JPH02260426A - 電子装置の製造方法 - Google Patents
電子装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02260426A JPH02260426A JP7821389A JP7821389A JPH02260426A JP H02260426 A JPH02260426 A JP H02260426A JP 7821389 A JP7821389 A JP 7821389A JP 7821389 A JP7821389 A JP 7821389A JP H02260426 A JPH02260426 A JP H02260426A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic device
- region
- stress
- compressive stress
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminum-silicon-copper Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
(産業上の利用分野]
本発明は高集積度の電子装置、特に微細なアルミニウム
合金配線を有する半導体装置に関する。 (従来の技術] 半導体装置等、電子機器の高集積化のため特に微細接続
配線の信頼性が問題となっている。従来から用いられて
きたアルミニウム合金配線については、エレクトロマイ
グレーションのほかにストレスマイグレーションとよば
れる劣化が懸念されている。この微細配線のストレスマ
イグレーションは、絶縁膜がアルミニウム配線に及ぼす
応力によって発生するとされている。 この応力を制御するために特開昭63−161648号
公報に記載されているような方法が考案されている。す
なわち絶縁膜を応力の異なる2層構造にし、両者の膜厚
を適切にすることによりアルミニウム配線に加わる応力
を相殺するものである。 (発明が解決しようとする課題] 上記従来例の方法は、幅数ミクロン以上の比較的幅の広
い配線に形成される欠損を抑制防止するには大変有効で
ある。しかし、幅数ミクロン以下、特にサブミクロン幅
の配線についてはそれほど効果が発揮されず、断線不良
率の目だった減少は見られない。 本発明の目的は、特にサブミクロンの寸法の微細配線の
断線不良率を減少させることにより高集積で高信頼度の
電子装置を提供することにある。 [課題を解決するための手段] 本発明は、配線を形成した基板に圧縮応力を印加する処
理、もしくはこの処理と他の熱処理等を併用することに
より微細配線の信頼度を向上させたものである。
合金配線を有する半導体装置に関する。 (従来の技術] 半導体装置等、電子機器の高集積化のため特に微細接続
配線の信頼性が問題となっている。従来から用いられて
きたアルミニウム合金配線については、エレクトロマイ
グレーションのほかにストレスマイグレーションとよば
れる劣化が懸念されている。この微細配線のストレスマ
イグレーションは、絶縁膜がアルミニウム配線に及ぼす
応力によって発生するとされている。 この応力を制御するために特開昭63−161648号
公報に記載されているような方法が考案されている。す
なわち絶縁膜を応力の異なる2層構造にし、両者の膜厚
を適切にすることによりアルミニウム配線に加わる応力
を相殺するものである。 (発明が解決しようとする課題] 上記従来例の方法は、幅数ミクロン以上の比較的幅の広
い配線に形成される欠損を抑制防止するには大変有効で
ある。しかし、幅数ミクロン以下、特にサブミクロン幅
の配線についてはそれほど効果が発揮されず、断線不良
率の目だった減少は見られない。 本発明の目的は、特にサブミクロンの寸法の微細配線の
断線不良率を減少させることにより高集積で高信頼度の
電子装置を提供することにある。 [課題を解決するための手段] 本発明は、配線を形成した基板に圧縮応力を印加する処
理、もしくはこの処理と他の熱処理等を併用することに
より微細配線の信頼度を向上させたものである。
アルミニウム配線に加わる応力の原因には大別して2種
類あり、パシベーション膜自身の持つ内部応力、および
パシベーション膜とアルミニウム配線との熱膨張率差に
よって発生する熱応力である。筆者等の検討によれば前
記従来例(特開昭63−161648)に記載された方
法は、絶縁膜の内部応力に起因してアルミニウム配線に
加わる応力を減少させることはできるものの、アルミニ
ウム配線とパシベーション膜との熱膨張率差に起因して
アルミニウム配線に発生する応力を抑制することはでき
ないことがわかった。 また微細配線では上記の後者の熱膨張率差に起因した応
力の方がパシベーション膜自身の持つ応力にくらべ、よ
り支配的である。(参考文献;プロシーディングズオブ
フイフスインターナショナルブイエルエスアイマルチレ
ベルインター・コネクションカンファレンス(Proc
、 5th Int、 VLSI Multileve
l Interconnection Conf、)p
p429−35(1988) ) したがって微細アルミニウム配線では後者の熱膨張率差
に起因した応力を抑制する必要がある。 本発明のよれば、圧縮応力を印加することにより熱膨張
率差によって生じる体積差を減少させることができ、こ
の方法により微細配線の信頼度を著しく改善できる。 また、非等方的な圧力の印加は材料の破壊を引き起こし
やすく、本出願で目的とした効果を得るのに十分な高圧
