JPH02268063A - 光電変換装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光電変換装置に係り、特に光電変換部からの複
数の出力信号を一時蓄積し、蓄積された複数の出力信号
を所望のタイミングで順次読み出す光電変換装置に関す
る。

［従来の技術及び発明が解決しようとする課題］従来、
ラインセンサ、エリアセンサ等の光電変換装置にｔ゛い
て、複数の光電変換セルが配列された光電変換素子のｎ
ヶの水平画素からの画素信号はｎヶのスイッチ用ＭＯＳ
　）ランジスタを通して出力信号として転送されていた
。この場合、出力信号線の寄生容量はほぼ一つのスイッ
チ用ＭＯＳトランジスタのドレイン容量のｎ倍となる。

従って画素数が増すと、読み出しにおける信号成分の容
量分割により、信号レベルの低下をきたしていた。

また１画素数の増加により、画素ピッチが狭くなり、そ
の画素ピッチに複数のスイッチ用ＭＯＳ　）ランジスタ
と出力信号蓄積用の一時蓄積容量を設けることが困難に
なってきた。

［課題を解決するための手段］ 本発明の光電変換装置は、光電変換部からの複数の出力
信号を一時蓄積し、蓄積された複数の出力信号を所望の
タイミングで順次読み出す光電変換装置において、 前記複数の出力信号が順次出力される共通信号線と、そ
れぞれ電荷蓄積手段とスイッチ手段とが直列に接続され
てなる複数の電荷蓄積要素とを有し、前記複数の電荷蓄
積要素が前記共通信号線に接続されていることを特徴と
する。

［作用］ 本発明は、出力信号の蓄積保存を行う場合は、所定のス
イッチ手段を切り換えて、このスイッチ手段と接続され
る電荷蓄積手段の一方を浮遊状態から所定の電位に設定
し。

所定の出力信号を共通信号線に出力して、前記電荷蓄積
手段に出力信号の蓄積を行い、その後前記スイッチ手段
を切り換えて、電荷蓄積手段の一方を浮遊状態として電
荷を保存するものである。

この時、一方が所定の電位に設定された電荷蓄積手段の
みに電荷が蓄積され、一方が浮遊状態とされた電荷蓄積
手段には電荷が蓄積されないために、共通信号線に複数
の電荷蓄積手段が接続されていても、所定の電荷蓄積手
段に選択的に電荷を蓄積保存することができる。

出力信号の転送を行う場合は、所定の電荷蓄積手段の一
方を所定の電位に設定し、蓄積された出力信号を共通信
号線に読み出すことで転送される。

この時、一方が所定の電位に設定された電荷蓄積手段の
みから信号が転送され、一方が浮遊状態とされた電荷蓄
積手段からは出力信号が転送されないために、共通信号
線に複数の電荷蓄積手段が接続されていても、所定の電
荷蓄積手段から選択的に電荷を転送することができる。

このように１本発明においては、複数の出力信号の電荷
の蓄積−保存・転送を共通信号線を用いて行うことが可
能となる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。

第１図は本発明の光電変換装置の第一実施例を示す回路
構成図である。

本実施例は、同図に示すようにラインセンサに本発明を
適用したものであり、二画素に一つの共通信号線を設け
て、転送用ＮＯＳ　）ランジスタの数を１／２にするも
のである。従って、出力信号線の寄生容量は約１７２と
なり、出力信号レベルは約２倍になる。

以下、回路構成について説明する。

同図において、光電変検素子５ｌ−５４（説明の簡易化
のために素子数は四つのみ示す）はバイポーラトランジ
スタ構成になっており５ベース領域に光電変換された電
荷が蓄積される。ベースには信号φＶ　ＲＦによって制
御されるＮＯＳ　）ランジスタＴＲＩ〜ＴＲ４が接続さ
れ、ｇｏｓ　トランジスタＴＲＩ〜ＴＲ４のＯＮ番ＯＦ
Ｆ制御によってベース電位を設定可使となっている。

