JPH02278824A - ウェットエッチング装置 - Google Patents
ウェットエッチング装置Info
- Publication number
- JPH02278824A JPH02278824A JP10057489A JP10057489A JPH02278824A JP H02278824 A JPH02278824 A JP H02278824A JP 10057489 A JP10057489 A JP 10057489A JP 10057489 A JP10057489 A JP 10057489A JP H02278824 A JPH02278824 A JP H02278824A
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- JP
- Japan
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- etching
- substrate
- rotation
- liquid
- center
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ダイオード、トランジスタ、ＧＴＯサイリス
クなどの製造の際に半導体基板表面にマスクパターンを
形成し、マスクに覆われない部分を基板面内で均一の深
さに除去するために用いるウェットエツチング装置に関
する。
クなどの製造の際に半導体基板表面にマスクパターンを
形成し、マスクに覆われない部分を基板面内で均一の深
さに除去するために用いるウェットエツチング装置に関
する。
半導体基板のためのウェットエッチングの手法として従
来は浸漬法あるいはスプレーエツチング法が行われてい
た。
来は浸漬法あるいはスプレーエツチング法が行われてい
た。
浸漬法は、エツチング液の入った槽の中に基板を並べた
治具を浸し、エツチング液を攪拌する方法であり、スプ
レーエツチング法は高速で回転させた基板の上から霧状
にしたエツチング液を吹き付ける方法である。
治具を浸し、エツチング液を攪拌する方法であり、スプ
レーエツチング法は高速で回転させた基板の上から霧状
にしたエツチング液を吹き付ける方法である。
浸漬法もスプレーエツチング法も実用的なスループット
を得ることは可能であるが、選択エツチングの際のパタ
ーンによっては基板面内でのエツチング深さにばらつき
が生じるなどの問題があった。このようなエツチング深
さのばらつきは、選択エツチングのために設けられたマ
スクパターンと液流の関係から生ずる。このことは、マ
スクパターンを設けない基板のエツチングの際にはエツ
チング深さのばらつきが生じないことかられかる。
を得ることは可能であるが、選択エツチングの際のパタ
ーンによっては基板面内でのエツチング深さにばらつき
が生じるなどの問題があった。このようなエツチング深
さのばらつきは、選択エツチングのために設けられたマ
スクパターンと液流の関係から生ずる。このことは、マ
スクパターンを設けない基板のエツチングの際にはエツ
チング深さのばらつきが生じないことかられかる。
本発明の目的は、マスクパターンで覆われた基板表面か
らマスクに覆われない部分に均一な深さのエツチングパ
ターンを効率よく形成することができるウェットエツチ
ング装置を提供することにある。
らマスクに覆われない部分に均一な深さのエツチングパ
ターンを効率よく形成することができるウェットエツチ
ング装置を提供することにある。
上記の目的の達成のために、本発明のウェットエツチン
グ装置は、エツチング液を収容する液槽と、そのエツチ
ング液中に浸漬され被エツチングａｉＦＬを液面に平行
に支持する支持体を備え、その支持体が基板中心の周り
を液面に平行に回転する方向の自転運動と液槽中心の周
りの公転運動をすることを可能にする機構に連結されて
なるものとする。
グ装置は、エツチング液を収容する液槽と、そのエツチ
ング液中に浸漬され被エツチングａｉＦＬを液面に平行
に支持する支持体を備え、その支持体が基板中心の周り
を液面に平行に回転する方向の自転運動と液槽中心の周
りの公転運動をすることを可能にする機構に連結されて
なるものとする。
エツチング液中での被エツチング基板が自転。
公転運動することにより、基板表面にかたよりのない全
方位的な液流を生じさせるため、選択エツチングにおけ
るエツチング深さ、断面形状等を園内において均一化さ
せろことができる。
方位的な液流を生じさせるため、選択エツチングにおけ
るエツチング深さ、断面形状等を園内において均一化さ
せろことができる。
〔実施例〕
第１ｒＭは本発明に基づくウェットエツチング装置を示
す、半導体基板を収容する凹部１１を有する基板支持体
ｌは吊下げ部１２を介して基板中心を遣軸線を中心軸と
する支持棒１３に連結されている。
