JPH02276104A - セラミックス基板用導電性ペーストの製造方法 - Google Patents
セラミックス基板用導電性ペーストの製造方法Info
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- JPH02276104A JPH02276104A JP2016163A JP1616390A JPH02276104A JP H02276104 A JPH02276104 A JP H02276104A JP 2016163 A JP2016163 A JP 2016163A JP 1616390 A JP1616390 A JP 1616390A JP H02276104 A JPH02276104 A JP H02276104A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は酸化アルミニウムなど、セラミックス基板用
の導電性ペーストの製造方法に関するものである。
の導電性ペーストの製造方法に関するものである。
〈従来の技術〉
現在スクリーン印刷法で基板上に導体を形成する場合、
その解像度はサーマルヘッド分野Auペーストで40〜
50p−が限界とも言われているが、アルミナ基板に導
体を形成するAg、 Ag−PdなどAg系ペーストや
Cu、 Nlなと卑金属ペーストでは150〜200p
mが現状である。
その解像度はサーマルヘッド分野Auペーストで40〜
50p−が限界とも言われているが、アルミナ基板に導
体を形成するAg、 Ag−PdなどAg系ペーストや
Cu、 Nlなと卑金属ペーストでは150〜200p
mが現状である。
高解像度を得るためにはまずペーストが罹実にスクリー
ンを通過し、基板上にパターンを形成することが必要で
ある。このときパターンの膜17はライン幅が小さくな
るにつれ必然的に薄くなるので膜厚が薄くなっても緻密
な膜を得ることが必要である。そのために例えば、特開
昭61−85705号公報では粒径10pm以下好まし
くは0.5〜5psの銀微粉末や平均粒径10,111
1以下の酸化イツトリウムを用いることにより、また特
開昭60−44904号公報では金属化成分が球状粉の
場合は少なくともその90%が最大粒径2−を越えない
ように、好ましくは全ての粒子が1−以下となるように
、またリン片状物の場合は、少なくともその90%が最
大粒径30p■を越えないように、好ましくは全ての粒
子が20Jlll以下となるように微粉化することによ
り好ましい分散状態を得て上述の薄くても緻密な膜を達
成している。
ンを通過し、基板上にパターンを形成することが必要で
ある。このときパターンの膜17はライン幅が小さくな
るにつれ必然的に薄くなるので膜厚が薄くなっても緻密
な膜を得ることが必要である。そのために例えば、特開
昭61−85705号公報では粒径10pm以下好まし
くは0.5〜5psの銀微粉末や平均粒径10,111
1以下の酸化イツトリウムを用いることにより、また特
開昭60−44904号公報では金属化成分が球状粉の
場合は少なくともその90%が最大粒径2−を越えない
ように、好ましくは全ての粒子が1−以下となるように
、またリン片状物の場合は、少なくともその90%が最
大粒径30p■を越えないように、好ましくは全ての粒
子が20Jlll以下となるように微粉化することによ
り好ましい分散状態を得て上述の薄くても緻密な膜を達
成している。
このように、導電性ペースト中の金属化成分及び基板と
の結合成分より構成される無機固体粒子を微粉化するこ
とにより緻密な膜を経由して、導体の高解像度を達成し
ているが、一方1pw+以下の粒子は凝集しやすく、適
当な有機ビヒクルを用いてペースト化した場合に気泡を
巻き込んでペースト密度を低下させ、また金属化成分と
結合成分とが分離偏析し、その結果焼成時に空孔を形成
し焼成膜密度を低下させることが一般に知られている。
の結合成分より構成される無機固体粒子を微粉化するこ
とにより緻密な膜を経由して、導体の高解像度を達成し
ているが、一方1pw+以下の粒子は凝集しやすく、適
当な有機ビヒクルを用いてペースト化した場合に気泡を
巻き込んでペースト密度を低下させ、また金属化成分と
結合成分とが分離偏析し、その結果焼成時に空孔を形成