力を非等方的に印加するのは困難である。
類あり、パシベーション膜自身の持つ内部応力、および
パシベーション膜とアルミニウム配線との熱膨張率差に
よって発生する熱応力である。筆者等の検討によれば前
記従来例(特開昭63−161648)に記載された方
法は、絶縁膜の内部応力に起因してアルミニウム配線に
加わる応力を減少させることはできるものの、アルミニ
ウム配線とパシベーション膜との熱膨張率差に起因して
アルミニウム配線に発生する応力を抑制することはでき
ないことがわかった。 また微細配線では上記の後者の熱膨張率差に起因した応
力の方がパシベーション膜自身の持つ応力にくらべ、よ
り支配的である。(参考文献;プロシーディングズオブ
フイフスインターナショナルブイエルエスアイマルチレ
ベルインター・コネクションカンファレンス(Proc
、 5th Int、 VLSI Multileve
l Interconnection Conf、)p
p429−35(1988) ) したがって微細アルミニウム配線では後者の熱膨張率差
に起因した応力を抑制する必要がある。 本発明のよれば、圧縮応力を印加することにより熱膨張
率差によって生じる体積差を減少させることができ、こ
の方法により微細配線の信頼度を著しく改善できる。 また、非等方的な圧力の印加は材料の破壊を引き起こし
やすく、本出願で目的とした効果を得るのに十分な高圧
力を非等方的に印加するのは困難である。
以下、本発明の実施例に基づいて形成されたアルミニウ
ム配線系の信頼度を評価した結果について述べる。 表面に約0.5ミクロンのシリコン酸化絶縁膜を形成し
たシリコン基板上に0.5ミクロン厚さのアルミニウム
合金膜を通常のスパッタ法で形成し配線の形状にパター
ンニングした。アルミニウム合金膜は1重量%のシリコ
ンを添加したアルミニウムーシリコン合金と、さらに0
.5重量%の銅を添加したアルミニウムーシリコン−銅
合金の2種類を用いた。 アルミニウム配線のパターンユング後、各種絶た。Ml
膜としては、プラズマCVDシリコン酸化膜(p−8i
○)、プラズマCVDシリコン窒化膜(p−8iN)t
スピンオンガラス(SOG)、スパッタシリコン酸化膜
(sp−Si○)、およびこれらの積層膜である。 配線の信頼度にかかわる項目として次項を評価した。 (1)ストレスマイグレーション試験(SM特性試験) 200℃に保持し断線率を保持時間の関数として測定し
た。各仕様ごとに、チップ当り約10mの総配線長を持
つサンプル約100個について断線率を求めた。第1図
は代表的な仕様についてその結果を示したものである。 信頼度を示すパラメータとして1%不良に至る時間を図
から求め、第2図に示した。 (2)エレクトロマイグレーション試験(EM特性試験
) 各仕様ごとに長さ1mmの配線約25本を、250℃、
2MA/am”の条件で通電して寿命を測定した。その
結果から50%不良に至る時間を求め、同様に第2図に
示した。 (3)シリコン析出試験 所定の処理の終了後、絶縁膜およびアルミニウム配線を
ウェットエツチングで除去し残留するシリコン粒子の程
度を比較した。 第1図は代表的な試料のストレスマイグレーション試験
率の測定結果である。試料番号1は従来技術で形成した
標準的なもので1%断線時間はこの測定で4.5時間で
あった。試料番号11はこの試料をIGPaの高圧縮応
力下で1時間200℃に保持したものである。圧力印加
には、メタノールを圧力媒体とした高圧発生装置を用い
た。第1、図に示したように明らかな信頼度向上がみら
れ、1%断線時間としては約1−桁長寿命化している。 熱処理温度が200”Cの場合にもこの程度の改善があ
るが、熱処理温度を高くするとさらに大幅な改善効果が
得られる。すなわち第1図の試料番号32.33.35
はそれぞれ30MPa、100MP a 、 500M
P aの圧力下で、450℃30分の熱処理を施した試
料の不良率をプロットしたものである゛。450℃程度
に加熱することにより100MPaと比較的低い応力で
も改善効果がみられ、圧力を増すに従って、この効果は
著しくなっている。これらの場合についてはアルゴンガ
スを圧力媒体とした高圧発生装置を用いて処理した。 試料番号41,42はA Q Cu S i合金につい
て調べた結果である。この合金はAMSiに比べて1〜
2桁高い信頼度を持っているが、本発明の処理法により
さらに高信頼度化されている。 試料番号51〜58はAQSi合金で種々の絶縁膜につ
いて本発明の処理法の効果を調べたものである。スパッ
タシリコン酸化膜の場合にはこの処理法の効果が比較的
小さいが、それでも約〕−桁の改善効果が得られている
。 改善効果は処理時間の関数である。実際的な処理時間の
上限は数時間程度と考えられるため、これで充分な効果
を得るためには、100 M P a以上の圧力と、2
00℃以上の温度が必要であった。 また実験結果は高圧はど大きな改善効果が得られること
を示しており、3GPaまではこの方法で製造した装置
の特性上まったく問題点がないことを確認した。 同時に、耐エレクトロマイグレーション性についても本
発明の処理によって著しい改善効果が得られる。すなわ
ち第2図に示したように、50%不良時間で数倍から1
桁程度の改善効果がある。 さらに、シリコン析出についてみると、測定数が少ない
が、同じ温度と時間での熱処理をする場合、高圧力下の
方が析出量が減少しており、この点でも配線の高信頼度
化への効果が得られていることがわかる。 次に配線中の応力を測定した結果について説明する。 第2図の試料番号1.21.26.31.35.42.