す、半導体基板を収容する凹部１１を有する基板支持体
ｌは吊下げ部１２を介して基板中心を遣軸線を中心軸と
する支持棒１３に連結されている。
支持棒１３はジツイント部２を介して自転軸３に着脱可
能に取付けられる。そして基板支持体１をエツチング液
槽４内に収容されるエツチング液に浸漬させる。自転軸
３の自転運動は、図示しない減速歯車を備えた自転用モ
ータ５の回転軸６から歯車６１．３１を介して伝達され
る。自転軸３および自転用モータ回転輪６は図示しない
ギヤボックスに遊嵌している。そのギヤボックスに自転
用モータ回転軸６の周りに回転可能な歯車７が固定され
ており、歯車７は図示し力い減速歯車を備えた公転用モ
ータ８の回転軸９に固定された歯車９１と噛み合ってい
る。歯車７の回転に伴い、それに遊嵌する自転軸３の自
転用モータ回転軸６の周りの回転が起こる。自転用モー
タ回転軸６は液槽４の中心を通るように設置されている
ので、歯車７の回転に伴う自転軸３の運動は液槽中心の
周りの公転運動とな１．このような自転運動および公転
運動の回転速度は、それぞれ自転用モータ５および公転
用モータ８の回転数を変えることにより独立して変える
ことができ、エツチング液あるいはエツチングパターン
等に応じて調整することができる。
能に取付けられる。そして基板支持体１をエツチング液
槽４内に収容されるエツチング液に浸漬させる。自転軸
３の自転運動は、図示しない減速歯車を備えた自転用モ
ータ５の回転軸６から歯車６１．３１を介して伝達され
る。自転軸３および自転用モータ回転輪６は図示しない
ギヤボックスに遊嵌している。そのギヤボックスに自転
用モータ回転軸６の周りに回転可能な歯車７が固定され
ており、歯車７は図示し力い減速歯車を備えた公転用モ
ータ８の回転軸９に固定された歯車９１と噛み合ってい
る。歯車７の回転に伴い、それに遊嵌する自転軸３の自
転用モータ回転軸６の周りの回転が起こる。自転用モー
タ回転軸６は液槽４の中心を通るように設置されている
ので、歯車７の回転に伴う自転軸３の運動は液槽中心の
周りの公転運動とな１．このような自転運動および公転
運動の回転速度は、それぞれ自転用モータ５および公転
用モータ８の回転数を変えることにより独立して変える
ことができ、エツチング液あるいはエツチングパターン
等に応じて調整することができる。
基板支持体ｌの自転および公転によりエツチング液が攪
拌されゐため液流はマスクパターン、エツチングパター
ンに対して全方位的になる。また、多量のエツチング液
を使えば液温はほぼ一定となり、エツチング時間の管理
のみで再現性のあるエツチングが行える。なお、このウ
ェットエツチング装置本体は、ふっ酸、硝酸等の酸に耐
えられるよう、塩化ビニール、ふっ素樹脂などでできて
いる。
拌されゐため液流はマスクパターン、エツチングパター
ンに対して全方位的になる。また、多量のエツチング液
を使えば液温はほぼ一定となり、エツチング時間の管理
のみで再現性のあるエツチングが行える。なお、このウ
ェットエツチング装置本体は、ふっ酸、硝酸等の酸に耐
えられるよう、塩化ビニール、ふっ素樹脂などでできて
いる。
以下、このような装置をＧＴＯサイリスタのゲートカソ
ード間分層エツチングに適用した結果について述べる。
ード間分層エツチングに適用した結果について述べる。
大容量のＧＴＯサイリスタでは、面内に放射状に配列し
た数百から千敗百個の微少なカソード部があり、これら
とゲート部を分離させるため、ゲート部を数十ミクロン
掘りさげる構造をとる。この工程はウェットエツチング
によるが、エツチング深さすなわちゲート部の深さは、
ゲートの横方向抵抗値と関係があるため、この深さを園
内で均一にする必要がある。
た数百から千敗百個の微少なカソード部があり、これら
とゲート部を分離させるため、ゲート部を数十ミクロン
掘りさげる構造をとる。この工程はウェットエツチング
によるが、エツチング深さすなわちゲート部の深さは、
ゲートの横方向抵抗値と関係があるため、この深さを園
内で均一にする必要がある。
第２図に単にエツチング槽中で基板を不規則に攪拌した
従来の方法による場合と第１図に示した装置を使用した
場合とのゲート深さのばらつきの様子を比較して示した
。使用したシリコンウェハは直径４インチであり、エツ
チング液は硝酸とぶつ酸の３対ｌの混合液、液温は２０
℃であった。また、本発明に基づく装置の回転数は自転
、公転ともに３０ｒｐ雪である。エツチング時間は３分
間とした。グラフは基板中心からの距離とエツチング深
さを示し、白丸は従来の方法による場合、黒丸は第１図
の装置を使用した場合である０本発明の装置を用いれば
ほぼ平坦になることがわかる。
従来の方法による場合と第１図に示した装置を使用した
場合とのゲート深さのばらつきの様子を比較して示した
。使用したシリコンウェハは直径４インチであり、エツ