し焼成膜密度を低下させることが一般に知られている。
例えばR,R,ゲティーらは電子材料’83 (5)
P45〜52において、直径0..5−以下のような粒
子が焼成により過度の収縮をおこす事実を指摘している
。
P45〜52において、直径0..5−以下のような粒
子が焼成により過度の収縮をおこす事実を指摘している
。
〈発明が解決しようとする課題〉
本発明の目的は微粉化された無機固体成分を用いて高解
像度を有するセラミックス基板用導電性ペーストの製造
方法を提案することである。
像度を有するセラミックス基板用導電性ペーストの製造
方法を提案することである。
く課題を解決するための手段〉
本発明は、導電性を担う金属化成分粒子と基板との接着
を担うガラス粒子及び/又は金属酸化物粒子からなる結
合成分粒子を含有する導電性ペーストの製造方法におい
て、各々の平均粒径が1−以下の金属化成分粒子と結合
成分粒子をOII基を有する20″Cでの蒸気圧がI
Torr以上の極性有機溶媒と均一に混合し、次いで該
混合物より該011基を有する極性有8i溶媒を揮散除
去した後、該混合物を有機ビヒクルを用いてペースト化
することを特徴とするセラミックス基板用導電性ペース
トの製造方法である。
を担うガラス粒子及び/又は金属酸化物粒子からなる結
合成分粒子を含有する導電性ペーストの製造方法におい
て、各々の平均粒径が1−以下の金属化成分粒子と結合
成分粒子をOII基を有する20″Cでの蒸気圧がI
Torr以上の極性有機溶媒と均一に混合し、次いで該
混合物より該011基を有する極性有8i溶媒を揮散除
去した後、該混合物を有機ビヒクルを用いてペースト化
することを特徴とするセラミックス基板用導電性ペース
トの製造方法である。
く作 用〉
導電性ペースト中の無機固体成分粒子は金属化成分とし
ての^L Cu、 Pd、^u、 Ptなどの金属粉末
あるいは、Snug、 RuO□などの金属酸化物粉末
と、基板との結合成分としてのガラス粉末及び/又は金
属酸化物粉末とから構成される。線幅10ha以下のよ
うな高解像度の導体パターンを形成する場合にスクリー
ンマスクは少な(とも325メツシュ以上の細い、開口
率の小さいメツシュスクリーンを用いることが必要で、
しかも、高いマスクパターン解像度を得るためにはマス
クの膜厚が制限される。そのため、これら無機固体成分
粒子はこのメツシュをパスできる大きさであること、ま
たマスク膜厚が薄(でも緻密な焼成膜を得るために、そ
の平均粒径は1−以下であることが必要である。
ての^L Cu、 Pd、^u、 Ptなどの金属粉末
あるいは、Snug、 RuO□などの金属酸化物粉末
と、基板との結合成分としてのガラス粉末及び/又は金
属酸化物粉末とから構成される。線幅10ha以下のよ
うな高解像度の導体パターンを形成する場合にスクリー
ンマスクは少な(とも325メツシュ以上の細い、開口
率の小さいメツシュスクリーンを用いることが必要で、
しかも、高いマスクパターン解像度を得るためにはマス
クの膜厚が制限される。そのため、これら無機固体成分
粒子はこのメツシュをパスできる大きさであること、ま
たマスク膜厚が薄(でも緻密な焼成膜を得るために、そ
の平均粒径は1−以下であることが必要である。
金属化成分の微粉化は、従来技術として、特に積層コン
デンサー電極用ペーストのように、それ自体は結合成分
を含まず、また大面積膜を形成するような分野では試み
られ、薄くて緻密な膜を達成し得たが、ハイブリッドI
C厚膜ペーストなどのように結合成分としてガラスや金
属酸化物を含み、さらに、ファインラインなど高解像度
を達成しようとする場合には微粉が気泡をまき込んで凝
集し、密度低下や断線をもたらしたり、金属化成分と結
合成分の偏析によりガラスあるいは酸化物が表出するな
どの問題が生じ易い。
デンサー電極用ペーストのように、それ自体は結合成分
を含まず、また大面積膜を形成するような分野では試み
られ、薄くて緻密な膜を達成し得たが、ハイブリッドI
C厚膜ペーストなどのように結合成分としてガラスや金
属酸化物を含み、さらに、ファインラインなど高解像度
を達成しようとする場合には微粉が気泡をまき込んで凝
集し、密度低下や断線をもたらしたり、金属化成分と結
合成分の偏析によりガラスあるいは酸化物が表出するな
