JPH02272722A - 分子線エピタキシャル成長方法 - Google Patents
分子線エピタキシャル成長方法Info
- Publication number
- JPH02272722A JPH02272722A JP9290189A JP9290189A JPH02272722A JP H02272722 A JPH02272722 A JP H02272722A JP 9290189 A JP9290189 A JP 9290189A JP 9290189 A JP9290189 A JP 9290189A JP H02272722 A JPH02272722 A JP H02272722A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molecular beam
- gas
- source
- group
- epitaxial growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- LULLIKNODDLMDQ-UHFFFAOYSA-N arsenic(3+) Chemical compound [As+3] LULLIKNODDLMDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 Methane series hydrocarbon Chemical class 0.000 description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000001741 metal-organic molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- WCYWZMWISLQXQU-UHFFFAOYSA-N methyl Chemical compound [CH3] WCYWZMWISLQXQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、分子線エピタキシャル成長方法に関し、ざら
に詳しくは、■−ｖ族化合物半導体のｐ型不純物のドー
ピング技術に関するものである。
に詳しくは、■−ｖ族化合物半導体のｐ型不純物のドー
ピング技術に関するものである。
［従来の技術］
近年、ＧａＡＳ、Ａｎ ＧａＡＳ等（７）ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体を用いた高速論理素子、半導体レーザ、光
−電子集積回路（ＯＥＩＣ）の開発が急速に発展し、そ
れに伴い高度な素子作製プロセスが必要になってきてい
る。
化合物半導体を用いた高速論理素子、半導体レーザ、光
−電子集積回路（ＯＥＩＣ）の開発が急速に発展し、そ
れに伴い高度な素子作製プロセスが必要になってきてい
る。
このような高度な素子作製技術の１つである分子線エピ
タキシャル成長法（以降ＭＢＥ法と称す）は、超高真空
に保たれた成長室内で元素が分子線となり基板に到達す
るため、高精度に膜厚が制御でき、また、シャッターの
開閉により分子線をさえぎることができるので、急峻な
ペテロ界面を１ｑられるという特徴がおる。しかも不純
物の混入が少なく、高品質の■−ｖ族化合物半導体薄膜
が成長できるため、上記のようなデバイス作製には欠か
せぬ重要な技術になっている。
タキシャル成長法（以降ＭＢＥ法と称す）は、超高真空
に保たれた成長室内で元素が分子線となり基板に到達す
るため、高精度に膜厚が制御でき、また、シャッターの
開閉により分子線をさえぎることができるので、急峻な
ペテロ界面を１ｑられるという特徴がおる。しかも不純
物の混入が少なく、高品質の■−ｖ族化合物半導体薄膜
が成長できるため、上記のようなデバイス作製には欠か
せぬ重要な技術になっている。
■−ｖ族化合物半導体のＭＢＥ法において、ドーピング
技術は、デバイス作製上、重要である。
技術は、デバイス作製上、重要である。
ＭＢＥ法では、従来より、ドーパントソースとして、ｎ
型不純物ではシリコン（Ｓｉ）、ｎ型不純物ではへリリ
ウム（Ｂｅ）が用いられてきた。このうちＢｅは、活性
化率が高く、キャリア濃度が５ Ｘ １０１９ｃｍ−３
程度までドーピングできるうえ、拡散係数も比較的小さ
く、ｐ型ドーパントとして優れたものである。
型不純物ではシリコン（Ｓｉ）、ｎ型不純物ではへリリ
ウム（Ｂｅ）が用いられてきた。このうちＢｅは、活性
化率が高く、キャリア濃度が５ Ｘ １０１９ｃｍ−３
程度までドーピングできるうえ、拡散係数も比較的小さ
く、ｐ型ドーパントとして優れたものである。
しかし、近年、高濃度に［３ｅをドーピングすると、成
長層表面が荒れたり、異常拡散が起きることが明らかに
なった。このため、ペテロ接合バイポーラトランジスタ
（ＨＢＴ＞のベース層を作製する場合、エミツタ層にＢ
ｅが拡散し、デバイス特性を劣化させるという問題が生
じている。
長層表面が荒れたり、異常拡散が起きることが明らかに
なった。このため、ペテロ接合バイポーラトランジスタ
（ＨＢＴ＞のベース層を作製する場合、エミツタ層にＢ
ｅが拡散し、デバイス特性を劣化させるという問題が生
じている。
最近、■族に有機金属原料を用いるＭＢＥ法（以降ＭＯ
ＭＢＥ法と称す）において、■族原料にトリメチルガリ
