JPH02260587A - 光導波路付半導体レーザ - Google Patents
光導波路付半導体レーザInfo
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- JPH02260587A JPH02260587A JP8106589A JP8106589A JPH02260587A JP H02260587 A JPH02260587 A JP H02260587A JP 8106589 A JP8106589 A JP 8106589A JP 8106589 A JP8106589 A JP 8106589A JP H02260587 A JPH02260587 A JP H02260587A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野］
本発明は、半導体レーザ（以下ＬＤと記す、）と光導波
路（以下ＷＧと記す、）を直接結合した光導波路付半導
体レーザ（以下ＷＧ−ＬＤと記す、）の構造に関する。
路（以下ＷＧと記す、）を直接結合した光導波路付半導
体レーザ（以下ＷＧ−ＬＤと記す、）の構造に関する。
光デバイスの使用形態が高度化するにつれて、各種の光
デバイスの相互接続や各光デバイスを現状よりいっそう
高性能化する必要がある。−刀先、デバイスの高性能化
を達成するには、光デバイス用材料の高品質化はもちろ
んのことであるが、さらに各種の光回路部品と相互接続
して性能を向上させる必要がある。この相互接続の為に
は低損失のＷＧが必要となる。したがって光の増幅機能
を持つＬＤとＷＧとを低損失で接続したＷＧ−ＬＤは極
めて重要な素子である。 ＷＧ−ＬＤの１例を第２（ｉｉｌｌに示す、これはアプ
ライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ
。 Ｌｅｔｔ）メルフ（Ｍｅｒｚ）等、３０巻・５３０頁・
１９７７年に記載されているものであるａＧａＡｓ基板
上に−ＡＪ！ａ、ｓ Ｇａｏ、ｔ Ａｓクラッド層２０
１−Ａｌａ、＊５Ｇａｏ、５ｓＡＳ光導波路層２０２・
ＧａＡｓ活性層２０３ ・Ａｌａ、ｓ Ｇａｏ、４Ａｓ
ｉクラッド層２０４を順次積層して形成したＬＤ槽構造
、ＬＤとなる部分を除いてＧａＡｓ活性層２０３までエ
ツチング除去して光導波路としたＷＧ−ＬＤである。 〔発明が解決しようとする課題１ しかし、前述の従来技術では、光導波路は二次元光導波
路であり接合に平行な方向の光閉じ込めに対する機能は
有していない、したがって光導波路を伝搬する間に接合
に平行な方向の横モードが変化してしまう、この為光強
度の大小が問題となるような状況での使用では有効であ
るが、光通信あるいは光情報処理用光源の様に横モード
制御が重要となるような装置への応用は不可能となる。 そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、接合に平行な方向にも有効な光
閉じ込めがなされ、かつ極めて伝搬損失の小さな光導波
路を有するＷＧ−ＬＤを提供することにある。
デバイスの相互接続や各光デバイスを現状よりいっそう
高性能化する必要がある。−刀先、デバイスの高性能化
を達成するには、光デバイス用材料の高品質化はもちろ
んのことであるが、さらに各種の光回路部品と相互接続
して性能を向上させる必要がある。この相互接続の為に
は低損失のＷＧが必要となる。したがって光の増幅機能
を持つＬＤとＷＧとを低損失で接続したＷＧ−ＬＤは極
めて重要な素子である。 ＷＧ−ＬＤの１例を第２（ｉｉｌｌに示す、これはアプ
ライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ
。 Ｌｅｔｔ）メルフ（Ｍｅｒｚ）等、３０巻・５３０頁・
１９７７年に記載されているものであるａＧａＡｓ基板
上に−ＡＪ！ａ、ｓ Ｇａｏ、ｔ Ａｓクラッド層２０
１−Ａｌａ、＊５Ｇａｏ、５ｓＡＳ光導波路層２０２・
ＧａＡｓ活性層２０３ ・Ａｌａ、ｓ Ｇａｏ、４Ａｓ
ｉクラッド層２０４を順次積層して形成したＬＤ槽構造
、ＬＤとなる部分を除いてＧａＡｓ活性層２０３までエ