どの問題が生じ易い。
本発明においては、これら微粉化された無機固体粒子を
OII基を有する20℃での蒸気圧がl Torr以上
の極性有機溶媒(以下単に極性有機溶媒と言う)により
均一に混合することにより、金属化成分と結合成分の分
離、偏析を押さえ、ペーストの有機ビヒクルとのぬれ性
を改善できる点を見出した。
OII基を有する20℃での蒸気圧がl Torr以上
の極性有機溶媒(以下単に極性有機溶媒と言う)により
均一に混合することにより、金属化成分と結合成分の分
離、偏析を押さえ、ペーストの有機ビヒクルとのぬれ性
を改善できる点を見出した。
さらにOH基を有する極性有機溶媒は微粉、特に金属機
f5】を酸化させないし、揮発しやすく気化除去が容易
なので、ペースト化時に残留してレオロジー性や焼成時
の焼結性に悪影響をおよぼさないことを見出した。これ
に対してO1l基を有する20°Cでの蒸気圧がl T
orr未滴の極性有機溶媒は揮発しにくく気化除去性が
悪いためにペースト化時に残留してレオロジー性や焼成
時の焼結性に悪影響を及ぼす。
f5】を酸化させないし、揮発しやすく気化除去が容易
なので、ペースト化時に残留してレオロジー性や焼成時
の焼結性に悪影響をおよぼさないことを見出した。これ
に対してO1l基を有する20°Cでの蒸気圧がl T
orr未滴の極性有機溶媒は揮発しにくく気化除去性が
悪いためにペースト化時に残留してレオロジー性や焼成
時の焼結性に悪影響を及ぼす。
従って、本発明では011基を有する極性有機溶媒の2
0’Cでの蒸気圧がl Torr以上であることが必要
である0本発明において用いられる極性有機溶媒として
は、エタノール、プロパツール、2−プロパツール、ブ
タノール、2−ブタノール、2−メチル−■−プロパツ
ール、メタノール、エチレフグリコールモノメチルエー
テル。エチレングリコールモノエチルエーテル N−ジ
メチルエタノールアミン等が用いられる。
0’Cでの蒸気圧がl Torr以上であることが必要
である0本発明において用いられる極性有機溶媒として
は、エタノール、プロパツール、2−プロパツール、ブ
タノール、2−ブタノール、2−メチル−■−プロパツ
ール、メタノール、エチレフグリコールモノメチルエー
テル。エチレングリコールモノエチルエーテル N−ジ
メチルエタノールアミン等が用いられる。
該極性有機溶媒を用いて無機固体粒子の均一分散体を作
る際に超音波振動やボットミル混練等によるメカノケミ
カル的作用により、ガラス及び全屈酸化物粒子の表面や
金属粉末粒子の表面酸化層にアルコラードを形成し、こ
れらの無機固体粒子を親油性になるよう表面改質して、
有機ビヒクルと良好なぬれ性を発揮すると考えられる。
る際に超音波振動やボットミル混練等によるメカノケミ
カル的作用により、ガラス及び全屈酸化物粒子の表面や
金属粉末粒子の表面酸化層にアルコラードを形成し、こ
れらの無機固体粒子を親油性になるよう表面改質して、
有機ビヒクルと良好なぬれ性を発揮すると考えられる。
次に、均−分l1l(体を作る方法としては、ボットミ
ル混練、超音波振動などファインセラミックスの分野で
スラリーを作成するのに用いられる一般的な方法でかま
わないが、金属化成分粒子間及び結合成分粒子間に働く
D集エネルギーに打ち勝つことが必要で、金属化成分粒
子は一般的なセラミクス粒子に比べて比重が大きいため
攪拌の中でもスターラーなどの方法では1000rp@
以上のいわゆる高速回転が望ましい、この時、分散性は
極性有機溶媒に加えて、いわゆるカップリング剤を添加
することによりさらに向上する。
ル混練、超音波振動などファインセラミックスの分野で
スラリーを作成するのに用いられる一般的な方法でかま
わないが、金属化成分粒子間及び結合成分粒子間に働く
D集エネルギーに打ち勝つことが必要で、金属化成分粒
子は一般的なセラミクス粒子に比べて比重が大きいため
攪拌の中でもスターラーなどの方法では1000rp@
以上のいわゆる高速回転が望ましい、この時、分散性は
極性有機溶媒に加えて、いわゆるカップリング剤を添加
することによりさらに向上する。
均一分子it体が得られた後極性有機溶媒を除去する方
法としては、加熱蒸発など、熱を加える方法では微粉が
酸化等の変質を受けるおそれがありまた、遠心脱水など