なお、上述したように本実施例では光電変換素子二画素
に一つの共通信号線を設けて信号転送を行っており、光
電変換素子Ｓ！、５２と光電変換素子Ｓ３．Ｓ４との転
送動作は同じであるので、光電変換素子Ｓｌ、Ｓ２の転
送動作のみ説明するものとし、光電変換素子Ｓ３．Ｓ４
の転送動作の説明及び配線部の図示については省略する
ものとする。

光電変換素子Ｓｌ、Ｓ２のエミッタは信号線Ｌ１．Ｌ２
に接続され、この信号線Ｌ１．Ｌ２は信号φＴ１．　φ
Ｔ２によって制御されるＭＯＳ　）ランジスタＴＳＩ、
ＴＳ２を介して共通信号線Ｈ１に共通接続され、共通信
号線Ｈ１には蓄積手段たる複数のコンデンサＣＩ、Ｃ２
が接続される。光電変換素子Ｓｔ、５２からのそれぞれ
の出力はコンデンサＣＩ、Ｃ２にそれぞれ蓄積される。

このコンデンサＣＩ、Ｃ２の他方の端子にはそれぞれ信
号小ＣＩ、φＣ２によって制御される）ＩＯｓ　トラン
ジスタＴｒ１．Ｔｒ２が接続され、電位をＧＮＤに設定
可能となっている。共通信号線Ｈ！はシフトレジスタに
よって制御されるＭＯＳ　）ランジスタＴ旧を介して出
力信号線ＳＬに接続される。出力信号線ＳＬに出力され
た信号は、増幅されて出力信号ｖｓとして出力される。

出力信号線ＳＬは信号φＨｅによって制御されるｌｌＯ
ｓ　）ランジスタＴＨＣによってクリアされ、信号線Ｌ
ｌ、Ｌ２は信号φｖＣによって制御されるＭＯＳトラン
ジスタＴＣＩ、ＴＣ２＄ｊよってリフレッシュされ、共
通信号線Ｈ１は信号φＯＲによって制御されるＭＯＳ　
）ランジスタＴＣＰによってリフレッシュされる。

第２図は、上記光電変換装置の動作を説明するためのタ
イミングチャートである。

同図において、期間ＴＩはコンデンサＣＩの電荷除去期
間であり、信号φＣＲおよび信号φＣ１がハイ・レベル
となると、　ＭＯＳ　トランジスタＴＧＲ。

Ｔ１は導通状態となって、共通信号線Ｈ１及びコンデン
サＣ１に蓄積されている電荷は除去され、コンデンサＣ
１の両側の電位は共にＧＮＤになる。

次の期間Ｔｌａは、コンデンサＣ１への信号電荷転送期
間であり、信号φ引はハイレベルを継続している。信号
φＴｌがハイ・レベルになると、ＭＯＳトランジスタＴ
ＳＩが導通状態となって、光電変換素子Ｓ１の出力信号
が信号線Ｌｌ及び共通信号線Ｈ１を通してコンデンサＣ
Ｉに蓄積される。

その後、信号φＣ１および信号φＴ１がロウ・レベルに
なると、ＭＯＳ　）ランジスタＴｒｌ及びＭＯＳ　）ラ
ンジスタＴＳｌが遮断状態となって、コンデンサＣ１の
１４０ｓ　トランジスタＴｒｉ接続側がフローティング
状態となり、また共通信号線Ｈ１と光電変換素子Ｓｌの
エミッタとが遮断される。

次の期間Ｔ２は、コンデンサＣ２の電荷除去期間であり
、信号φＣＲおよび信号φＣ２がハイ・レベルとなると
、ＭＯＳトランジスタＴＣＲ，Ｔｒ２は導通状態となっ
て、共通信号線Ｈ１及びコンデンサＣ２に蓄積されてい
る電荷は除去され、コンデンサＣ２の両側の電位は共に
ＧＮＤになる。なお、この場合コンデンサＣ１の一方が
フローティング状態となっているので、コンデンサＣ１
に蓄積されている光電変換素子Ｓ１の信号電荷は保持さ
れる。