54.58について通常のX線回折法を用いてアルミニ
ウム配線中の応力を測定した。室温状態では1.21.
31番の試料モすべでの方向に100〜400 M P
aの引張応力が測定されたが他の試料ではすべての方
向に0〜数10 M P aの圧縮応力が測定された。 このことからも配線を圧縮状態に保つことによって高信
頼化できることがわかる。 実施例2 配線材料としてタングステンを用いた実施例について述
べる。 高濃度の不純物拡散層領域をシリコン基板表面に所定の
パターンに形成した。P型頭域はボロン、N型領域はリ
ンをイオン打ち込みして熱処理することにより、表面濃
度でそれぞれ約I X I Q”/C11ff、2 X
10”/ cm3(7)領域を形成した。CVD法に
よりシリコン酸化膜を500nm被着し接続孔を開口し
た。この基板全面にCVD法により400nm厚のタン
グステンを形成し配線形状にパターンニングした。更に
表面保護膜としてプラズマCVD法によるシリコン窒化
膜を形成し、測定用端子部のみ開口した。この素子に実
施例1と同様の加圧処理を施しその効果を熱サイクル試
験によって比較した。 所定の回数熱サイクル処理を施したのち定期的にタング
ステン配線とシリコン基板上に形成した拡散層との接触
抵抗(1000個直列のパターン)を測定し、値が初期
値の10倍を越えたものを不良とみなした。接続部面積
は約1μm2である。 結果を第3図に示す。加圧処理を施さないものでは10
0回程度の処理により約1%の不良が発生するが十分な
加圧処理を施すと5000回以上のサイクルにも不良は
発生せず約50倍以上の高信頼化が実現できた。 本発明によれば以上の実施例のほかに、他の高融点材料
、例えばモリブデン、タングステンシリサイド、モリブ
デンシリサイド、窒化チタンなどについても、前記実施
例とほぼ同様の改善効果が得られたことを付言する。
ム配線系の信頼度を評価した結果について述べる。 表面に約0.5ミクロンのシリコン酸化絶縁膜を形成し
たシリコン基板上に0.5ミクロン厚さのアルミニウム
合金膜を通常のスパッタ法で形成し配線の形状にパター
ンニングした。アルミニウム合金膜は1重量%のシリコ
ンを添加したアルミニウムーシリコン合金と、さらに0
.5重量%の銅を添加したアルミニウムーシリコン−銅
合金の2種類を用いた。 アルミニウム配線のパターンユング後、各種絶た。Ml
膜としては、プラズマCVDシリコン酸化膜(p−8i
○)、プラズマCVDシリコン窒化膜(p−8iN)t
スピンオンガラス(SOG)、スパッタシリコン酸化膜
(sp−Si○)、およびこれらの積層膜である。 配線の信頼度にかかわる項目として次項を評価した。 (1)ストレスマイグレーション試験(SM特性試験) 200℃に保持し断線率を保持時間の関数として測定し
た。各仕様ごとに、チップ当り約10mの総配線長を持
つサンプル約100個について断線率を求めた。第1図
は代表的な仕様についてその結果を示したものである。 信頼度を示すパラメータとして1%不良に至る時間を図
から求め、第2図に示した。 (2)エレクトロマイグレーション試験(EM特性試験
) 各仕様ごとに長さ1mmの配線約25本を、250℃、
2MA/am”の条件で通電して寿命を測定した。その
結果から50%不良に至る時間を求め、同様に第2図に
示した。 (3)シリコン析出試験 所定の処理の終了後、絶縁膜およびアルミニウム配線を
ウェットエツチングで除去し残留するシリコン粒子の程
度を比較した。 第1図は代表的な試料のストレスマイグレーション試験
率の測定結果である。試料番号1は従来技術で形成した
標準的なもので1%断線時間はこの測定で4.5時間で
あった。試料番号11はこの試料をIGPaの高圧縮応
力下で1時間200℃に保持したものである。圧力印加
には、メタノールを圧力媒体とした高圧発生装置を用い
た。第1、図に示したように明らかな信頼度向上がみら
れ、1%断線時間としては約1−桁長寿命化している。 熱処理温度が200”Cの場合にもこの程度の改善があ
るが、熱処理温度を高くするとさらに大幅な改善効果が
得られる。すなわち第1図の試料番号32.33.35
はそれぞれ30MPa、100MP a 、 500M
P aの圧力下で、450℃30分の熱処理を施した試
料の不良率をプロットしたものである゛。450℃程度
に加熱することにより100MPaと比較的低い応力で
も改善効果がみられ、圧力を増すに従って、この効果は
著しくなっている。これらの場合についてはアルゴンガ
スを圧力媒体とした高圧発生装置を用いて処理した。 試料番号41,42はA Q Cu S i合金につい
て調べた結果である。この合金はAMSiに比べて1〜
2桁高い信頼度を持っているが、本発明の処理法により
さらに高信頼度化されている。 試料番号51〜58はAQSi合金で種々の絶縁膜につ
いて本発明の処理法の効果を調べたものである。スパッ
タシリコン酸化膜の場合にはこの処理法の効果が比較的
小さいが、それでも約〕−桁の改善効果が得られている
。 改善効果は処理時間の関数である。実際的な処理時間の
上限は数時間程度と考えられるため、これで充分な効果
を得るためには、100 M P a以上の圧力と、2
00℃以上の温度が必要であった。 また実験結果は高圧はど大きな改善効果が得られること
を示しており、3GPaまではこの方法で製造した装置
の特性上まったく問題点がないことを確認した。 同時に、耐エレクトロマイグレーション性についても本
発明の処理によって著しい改善効果が得られる。すなわ
