JPH02267901A - 表面実装型バリスタ - Google Patents
表面実装型バリスタInfo
- Publication number
- JPH02267901A JPH02267901A JP1088850A JP8885089A JPH02267901A JP H02267901 A JPH02267901 A JP H02267901A JP 1088850 A JP1088850 A JP 1088850A JP 8885089 A JP8885089 A JP 8885089A JP H02267901 A JPH02267901 A JP H02267901A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- resistance layer
- electrodes
- high resistance
- sintered body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical group [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 241000556720 Manga Species 0.000 description 1
- 229910003079 TiO5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電極構造を改良した表面実装型バリスタに関す
るものである。
るものである。
従来の技術
表面実装型のバリスタについては、実開昭54−157
258号公報などで開示されている。この内容について
、第5図、第6図を用いて説明する。これは酸化亜鉛を
主成分とする角板状のバリスタ素子4の表面に、端面及
び側面を介して対面の一部まで連接するように対向する
電極51L 、sbを形成した構成としている。なお、
この場合〜電極sa 、sb間の距離t2はバリスタ素
子4の厚さtlよりも大きくなるように設定し、バリス
タ素子4の厚さtlを介して垂直に対向する電極51L
。
258号公報などで開示されている。この内容について
、第5図、第6図を用いて説明する。これは酸化亜鉛を
主成分とする角板状のバリスタ素子4の表面に、端面及
び側面を介して対面の一部まで連接するように対向する
電極51L 、sbを形成した構成としている。なお、
この場合〜電極sa 、sb間の距離t2はバリスタ素
子4の厚さtlよりも大きくなるように設定し、バリス
タ素子4の厚さtlを介して垂直に対向する電極51L
。
5b部分がより多くなることが肝要であるとされている
。そして、以上のように構成してなるバリスタは、対向
する電極51L 、5bが形成されているいずれか一方
の面をプリント基板に当接し、ハンダ付けなどのみで組
み込みを可能にするため、接続が極めて容易であるとさ
れている。
。そして、以上のように構成してなるバリスタは、対向
する電極51L 、5bが形成されているいずれか一方
の面をプリント基板に当接し、ハンダ付けなどのみで組
み込みを可能にするため、接続が極めて容易であるとさ
れている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記のような構成では、電極間距離t2
が素子厚みtlよりも大きくなければならないという形
状寸法上の制約があり、素子厚みが大きく、しかも小形
のものを作ることが難しいものであった。しかもt2)
tlの制約はバリスタ素子4の体積中、バリスタとして
本来の機能を果たす部分は小さく、同一性能を出すには
、従来の円板状素子の相対向する面に電極を形成したも
のの方が小形で済むということになっていた。これは一
般に表面実装部品すなわち小形部品というイメ−ジから
は大きくかけはなれているものであった。
が素子厚みtlよりも大きくなければならないという形
状寸法上の制約があり、素子厚みが大きく、しかも小形
のものを作ることが難しいものであった。しかもt2)
tlの制約はバリスタ素子4の体積中、バリスタとして
本来の機能を果たす部分は小さく、同一性能を出すには
、従来の円板状素子の相対向する面に電極を形成したも
のの方が小形で済むということになっていた。これは一
般に表面実装部品すなわち小形部品というイメ−ジから
は大きくかけはなれているものであった。
従来の技術で、このような電極形状寸法上の制約が出て
くるのは、使用しているノ(リスク素子がバリスタ機能
を発現するのは素子全体であるためである。つまり粒界
層型のバリスタであり、素子を構成する粒子1個1個が
バリスタ機能を発現するためであり、バリスタ電圧が粒
子の数、つまり素子厚みに比例するからである。
くるのは、使用しているノ(リスク素子がバリスタ機能
を発現するのは素子全体であるためである。つまり粒界
層型のバリスタであり、素子を構成する粒子1個1個が
バリスタ機能を発現するためであり、バリスタ電圧が粒
子の数、つまり素子厚みに比例するからである。
よって、この発明の目的は、従来技術の有していた電極
形状寸法上の制約をとり去り、素子全体をバリスタとし
て有効に使うことができ、本来的に表面実装部品すなわ
ち小形部品というイメージにマツチした表面実装型バリ
スタを提供することを目的とする。
形状寸法上の制約をとり去り、素子全体をバリスタとし
て有効に使うことができ、本来的に表面実装部品すなわ
ち小形部品というイメージにマツチした表面実装型バリ