ツチング除去して光導波路としたＷＧ−ＬＤである。 〔発明が解決しようとする課題１ しかし、前述の従来技術では、光導波路は二次元光導波
路であり接合に平行な方向の光閉じ込めに対する機能は
有していない、したがって光導波路を伝搬する間に接合
に平行な方向の横モードが変化してしまう、この為光強
度の大小が問題となるような状況での使用では有効であ
るが、光通信あるいは光情報処理用光源の様に横モード
制御が重要となるような装置への応用は不可能となる。 そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、接合に平行な方向にも有効な光
閉じ込めがなされ、かつ極めて伝搬損失の小さな光導波
路を有するＷＧ−ＬＤを提供することにある。
【課題を解決するための手段］
本発明の光導波路付半導体レーザは、半導体し一層と、
該半導体レーザの共振器端面に結合した光導波路とから
成る光導波路付半導体レーザにおいて、該半導体レーザ
は、基板側のクラッド層と活性層との間に少なくとも一
層の屈折率が該クラッド層より大でありかつ該活性層よ
り小なる光導波路層を有して成り、かつ該光導波路は、
該光導波路層上に局所的にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
を有して成ることを特徴とする。 【実 施 例】 第１図は本発明の実施例における構造断面図である。同
図（ａ）は光の伝搬方向の構造断面図であり、同図（ｂ
）および（Ｃ）は各々ＬＤ部およびＷＧ部の光の伝搬方
向に垂直な方向の構造断面図である。 ＬＤ部は同図（ｂ）に示す如く、ｎ型ＧａＡｓ基板１０
１上の、ｎ型ＧａＡｓバッファー層１０２、ｎ型Ａｌ２
ｘ Ｇａ＋−ｘ Ａｓ第１のクラッド層１０３・ｎ型Ａ
１２ ｙ Ｇ ａ ＋ −ｙ Ａ ｓ光導波路層１０
４ （ｘ＞ｙ）、Ａｌ２ｘ Ｇａ＋−ｍ Ａｓ活性層１
０５ （ｘ＞ｚ、ｙ＞ｚ） ・ｐ型ＡｆｆＧａＡｓ第２
のクラッド層１０６・ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０７
からなる構造のｐ型ＡＪ２ＧａＡｓ第２のクラッド層の
途中までエツチング除去してなるリブ状光導波路の側面
をＴＩ −ＶＩ族化合物半導体層で、埋め込んだ構造で
ある。１０９はＩＩ −ＶＩ族化合物半導体層のＺｎ５
ｅ層である。１１０及び１１１は各々ｐ側電極・ｎ側電
極である。 一方ＷＧ部は同図（ｃ）に示す如く、ＬＤ同様各層積層
した後Ａｌ２ｘ Ｇａ＋−ｘ Ａｓ活性層１０５まで平
坦にエツチング除去した後、ＷＧ形成領域上に、ＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体層を装荷した形状である。１０８が
Ｚｎ５ｅクラッド層である。 続いて同図を用いて作製プロセスを説明する。 ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上にｎ型ＧａＡｓバッファー層
１０２−・ｎ型Ａ Ｑ ｘ Ｇ ａ ｌ−Ｘ Ａ ｓ第
１のクラッド層１０３・ｎ型Ａ ’２ ｙ Ｇ ａ ｌ
＋ｌＴ Ａ Ｂ光導波路層１０４ （ｘ＞ｙ） ・Ａ
ｌ２ｔ Ｇａ＋−ｉ Ａｓ活性層１０５ （ｘ＞ｚ−ｙ
＞ｚ） ・ｐ型Ａｌ２ＧａＡｓ第２のクラッド層１０６
・ｐ型ＧａＡｓコンタクト層を順次積層する。各層の積
層は、液相エピタキシャル成長法（以下ＬＰＥ法）、有
機金属気相成長法（以下ＭＯＣＶＤ法）、分子線エピタ
キシャル成長法（以下ＭＢＥ法）等の手段により行なう
ことができる。 続いて２回のフォトエツチング工程を行なう。 そしてＬＤ領域は、Ａｌ２ｔ Ｇａ＋−ｍ Ａｓ第２の
クラッド層の途中までエツチングして同図（ｂ）の如く
逆メサ状のリブな形成する。一方ＷＧ領域はさらにエツ
チングを進めてＡｌ２ｙ Ｇａ＋−ｙ Ａｓ光導波路層
表面を露出させる。 続いてＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層であるＺｎ５ｅ層を
形成する。各領域へのＺｎ５ｅ層の形成は、５ｉｎｓ等