大きな外力で固液分離する場合にはせっかく均一になっ
た成分をも分離する可能性がある。一方これらの固液分
離方法に対して減圧濾過は常温で行うことができ、処理
スピードも濾過断面積に比例する上溶媒のリサイクルも
可能であるため好適である。
法としては、加熱蒸発など、熱を加える方法では微粉が
酸化等の変質を受けるおそれがありまた、遠心脱水など
大きな外力で固液分離する場合にはせっかく均一になっ
た成分をも分離する可能性がある。一方これらの固液分
離方法に対して減圧濾過は常温で行うことができ、処理
スピードも濾過断面積に比例する上溶媒のリサイクルも
可能であるため好適である。
最後にさらに乾燥処理を施す場合には、微粉特に金属微
粉の酸化を避けて真空中あるいは不活性雰囲気で行うこ
とが望ましく、方法としては、減圧乾燥、真空乾燥など
が熱を加えなくても乾燥効率が高い方法として有効で、
さらにロータリーエバポレーターなど撹拌の機構をとり
入れることにより均一な乾燥を行うことができる。
粉の酸化を避けて真空中あるいは不活性雰囲気で行うこ
とが望ましく、方法としては、減圧乾燥、真空乾燥など
が熱を加えなくても乾燥効率が高い方法として有効で、
さらにロータリーエバポレーターなど撹拌の機構をとり
入れることにより均一な乾燥を行うことができる。
以上の前処理により、金属化成分粒子及び結合成分粒子
が親油的に表面改質されることにより有機ビヒクルとの
良好なぬれ性を発揮し、しかも、その表面改質が凝集エ
ネルギーに打ち勝つ分likのあとで行われることによ
り、両者の偏析分離を押さえることができる。
が親油的に表面改質されることにより有機ビヒクルとの
良好なぬれ性を発揮し、しかも、その表面改質が凝集エ
ネルギーに打ち勝つ分likのあとで行われることによ
り、両者の偏析分離を押さえることができる。
本発明で用いられる有機ビヒクルについては、特に限定
はなくセラミックス基板用導電性ペーストに通常用いら
れる、エチルセルロース、アクリル樹脂1アルキド樹脂
等をテルピネオールなどに溶解させたものでかまわない
。
はなくセラミックス基板用導電性ペーストに通常用いら
れる、エチルセルロース、アクリル樹脂1アルキド樹脂
等をテルピネオールなどに溶解させたものでかまわない
。
〈実施例〉
実施例1
平均粒径0.2μmの銅超微粉20gと平均粒径0.8
μmボウケイ酸鉛ガラス3gと最大粒子径lpg以下の
Cu02gにエタノール(20°Cでの蒸気圧45To
rr) 200aρを加えて3時間ボットミル混練し
た後、吸引濾過、真空乾燥にてエタノールを除去し、ケ
ーキを解砕して得た混む)をエチルセルロースをブチル
カルピトールアセテートとテルピネオールに溶解した有
機ビヒクルを用いてペースト化し、400メツシユステ
ンレススクリーンで線幅150゜100、75.50−
のラインをスクリーン印刷し10分間レベリングしたe
150″Cで10分保持するlサイクル15分の乾燥
と850°Cで10分保持する1サイクル60分の焼成
を行ったところ、第1表に示すように75μmライン、
50pmラインのシート抵抗として各々5.0m07
口、7.7mΩ/口を得た。
μmボウケイ酸鉛ガラス3gと最大粒子径lpg以下の
Cu02gにエタノール(20°Cでの蒸気圧45To
rr) 200aρを加えて3時間ボットミル混練し
た後、吸引濾過、真空乾燥にてエタノールを除去し、ケ
ーキを解砕して得た混む)をエチルセルロースをブチル
カルピトールアセテートとテルピネオールに溶解した有
機ビヒクルを用いてペースト化し、400メツシユステ
ンレススクリーンで線幅150゜100、75.50−
のラインをスクリーン印刷し10分間レベリングしたe
150″Cで10分保持するlサイクル15分の乾燥
と850°Cで10分保持する1サイクル60分の焼成
を行ったところ、第1表に示すように75μmライン、
50pmラインのシート抵抗として各々5.0m07
口、7.7mΩ/口を得た。
すなわち、本方法により線幅50μ■、75μ尾という
パターン高解像度が可能であることがわかった。
パターン高解像度が可能であることがわかった。
実施例2
平均粒径0.3uI11の銅超微粉20gと平均粒径0
.8μのホウケイ酸鉛ガラス3gに2−ブクノール(2
0°Cでの蒸気圧+2.7Torr) 200m1!
