JPH02276281A - 半導体レーザ励起固体レーザ - Google Patents

半導体レーザ励起固体レーザ

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Publication number
JPH02276281A
JPH02276281A JP9807189A JP9807189A JPH02276281A JP H02276281 A JPH02276281 A JP H02276281A JP 9807189 A JP9807189 A JP 9807189A JP 9807189 A JP9807189 A JP 9807189A JP H02276281 A JPH02276281 A JP H02276281A
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JP
Japan
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solid
semiconductor laser
state laser
laser
medium
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Pending
Application number
JP9807189A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanori Sakamoto
坂本　真紀
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は固体レーザに関し、特に半導体レーザ励起固体
レーザに関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体レーザ励起固体レーザについて図面を参照
して説明する。
第２図は従来の半導体レーザ励起固体レーザを示す概略
構成図である。半導体レーザ１１が、固体レーザ励起用
光源であり、半導体レーザ１１より発せられた半導体レ
ーザ光１１ａは固体レーザ媒質１２に導入され、半導体
レーザ光により励起された部分は、固体レーザ波長に対
する利得媒質となり、固体レーザ光軸６に沿ってレーザ
発振を行う。励起に寄与しなかった半導体レーザ光は固
体レーザ媒質１２を透過し、ミラー１３により反射され
一部固体レーザ媒質に戻すことが可能である。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体レーザ励起固体レーザは。
半導体レーザ光の集光部がなく、単に半導体レーザを円
柱状の固体レーザ媒質の側面に配置としているため、固
体レーザ媒質に導入された半導体レーザ光は媒質内で一
度も集光することがなく、励起密度を高くすることが困
難である。さらに、固体レーザ媒質内部で吸収されなか
った半導体レーザ光は、その殆どが固体レーザ媒質外部
へ透過してしまうという欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体装置ザ励起固
体レーザを席供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するため、本発明は半導体レーザ励起固
体レーザにおいて１円柱の半円周面に半導体レーザ波長
に対する無反射コーティングを施し、対向する半円周面
に半導体レーザ波長に対する全反射コーティングを施し
た円柱形の固体レーザ媒質と、該円柱形の固体レーザ媒
質の中心軸上に半導体レーザの光を集光する半導体レー
ザ集光部とを有するものである。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す概略構成図である。図
において、半導体レーザ１が、固体レーザ励起用光源で
ある。半導体レーザ集光部２は２枚のシリンドリカルレ
ンズからなり、半導体レーザ光１ａの拡がり角を補正後
、焦点距離がＲ＋ｄに等しい焦点距離を持つ集光レンズ
で円柱形の固体レーザ媒質３の中心軸上に半導体レーザ
光を集光する。半導体レーザ光導入側の円柱形の固体レ
ーザ媒質３の半円周面は半導体レーザ波長に対する無反
射コーティング４が施され、半導体レーザ光の透過率を
向上させている。円柱形の固体レーザ媒質３の中心軸上
に集光された部分で吸収されなかった半導体レーザ光は
、対向する半円周面に至り、半導体レーザ波長に対する
全反射コーティング５により中心軸方向に反射され、再
度集光される。円柱形固体レーザ媒質３の中心軸上は半
導体レーザ光により最も高い密度で励起され、この部分
を固体レーザの利得媒質として利用し、この軸が固体レ
ーザ光軸６となる。固体レーザ光軸６の両端に固体レー
ザの共振器を構成することにより固体レーザが発振する
。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は円柱半円周面に半導体レー
ザ波長に対する無反射コーティングを施し、対向する円
柱半円周面に半導体レーザ波長に対する全反射コーティ
ングを施した円柱形の固体レーザ媒質と、円柱状の固体
レーザ媒質の中心軸上に半導体レーザ光を集光する焦点
距離を持つ半導体レーザ集光部とを用いることにより、
高密度励起が可能になり、さらに、固体レーザの励起に
利用できなかった半導体レーザ光を再度利用することが
でき、これらの効果により固体レーザ出力効率の向上を
もたらすことができ、装置の小型化を実現できる効果を
有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体レーザ励起固体レーザを示す概
略構成図、第２図は従来の半導体レーザ励起固体レーザ
の概略構成図である。 １・・・半導体レーザ　　　２・・半導体レーザ集光部
３・・・固体レーザ媒質　　４・・・無反射コーティン
グ５・・・全反射コーティング

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体レーザ励起固体レーザにおいて、円柱の半
    円周面に半導体レーザ波長に対する無反射コーティング
    を施し、対向する半円周面に半導体レーザ波長に対する
    全反射コーティングを施した円柱形の固体レーザ媒質と
    、該円柱形の固体レーザ媒質の中心軸上に半導体レーザ
    の光を集光する半導体レーザ集光部とを有することを特
    徴とする半導体レーザ励起固体レーザ。
JP9807189A 1989-04-18 1989-04-18 半導体レーザ励起固体レーザ Pending JPH02276281A (ja)

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