次の期間Ｔ２ａは、コンデンサＣ２への信号電荷転送期
間であり、信号φＣ２はハイレベルをａ統している。信
号φＴ２がハイ・レベルになると、にＯＳトランジスタ
ＴＳＩが導通状態となり光電変換素子Ｓ２の出力信号が
信号線Ｌ２及び共通信号線Ｈ１を通してコンデンサＣ２
にＭｌｌされる。この時もコンデンサＣ１の一方がフロ
ーティング状態となっているので、コンデンサＣＩに蓄
積されている信号電荷は保持されたままである。

その後、信号φＣ２および信号φ丁２がロウ・レベルに
なると、１４０ｓ　）ランジスタＴｒ２及びＭＯＳトラ
ンジスタＴＳ２が遮断状態となりコンデンサＣ２のＭＯ
Ｓ　）ランジスタＴｒ２接ｂＡ側がフローティング状態
となり、また共通信号線Ｈ１と光電変換素子Ｓ２のエミ
ッタとが遮断される。

次の期間Ｔ３は、光電変換素子Ｓ１．Ｓ２に残留した電
荷をリフレッシュするための期間であり、信号φＶＣを
ハイ・レベルとしてｌＭＯＳ　）ランジスタＴＣＩ、Ｔ
Ｃ２を導通状態とし、光電変換素子Ｓｌ、Ｓ２のエミッ
タをＧＮＤとする。その後、信号φＶＲＦをロウレベル
とすると、にＯＳ　）ランジスタＴＲＩ　、　ＴＲ２は
導通状態となって、ベースは所定の電位に設定される（
完全リフレッシュ）。

次に、信号φｖＣをハイレベルとしてＭａｌ；　）ラン
ジスタＴｅｌ、ＴＣ２を導通状態とし、光電変換素子Ｓ
ｔ、Ｓ２のエミッタをＧＮＤとする（過渡リフレッシュ
）。

次の期間Ｔ４は、コンデンサＣ１およびＣ２に蓄積され
た信号電荷を読み出すとともに、光電変換素子Ｓ１．Ｓ
２に信号電荷を蓄積するための期間であり、 期間ＴＳＩにおいて、信号φＣ１及び信号φ旧をハイ・
レベルとすると、ＭＯＳ　）ランジスタＴｒｌ及びＭＯ
Ｓ　）ランジスタＴ旧はハイレベルになる。その結果、
コンデンサＣ１のＭＯＳ　）ランジスタ接続側はＧＮＤ
に接続され、コンデンサＣ１に蓄積された信号電荷は出
力信号線ＳＬに読み出され、出力ｖｓｌｌとして出力さ
れる。

期間ＴＳ１ａにおいて、信号φＣＲ及び信号φＨＣをハ
イ・レベルとすると、ＭＯＳトランジスタＴＣＲ及びＭ
ＯＳトランジスタＴＨＣが導通状態となり、共通信号１
ａＨ１及び出力信号線ＳＬがクリアされる。

同様にして期間ＴＳ２．期間ＴＳ２ａにおいて、コンデ
ンサＣ２に蓄積された信号電荷は出力信号線ＳＬに読み
出され、出力ｖ　ｓ１２として読み出され、その後、共
通信号線Ｈ１及び出力信号線ＳＬがクリアされる。

第３図は、本発明の光電変換装置の第二実施例を示す回
路構成図である。

本実施例は、エリアセンサに本発明を適用したものであ
り、−木の共通信号線に三つのコンデンサを接続して、
転送用！１ＩＯＳトランジスタの数を！／３にし、出力
信号線の寄生容量を約１７３とするものである。三つの
コンデンサの機能については、既に特願昭６３−２３４
９４４号において開示されており、センサノイズの補正
とセンサ信号の一定期間遅延とを目的とするものである
。