を加えて1時間超音波分散した後、吸引濾過、真空乾燥
にて2ブタノールを除去しケーキを解砕して得た混粉を
エチルセルロースをブチルカルピトールアセテートとテ
ルピネオールに溶解した有機ビヒクルを用いてペースト
化し、400メツシユステンレススクリーンで腺ll1
1150.100.75.50pmラインをスクリーン
印刷し10分間レベリングした後150°Cで10分保
持する1サイクル15分の乾燥と850°Cで10分保
持するlサイクル60分の焼成を行ったところ、第1表
に示すように、75−ライン、 5opsラインのシー
ト抵抗として各々4.8mΩ/ロ、?、6mΩ/口を得
た。
.8μのホウケイ酸鉛ガラス3gに2−ブクノール(2
0°Cでの蒸気圧+2.7Torr) 200m1!
を加えて1時間超音波分散した後、吸引濾過、真空乾燥
にて2ブタノールを除去しケーキを解砕して得た混粉を
エチルセルロースをブチルカルピトールアセテートとテ
ルピネオールに溶解した有機ビヒクルを用いてペースト
化し、400メツシユステンレススクリーンで腺ll1
1150.100.75.50pmラインをスクリーン
印刷し10分間レベリングした後150°Cで10分保
持する1サイクル15分の乾燥と850°Cで10分保
持するlサイクル60分の焼成を行ったところ、第1表
に示すように、75−ライン、 5opsラインのシー
ト抵抗として各々4.8mΩ/ロ、?、6mΩ/口を得
た。
すなわち本方法により線幅59g、75−というパター
ン高解像度が可能であることがわかった。
ン高解像度が可能であることがわかった。
実施例3
平均粒径0.3nの銅超微粉20gと最大粒子径lp−
以下のCuO1gに2−メチル−1−プロパツール(2
0℃での蒸気圧24.6Torr) 200dを加え
て、5時間ボットミル混練した後、吸引濾過、真空乾燥
にて2−メチル−1−プロパツールを除去しケーキを解
砕して得た混粉をエチルセルロースをブチルカルピトー
ルアセテートとテルピネオールに溶解した有機ビヒクル
を用いてペースト化し、400メツシユステンレススク
リーンで線幅150゜100、75.50−のラインを
スクリーン印刷し、10分間レベリングした後150℃
で10分保持するlサイクル15分の乾燥と850°C
で10分保持するlサイクル60分の焼成を行ったとこ
ろ、第1表に示すように75p−ライン、 50μライ
ンのシート抵抗とじて各々5,3mΩ/ロ、7.9mΩ
/口を得た。
以下のCuO1gに2−メチル−1−プロパツール(2
0℃での蒸気圧24.6Torr) 200dを加え
て、5時間ボットミル混練した後、吸引濾過、真空乾燥
にて2−メチル−1−プロパツールを除去しケーキを解
砕して得た混粉をエチルセルロースをブチルカルピトー
ルアセテートとテルピネオールに溶解した有機ビヒクル
を用いてペースト化し、400メツシユステンレススク
リーンで線幅150゜100、75.50−のラインを
スクリーン印刷し、10分間レベリングした後150℃
で10分保持するlサイクル15分の乾燥と850°C
で10分保持するlサイクル60分の焼成を行ったとこ
ろ、第1表に示すように75p−ライン、 50μライ
ンのシート抵抗とじて各々5,3mΩ/ロ、7.9mΩ
/口を得た。
すなわち本方法により線幅50pa、 75−というパ
ターン高解像度が可能であることがわかった。
ターン高解像度が可能であることがわかった。
実施例4
実施例1と同様の方法で、平均粒径0.2pmの銅超微
粉20gと平均粒径0.8p+mのホウケイ酸鉛ガラス
3gと、最大粒子径1pm以下のCu02gに、極性有
機溶媒としてエタノールの代わりにプロパツール、2−
プロパトル、ブタノール、メタノール。
粉20gと平均粒径0.8p+mのホウケイ酸鉛ガラス
3gと、最大粒子径1pm以下のCu02gに、極性有
機溶媒としてエタノールの代わりにプロパツール、2−
プロパトル、ブタノール、メタノール。
エチレングリコールモノメチルエーテル、N−ジメチル
エタノールアミンを各々200d加えて3時間ボットミ
ル混練した後、吸引濾過、真空乾燥にて極性有機溶媒を
除去し、ケーキを解砕して得た混粉を、エチルセルロー
スをブチルカルピトールアセテートとチルビオネールに
溶解した有機ビヒクルを用いてペースト化し、400メ
ツシユステンレススクリーンで、線幅150.100.