ウム［Ｇａ （ＣＨ３） ３ ］を用いることにより、
カーボン（Ｃ）を膜中にドーピングし、６Ｘ１０２０ｃ
ｍ−３の高濃度の０層が得られることを、斉藤らが報告
している（第１５回ＧａＡｓと関連混晶国際シンポジウ
ム（１５ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａ−口ｏｎａｌ Ｓｙｍｐ
ｏｓｉｕｍ ｏｎ Ｇａｌｌｉｕｍ Ａｒ５ｅｎｉｄｅ
ａｎｄ Ｒｅ−Ｉａｔｅｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ ）
予稿集、 ９．２９参照）。しかもＣは、９００ ’Ｃ
における拡散係数が［３ｅよりも小ざく、成長表面も鏡
面であり、極めて有望なｐ型ドーパントである。
ＭＢＥ法と称す）において、■族原料にトリメチルガリ
ウム［Ｇａ （ＣＨ３） ３ ］を用いることにより、
カーボン（Ｃ）を膜中にドーピングし、６Ｘ１０２０ｃ
ｍ−３の高濃度の０層が得られることを、斉藤らが報告
している（第１５回ＧａＡｓと関連混晶国際シンポジウ
ム（１５ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａ−口ｏｎａｌ Ｓｙｍｐ
ｏｓｉｕｍ ｏｎ Ｇａｌｌｉｕｍ Ａｒ５ｅｎｉｄｅ
ａｎｄ Ｒｅ−Ｉａｔｅｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ ）
予稿集、 ９．２９参照）。しかもＣは、９００ ’Ｃ
における拡散係数が［３ｅよりも小ざく、成長表面も鏡
面であり、極めて有望なｐ型ドーパントである。
一方、通常のＭＢＥ法でも、ドーパントソースとしてグ
ラファイトを用いて、Ｃドーピングが試みられ、正孔の
キャリア濃度１Ｘ １０２０に１Ｂ−３が得られている
（マリクら（Ｈａｌｉｋ ｅｔ ａｌ、 ） 、 １９
８８年エレクトロニック・マテリアルズ・コンファレン
ス（１９８８Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌ
ｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）アブストラクト参照）。
ラファイトを用いて、Ｃドーピングが試みられ、正孔の
キャリア濃度１Ｘ １０２０に１Ｂ−３が得られている
（マリクら（Ｈａｌｉｋ ｅｔ ａｌ、 ） 、 １９
８８年エレクトロニック・マテリアルズ・コンファレン
ス（１９８８Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌ
ｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）アブストラクト参照）。
［発明が解決しようとする課題］
以上述べたように、ｐ型ドーパントとしてのＣは、高濃
度にドーピングでき、拡散係数も小さく、極めて有望で
あるが、従来例による方法では、次のような問題がある
。
度にドーピングでき、拡散係数も小さく、極めて有望で
あるが、従来例による方法では、次のような問題がある
。
即ち、ＭＯＭＢＥ法において、トリメチルガリウムを用
いてＣをドーピングする方法は、トリメチルガリウムが
■族原料でもあるため、成長層のキャリア濃度とともに
成長膜厚まで変わってしまい、制御性に乏しい。即ち、
高濃度にドーピングする程、膜厚は厚くなるのである。
いてＣをドーピングする方法は、トリメチルガリウムが
■族原料でもあるため、成長層のキャリア濃度とともに
成長膜厚まで変わってしまい、制御性に乏しい。即ち、
高濃度にドーピングする程、膜厚は厚くなるのである。
またＭＢＥ法において、グラファイトをドーパントソー
スとしてドーピングする方法では、セルを１０００°Ｃ
以上に加熱するため、他の不純物がセルから飛ぶ可能性
が必るし、故障の原因にもなる。
スとしてドーピングする方法では、セルを１０００°Ｃ
以上に加熱するため、他の不純物がセルから飛ぶ可能性
が必るし、故障の原因にもなる。
しかも高濃度にドーピングする場合は、セルを極めて高
温にしなければならないので、ドーピングに限界がある
。
温にしなければならないので、ドーピングに限界がある
。
本発明は、以上述べたような従来の問題点を解決するた
めになされたもので、■−ｖ族化合物半導体を分子線エ
ピタキシャル成長によって成長させる際に、カーボンを
有効に、かつ高濃度にドーピングする方法を提供するこ
とを目的とする。
めになされたもので、■−ｖ族化合物半導体を分子線エ
ピタキシャル成長によって成長させる際に、カーボンを
有効に、かつ高濃度にドーピングする方法を提供するこ
とを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、■−ｖ族化合物半導体の分子線エピタキシャ
ル成長方法において、ｎ型不純物としてカーボン（Ｃ）
を用いる際に、ドーパントソースとして炭化水素系ガス
を用いることを特徴とする分子線エピタキシャル成長方
法であり、また上記方法において、炭化水素系ガスは、
熱、プラズマまたは光によって予め分解した後に基板に
到達させてなることを好適とするものである。
ル成長方法において、ｎ型不純物としてカーボン（Ｃ）
を用いる際に、ドーパントソースとして炭化水素系ガス
を用いることを特徴とする分子線エピタキシャル成長方