スタを提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
このような課題を解決するために本発明の表面実装型バ
リスタは、素体の表面近傍だけで)(リスク機能を発現
し、その他の素体内部は低抵抗を示す表面高抵抗層型バ
リスタ磁器焼結体を用い、その焼結体上に、相対向する
端面部を含み側面部及び平面部に延長した一対の電極を
設けた構造としたものである。
リスタは、素体の表面近傍だけで)(リスク機能を発現
し、その他の素体内部は低抵抗を示す表面高抵抗層型バ
リスタ磁器焼結体を用い、その焼結体上に、相対向する
端面部を含み側面部及び平面部に延長した一対の電極を
設けた構造としたものである。
作用
この構成によれば、対になっている電極同志の距離の制
約は、このバリスタ機能を発現している表面高抵抗層の
厚み以上あればよく、通常この表面高抵抗層の厚みは約
0.21fl程度であり極めて小さい。したがって、上
記構成により、従来の表面実装型バリスタが有していた
電極形状寸法上の制約をとり去り、素子全体をバリスタ
として有効に使うことができ、小形化という使命を十分
に発揮することができることとなる。
約は、このバリスタ機能を発現している表面高抵抗層の
厚み以上あればよく、通常この表面高抵抗層の厚みは約
0.21fl程度であり極めて小さい。したがって、上
記構成により、従来の表面実装型バリスタが有していた
電極形状寸法上の制約をとり去り、素子全体をバリスタ
として有効に使うことができ、小形化という使命を十分
に発揮することができることとなる。
実施例
次に、本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。
第1図は本発明の実施例の表面実装型バリスタの斜視図
、第2図は第1図のムー人′線に沿って切断した時の断
面図である。第3図は第2図において、表面高抵抗層に
なっている部分を示した図である。また、第4図は本発
明の第2の実施例を示す表面実装型バリスタの断面図で
ある。それぞれの図において、1は角板状をした表面高
抵抗層型バリスタ磁器焼結体、21L 、2bは電極で
、この一対の電極2a 、2bは上記焼結体1の相対向
する端面部を含み側面部及び平面部に延長した形で設け
られている。3は表面高抵抗層部、11は表面高抵抗層
部3の厚みを表わし、12は電極間距離、!!5は焼結
体1の厚みを表わす。
、第2図は第1図のムー人′線に沿って切断した時の断
面図である。第3図は第2図において、表面高抵抗層に
なっている部分を示した図である。また、第4図は本発
明の第2の実施例を示す表面実装型バリスタの断面図で
ある。それぞれの図において、1は角板状をした表面高
抵抗層型バリスタ磁器焼結体、21L 、2bは電極で
、この一対の電極2a 、2bは上記焼結体1の相対向
する端面部を含み側面部及び平面部に延長した形で設け
られている。3は表面高抵抗層部、11は表面高抵抗層
部3の厚みを表わし、12は電極間距離、!!5は焼結
体1の厚みを表わす。
次に、具体的実施例について詳述する。
(実施例1)
まず、表面高抵抗層型バリスタ磁器焼結体を作る。最初
に、原料としてチタン酸ストロンチウム(SrTi05
)に酸化ニオブ(Nb20s)、 酸化タンク/L
/(TIL205)、炭酸マンガy (MnCO3)
、酸化珪素(Si02)、酸化アルミニウム(ム(!2
0S)をそれぞれ0.1〜5.0 m01%加え、純水
を用いてボールミpで24時間混合した。次に、乾燥さ
せ、乾燥物を乾式粉砕し、その粉末をアルミナルツボに
入れて、80o〜950″Cで2時間仮焼した。この仮
焼後、再度粉砕した後、乾燥させ、その乾燥物に有機バ
インダーを加え、混合し造粒した。次に、造粒物を金型
に入れて角板状に成型した。この時の圧力は1ton/
dである。この成型物を脱バインダー後、窒素(N2)
と水素(N2)の混合ガス中で1250〜14oo′C
で1〜2時間焼成した後、空気中で1000〜1200
’Cで1〜5時間熱処理した。そして、表面高抵抗層型
バリスタ磁器焼結体1を得た。ここで、表面高抵抗層部
3は焼成後の空気中での熱処理によって形成され、その
厚みは熱処理の温度と時間に依存する。本実施例の場合
、厚み11は100μm〜400μmであった。
に、原料としてチタン酸ストロンチウム(SrTi05
)に酸化ニオブ(Nb20s)、 酸化タンク/L
/(TIL205)、炭酸マンガy (MnCO3)
、酸化珪素(Si02)、酸化アルミニウム(ム(!2
0S)をそれぞれ0.1〜5.0 m01%加え、純水
を用いてボールミpで24時間混合した。次に、乾燥さ
せ、乾燥物を乾式粉砕し、その粉末をアルミナルツボに
入れて、80o〜950″Cで2時間仮焼した。この仮
焼後、再度粉砕した後、乾燥させ、その乾燥物に有機バ
インダーを加え、混合し造粒した。次に、造粒物を金型
に入れて角板状に成型した。この時の圧力は1ton/
dである。この成型物を脱バインダー後、窒素(N2)
と水素(N2)の混合ガス中で1250〜14oo′C
で1〜2時間焼成した後、空気中で1000〜1200
’Cで1〜5時間熱処理した。そして、表面高抵抗層型
バリスタ磁器焼結体1を得た。ここで、表面高抵抗層部
3は焼成後の空気中での熱処理によって形成され、その
厚みは熱処理の温度と時間に依存する。本実施例の場合
、厚み11は100μm〜400μmであった。
次に、焼結体1の相対向する端面部を含み側面部及び平