75.50p−のラインをスクリーン印刷し、10分間
レベリングした後、150”Cで10分保持する1サイ
クル15分の乾燥と、850’Cで10分間保持するl
サイクル60分の焼成を行った。75p■ラインの形成
状況として、実施例の極性有機溶媒としてエタノールを
用いた場合の結果と比較しても遜色ないものが得られた
。結果を第2表に示す。
エタノールアミンを各々200d加えて3時間ボットミ
ル混練した後、吸引濾過、真空乾燥にて極性有機溶媒を
除去し、ケーキを解砕して得た混粉を、エチルセルロー
スをブチルカルピトールアセテートとチルビオネールに
溶解した有機ビヒクルを用いてペースト化し、400メ
ツシユステンレススクリーンで、線幅150.100.
75.50p−のラインをスクリーン印刷し、10分間
レベリングした後、150”Cで10分保持する1サイ
クル15分の乾燥と、850’Cで10分間保持するl
サイクル60分の焼成を行った。75p■ラインの形成
状況として、実施例の極性有機溶媒としてエタノールを
用いた場合の結果と比較しても遜色ないものが得られた
。結果を第2表に示す。
比較例1
平均粒径O1・3pyrの銅超微粉20gと平均粒径9
ysのホウケイ酸鉛ガラス3gを乳ばちですりまぜて混
合しエチルセルロースをブチルカルピトールアセテート
とテレピネオールで溶解した有機ビヒクルを用いてペー
スト化し400メツシユステンレススクリーンで線幅1
50.100.75.50p酪のラインをスクリーン印
刷し実施例1と同様にレベリング。
ysのホウケイ酸鉛ガラス3gを乳ばちですりまぜて混
合しエチルセルロースをブチルカルピトールアセテート
とテレピネオールで溶解した有機ビヒクルを用いてペー
スト化し400メツシユステンレススクリーンで線幅1
50.100.75.50p酪のラインをスクリーン印
刷し実施例1と同様にレベリング。
乾燥、焼成を行ったところ、150gmと100JI1
1のラインにはわ)末の凝集と思われる突起がみられ、
50gmのラインは部分的にかすれが生じ、75μ−の
ラインは抵抗値のバラツキが大きく、倍率400倍の光
学顕微鏡で観察したところガラス粒子や閉空孔が焼成膜
表面にみられた。結果を第1表に示す。
1のラインにはわ)末の凝集と思われる突起がみられ、
50gmのラインは部分的にかすれが生じ、75μ−の
ラインは抵抗値のバラツキが大きく、倍率400倍の光
学顕微鏡で観察したところガラス粒子や閉空孔が焼成膜
表面にみられた。結果を第1表に示す。
比較例2
平均粒径0.3趨の銅超微粉20gと平均粒径0.9μ
鳳のホウケイ酸鉛ガラス3gに、ラウリルアルコール(
蒸気圧=ITorrとなる温度: 91.0℃、20’
Cにおける蒸気圧概算2 Xl0−’Torr) 2
00Idを加えて5時間ポットミル混練した後、吸引濾
過、真空乾燥にてラウリルアルコールを除去し、ケーキ
を解砕して得た混わ)を、エチルセルロースを、ブチル
カルピトールアセテートと、テルピネオールに溶解した
ビヒクルを用いてペースト化し、400メツシユステン
レススクリーンで線幅150.100.75゜50−の
ラインをスクリーン印刷し、実施例1と同様にレベリン
グ、乾燥、焼成を行ったところ、すべてのラインが黒色
・スス状に着色し、15h−および100μ■ラインは
10〜2Ott■という、高いシート抵抗を示し、ばら
つきも大きくσ。≧1だった。
鳳のホウケイ酸鉛ガラス3gに、ラウリルアルコール(
蒸気圧=ITorrとなる温度: 91.0℃、20’
Cにおける蒸気圧概算2 Xl0−’Torr) 2
00Idを加えて5時間ポットミル混練した後、吸引濾
過、真空乾燥にてラウリルアルコールを除去し、ケーキ
を解砕して得た混わ)を、エチルセルロースを、ブチル
カルピトールアセテートと、テルピネオールに溶解した
ビヒクルを用いてペースト化し、400メツシユステン
レススクリーンで線幅150.100.75゜50−の
ラインをスクリーン印刷し、実施例1と同様にレベリン
グ、乾燥、焼成を行ったところ、すべてのラインが黒色
・スス状に着色し、15h−および100μ■ラインは
10〜2Ott■という、高いシート抵抗を示し、ばら
つきも大きくσ。≧1だった。
75p@および50趨ラインには、断線が生じ、m率4
00倍の光学顕微鏡で観察したところ、長径20〜30
.1111の閉空孔が見られた。
00倍の光学顕微鏡で観察したところ、長径20〜30
.1111の閉空孔が見られた。
〈発明の効果〉
本発明によりハイブリッドIC用厚III導電性ペース
トを製造するにあたって、従来サブミクロン粉末をペー
スト化する時間列になっていた成分粒子の分離、偏析と
凝集の問題を解決し、サブミクロン粉末を用いてパター
ン高解像度(&’i1幅50ps)のペーストを生産出