をマスクとして使用する選択エピタキシャル成長法によ
り行なう、Ｚｎ５ｅ層の選択エピタキシャル成長は、原
料としてＺｎおよびＳｅの有機化合物を用い、成長圧力
１００ｔｏｒｒ以下、成長温度４００℃以上７００℃以
下、 ＶＩ族原料と■族原料の原料供給モル比６以下の
条件でＭＯＣＶＤ法により実施できる。すなわちリブ両
側部および、リブに直結、し、ＷＧ領領域除いてＳｉ０
□マスクを形成し、上記条件でＺｎ５ｅ層の選択エピタ
キシャル成長を行なう、このようにして形成したＺｎ５
ｅ層は、高抵抗でかつ低屈折率という材料特有の特性を
有していることから、ＬＤのリプ側面の埋め込み層とし
て使用した際には、光閉じ込めに加えて電流侠客に有効
なＺｎ５ｅ層１０９として、また光導波路に応用した際
には、光閉じ込めに有効に作用し、本実施例の場合、Ｚ
ｎ５ｅクラッド層１０８として利用できる。 以後Ｌ Ｄ ｆｉｌ域のｐａｌｉｔ極１１０極上１０側
電極１１１を形成して本発明のＷＧ−ＬＤとなる。 ここではＩＩ −ＶＩ族化合物半導体層としてＺｎ５ｅ
層を使用したが、他の１ｌ−ＶＩ族化合物半導体層でも
同様に実施可能である。 また選択エビクキシャル成長によらず、エツチング工程
を含むプロセスによっても同様な構造の実現は可能であ
る。 このような構造とすることにより、ＬＤ部の活性層の導
波モードの光導波路層にしみ出した光電力の１部分が出
刃光導波路に結合し、ＷＧ領領域伝搬する。また光導波
路層は、活性層よりもエネルギーギャップが広く、かつ
その屈折率はクラッド層およびＺｎ５ｅ層より大なる構
成となっているので、光吸収損失の極めて小なる光導波
路が形成されることになる。また光の伝搬はＺｎ５ｅ層
が装荷された光導波路層で行なわれるが、光の閉じ込め
効果について言及すると、接合に垂直な方向にはＺｎ５
ｅ層・Ａ ’Ｑ ｙ Ｇ ａ ｌ−ｙ Ａ ｓ光導波層
・Ａ ’２ ＊ Ｇ ａ ｌ−ｘ Ａ ｓ第１のクラッ
ド層（ここでｘ）ｙ）の３層のＷＧで各材料間の屈折率
差による光閉じ込めであり、光導波路層の屈折率が３層
の中で最大であり光導波層に有効に閉じ込められる。一
方接台に平行な方向に関しては、Ｚｎ５ｅ層の装荷部と
その両側の部分との間の実効屈折率差による光閉じ込め
が行なわれる。この時実効屈折率差はｌＯ゛１以上の値
が得られ光の閉じ込めに有効に作用する。したがって本
ＷＧ−ＬＤのＷＧ部は、有効な光閉じ込めが行なわれる
３次元ＷＧとなっている。故にＬＤとの接合効率が高く
かつ光伝搬損失の極めて小さなＷＧとなる。 以上の説明では代表的なＩｌｌ −Ｖ族化合物半導体で
あるＡｌ２ＧａＡｓを例としたが、他の■Ｉ−Ｖ族化合
物半導体たとえばＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｆｉＰ等
の材料の使用も可能である。この中でｒ ｎＧａＡｇｐ
Ｐで構成すれば、短波長５００ｎｍ帯あるいは６００ｎ
ｍ帯での先導波が実現され、光情報処理装置あるいはプ
ラスチックファイバー光通信等への応用が可能となる。 またＬＤの構造は実施例で示した構造に限らず、公知の
屈折率導波型ＬＤおよび利得導波型ＬＤのすべての構造
のＬＤの使用が可能である。 〔発明の効果１ 以上述べたように発明によれば以下のような効果を有す
る。 ｌ）光導波路部は、光導波路層上に、光導波路層より屈
折率の小なるＩＩ −ＶＩ族化合物半導体層をクラッド
層として光導波路幅に合わせて装荷した構造であること
から、接合方向の光閉じ込めに有効であるとともに、接
合に平行な方向にも実効屈折率差による光閉じ込めが有
効に行なわれる三次元光導波路構造が実現される。 ２）したがってシングルモード伝搬光導波路が実現され
、横モード制御が必要な各種光応用装置への搭載が可能
である。 ３）同様に半導体光集積回路への応用も可能である。 ４）本ＷＧ−ＬＤは各構成層の積層がＭＯＣｖＤ法によ
り可能なことから、素子特性の均一化、高信頼化等実現
される。 ６）適切な材料の選択により５００ｎｍ帯までの先導波
が可能なデバイスが実現される。
該半導体レーザの共振器端面に結合した光導波路とから
成る光導波路付半導体レーザにおいて、該半導体レーザ