法であり、また上記方法において、炭化水素系ガスは、
熱、プラズマまたは光によって予め分解した後に基板に
到達させてなることを好適とするものである。
本発明で用いられる炭化水素系ガスとしては、Ｃｎ Ｈ
２ｎ＋２ （但し、ｎは１以上の正の整数を示す）で表
されるメタン列炭化水素ガス、Ｃ６Ｈ５，（但し、ｎは
２以上の正の整数を示す）で表されるエチレン列炭化水
素ガス、およびＣｎ Ｈ２ｎ−２（但し、ｎは２以上の
正の整数を示す）で表されるアセチレン列炭化水素ガス
の他、環式炭化水素系ガスが挙げられる。
２ｎ＋２ （但し、ｎは１以上の正の整数を示す）で表
されるメタン列炭化水素ガス、Ｃ６Ｈ５，（但し、ｎは
２以上の正の整数を示す）で表されるエチレン列炭化水
素ガス、およびＣｎ Ｈ２ｎ−２（但し、ｎは２以上の
正の整数を示す）で表されるアセチレン列炭化水素ガス
の他、環式炭化水素系ガスが挙げられる。
［作用］
本発明では、ドーパントソースとしてＣＨ４、Ｃ２Ｈ６
などの炭化水素系ガス（以後ＣｎＨｍ系カスと称する）
を用いる。
などの炭化水素系ガス（以後ＣｎＨｍ系カスと称する）
を用いる。
従って、従来技術のように、ドーパントソースが■族原
料でもあるということがないので、成長膜厚を変化させ
ることなく、Ｃ０ＨＩＩｌ系ガスの供給量で自由にキャ
リア濃度を変化させることができる。
料でもあるということがないので、成長膜厚を変化させ
ることなく、Ｃ０ＨＩＩｌ系ガスの供給量で自由にキャ
リア濃度を変化させることができる。
また、高濃度にドーピングする場合でも、セルをそれほ
ど高温にする必要はない。
ど高温にする必要はない。
ＣｎＨｆｆｌ系ガスは、基板上で分解してメチルラジカ
ル（ＣＨ３）を生じ、これがＣドーピングに寄与してい
ると考えられる。
ル（ＣＨ３）を生じ、これがＣドーピングに寄与してい
ると考えられる。
従って、Ｃ，Ｈ□系ガスを基板に到達する前に分解する
と、有効にＣＨ３”が発生し、直接ＣｎＨＩＩｌ系ガス
を供給した場合よりも、ざらにドーピング効率が高めら
れる。
と、有効にＣＨ３”が発生し、直接ＣｎＨＩＩｌ系ガス
を供給した場合よりも、ざらにドーピング効率が高めら
れる。
［実施例］
次に、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は、本発明の方法に用いられる分子線エピタキシ
ャル成長装置の一例の概略構成図である。
ャル成長装置の一例の概略構成図である。
本装置は、超高真空に保持される成長室１と、成長室１
内を排気する排気装置２とを備え、成長室１内には加熱
機構を備えた基板ホルダ３、ヌードイオンゲージ４、ｍ
族原料用分子線源５、Ｖ族原料用分子線源６およびドー
パントソースガスを導入するガス導入管７が設置され、
ガス導入管７にはドーパントソースガスを加熱する加熱
装置８が備えられている。また、ガス導入管７は、ガス
供給源９からのドーパントソースガスの流量を制御する
マスフローコントローラ１０に接続している。
内を排気する排気装置２とを備え、成長室１内には加熱
機構を備えた基板ホルダ３、ヌードイオンゲージ４、ｍ
族原料用分子線源５、Ｖ族原料用分子線源６およびドー
パントソースガスを導入するガス導入管７が設置され、
ガス導入管７にはドーパントソースガスを加熱する加熱
装置８が備えられている。また、ガス導入管７は、ガス
供給源９からのドーパントソースガスの流量を制御する
マスフローコントローラ１０に接続している。
本実施例では、この装置を用い、■族原料として金属ガ
リウム（Ｇａ） 、Ｖ族原料として金属砒素（ＡＳ＞、
ドーパントソースガスとしてメタン（ＣＨ４）を使用し
て、ＧａＡｓ層へのＣドーピングを行う場合について説
明する。
リウム（Ｇａ） 、Ｖ族原料として金属砒素（ＡＳ＞、
ドーパントソースガスとしてメタン（ＣＨ４）を使用し
て、ＧａＡｓ層へのＣドーピングを行う場合について説
明する。
■族原料用分子線源５に金属ガリウム（Ｇａ）を、Ｖ族
原料用分子線源６に金属砒素（Ａｓ）を、ガス供給源９
にメタンをそれぞれ使用した。ドーピング条件は、Ｇａ
のフラックス： ２ Ｘ １０−７ Ｔｏｒｒ、ＡＳの
フラックス：２Ｘ１０−５丁Ｏｒｒ、 ＣＨ４（７）７
７ツクス： １ Ｘ １０−８ ＴＯｒｒ〜Ｉ Ｘ １
０−７Ｔｏｒｒとし、基板温度を６００℃に設定して、
半絶縁性ＧａＡｓ基板上にＣをドーピングしたＧａＡＳ
を４ＩＪ！ｎ成長させた。
原料用分子線源６に金属砒素（Ａｓ）を、ガス供給源９
にメタンをそれぞれ使用した。ドーピング条件は、Ｇａ
のフラックス： ２ Ｘ １０−７ Ｔｏｒｒ、ＡＳの
フラックス：２Ｘ１０−５丁Ｏｒｒ、 ＣＨ４（７）７
７ツクス： １ Ｘ １０−８ ＴＯｒｒ〜Ｉ Ｘ １
０−７Ｔｏｒｒとし、基板温度を６００℃に設定して、
半絶縁性ＧａＡｓ基板上にＣをドーピングしたＧａＡＳ
を４ＩＪ！ｎ成長させた。
第２図は、ホール測定から求めた正孔のキャリア濃度の
ＣＨ４のフラックス依存性を示した図である。同図から
れかるように、ＣＨ４のフラックスを変化させることに
より、キサ９フ８度を１０１８〜１０”０ｃｍ−３に制
御性よく変えることができる。
ＣＨ４のフラックス依存性を示した図である。同図から
れかるように、ＣＨ４のフラックスを変化させることに
より、キサ９フ８度を１０１８〜１０”０ｃｍ−３に制
御性よく変えることができる。
また、第２図に示すように、加熱装置８により予めＣＨ