チング液は硝酸とぶつ酸の３対ｌの混合液、液温は２０
℃であった。また、本発明に基づく装置の回転数は自転
、公転ともに３０ｒｐ雪である。エツチング時間は３分
間とした。グラフは基板中心からの距離とエツチング深
さを示し、白丸は従来の方法による場合、黒丸は第１図
の装置を使用した場合である０本発明の装置を用いれば
ほぼ平坦になることがわかる。
（発明の効果）
本発明によれば、被エツチング基板を液槽に収容された
エツチング液中で基板中心の周りを液面に平行に回転す
る方向の自転運動と液槽中心の周りの公転運動を行わせ
ろことにより、エツチング買上に全方位的な液流がおこ
り、マスクパターンの如何にかかわらず、選択エツチン
グを基板面内で均一に行うことができた。このウェット
エツチング装置は、前述のＧＴＯサイリスタの製造工程
に限らず、ダイオード、サイリスタあるいはトランジス
タ等の製造工程に含まれる比較的深いエツチング工程に
も育効に使用することができる。
エツチング液中で基板中心の周りを液面に平行に回転す
る方向の自転運動と液槽中心の周りの公転運動を行わせ
ろことにより、エツチング買上に全方位的な液流がおこ
り、マスクパターンの如何にかかわらず、選択エツチン
グを基板面内で均一に行うことができた。このウェット
エツチング装置は、前述のＧＴＯサイリスタの製造工程
に限らず、ダイオード、サイリスタあるいはトランジス
タ等の製造工程に含まれる比較的深いエツチング工程に
も育効に使用することができる。
第１図は本発明の一実施例の装置の要部斜視図、第２図
は第１図の装置を用いた場合と従来の方法による場合の
ＧＴＯサイリスタのゲート深さのばらつきう示す線図で
ある。 ｌ：基板支持体、１１：凹部、３：自転軸、４：液槽、
５：自転用モータ、６：自転用モータ回転軸、７，３１
，６１．９１ ：歯車、８：公転用モータ、９：１／ｉ
１図
は第１図の装置を用いた場合と従来の方法による場合の
ＧＴＯサイリスタのゲート深さのばらつきう示す線図で
ある。 ｌ：基板支持体、１１：凹部、３：自転軸、４：液槽、
５：自転用モータ、６：自転用モータ回転軸、７，３１
，６１．９１ ：歯車、８：公転用モータ、９：１／ｉ
１図
Claims (1)
- １）エッチング液を収容する液槽と、そのエッチング液
中に浸漬され被エッチング基板を液面に平行に支持する
支持体とを備え、その支持体が基板中心の周りを液面に
平行に回転する方向の自転運動と液槽中心の周りの公転
運動をすることを可能にする機構に連結されてなること
を特徴とするウェットエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10057489A JPH02278824A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | ウェットエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10057489A JPH02278824A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | ウェットエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02278824A true JPH02278824A (ja) | 1990-11-15 |
Family
ID=14277673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10057489A Pending JPH02278824A (ja) | 1989-04-20 | 1989-04-20 | ウェットエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02278824A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103811373A (zh) * | 2012-11-06 | 2014-05-21 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种单片湿法处理模块的工艺杯 |
-
1989
- 1989-04-20 JP JP10057489A patent/JPH02278824A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103811373A (zh) * | 2012-11-06 | 2014-05-21 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种单片湿法处理模块的工艺杯 |
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