JPH02250359A - Semiconductor device - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置技術に関し、特に、たとえばＰＧ
Ａ （ピン・グリッド・アレイ）などの気密封止形パッ
ケージ構造の半導体装置技術に適用して有効な技術に関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to semiconductor device technology, and in particular, for example, PG
The present invention relates to a technology that is effective when applied to semiconductor device technology with a hermetically sealed package structure such as A (pin grid array).
［従来の技術］
半導体装置として、たとえば、絶縁基板およびこの基板
上にシリコン系の接着剤などにより接合されたダムから
なるパッケージ本体と、ダム上にシリコン系の接着剤な
どにより被着されてパッケージ本体ないの半導体ペレッ
トなどを封止しているキャップとを備えている気密封止
形の半導体装置がある。[Prior Art] As a semiconductor device, for example, a package body consists of an insulating substrate and a dam bonded to the substrate with a silicone adhesive, etc., and a package is attached to the dam with a silicone adhesive or the like. There is a hermetically sealed semiconductor device that includes a main body and a cap that seals a semiconductor pellet or the like.
この半導体装置におけるキャップおよびダムは、たとえ
ば平板状のアルミニウム材などを打ち抜いて形成され、
キャップおよびダムの外径寸法は互いに等しく、また各
コーナは角状に形成されている（たとえば、特開昭６１
−５１９４８号公報記載）。The cap and dam in this semiconductor device are formed by punching out, for example, a flat aluminum material.
The outer diameter dimensions of the cap and the dam are equal to each other, and each corner is formed into a square shape (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 61
-51948 publication).
そして、このようなキャップの裏面側に接着剤が塗布さ
れて該キャップがダム上に被着されるが、キャップへの
接着剤の塗布およびキャップのダム上への接合は、たと
えば、次のようにして行われている。Adhesive is then applied to the back side of the cap and the cap is attached onto the dam, but the application of the adhesive to the cap and the joining of the cap onto the dam are performed, for example, as follows. It's been done.
すなわち、キャップの接着剤の塗布面積に対応してメツ
シュ部が形成されたスクリーン上に接着剤をヘラで塗布
し、そのメツシュ部を通じて該メツシュ部の下側に配置
されたキャップの裏面に接着剤を塗布する。That is, the adhesive is applied with a spatula onto a screen on which a mesh part is formed corresponding to the adhesive application area of the cap, and the adhesive is applied to the back surface of the cap placed below the mesh part through the mesh part. Apply.
その後に、クリップなどによってキャップをダム上に押
接しその状態でベークして接合する。After that, the cap is pressed onto the dam using a clip or the like and baked in that state to join the cap.
［発明が解決しようとする課題］
ところで、前記した半導体装置技術においては、キャッ
プへの接着剤の塗布量が少な過ぎると、キャップとダム
との間、特にそれらのコーナ部位に接着剤不足による隙
間不良が生じる。[Problems to be Solved by the Invention] By the way, in the semiconductor device technology described above, if the amount of adhesive applied to the cap is too small, gaps may be formed between the cap and the dam, especially at the corners due to insufficient adhesive. Defects occur.
これとは逆に、キャップへの接着剤の塗布量が多過ぎる
と、ダムの外周部のコーナ部位などに接着剤過多による
垂れが生じる。On the other hand, if too much adhesive is applied to the cap, excessive adhesive will cause sagging at the corners of the outer periphery of the dam.
このような隙間不良や垂れ不良は、ダムのコーナ部位な
どに打ち抜き成形によるダレが生じ、またキャップおよ
びダムの外形寸法が等しく形成されていることによって
生じることが本発明者によって明らかにされた。The inventors have revealed that such gap defects and sag defects are caused by sagging caused by punching and forming at the corner portions of the dam, and also by the cap and the dam having the same external dimensions.
本発明の目的は、キャップとパッケージ本体のキャップ
被着部との接合個所における隙間不良や接合材の垂れを
確実に防止することができる半導体装置技術を提供する
ことにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor device technology that can reliably prevent poor clearance and dripping of the bonding material at the bonding location between the cap and the cap-attached portion of the package body.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
［課題を解決するための手段］
本頓において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。[Means for Solving the Problems] Among the inventions disclosed in this publication, a brief overview of typical inventions is as follows.
すなわち、本発明は、パッケージ本体のキャップ被着部
にキャップが接合材により被着されて該パッケージ本体
内に半導体ペレットが封止されている半導体装置であっ
て、前記キャップのコーナ部位がこのコーナ部位に対応
する前記キャップ被着部のコーナ部位より内側に位置さ
れている構造としたものである。That is, the present invention provides a semiconductor device in which a cap is attached to a cap attachment portion of a package body with a bonding material, and a semiconductor pellet is sealed in the package body, wherein a corner portion of the cap is The structure is such that the corner portion of the cap covering portion corresponding to the portion is located inside the corner portion.