は、基板側のクラッド層と活性層との間に少なくとも一
層の屈折率が該クラッド層より大でありかつ該活性層よ
り小なる光導波路層を有して成り、かつ該光導波路は、
該光導波路層上に局所的にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層
を有して成ることを特徴とする。 【実 施 例】 第１図は本発明の実施例における構造断面図である。同
図（ａ）は光の伝搬方向の構造断面図であり、同図（ｂ
）および（Ｃ）は各々ＬＤ部およびＷＧ部の光の伝搬方
向に垂直な方向の構造断面図である。 ＬＤ部は同図（ｂ）に示す如く、ｎ型ＧａＡｓ基板１０
１上の、ｎ型ＧａＡｓバッファー層１０２、ｎ型Ａｌ２
ｘ Ｇａ＋−ｘ Ａｓ第１のクラッド層１０３・ｎ型Ａ
１２ ｙ Ｇ ａ ＋ −ｙ Ａ ｓ光導波路層１０
４ （ｘ＞ｙ）、Ａｌ２ｘ Ｇａ＋−ｍ Ａｓ活性層１
０５ （ｘ＞ｚ、ｙ＞ｚ） ・ｐ型ＡｆｆＧａＡｓ第２
のクラッド層１０６・ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０７
からなる構造のｐ型ＡＪ２ＧａＡｓ第２のクラッド層の
途中までエツチング除去してなるリブ状光導波路の側面
をＴＩ −ＶＩ族化合物半導体層で、埋め込んだ構造で
ある。１０９はＩＩ −ＶＩ族化合物半導体層のＺｎ５
ｅ層である。１１０及び１１１は各々ｐ側電極・ｎ側電
極である。 一方ＷＧ部は同図（ｃ）に示す如く、ＬＤ同様各層積層
した後Ａｌ２ｘ Ｇａ＋−ｘ Ａｓ活性層１０５まで平
坦にエツチング除去した後、ＷＧ形成領域上に、ＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体層を装荷した形状である。１０８が
Ｚｎ５ｅクラッド層である。 続いて同図を用いて作製プロセスを説明する。 ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上にｎ型ＧａＡｓバッファー層
１０２−・ｎ型Ａ Ｑ ｘ Ｇ ａ ｌ−Ｘ Ａ ｓ第
１のクラッド層１０３・ｎ型Ａ ’２ ｙ Ｇ ａ ｌ
＋ｌＴ Ａ Ｂ光導波路層１０４ （ｘ＞ｙ） ・Ａ
ｌ２ｔ Ｇａ＋−ｉ Ａｓ活性層１０５ （ｘ＞ｚ−ｙ
＞ｚ） ・ｐ型Ａｌ２ＧａＡｓ第２のクラッド層１０６
・ｐ型ＧａＡｓコンタクト層を順次積層する。各層の積
層は、液相エピタキシャル成長法（以下ＬＰＥ法）、有
機金属気相成長法（以下ＭＯＣＶＤ法）、分子線エピタ
キシャル成長法（以下ＭＢＥ法）等の手段により行なう
ことができる。 続いて２回のフォトエツチング工程を行なう。 そしてＬＤ領域は、Ａｌ２ｔ Ｇａ＋−ｍ Ａｓ第２の
クラッド層の途中までエツチングして同図（ｂ）の如く
逆メサ状のリブな形成する。一方ＷＧ領域はさらにエツ
チングを進めてＡｌ２ｙ Ｇａ＋−ｙ Ａｓ光導波路層
表面を露出させる。 続いてＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層であるＺｎ５ｅ層を
形成する。各領域へのＺｎ５ｅ層の形成は、５ｉｎｓ等
をマスクとして使用する選択エピタキシャル成長法によ
り行なう、Ｚｎ５ｅ層の選択エピタキシャル成長は、原
料としてＺｎおよびＳｅの有機化合物を用い、成長圧力
１００ｔｏｒｒ以下、成長温度４００℃以上７００℃以
下、 ＶＩ族原料と■族原料の原料供給モル比６以下の
条件でＭＯＣＶＤ法により実施できる。すなわちリブ両
側部および、リブに直結、し、ＷＧ領領域除いてＳｉ０
□マスクを形成し、上記条件でＺｎ５ｅ層の選択エピタ
キシャル成長を行なう、このようにして形成したＺｎ５
ｅ層は、高抵抗でかつ低屈折率という材料特有の特性を
有していることから、ＬＤのリプ側面の埋め込み層とし
て使用した際には、光閉じ込めに加えて電流侠客に有効
なＺｎ５ｅ層１０９として、また光導波路に応用した際
には、光閉じ込めに有効に作用し、本実施例の場合、Ｚ
ｎ５ｅクラッド層１０８として利用できる。 以後Ｌ Ｄ ｆｉｌ域のｐａｌｉｔ極１１０極上１０側
電極１１１を形成して本発明のＷＧ−ＬＤとなる。 ここではＩＩ −ＶＩ族化合物半導体層としてＺｎ５ｅ