以下、回路構成について説明する。

本実施例のエリアセンサにおいて、エリアセンサを構成
する光電変換素子は行列（ｎＸｍ）状に配列されている
。なお、以下に第３図を用いて本実施例のエリアセンサ
の構成について説明を行うが簡易化のため、光電変換素
子は第１列の光電変換素子Ｓｌｌ〜Ｓｎｌの中のＳｌｌ
、Ｓ１２に係る構成及び動作についてのみ行なう。

第３図に示すように、第１列の光電変換素子Ｓｌｌ、Ｓ
２１は共通に信号線Ｌ１に接続され、信号線Ｌ！は信号
φＴｌ、φＴ２によって制御されるＭＯＳトランジスタ
Ｔｌｌ、Ｔ１２を介して共通信号線Ｈ１１，Ｈ１２に接
続される。共通信号線Ｈ１ｌ、ＨＩ２は信号φｖｖＣに
よって制御されるＭＯＳ　）ランジスタＴＣ１によって
クリアされる。光電変換素子５１１．５１２のベースは
信号φＶＲＩによって制御されるＭＯＳ　）ランジスタ
ＴＳＩＩ　　、ＴＳ１２によって所定の電位に設定回部
となりおり、また、光電変換素子Ｓ２１．Ｓ２２のベー
スは信号φＶＲ２によって制御される）ｌＯＳトランジ
スタＴＳ２１　　、　ＴＳ２２によって所定の電位に設
定可染となっている。

共通信号線Ｈ１ｌには、蓄積手段たる三つのコンデンサ
Ｃｌ１ａ　、　Ｃｌ２ａ　　、　Ｃｌ５ａが接続される
。

共通信号線Ｈ１２には、蓄積手段たる三つのコンデンサ
Ｃ１１ｂ　、　Ｃｌ２ｂ　、　Ｃ１３ｂが接続される。

コンデンサＣ１１ａ　、　Ｃｌ２ａ　、　Ｃ１３ａ　（
７）他方の端子にはそれぞれ信号φＣ１，信号φＣ２，
信号φＣ３によって制御されるＭＯＳトランジスタＴｌ
１ａＴ１２ａ　、　Ｔ１３ａが接続され、ＧＮＤに接続
可能となっており、又コンデンサＣＩｌｂ　、　Ｃｌ２
ｂＣ１３ｂの他方の端子にはそれぞれ信号φＣ１，信号
φ０２．信号ΦＣ３によって制御されるＭＯＳ　）ラン
ジスタＴｌ１ｂ　、　Ｔ１２ｂ　、　Ｔ１３ｂが接続さ
れ、ＧＮＤに接続可能となっている。

共通信号線Ｈ１ｌはシフトレジスタによってＭＯＳトラ
ンジスタＴＨａを介して出力信号線ＳＬＩに接続され、
また共通信号ｆｉＨ１２はシフトレジスタによって制御
されるｌｌ！ＯＳトランジスタＴＨｂを介して出力信号
線ＳＬ２に接続される。

出力信号線ＳＬＩ、ＳＬ２に出力された信号は、増幅さ
れて出力ｏｕｔ　１またはｍ力ｏｕｔ２から出力される
。出力信号線ＳＬＩ及び出力信号線ＳＬ２は信号φＨＣ
によって制御されるＭＯＳトランジスタＴＨＣＩ　　、
　ＴＭ０１によってクリアする。

第４図は、Ｌ記光市変換装置の動作を説明するため説明
図であり、第５図は上記光電変換装置のミングチャート
である。

本実施例は、三つのコンデンサのうち、二つのコンデン
サはセンサ信号の蓄積と一定期間遅延させるためにする
ために用い、−・つのコンデンサはノイズ信号を蓄積す
るために用いるものである。

第４図に示すように、まず、水平走査期１ｌＪ１ｆＨ１
の期間ＴｔでコンデンサＣ１１ａ及びＣ１１ｂに光電変
換素子Ｓｉｔ及びＳ２１から信号電荷を転送し、蓄積さ
せる。蓄積された信号電荷（図中Ｓｌｌ。