来るようになった。
トを製造するにあたって、従来サブミクロン粉末をペー
スト化する時間列になっていた成分粒子の分離、偏析と
凝集の問題を解決し、サブミクロン粉末を用いてパター
ン高解像度(&’i1幅50ps)のペーストを生産出
来るようになった。
特許出願人 川崎製鉄株式会社
Claims (1)
- 導電性を担う金属化成分粒子と基板との接着を担うガ
ラス粒子及び/又は金属酸化物粒子からなる結合成分粒
子を含有する導電性ペーストの製造方法において、各々
の平均粒径が1μm以下の金属化成分粒子と結合成分粒
子をOH基を有する20℃での蒸気圧が1Torr以上
の極性有機溶媒と均一に混合し、次いで該混合物より該
OH基を有する極性有機溶媒を揮散除去した後、該混合
物を有機ビヒクルを用いてペースト化することを特徴と
するセラミックス基板用導電性ペーストの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1-17530 | 1989-01-30 | ||
JP1753089 | 1989-01-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02276104A true JPH02276104A (ja) | 1990-11-13 |
Family
ID=11946479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016163A Pending JPH02276104A (ja) | 1989-01-30 | 1990-01-29 | セラミックス基板用導電性ペーストの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02276104A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0905775A2 (en) * | 1997-09-26 | 1999-03-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electrically conductive paste for via-hole and method of producing monolithic ceramic substrate using the same |
JP2011218268A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Murata Mfg Co Ltd | 塗膜形成方法および電子部品 |
-
1990
- 1990-01-29 JP JP2016163A patent/JPH02276104A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0905775A2 (en) * | 1997-09-26 | 1999-03-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electrically conductive paste for via-hole and method of producing monolithic ceramic substrate using the same |
EP0905775A3 (en) * | 1997-09-26 | 1999-10-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electrically conductive paste for via-hole and method of producing monolithic ceramic substrate using the same |
US6335077B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-01-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electrically conductive paste for via-hole and method of producing monolithic ceramic substrate using the same |
JP2011218268A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Murata Mfg Co Ltd | 塗膜形成方法および電子部品 |
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