層を使用したが、他の１ｌ−ＶＩ族化合物半導体層でも
同様に実施可能である。 また選択エビクキシャル成長によらず、エツチング工程
を含むプロセスによっても同様な構造の実現は可能であ
る。 このような構造とすることにより、ＬＤ部の活性層の導
波モードの光導波路層にしみ出した光電力の１部分が出
刃光導波路に結合し、ＷＧ領領域伝搬する。また光導波
路層は、活性層よりもエネルギーギャップが広く、かつ
その屈折率はクラッド層およびＺｎ５ｅ層より大なる構
成となっているので、光吸収損失の極めて小なる光導波
路が形成されることになる。また光の伝搬はＺｎ５ｅ層
が装荷された光導波路層で行なわれるが、光の閉じ込め
効果について言及すると、接合に垂直な方向にはＺｎ５
ｅ層・Ａ ’Ｑ ｙ Ｇ ａ ｌ−ｙ Ａ ｓ光導波層
・Ａ ’２ ＊ Ｇ ａ ｌ−ｘ Ａ ｓ第１のクラッ
ド層（ここでｘ）ｙ）の３層のＷＧで各材料間の屈折率
差による光閉じ込めであり、光導波路層の屈折率が３層
の中で最大であり光導波層に有効に閉じ込められる。一
方接台に平行な方向に関しては、Ｚｎ５ｅ層の装荷部と
その両側の部分との間の実効屈折率差による光閉じ込め
が行なわれる。この時実効屈折率差はｌＯ゛１以上の値
が得られ光の閉じ込めに有効に作用する。したがって本
ＷＧ−ＬＤのＷＧ部は、有効な光閉じ込めが行なわれる
３次元ＷＧとなっている。故にＬＤとの接合効率が高く
かつ光伝搬損失の極めて小さなＷＧとなる。 以上の説明では代表的なＩｌｌ −Ｖ族化合物半導体で
あるＡｌ２ＧａＡｓを例としたが、他の■Ｉ−Ｖ族化合
物半導体たとえばＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｆｉＰ等
の材料の使用も可能である。この中でｒ ｎＧａＡｇｐ
Ｐで構成すれば、短波長５００ｎｍ帯あるいは６００ｎ
ｍ帯での先導波が実現され、光情報処理装置あるいはプ
ラスチックファイバー光通信等への応用が可能となる。 またＬＤの構造は実施例で示した構造に限らず、公知の
屈折率導波型ＬＤおよび利得導波型ＬＤのすべての構造
のＬＤの使用が可能である。 〔発明の効果１ 以上述べたように発明によれば以下のような効果を有す
る。 ｌ）光導波路部は、光導波路層上に、光導波路層より屈
折率の小なるＩＩ −ＶＩ族化合物半導体層をクラッド
層として光導波路幅に合わせて装荷した構造であること
から、接合方向の光閉じ込めに有効であるとともに、接
合に平行な方向にも実効屈折率差による光閉じ込めが有
効に行なわれる三次元光導波路構造が実現される。 ２）したがってシングルモード伝搬光導波路が実現され
、横モード制御が必要な各種光応用装置への搭載が可能
である。 ３）同様に半導体光集積回路への応用も可能である。 ４）本ＷＧ−ＬＤは各構成層の積層がＭＯＣｖＤ法によ
り可能なことから、素子特性の均一化、高信頼化等実現
される。 ６）適切な材料の選択により５００ｎｍ帯までの先導波
が可能なデバイスが実現される。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の光導波路付半導体レー
ザの１実施例を示す断面図。 第２図は従来の光導波路付半導体レーザの断面図。 １０１＝ｎ型ＧａＡｓ基板 １０２・−ｎ型ＧａＡｓバッファー層 １０３ ・ １０４ ・ １０５ ・ １０６ ・ １０７ ・ ｌ ０８ ・ １０９ ・ １１０ ・ １１１ ・ ２０１ ・ ２０２ ・ ２０３ ・ ２０４ ・ ’ｎ型ＡＪ、Ｇａ＋−ｍ Ａｓ第１のクラッド層 ・ｎ型ＡＤ、Ｇａｐ−、Ａｓ光導波路層・Ａ １２ ｍ
Ｇ ａ ｔ−ｍ Ａ Ｓ活性層・ｐ型Ａｌ２ＧａＡｓ
第２のクラッド層・ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ・Ｚｎ５ｅクラッド層 ・Ｚｎ５ｅ層 ・ｐ側電極 ・ｎ側電極 ・Ａｌ２ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｙ Ａｓクラッド層・Ａ ｌ
ｏ、 ｏｓＧ ａ ｏ、 ＊ｓＡ Ｓ光導波路層・Ｇ