ち第2図に示したように、50%不良時間で数倍から1
桁程度の改善効果がある。 さらに、シリコン析出についてみると、測定数が少ない
が、同じ温度と時間での熱処理をする場合、高圧力下の
方が析出量が減少しており、この点でも配線の高信頼度
化への効果が得られていることがわかる。 次に配線中の応力を測定した結果について説明する。 第2図の試料番号1.21.26.31.35.42.
54.58について通常のX線回折法を用いてアルミニ
ウム配線中の応力を測定した。室温状態では1.21.
31番の試料モすべでの方向に100〜400 M P
aの引張応力が測定されたが他の試料ではすべての方
向に0〜数10 M P aの圧縮応力が測定された。 このことからも配線を圧縮状態に保つことによって高信
頼化できることがわかる。 実施例2 配線材料としてタングステンを用いた実施例について述
べる。 高濃度の不純物拡散層領域をシリコン基板表面に所定の
パターンに形成した。P型頭域はボロン、N型領域はリ
ンをイオン打ち込みして熱処理することにより、表面濃
度でそれぞれ約I X I Q”/C11ff、2 X
10”/ cm3(7)領域を形成した。CVD法に
よりシリコン酸化膜を500nm被着し接続孔を開口し
た。この基板全面にCVD法により400nm厚のタン
グステンを形成し配線形状にパターンニングした。更に
表面保護膜としてプラズマCVD法によるシリコン窒化
膜を形成し、測定用端子部のみ開口した。この素子に実
施例1と同様の加圧処理を施しその効果を熱サイクル試
験によって比較した。 所定の回数熱サイクル処理を施したのち定期的にタング
ステン配線とシリコン基板上に形成した拡散層との接触
抵抗(1000個直列のパターン)を測定し、値が初期
値の10倍を越えたものを不良とみなした。接続部面積
は約1μm2である。 結果を第3図に示す。加圧処理を施さないものでは10
0回程度の処理により約1%の不良が発生するが十分な
加圧処理を施すと5000回以上のサイクルにも不良は
発生せず約50倍以上の高信頼化が実現できた。 本発明によれば以上の実施例のほかに、他の高融点材料
、例えばモリブデン、タングステンシリサイド、モリブ
デンシリサイド、窒化チタンなどについても、前記実施
例とほぼ同様の改善効果が得られたことを付言する。
本発明によれば、微細配線において十分な信頼度が得ら
れる。これにより高集積で高信頼度の半導体装置等の電
子装置を提供することができる。
れる。これにより高集積で高信頼度の半導体装置等の電
子装置を提供することができる。
第1図は本発明の詳細な説明する図で、配線不良率を保
持時間の関数として示した測定図、第2.3図は本発明
の実施例の配線の特性測定を示す図である。 符号の説明 #1. #11.#32.#33.#35・・・第2図
中の試料番号に対応する試料の特性曲線。 /Fεしイ1夏と〉rノ→
持時間の関数として示した測定図、第2.3図は本発明
の実施例の配線の特性測定を示す図である。 符号の説明 #1. #11.#32.#33.#35・・・第2図
中の試料番号に対応する試料の特性曲線。 /Fεしイ1夏と〉rノ→
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に導電体材料の領域とこの領域を被覆する絶
縁体材料の領域を有する電子装置の製造工程において等
方的な圧縮応力を印加することを特徴とする電子装置の
製造方法。 2、等方的な圧縮応力下で熱処理することを特徴とする
請求項1記載の電子装置の製造方法。 3、等方的な圧縮応力を伝える媒体が不活性の気体もし
くは液体であることを特徴とする請求項1もしくは2記
載の電子装置の製造方法。 4、等方的圧縮応力が100MPa以上および熱処理温
度が200℃以上であることを特徴とする請求項1もし
くは2もしくは3記載の電子装置の製造方法。 5、導電体材料の領域を構成する材料の一つがアルミニ
ウムもしくはアルミニウムを主成分とする合金であると
ころの請求項1乃至4記載の方法で製造された電子装置
。 6、絶縁体材料の領域を構成する材料の一つが酸化シリ
コンもしくは窒化シリコンを主成分とする絶縁膜である
ところの請求項1乃至4記載の方法で製造された電子装
置。 7、基板の搬送機構、および100MPa以上の等方的
加圧、減圧機構、もしくはこれに加えて200℃以上の
加熱機構を備えたことを特徴とする基板処理装置。 8、基板上に導電体材料の領域とこの領域を被覆する絶
縁体材料の領域を有する電子装置において、装置の実使
用条件で導電体材料の領域の有する応力がすべての方向
に圧縮状態であることを特徴とする電子装置。 9、導電体材料の領域を構成する材料の少なくとも一つ
が、アルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする
合金であるところの請求項8記載の電子装置。 10、絶縁体材料の領域を構成する材料の一つが酸化シ
リコンもしくは窒化シリコンを主成分とする絶縁膜であ
