JPH0226019A - 半導体ウエハの拡散装置 - Google Patents
半導体ウエハの拡散装置Info
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- JPH0226019A JPH0226019A JP17640488A JP17640488A JPH0226019A JP H0226019 A JPH0226019 A JP H0226019A JP 17640488 A JP17640488 A JP 17640488A JP 17640488 A JP17640488 A JP 17640488A JP H0226019 A JPH0226019 A JP H0226019A
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- Japan
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- diffusion furnace
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- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 241000406668 Loxodonta cyclotis Species 0.000 claims abstract description 56
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 20
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、キャリヤガスが導入されている拡散炉の開
口部から多数の半導体ウェハを積載したポートを挿入し
て拡散を行う、或は酸化工程にも使用する半導体ウェハ
の拡散装置に関する。
口部から多数の半導体ウェハを積載したポートを挿入し
て拡散を行う、或は酸化工程にも使用する半導体ウェハ
の拡散装置に関する。
第３図は従来の技術に係る装置の断面図である。
図面において、加熱コイル１と炉心管２とからなる拡散
炉３の開口部４にはウェハ挿入用の石英製のエレファン
ト２１が接続される。このエレファント２１は一方の側
が前記開口部４に接続するジヨイント部６となって開口
しているが、他方の側も含めて全体が閉鎖された筒状を
した石英からなる。そして前記他方の側には小窓２２が
形成されていて、ガスパージされているキャリヤガス１
１の排ガス口となり、同時に操作棒２３が挿入できるよ
うにもなっている。開口部４とジヨイント部６とが接続
されていない状態の大気中で、ウェハ８を積載したポー
ト９をジヨイント部６からエレファント２１に引き入れ
てから、このエレファント２１のジヨイント部６を拡散
炉３の開口部４に接続して支持台２１ａで支持する。小
窓２２から操作棒２３を挿入してポート９を押し、遅い
速度で、例えば２〜１０ｃｓ／ｍｔｎでウェハ８を拡散
炉３の中へ徐々に挿入する。エレファント２１をそのま
・の状態に保ち、所望の拡散時間の経過後に、操作棒２
３を使用して拡散炉３からポート９を挿入時と同様の速
度で引き出してエレファント２１の中に引き入れる。所
望の徐冷時間経過後に拡散炉３からエレファント２１を
引き離しジヨイント部６からポート９に積載したウェハ
８を取り出して次の工程に連ねる。
炉３の開口部４にはウェハ挿入用の石英製のエレファン
ト２１が接続される。このエレファント２１は一方の側
が前記開口部４に接続するジヨイント部６となって開口
しているが、他方の側も含めて全体が閉鎖された筒状を
した石英からなる。そして前記他方の側には小窓２２が
形成されていて、ガスパージされているキャリヤガス１
１の排ガス口となり、同時に操作棒２３が挿入できるよ
うにもなっている。開口部４とジヨイント部６とが接続
されていない状態の大気中で、ウェハ８を積載したポー
ト９をジヨイント部６からエレファント２１に引き入れ
てから、このエレファント２１のジヨイント部６を拡散
炉３の開口部４に接続して支持台２１ａで支持する。小
窓２２から操作棒２３を挿入してポート９を押し、遅い
速度で、例えば２〜１０ｃｓ／ｍｔｎでウェハ８を拡散
炉３の中へ徐々に挿入する。エレファント２１をそのま
・の状態に保ち、所望の拡散時間の経過後に、操作棒２
３を使用して拡散炉３からポート９を挿入時と同様の速
度で引き出してエレファント２１の中に引き入れる。所
望の徐冷時間経過後に拡散炉３からエレファント２１を
引き離しジヨイント部６からポート９に積載したウェハ
８を取り出して次の工程に連ねる。
前記の装置は拡散炉３から引き離したエレファント２１
の一方側の開口からポート９を引き入れ、エレファント
２１を拡散炉３に接続してからエレファント２１の中の
ポート９を拡散炉３の中へ押して挿入するところからシ
ャトルエレファント装置ともいわれる。
の一方側の開口からポート９を引き入れ、エレファント
２１を拡散炉３に接続してからエレファント２１の中の
ポート９を拡散炉３の中へ押して挿入するところからシ
ャトルエレファント装置ともいわれる。
前記のシャトルエレファント装置ともいわれる従来の技
術のものでは、ウェハを積載したポートを拡散炉に出し
入れするために、−工程当り２回エレファントを拡散炉
から切り離す必要があり、比較的大きいエレファントの
ために図示しないレール等の移動装置が必要であり、切
り離し位置のためのスペースも必要となる。また切り離
している時にガスパージしている拡散炉に外気が混入し
、ガス濃度が低下し、余分のガスが必要である。そして
本来のガスパージ作用が低下し、酸化工程に使用の時に
は、酸化膜に不純物が多くなり、拡散工程に使用の時は
結晶欠陥が増す。