４を９００ ’Ｃに加熱してメチルラジカル（ＣＨ３）
に分解し、その後に基板に送った場合は図中Ａに示すよ
うになり、予め加熱を行わなかった場合（図中Ｂに示す
）に比べて、ドーピング効率を高くすることができる。
４を９００ ’Ｃに加熱してメチルラジカル（ＣＨ３）
に分解し、その後に基板に送った場合は図中Ａに示すよ
うになり、予め加熱を行わなかった場合（図中Ｂに示す
）に比べて、ドーピング効率を高くすることができる。
また、ＣＨ４カスに熱を加える代わりに紫外光を照射し
ても、ドーピング効率を高くすることができた。
ても、ドーピング効率を高くすることができた。
なお本実施例では、ＧａＡＳについて説明したが、他の
■−ｖ族化合物半導体、あるいはその混晶においても同
様な結果が得られた。本実施例では、ドーピングソース
カスとして、ＣＨ４を用いたが、Ｃ２Ｈ６、Ｃ２８４な
どＣｎＨｍ系ガスは、すへて使用可能である。
■−ｖ族化合物半導体、あるいはその混晶においても同
様な結果が得られた。本実施例では、ドーピングソース
カスとして、ＣＨ４を用いたが、Ｃ２Ｈ６、Ｃ２８４な
どＣｎＨｍ系ガスは、すへて使用可能である。
ガスを分解する手段としては、熱だけでなく、プラズマ
あるいは光を用いてもよい。さらに、本実施例では、■
族、■族原料として金属ソースを用いたが、有機金属の
ようなガスソースを用いた場合でも、同様な効果が得ら
れる。
あるいは光を用いてもよい。さらに、本実施例では、■
族、■族原料として金属ソースを用いたが、有機金属の
ようなガスソースを用いた場合でも、同様な効果が得ら
れる。
［発明の効果］
以上、説明したように、本発明の分子線エピタキシャル
成長方法によれば、ｎｌ −Ｖ 族化合物半導体を成長
させる際、有効かつ高ｆ４ｆｆにカーボンをドーピング
することができる。
成長方法によれば、ｎｌ −Ｖ 族化合物半導体を成長
させる際、有効かつ高ｆ４ｆｆにカーボンをドーピング
することができる。
第１図は本発明の方法に用いられる分子線エピタキシャ
ル成長装置の一例の概略構成図、第２図はホール測定よ
り求めた正孔のキャリア濃度のＣＨ４のフラックス依存
性を示す特性図でおる。 １・・・成長室 ２・・・排気装置３・・・基
板ホルダ ４・・・ヌードイオンゲージ５・・・■
族原料用分子線源 ６・・・Ｖ族原料用分子線源 ７・・・ガス導入管 ８・・・加熱装置 ９・・・ガス供給源 １０・・・マスフローコントローラ 代 理 人
ル成長装置の一例の概略構成図、第２図はホール測定よ
り求めた正孔のキャリア濃度のＣＨ４のフラックス依存
性を示す特性図でおる。 １・・・成長室 ２・・・排気装置３・・・基
板ホルダ ４・・・ヌードイオンゲージ５・・・■
族原料用分子線源 ６・・・Ｖ族原料用分子線源 ７・・・ガス導入管 ８・・・加熱装置 ９・・・ガス供給源 １０・・・マスフローコントローラ 代 理 人
Claims (2)
- （１）III−Ｖ族化合物半導体の分子線エピタキシャル
成長方法において、ｐ型不純物としてカーボン（Ｃ）を
用いる際に、ドーパントソースとして炭化水素系ガスを
用いることを特徴とする分子線エピタキシャル成長方法
。 - （２）III−Ｖ族化合物半導体の分子線エピタキシャル
成長方法において、ｐ型不純物としてカーボン（Ｃ）を
用いる際に、ドーパントソースとして炭化水素系ガスを
用い、かつ該ガスは熱、プラズマまたは光によつて予め
分解した後に基板に到達させてなることを特徴とする分
子線エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9290189A JPH02272722A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 分子線エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9290189A JPH02272722A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 分子線エピタキシャル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02272722A true JPH02272722A (ja) | 1990-11-07 |
Family
ID=14067374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9290189A Pending JPH02272722A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 分子線エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02272722A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758011A (ja) * | 1993-08-10 | 1995-03-03 | Nec Corp | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体のエピタキシャル成長方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62120016A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Fujitsu Ltd | カ−ボンド−ピング制御方法 |