面部に延長した形で銀ペーストを塗布し、焼付けて電極
2N 、2bを形成した。このようにして得た第1図〜
第3図て示す表面実装型バリスタは、形状が5 ff
X 5 fl X厚み(13)3MMで、電極間距離(
jh)3oで、バリスタ電圧v1mA = 5〜eoV
、非直線係数α=10〜20のものが得られた。そし
て、サージ耐量も8×20μ冠の電流波形でSOO〜1
000Aもあり、実用に十分に供することが解った。尚
、表面高抵抗層部の抵抗値は1012〜1015Ω・個
であり、その他の焼結体部の抵抗値は0.1〜1.0Ω
・αであった。
面部に延長した形で銀ペーストを塗布し、焼付けて電極
2N 、2bを形成した。このようにして得た第1図〜
第3図て示す表面実装型バリスタは、形状が5 ff
X 5 fl X厚み(13)3MMで、電極間距離(
jh)3oで、バリスタ電圧v1mA = 5〜eoV
、非直線係数α=10〜20のものが得られた。そし
て、サージ耐量も8×20μ冠の電流波形でSOO〜1
000Aもあり、実用に十分に供することが解った。尚
、表面高抵抗層部の抵抗値は1012〜1015Ω・個
であり、その他の焼結体部の抵抗値は0.1〜1.0Ω
・αであった。
(実施例2)
次に、従来例の形状面での制約を取除いた時の表面実装
型バリスタの場合を示す。
型バリスタの場合を示す。
ここで、バリスタ磁器焼結体は実施例1と同じ方法で得
た。形状は51111 X 5 rz x厚み(15)
2Mであった。そして、電極形状を従来例と同じく、端
面及び側面を介して対面の一部まで連接するように対向
する第4図に示すような電極を形成したが、電極間距離
12を素子厚み13よりも小さくした。つまり、電極間
距離42 を1絹とした。このようKして得た表面実
装型バリスタは、バリスタ電圧vImA=5〜60V
、非直線係数α=10〜20、サージ耐1450〜SO
O人のものが得られた。
た。形状は51111 X 5 rz x厚み(15)
2Mであった。そして、電極形状を従来例と同じく、端
面及び側面を介して対面の一部まで連接するように対向
する第4図に示すような電極を形成したが、電極間距離
12を素子厚み13よりも小さくした。つまり、電極間
距離42 を1絹とした。このようKして得た表面実
装型バリスタは、バリスタ電圧vImA=5〜60V
、非直線係数α=10〜20、サージ耐1450〜SO
O人のものが得られた。
発明の効果
本発明によれば、表面高抵抗層型バリスタ磁器焼結体を
用いれば、従来の粒界層型のバリスタでは小型化に制約
のあった表面実装型バリスタを大巾に小型化することが
可能になり、その実用的価値は大なるものがある。
用いれば、従来の粒界層型のバリスタでは小型化に制約
のあった表面実装型バリスタを大巾に小型化することが
可能になり、その実用的価値は大なるものがある。
すなわち、本発明の表面実装型バリスタの形状の制約は
あくまでも電極間距離が表面高抵抗層の厚み以上あれば
よく、実使用上、形状面での制約となるものではない。
あくまでも電極間距離が表面高抵抗層の厚み以上あれば
よく、実使用上、形状面での制約となるものではない。
さらに、実施例ではバリスタ磁器焼結体の材料として、
5rTi05を主成分とするものにしたが、これはBa
Ti05を主成分とする材料のように5rTiO5の場
合と同じく表面に高抵抗層を形成するものなら、上記実
施例と同様な効果が得られることは言うまでもない。
5rTi05を主成分とするものにしたが、これはBa
Ti05を主成分とする材料のように5rTiO5の場
合と同じく表面に高抵抗層を形成するものなら、上記実
施例と同様な効果が得られることは言うまでもない。
第1図は本発明の一実施例の表面実装型バリスタを示す
斜視図、第2図は同第1図のA−に線に沿って切断した
時の断面図、第3図は同じく第2図において表面高抵抗
層になっている部分を説明する断面図、第4図は本発明
の第2の実施例を示す断面図、第5図は従来例の表面実
装型バリスタを示す斜視図、第6図は第6図のB −B
’線に沿って切断した時の断面図である。 1・・・・・・表面高抵抗層型バリスタ磁器焼結体、2
1L 、2b・・・・・・電極、3・・・・・・表面高
抵抗層部。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名纂1
図 ! /−一部11Iff高柩枕1型 バリスタtjkJL境緒体 2二、2b−9,a ム 第2t1 ! 坂 第 図 3・−友太′#r挑抗眉部
斜視図、第2図は同第1図のA−に線に沿って切断した
時の断面図、第3図は同じく第2図において表面高抵抗
層になっている部分を説明する断面図、第4図は本発明
の第2の実施例を示す断面図、第5図は従来例の表面実
装型バリスタを示す斜視図、第6図は第6図のB −B
’線に沿って切断した時の断面図である。 1・・・・・・表面高抵抗層型バリスタ磁器焼結体、2
1L 、2b・・・・・・電極、3・・・・・・表面高
抵抗層部。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名纂1
図 ! /−一部11Iff高柩枕1型 バリスタtjkJL境緒体 2二、2b−9,a ム 第2t1 ! 坂 第 図 3・−友太′#r挑抗眉部
Claims (1)
- 角板状の表面高抵抗層型バリスタ磁器焼結体上に、相対
向する端面部を含み側面部及び平面部に延長した一対の