術のものでは、ウェハを積載したポートを拡散炉に出し
入れするために、−工程当り２回エレファントを拡散炉
から切り離す必要があり、比較的大きいエレファントの
ために図示しないレール等の移動装置が必要であり、切
り離し位置のためのスペースも必要となる。また切り離
している時にガスパージしている拡散炉に外気が混入し
、ガス濃度が低下し、余分のガスが必要である。そして
本来のガスパージ作用が低下し、酸化工程に使用の時に
は、酸化膜に不純物が多くなり、拡散工程に使用の時は
結晶欠陥が増す。
この発明の目的は、ポートの出し入れに際してエレファ
ントを移動しなくてよいようにし、あわせてガスの散逸
と外気の混入を減少させて半導体ウェハの酸化膜又は結
晶構造の品質の向上を計ることにある。
ントを移動しなくてよいようにし、あわせてガスの散逸
と外気の混入を減少させて半導体ウェハの酸化膜又は結
晶構造の品質の向上を計ることにある。
この発明は、一端にキャリヤガスが導入される導入口と
、巻装した加熱コイルを備える炉心管からなる拡散炉の
他端に筒状のエレファントの一方端を軸方向に嵌合して
固定し、このエレファントの他方端にウェハを積載した
ポートを出し入れする着脱自在なキャップを設け、この
キャップに前記ポートを操作する操作棒が貫通可能な小
窓を設け、さらに前記エレファントの一方端近くの内部
にエレファントの軸に直角な方向に開閉自在な開閉弁を
設けるものである。
、巻装した加熱コイルを備える炉心管からなる拡散炉の
他端に筒状のエレファントの一方端を軸方向に嵌合して
固定し、このエレファントの他方端にウェハを積載した
ポートを出し入れする着脱自在なキャップを設け、この
キャップに前記ポートを操作する操作棒が貫通可能な小
窓を設け、さらに前記エレファントの一方端近くの内部
にエレファントの軸に直角な方向に開閉自在な開閉弁を
設けるものである。
ウェハ８を積載したポート９を外からエレファント５内
へ出し入れするときは開閉弁１３を閉めてからキャップ
７を開ける。ポート９をエレファント５から拡散炉３内
へ出し入れするときはキャップ７を閉じ開閉弁１３を開
ける。すなわちキャンプ７又は開閉弁１３のいずれかは
必ず閉じているので、拡散炉３は外気と同時に連通ずる
ことがなくキャリヤガスの散逸が少い。又ポートの出し
入れはエレファント５を動かすことな（接続したままで
あり、キャップ７と開閉弁１３の開閉のみである。
へ出し入れするときは開閉弁１３を閉めてからキャップ
７を開ける。ポート９をエレファント５から拡散炉３内
へ出し入れするときはキャップ７を閉じ開閉弁１３を開
ける。すなわちキャンプ７又は開閉弁１３のいずれかは
必ず閉じているので、拡散炉３は外気と同時に連通ずる
ことがなくキャリヤガスの散逸が少い。又ポートの出し
入れはエレファント５を動かすことな（接続したままで
あり、キャップ７と開閉弁１３の開閉のみである。
第１図は実施例の断面図、第２図は第１図のｎ−ｎ断面
図である。
図である。
図面において、ガス供給口１２からキャリヤガス１１が
導入されている拡散炉３は石英製の炉心管２とその周囲
に巻装される加熱コイル１とからなる。この拡散炉３の
開口部４には筒状のエレファント５の一方端のジヨイン
ト部６が軸方向に嵌め込まれている。この開口部４とジ
ヨイント部６とは前述の従来の技術のものと異り、操業
中は常時結合されたま・である。前記エレファント５の
他方端には着脱自在なキャップ７が設けられ、このキャ
ップ７を開けてウェハ８を積載したポート９をエレファ
ント５内に出し入れする。このキャップ７に設けた小窓
７ａには操作棒１０が貫通可能であり、操作棒ｌＯを操
作してポート９エレフアント５から拡散炉３へ又はその
逆方向に出し入れできる。エレファント５の下方側には
軸と直角方向に出し入れしてエレファント５を開閉自在
にする開閉弁１３が設けられている。この開閉弁１３は
螺形弁でもよい。
導入されている拡散炉３は石英製の炉心管２とその周囲
に巻装される加熱コイル１とからなる。この拡散炉３の
開口部４には筒状のエレファント５の一方端のジヨイン
ト部６が軸方向に嵌め込まれている。この開口部４とジ
ヨイント部６とは前述の従来の技術のものと異り、操業
中は常時結合されたま・である。前記エレファント５の
他方端には着脱自在なキャップ７が設けられ、このキャ
ップ７を開けてウェハ８を積載したポート９をエレファ
ント５内に出し入れする。このキャップ７に設けた小窓
７ａには操作棒１０が貫通可能であり、操作棒ｌＯを操
作してポート９エレフアント５から拡散炉３へ又はその
逆方向に出し入れできる。エレファント５の下方側には
軸と直角方向に出し入れしてエレファント５を開閉自在
にする開閉弁１３が設けられている。この開閉弁１３は
螺形弁でもよい。
ウェハ８を積載したポート９を外からエレファント５内
へ出し入れするときは開閉弁１３を閉めてからキャンプ
７を開ける。ポート９をエレファント５から拡散炉３内
へ出し入れするときはキャップ７を閉じ開閉弁１３を開
ける。すなわちキャップ７又は開閉弁１３のいずれかは
必ず閉じてぃるので、拡散炉３は外気と同時に連通ずる
ことがなくキャリヤガスの散逸が少い。又ポートの出し
入れはエレファント５を動かすことなく接続したま・で
あり、キャンプ７と開閉弁１３の開閉のみである。
へ出し入れするときは開閉弁１３を閉めてからキャンプ
７を開ける。ポート９をエレファント５から拡散炉３内
へ出し入れするときはキャップ７を閉じ開閉弁１３を開
ける。すなわちキャップ７又は開閉弁１３のいずれかは
必ず閉じてぃるので、拡散炉３は外気と同時に連通ずる
ことがなくキャリヤガスの散逸が少い。又ポートの出し
入れはエレファント５を動かすことなく接続したま・で
あり、キャンプ７と開閉弁１３の開閉のみである。
この発明は、一端にキャリヤガスが導入される導入口と
、巻装した加熱コイルを備える炉心管からなる拡散炉の