| JPS62269311A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-21 | Fujitsu Ltd | 結晶へのド−ピング方法 |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP9290189A patent/JPH02272722A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62120016A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Fujitsu Ltd | カ−ボンド−ピング制御方法 |
| JPS62269311A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-21 | Fujitsu Ltd | 結晶へのド−ピング方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758011A (ja) * | 1993-08-10 | 1995-03-03 | Nec Corp | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体のエピタキシャル成長方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0666274B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼−ｖ族化合物半導体の形成方法 | |
| JPH04219927A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Takenaka et al. | Diffusion layers formed in Si substrates during the epitaxial growth of BP and application to devices | |
| JPH05234899A (ja) | 原子層エピタキシー装置 | |
| US20020020851A1 (en) | Heterobipolar transistor and a method of forming a SiGeC mixed crystal layer | |
| JPH0799305A (ja) | Ｉｉｉ ／ｖ系化合物半導体装置とその製造方法 | |
| JPH02272722A (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法 | |
| JPH01134912A (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
| JP2848404B2 (ja) | ▲ｉｉｉ▼―▲ｖ▼族化合物半導体層の形成方法 | |
| Ishida et al. | GaAs MESFET ring oscillator on Si substrate | |
| KR101082773B1 (ko) | 화합물 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
| JP3494467B2 (ja) | 半導体薄膜の形成方法 | |
| Thompson et al. | Growth of GaAs in a rotating disk MOCVD reactor | |
| JP2528912B2 (ja) | 半導体成長装置 | |
| Hayafuji et al. | Atomic layer epitaxy of device quality AlGaAs and AlAs | |
| JP2821557B2 (ja) | 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法 | |
| KR920007344B1 (ko) | 화합물반도체의 제조방법 | |
| JPH02230719A (ja) | 薄膜成長・加工装置 | |
| Fraas et al. | High throughput vacuum chemical epitaxy | |
| JP2646966B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の薄膜成長方法 | |
| JPS63174314A (ja) | ３−５族化合物半導体結晶のド−ピング方法 | |
| Gotoda et al. | Characteristics of carbon incorporation in GaAs grown by gas source molecular beam epitaxy | |
| JPH06112124A (ja) | 有機金属分子線エピタキシャル成長方法 | |
| JP2660182B2 (ja) | ＧａＡｓ半導体装置の製造方法 | |
| JPS6289323A (ja) | 有機金属熱分解気相成長方法 |