５２１）は期間Ｔ■の期間（−周期ｆＨ）−時Ｊ稙され
る。

次に、水平走査期間ｆＨ２の期間ＴｔでコンデンサＣ１
３ａ及びＣ１３ｂに光電変換素子Ｓｌｌ及びＳ２１から
ノイズ信号（図中Ｎｉｌ、Ｎ２１）を転送する。

期間Ｔｒで、このノイズ信号と期間ＴｒでコンデンサＣ
１１ａ及びＣ１１ｂに蓄積された信号電荷とを出力信号
線に読み出す、読み出された両信号を差分処理すること
で、ノイズ成分を含まない信号を得ることができる。

また、期間ＴｔではコンデンサＣｌ２ａ及びＣｌ２ｂに
光電変換素子Ｓ３１及びＳ４１から信号電荷を送り、蓄
積させる。蓄積された信号電荷（図中Ｓ３１，５４１）
は期間Ｔ鳳の期間（−周期ｆＨ）−時蓄積される。

次に、水平走査期間ｆＨ３の期間ＴｔでコンデンサＣ１
３ａ及びＣ１３ｂに光電変換素子３３１及びＳ４１から
ノイズ信号（図中Ｎ３１．Ｎ４１）を転送する。

期間Ｔｒで、このノイズ信号と期間ＴｒでコンデンサＣ
ｌ２ａ及びＣｌ２ｂに蓄積された信号電荷とを出力信号
線に読み出す、読み出された両信号を差分処理すること
で、ノイズ成分を含まない信号を得ることができる。

また、期間゛ｒｔではコンデンサＣ１１ａ及びＣ１１ｂ
に光電変換素子５５１及び５ｌｌｉｉから信号電荷を送
り、蓄積させる。蓄積された信号電荷（図中Ｓ５１．Ｓ
［ｉｌ）は期間Ｔｌの期間（−周期ｆＨ）−時蓄積され
る。

以後、同様な動作が繰り返されてノイズ成分を含まない
信号が読み出される。

以下、第５図のタイミングチャートを用いてさらに詳し
く説明する。

第５図において１期間ＴＣＩでは信号φＶＶＣ。

φＴｌ、φＴ２．　　φＧＲ１φＣ１をハイレベルとし
て、ＮＯＳ　トランジスタＴｅｌ、　Ｔ１１．　Ｔ１２
、ＴＣＲａ。

ＴＣＲｂ　、　Ｔｌ１ａ　、　Ｔｌ１ｂを導通状態とし
て、信号線Ｌ１．１通信号線Ｈ１ｌ、Ｈ１２、コンデン
サＣｌ１ａ　　、　Ｃ１１ｂをクリアする。

次に期間Ｔｔｌでは信号φＶＲＩ　　、φＴｌ、φＣ１
をハイレベルとして、　ＭＯＳ　トランジスタＴＳＩＩ
Ｔ　１１　、　Ｔ　ｌｌａを導通状態として、コンデン
サＣ１１ａに光電変換素子Ｓｌｌからの信号を転送し蓄
積させる。

次に期間ＴＣ１ａでは信号φＶ　ＶＣ，φＴ２をハイレ
ベルとして、ＭＯＳ　）ランジスタＴｅｌ、Ｔ１２を導
通状態として、信号線Ｌ１．１通信号線Ｈ１２をクリア
する。

次に期間Ｔｔｌａでは信号φＶＲ２、φＴ２．φＣ１を
ハイレベルとして、ＭＯＳ　トランジスタＴＳ２１７１
２、Ｔｌ１ｂを導通状態として、コンデンサＣ１１ｂに
光電変換素子５２１からの信号を転送し蓄積させる。