電極を設けたことを特徴とする表面実装型バリスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1088850A JP2760030B2 (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 表面実装型バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1088850A JP2760030B2 (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 表面実装型バリスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02267901A true JPH02267901A (ja) | 1990-11-01 |
JP2760030B2 JP2760030B2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=13954458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1088850A Expired - Fee Related JP2760030B2 (ja) | 1989-04-07 | 1989-04-07 | 表面実装型バリスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2760030B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5745203A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-15 | Mitsubishi Mining & Cement Co | Varistor |
JPS609203U (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-22 | 松下電器産業株式会社 | セラミツクバリスタ |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP1088850A patent/JP2760030B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5745203A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-15 | Mitsubishi Mining & Cement Co | Varistor |
JPS609203U (ja) * | 1983-06-28 | 1985-01-22 | 松下電器産業株式会社 | セラミツクバリスタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2760030B2 (ja) | 1998-05-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH02267901A (ja) | 表面実装型バリスタ | |
JPS6450503A (en) | Voltage-dependent nonlinear resistor | |
JPH0322883Y2 (ja) | ||
JPS60144903A (ja) | バリスタ | |
JPS62193228A (ja) | 電圧非直線性素子 | |
JPS5885501A (ja) | 角形バリスタ | |
JPS62190817A (ja) | 電圧非直線性素子の製造方法 | |
JPS5861601A (ja) | 障壁層型電圧非直線抵抗体 | |
JPS6144408A (ja) | 電圧非直線性抵抗素子 | |
JPH02220403A (ja) | 積層セラミックバリスタの製造法 | |
JPS62190814A (ja) | 電圧非直線性素子 | |
JPH02177505A (ja) | 粒界酸化型電圧非直線抵抗素子 | |
JPS6355903A (ja) | 3端子型積層バリスタ | |
JPH0273606A (ja) | 積層型バリスタ | |
JPH02177506A (ja) | 粒界酸化型電圧非直線抵抗素子 | |
JPS62112313A (ja) | 貫通コンデンサ | |
JPH02172203A (ja) | 積層型バリスタ | |
JPH03109260A (ja) | 粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物 | |
JPH03109259A (ja) | 粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物 | |
JPS59189605A (ja) | 非直線抵抗体 | |
JPS62190811A (ja) | 電圧非直線性素子 | |
JPH0423301A (ja) | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 | |
JPS6144406A (ja) | 多機能素子 | |
JPS60136213A (ja) | 複合機能素子の製造方法 | |
JPS60106116A (ja) | 積層型電子部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |