必要を無くし、単に配線工程を修正するのみで済
ませ、修正日数を短縮させる。[Operation] In this configuration, when a problem occurs in the circuit operation of the integrated circuit device, the circuit can be corrected by using a part of the element array to move the placement position of the functional block or add a circuit due to the circuit change etc. This correction can be realized by changing the pattern of the wiring process, thereby eliminating the need to trace the correction process back to the transistor formation process, and simply correcting the wiring process, reducing the number of days required for correction.
また、素子列をゲートアレイと共通にすることで、ブロ
ックレベルの機能形成のための回路接続を不要とする。Furthermore, by sharing the element array with the gate array, circuit connections for forming block-level functions are not required.
次に、本発明を図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は本発明の第1実施例を示す。図において、1は
集積回路チップ、2は入出力回路(バッファ)を含む外
部機能構成部であり、通常ポンディングパッドはこの領
域に含まれる。FIG. 1 shows a first embodiment of the invention. In the figure, 1 is an integrated circuit chip, 2 is an external functional component including an input/output circuit (buffer), and a bonding pad is usually included in this area.
3は内部機能構成部であり、第2図に一部を拡大して示
すように種々の機能ブロック30が配置され、相互に接
続されて集積回路装置の機能の主要部が構成される。即
ち、第2図では、異なる形状1面積のP型拡散層31と
N型拡散層32.異なる長さ9幅寸法の多結晶シリコン
ゲート33が形成され、種々のPチャネルトランジスタ
やNチャネルトランジスタが構成される。これは、集積
回路における面積効率を良くするために、設計回路に夫
々適したトランジスタを形成するためである。Reference numeral 3 denotes an internal functional component, in which various functional blocks 30 are arranged as partially enlarged in FIG. 2, and are interconnected to constitute the main functions of the integrated circuit device. That is, in FIG. 2, a P-type diffusion layer 31 and an N-type diffusion layer 32 . Polycrystalline silicon gates 33 of different lengths and widths are formed to form various P-channel and N-channel transistors. This is to form transistors suitable for each designed circuit in order to improve area efficiency in the integrated circuit.
4は本発明に関わるトランジスタアレイであり、第3図
に示すように、周期的に配列されたセルユニット40か
らなる。即ち、各セルユニット40は、夫々が等しい形
状をしたP型拡散層41やN型拡散層42、及び多結晶
シリコンゲート43で構成される。4 is a transistor array related to the present invention, which, as shown in FIG. 3, is composed of cell units 40 arranged periodically. That is, each cell unit 40 is composed of a P-type diffusion layer 41, an N-type diffusion layer 42, and a polycrystalline silicon gate 43, each having the same shape.
なお、通常の集積回路では、外部機能構成部2や内部機
能構成部3の領域が夫々全て使用されることは殆どなく
、これら外部、内部のいずれか一方の機能構成部に空き
スペースが生じている。このため、この実施例では、内
部機能構成部3に生じた空きスペースを利用してトラン
ジスタアレイ4を形成しており、このトランジスタアレ
イ4を形成することによって集積回路チップlが大型化
・されることはない。In addition, in a normal integrated circuit, the areas of the external functional component 2 and the internal functional component 3 are almost never all used, and free space is created in either the external or internal functional component. There is. For this reason, in this embodiment, the transistor array 4 is formed using the empty space created in the internal functional configuration section 3, and by forming this transistor array 4, the integrated circuit chip l is enlarged. Never.
したがって、このように構成された集積回路では、チッ
プlが最初に物理的に実現された後に、不具合が発見さ
れ、その修正改善のために回路機能を付加することが必
要とされた場合には、トランジスタアレイ4の上でトラ
ンジスタ相互を結線し、所望の回路機能に構成してそれ
を元の回路と接続することにより、回路修正を行うこと
ができる。ここで変更される製造マスクは、少なくとも
トランジスタ形成工程は不要であり、主に配線だけでよ
く、その境界の手前の製造工程まで予めウニハエ程を進
めておけば、修正に要する工程はその残り工程で済み、
修正日数を短縮できる。Therefore, in an integrated circuit configured in this way, if a defect is discovered after the chip l is first physically realized and it is necessary to add a circuit function to correct or improve the defect, , the circuit can be modified by interconnecting the transistors on the transistor array 4, configuring the desired circuit function, and connecting it to the original circuit. The manufacturing mask to be changed here does not require at least the transistor formation process, and only the wiring is required, and if the manufacturing process before the boundary is carried out in advance, the process required for modification will be the remaining process. That's all,
The number of days required for revisions can be shortened.
まり、同一の製造プロセスでスタンダードセルとゲート
アレイとの双方の機能ブロックを有する場合には、トラ
ンジスタアレイ4にゲートアレイと共通のトランジスタ
プレイを形成しておけば、ゲートアレイブロックをその
ままそこで使用することができ、少なくともブロックレ
ベルの機能形成のための回路接続を行うことが不要とな
って効率的な対応が可能になる。In other words, if you have both standard cell and gate array functional blocks in the same manufacturing process, you can use the gate array block as is by forming a common transistor play with the gate array in transistor array 4. At least, it becomes unnecessary to make circuit connections for forming block-level functions, and efficient handling becomes possible.
第4図は本発明の他の実施例であり、第1図と同一部分
には同一符号を付しである。この実施例では、外部機能
構成部2に生じた空きスペースを利用してここにトラン
ジスタアレイ4Aを構成している。FIG. 4 shows another embodiment of the present invention, in which the same parts as in FIG. 1 are given the same reference numerals. In this embodiment, a transistor array 4A is configured using the empty space created in the external functional configuration section 2.
但し、このように構成したときには、通常外部機能構成
部2には幅の太い電源パスラインが通過していることが
多く、そのパスライン下にトランジスタアレイが配列さ
れることになる。そこで、このような場合には、例えば
電源パスラインは第2層アルミニウム配線で形成される
ため、トランジスタアレイ上の回路には第1眉配線のみ
を使用することになる。なお、この第1層配線のみで回
路を構成するのが困難な場合には、修正の製造工程が長
くなるが、多結晶シリコンを配線として使用することも
可能であり、また特にメタル3層のプロセスでは、電源
バスに第3層配線を割当てることで、トランジスタアレ
イ上の回路構成に第1層、第2層の2つの′配線層を使
うことが可能である。However, when configured in this way, a wide power supply path line often passes through the external functional configuration section 2, and a transistor array is arranged under the path line. Therefore, in such a case, for example, since the power supply pass line is formed of the second layer aluminum wiring, only the first eyebrow wiring is used for the circuit on the transistor array. Note that if it is difficult to construct a circuit using only this first layer wiring, it is possible to use polycrystalline silicon as the wiring, although the manufacturing process for correction will be longer. In the process, by assigning the third layer wiring to the power supply bus, it is possible to use the first and second wiring layers for the circuit configuration on the transistor array.
以上説明したように本発明は、外部機能構成部及び内部
機能構成部のいずれかのスペース領域に、配設に周期性
を有して各機能構成部の機能に関係しない素子列を形成
しているので、集積回路装置の回路の修正に際しては配
線工程のパターン変更で実現でき、これにより修正工程
をトランジスタ形成工程まで遡らせる必要を無くし、修
正日数を短縮することができる。また、素子列をゲート
アレイと共通にすることで、ブロックレベルの機能形成
のための回路接続を行うことを不要にし、効率的な対応
を可能とする。As explained above, the present invention forms element rows that have periodic arrangement and are not related to the functions of each functional component in the space area of either the external functional component or the internal functional component. Therefore, when modifying the circuit of an integrated circuit device, it can be realized by changing the pattern in the wiring process, thereby eliminating the need to trace the modification process back to the transistor formation process, and reducing the number of days required for modification. Furthermore, by sharing the element array with the gate array, it becomes unnecessary to perform circuit connections for forming block-level functions, and efficient handling becomes possible.
第1図は本発明の一実施例の平面図、第2図は内部機能
構成部の一部の拡大レイアウト図、第3図はトランジス
タアレイの一部の拡大レイアウト図、第4図は本発明の
他の実施例の平面図である。
1・・・集積回路チップ、2・・・外部機能構成部、3
・・・内部機能構成部、4,4A・・・トランジスタア
レイ、30・・・セルユニット、31・・・P型拡散層
、32・・・N型拡散層、33・・・多結晶シリコンゲ
ート、40・・・機能ブロック、41・・・P型拡散層
、42・・・N型拡散層、43・・・多結晶シリコンゲ
ート。
第1図
、 I X 4 rII Fh + 、7’:l”第2
図
慎SそP
gx−仰
シフ−号晶〉ノコぎ゛−LFIG. 1 is a plan view of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an enlarged layout diagram of a part of the internal functional components, FIG. 3 is an enlarged layout diagram of a part of the transistor array, and FIG. 4 is a diagram illustrating the invention. FIG. 3 is a plan view of another embodiment of the invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Integrated circuit chip, 2... External functional component, 3
...Internal functional component, 4,4A...Transistor array, 30...Cell unit, 31...P type diffusion layer, 32...N type diffusion layer, 33...Polycrystalline silicon gate , 40... Functional block, 41... P type diffusion layer, 42... N type diffusion layer, 43... Polycrystalline silicon gate. Figure 1, I X 4 rII Fh + , 7':l''2nd
Zuushin S SoP gx-up-up-go-sho〉Nokogi゛-L
Claims (1)
構成した外部機能構成部及び内部機能構成部を備える集
積回路装置において、前記外部機能構成部又は内部機能
構成部のいずれかのスペース領域に、周期性を有しかつ
前記所定の機能に関係しない素子列を形成したことを特
徴とする集積回路装置。 2、前記素子列をゲートアレイと共通の構成としてなる
特許請求の範囲第1項記載の集積回路装置。[Claims] 1. In an integrated circuit device comprising an external functional component and an internal functional component configured with a specific element arrangement structure for configuring a predetermined function, the external functional component or the internal functional component An integrated circuit device characterized in that an element array having periodicity and not related to the predetermined function is formed in any one of the space regions. 2. The integrated circuit device according to claim 1, wherein the element array has a common configuration with a gate array.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10060889A JPH02278848A (en) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | Integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10060889A JPH02278848A (en) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | Integrated circuit device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02278848A true JPH02278848A (en) | 1990-11-15 |
Family
ID=14278567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10060889A Pending JPH02278848A (en) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | Integrated circuit device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02278848A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0548349U (en) * | 1991-11-29 | 1993-06-25 | 新日本無線株式会社 | Semiconductor integrated circuit device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63209144A (en) * | 1987-02-24 | 1988-08-30 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | Logic chip and manufacture of the same |
JPH01235248A (en) * | 1988-03-15 | 1989-09-20 | Seiko Epson Corp | Standard cell ic with gate array |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP10060889A patent/JPH02278848A/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63209144A (en) * | 1987-02-24 | 1988-08-30 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | Logic chip and manufacture of the same |
JPH01235248A (en) * | 1988-03-15 | 1989-09-20 | Seiko Epson Corp | Standard cell ic with gate array |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0548349U (en) * | 1991-11-29 | 1993-06-25 | 新日本無線株式会社 | Semiconductor integrated circuit device |
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