他端に筒状のエレファントの一方端を軸方向に嵌合して
固定し、このエレファントの他方端にウェハを積載した
ポートを出し入れする着脱自在なキャップを設け、この
キャップに前記ポートを操作する操作棒が貫通可能な小
窓を設け、さらに前記エレファントの一方端近くの内部
にエレファントの軸に直角な方向に開閉自在な開閉弁を
設けるようにしたので、拡散炉にエレファントを固定的
に接続したまま、キャップと開閉弁とを二重界のように
交互に開閉し、エレファントを介して外から拡散炉へ半
導体ウェハを出し入れできる。したがってウェハの出し
入れに際してはいわば二重界の開閉のみでエレファント
を動かすことがないので操作が簡単であり、エレファン
トの移動位置のための余分なスペースが不要となるとい
う効果があり、キャリヤガスの散逸と外気の浸入が少く
な（なって半導体ウェハの酸化膜又は結晶構造の品質が
向上し、歩留りが良くなるという効果がある。
、巻装した加熱コイルを備える炉心管からなる拡散炉の
他端に筒状のエレファントの一方端を軸方向に嵌合して
固定し、このエレファントの他方端にウェハを積載した
ポートを出し入れする着脱自在なキャップを設け、この
キャップに前記ポートを操作する操作棒が貫通可能な小
窓を設け、さらに前記エレファントの一方端近くの内部
にエレファントの軸に直角な方向に開閉自在な開閉弁を
設けるようにしたので、拡散炉にエレファントを固定的
に接続したまま、キャップと開閉弁とを二重界のように
交互に開閉し、エレファントを介して外から拡散炉へ半
導体ウェハを出し入れできる。したがってウェハの出し
入れに際してはいわば二重界の開閉のみでエレファント
を動かすことがないので操作が簡単であり、エレファン
トの移動位置のための余分なスペースが不要となるとい
う効果があり、キャリヤガスの散逸と外気の浸入が少く
な（なって半導体ウェハの酸化膜又は結晶構造の品質が
向上し、歩留りが良くなるという効果がある。
第１図は実施例の断面図、第２図は第１図のｎ−ｎ断面
図、第３図は従来の拡散装置の断面図である。 ３・・・拡を炉、５．２１・・・エレファント、７・・
・キャップ、９・・・ポート、１０．２３・・・操作棒
。
図、第３図は従来の拡散装置の断面図である。 ３・・・拡を炉、５．２１・・・エレファント、７・・
・キャップ、９・・・ポート、１０．２３・・・操作棒
。
Claims (1)
- １）一端にキャリヤガスが導入される導入口と、巻装し
た加熱コイルを備える炉心管からなる拡散炉の他端に筒
状のエレフアントの一方端を軸方向に嵌合して固定し、
このエレフアントの他方端にウェハを積載したポートを
出し入れする着脱自在なキャップを設け、このキャップ
に前記ポートを操作する操作棒が貫通可能な小窓を設け
、さらに前記エレフアントの一方端近くの内部にエレフ
アントの軸に直角な方向に開閉自在な開閉弁を設けるこ
とを特徴とする半導体ウェハの拡散装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17640488A JPH0226019A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 半導体ウエハの拡散装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17640488A JPH0226019A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 半導体ウエハの拡散装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0226019A true JPH0226019A (ja) | 1990-01-29 |
Family
ID=16013084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17640488A Pending JPH0226019A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 半導体ウエハの拡散装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0226019A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6267072B1 (en) | 1994-11-11 | 2001-07-31 | Nippondenso Co., Ltd. | Indicating instrument |
| US6338561B1 (en) | 1998-01-29 | 2002-01-15 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Luminous pointer |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP17640488A patent/JPH0226019A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6267072B1 (en) | 1994-11-11 | 2001-07-31 | Nippondenso Co., Ltd. | Indicating instrument |
| US6338561B1 (en) | 1998-01-29 | 2002-01-15 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Luminous pointer |
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