次に期間Ｔ■ｌにおいては、上記期間ＴＯ１〜期間Ｔｔ
ｌａにおいてコンデンサＣ１１ａ　　、　Ｃ１１ｂに蓄
積された信号電荷は保存状態を保つ０期間Ｔｒｉにおい
ては、上記期間Ｔｅｌ以前にコンデンサＣｌ２ａＣ１２
ｂに蓄積保存された信号電荷と、コンデンサＣ１３ａ　
、　Ｃ１３ｂに蓄積保存されたノイズ電荷とを読み出す
、すなわち、まず信号φＣＲをハイレベルとして共通信
号線Ｈ１ｌ、Ｈ１２をクリアし、その後信号φＣ３，φ
）ＩＩをハイレベルとして、）ＭＯＳ　、）ランジスタ
Ｔ１３ａ　、　Ｔ１３ｂ　、　ＴＨａ、　ＴＨｂを導通
状態として、出力信号線ＳＬＩ　、ＳＬ２ヘコンデンサ
Ｃ１３ａ　　、　Ｃ１３ｂに保存されたノイズ電荷を読
み出す０次に信号φＯＲをハイレベルとして共通信号線
）１１１．ＨＩ３をクリアし、その後信号φＣ２，φ旧
をハイレベｉしとして、！１ＩＯＳトランジスタＴ　１
２ａＴ１２ｂ　、　ＴＨａ、　ＴＨｂを導通状態として
、出力信号線ＳＬＩ　、ＳＬ２　ヘコンデンサＣ１２ａ
　、　Ｃ１２ｂに保存された信号電荷を読み出す、以下
、同様にして不図示のその他のコンデンサからも、ノイ
ズ電荷と信号電荷を読み出す。

なお、マトリクスを構成する水平走査線に接続されるセ
ンサは前述した完全リフシー２シユを行なう。

次に期間ＴＣ２テハｆｆｉ号φｖＲ１、＜６ＶＶＣ１φ
Ｔｌ、φＴ２．　　φＯＲ１φＣ３をハイレベルとして
、ＭＯＳ　　トランジスタＴＳＩＩ　、　ＴＣＩ、　Ｔ
ｌｌ、　Ｔ１２、Ｔ　ＣＲａ、ＴＧＲｂ　、　Ｔ１３　
ａ、　Ｔ１３　ｂを導通状態として、信号線Ｌｌ、共通
信号線Ｈ１ｌ、Ｈ１２、コンデンサＣ１３ａ　　、　Ｃ
１３ｂをクリアするとともに、光電変換素子Ｓｌｌの前
述した過渡リフレッシュを行なう。

次に期間Ｔｔ２では信号φＶＲＩ　　、φＴｌ、φＣ３
をハイレベルとして、）ＩＩＯｓ　トランジスタＴＳＩ
ＩＴｌｌ、Ｔ１３ａを導通状態として、コンデンサＣ１
３ａに光電変換素子Ｓｌｌからのノイズ信号を転送し蓄
積させる。

次に期間ＴＣ２ａテは信号（ｌＲ２、φＶＶＣ１φＴ２
をハイレベルとして、１ｌＩＯＳトランジスタＴＳ２１
、ＴＣＩ、Ｔ１２を導通状態として、信号線Ｌｌ、共通
信号線Ｈ１２をクリアするとともに、光電変換素子Ｓ１
２の前述した過渡リフレッシュを行なう。

次に期間Ｔｔ２ａでは信号φＶＲ２、φＴ２．φＣ３を
ハイレベルとして、ＭＯＳ　）ランジスタＴＳ２１Ｔ１
２．　Ｔ１３　ｂを導通状態として、コンデンサＣ１３
ｂに光電変換素子Ｓ２１からのノイズ信号を転送し蓄積
させる。

次に期間ＴＯ１〜期間Ｔｔｌａでは上記期間ＴＯ１〜期
間Ｔｔｌａと同様な動作で、コンデンサＣｌ２ａ・Ｃｌ
２ｂに不図示の光電変換素子からの信号を転送蓄積する
０次の期間Ｔ１１においては、この蓄積された信号電荷
は保存状還となる。