るところの請求項9記載の電子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7821389A JPH02260426A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 電子装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7821389A JPH02260426A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 電子装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02260426A true JPH02260426A (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=13655770
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7821389A Pending JPH02260426A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 電子装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02260426A (ja) |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP7821389A patent/JPH02260426A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4988423A (en) | Method for fabricating interconnection structure | |
JP3128811B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4555540B2 (ja) | 半導体装置 | |
US6552434B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2008182269A (ja) | 軟金属導体およびその形成方法 | |
CN100490118C (zh) | 半导体器件的制造方法 | |
US6448171B1 (en) | Microelectronic fabrication having formed therein terminal electrode structure providing enhanced passivation and enhanced bondability | |
EP0526889A2 (en) | Method of depositing a metal or passivation fabric with high adhesion on an insulated semiconductor substrate | |
US5494860A (en) | Two step annealing process for decreasing contact resistance | |
US20030153196A1 (en) | Method for reducing fluorine induced defects on a bonding pad surface | |
JP2976931B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20050215048A1 (en) | Structure and method for contact pads having an overcoat-protected bondable metal plug over copper-metallized integrated circuits | |
EP0365854A2 (en) | Semiconductor device having a multi-layered wiring structure | |
JPH02260426A (ja) | 電子装置の製造方法 | |
US20170040272A1 (en) | Integrated circuits having copper bonding structures with silicon carbon nitride passivation layers thereon and methods for fabricating same | |
US20040251553A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2000068269A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP3504211B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3394155B2 (ja) | 金属薄膜形成方法 | |
US20050253268A1 (en) | Method and structure for improving adhesion between intermetal dielectric layer and cap layer | |
JPH05102148A (ja) | 半導体装置 | |
KR100833407B1 (ko) | 고압 수소 열처리를 이용한 저온 구리 웨이퍼 본딩 방법 | |
JP2999463B2 (ja) | 半導体装置の多層配線構造およびその製造方法 | |
JP2936483B2 (ja) | 薄膜配線及び半導体装置 | |
TW295708B (en) | The polysilicon electromigration sensor |