ａＡ６活性層 ・Ａ−ｅｅ、ｓ Ｇａｏ、＊ Ａｓクラッド層以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）、、−−１
ｏ１ −ΔＯｆ
ザの１実施例を示す断面図。 第２図は従来の光導波路付半導体レーザの断面図。 １０１＝ｎ型ＧａＡｓ基板 １０２・−ｎ型ＧａＡｓバッファー層 １０３ ・ １０４ ・ １０５ ・ １０６ ・ １０７ ・ ｌ ０８ ・ １０９ ・ １１０ ・ １１１ ・ ２０１ ・ ２０２ ・ ２０３ ・ ２０４ ・ ’ｎ型ＡＪ、Ｇａ＋−ｍ Ａｓ第１のクラッド層 ・ｎ型ＡＤ、Ｇａｐ−、Ａｓ光導波路層・Ａ １２ ｍ
Ｇ ａ ｔ−ｍ Ａ Ｓ活性層・ｐ型Ａｌ２ＧａＡｓ
第２のクラッド層・ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ・Ｚｎ５ｅクラッド層 ・Ｚｎ５ｅ層 ・ｐ側電極 ・ｎ側電極 ・Ａｌ２ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｙ Ａｓクラッド層・Ａ ｌ
ｏ、 ｏｓＧ ａ ｏ、 ＊ｓＡ Ｓ光導波路層・Ｇ
ａＡ６活性層 ・Ａ−ｅｅ、ｓ Ｇａｏ、＊ Ａｓクラッド層以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）、、−−１
ｏ１ −ΔＯｆ
Claims (1)
- 半導体レーザと、該半導体レーザの共振器端面に結合し
た光導波路とから成る光導波路付半導体レーザにおいて
、該半導体レーザは、基板側のクラッド層と活性層との
間に少なくとも一層の屈折率が該クラッド層より大であ
りかつ該活性層より小なる光導波路層を有して成り、か
つ該光導波路は、該光導波路層上に局所的にII−VI族化
合物半導体層を有して成ることを特徴とする光導波路付
半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8106589A JPH02260587A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 光導波路付半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8106589A JPH02260587A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 光導波路付半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260587A true JPH02260587A (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=13735994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8106589A Pending JPH02260587A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 光導波路付半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02260587A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04243216A (ja) * | 1991-01-17 | 1992-08-31 | Nec Corp | 光導波路の製造方法ならびに光集積素子及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP8106589A patent/JPH02260587A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04243216A (ja) * | 1991-01-17 | 1992-08-31 | Nec Corp | 光導波路の製造方法ならびに光集積素子及びその製造方法 |
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