期間Ｔｒでは、前述した上記期間ＴＯ１〜期間Ｔｔｌａ
で蓄積され、保存されていた信号電荷と、前述した上記
期間ＴＣ２〜期間Ｔ　ｔ２ａで蓄積されたノイズ電荷と
の読み出しを行う、この動作は前述した上記期間Ｔｒで
の動作と同じである。

［発明の効果］ 以上詳細に説明したように、本発明の光電変換装置によ
れば、＠記複数の出力信号が順次出力される共通信号線
と、それぞれ電荷蓄積手段とスイッチ手段とが直列に接
続されてなる複数の電荷蓄積要素とを設け、前記複数の
電荷蓄積要素を前記共通信号線に接続とすることにより
、出力信号線の寄生容量を小さくすることができるので
、大きな出力信号を得ることが可能となる。また読み出
し系の回路構成を簡略化することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光電変換装置の第一実施例を示す回路
構成図である。 第２図は、上記光電変換装置の動作を説明するためのタ
イミングチャートである。 第３図は、本発明の光電変換装置の第二実施例を示す回
路構成図である。 第４図は、上記光電変換装置の動作を説明するため説明
図である。 第５図は上記光電変換装置のミングチャートである。 Ｉ Ｌｌ　　、 φＣ３゜ φＶＲ２ Ｔｒ２゜ 、　３２　、５ｌｌ−３２１：光電変換素子、Ｌ２　：
信号線、φＴｌ、φ丁２．φＣ１，φＣ２゜φＨＧ、　
　φＶＣ，（ｂｃＲ，φＶ　　ＶＣ，、＃ＶＲ１：信号
、Ｔｉｔ、　Ｔ１２．　ＴＳＩ、　ＴＳ２．　Ｔｒｉ。 ＴＨＩ、ＴＨＣ，ＴＨＧＩ　　、ＴＨＣ２、Ｔｅｌ。 Ｔｅ３．ＴＣＲ，ＴＣＩ、ＴＳＩＩ　　、ＴＳＩ２　　
、ＴＳ２１ＴＳ２２　　、Ｔｌ１ａ　　、Ｔ１２ａ　　
、Ｔ　１３ａ　　、Ｔｌ１ｂＴ１２ｂ　　、　Ｔ１３ｂ
　　、　ＴＨａ、　ＴＨｂ：　ＭＯＳ　）ランジスタ、
Ｈｌｌ、　Ｈｌ２．　Ｈｌ　　：共通信号線、ＣｌＣ２
、Ｃ１１ａ　　、　　Ｃｌ２ａ　　、　　Ｃ１３ａ　　
、　　Ｃ１１ｂＣ１２ｂ　、　Ｃ１３ｂ　：コンデンサ
、ＳＬ、５ＬＩＳＬ２：出力信号線、ｖＳ　：出力信号
、Ｌｌ　：信号線。 第２図 代理人　　弁理士　山　下　積　平 Ｔ４（Ｔ２）　：Ｃ１（Ｃ２）夕久留電滑／）除大期間
Ｔ９ａ　（Ｔ２０）　：　Ｃ１（Ｃ２）へｔ＞　慴Ｗ　
ｔａの転送期間Ｔ３−　兜、全り７［７ンｉ曙間ヒ過痕
ソ７しッシζ期間丁４；　　信５を揄の読ムし及ゾ蓄稽
期間第 図 ｔ３期間 ｆＨニ ー水子り食期間

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）光電変換部からの複数の出力信号を一時蓄積し、
   蓄積された複数の出力信号を所望のタイミングで順次読
   み出す光電変換装置において、前記複数の出力信号が順
   次出力される共通信号線と、それぞれ電荷蓄積手段とス
   イッチ手段とが直列に接続されてなる複数の電荷蓄積要
   素とを有し、前記複数の電荷蓄積要素が前記共通信号線
   に接続されていることを特徴とする光電変換装置。