［作用コ
前記した本発明の半導体装置の構造によれば、前記キャ
ップのコーナ部位がこのコーナ部位に対応する前記キャ
ップ被着部のコーナ部位より内側に位置されているので
、たとえば前記キャップ被着部のコーナ部位に生じた打
ち抜きによるダレや接合材の量のばらつきなどによりキ
ャップとキャップ被着部のコーナ部位間に生じる接合材
不足による隙間不良や該コーナ部位に生じる接合材の垂
れを確実に防止することができる。[Function] According to the structure of the semiconductor device of the present invention described above, since the corner portion of the cap is located inside the corresponding corner portion of the cap attachment portion, for example, the corner portion of the cap attachment portion is located inside. Ensures that there are no gaps due to lack of bonding material between the cap and the cap-attached corner due to sag due to punching or variations in the amount of bonding material that occurs at the corner of the cap, or sagging of bonding material that occurs at the corner. It can be prevented.
［実施例］
第１図は本発明の一実施例である半導体装置を第２図の
１−１線において示す断面図、第２図はその半導体装置
の平面図である。[Embodiment] FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention taken along line 1--1 in FIG. 2, and FIG. 2 is a plan view of the semiconductor device.
本実施例の半導体装置は、たとえばＰＧＡ （ビン・グ
リッド・アレイ）形で気密封止形のパッケージ構造の半
導体装置とされている。The semiconductor device of this embodiment is, for example, a PGA (bin grid array) type semiconductor device with a hermetically sealed package structure.
第１図に示すように、半導体装置のパフケージ本体１は
、ガラスエポキシ製などの基板２上の外周部に、アルミ
ニウム製などのダム３（キャップ被着部）がシリコンゴ
ムなどのシリコン系の接着剤４により接合されて形成さ
れている。As shown in FIG. 1, a puff cage body 1 of a semiconductor device has a dam 3 (cap attachment part) made of aluminum, etc. bonded to the outer circumference of a substrate 2 made of glass epoxy or the like using a silicon-based material such as silicone rubber. They are bonded and formed using agent 4.
ダム３は平板状のアルミニウム材の打ち抜き成形により
四周枠状に形成されているが、そのコーナ部位３ａなど
の切断面に打ち抜きによるダレ５が生じている。The dam 3 is formed into a four-circumference frame shape by punching a flat plate-like aluminum material, but sagging 5 due to the punching has occurred on the cut surface such as the corner portion 3a.
ダム３の中央空間部６における基板２のグイパッド２ａ
上には、所定の集積回路を形成した半導体ペレット７が
接着剤４により接合されて搭載され、また該中間空間部
６にはシリコンなどのゲル状樹脂９が充填されて半導体
ペレット７やボンディングワイヤ１０などが封止されて
いる。Gui pad 2a of the substrate 2 in the central space 6 of the dam 3
A semiconductor pellet 7 on which a predetermined integrated circuit has been formed is mounted and bonded with an adhesive 4, and the intermediate space 6 is filled with a gel-like resin 9 such as silicon to hold the semiconductor pellet 7 and bonding wires. 10 etc. are sealed.
半導体ペレット７の内部電極７ａは、基板２に形成され
た配線パターン２ｂにボンディングワイヤ１０を介して
電気的に接続されている。Internal electrodes 7a of semiconductor pellet 7 are electrically connected to wiring patterns 2b formed on substrate 2 via bonding wires 10.
配線パターン２ｂは基板２の裏面側に導出され、この導
出部にはリードビン１１がろう付けによって接続されて
いる。The wiring pattern 2b is led out to the back side of the substrate 2, and a lead bin 11 is connected to this lead-out portion by brazing.
リードピン１１は、基板２の裏面側から多数突出されて
格子状に配置されている。A large number of lead pins 11 protrude from the back side of the substrate 2 and are arranged in a grid pattern.
前記ダム３上には、アルミニウム製などのキャップ１３
がシリコンゴムなどのシリコン系の接着剤１２（接合材
）により接合されている。A cap 13 made of aluminum or the like is placed on the dam 3.
are bonded together using a silicone adhesive 12 (bonding material) such as silicone rubber.
キャップ１３は平板状のアルミニウム材の打ち抜き成形
により四角形状に形成されているが、そのコーナ部位１
３ａなどの切断面に打ち抜きによるダレ１４が生じてい
る。The cap 13 is formed into a rectangular shape by punching a flat aluminum material, and the corner portion 1
A sag 14 due to punching has occurred on the cut surface such as 3a.
第２図に示すように、キャップ１３の外形寸法１１．１
２ は、ダム３の外径寸法ｉコ、ｊ！、より小さく形成
され、またキャップ１３の各コーナ部位１３ａは曲面形
状に面取りされている。As shown in FIG. 2, external dimensions 11.1 of the cap 13
2 are the outer diameter dimensions of the dam 3 i, j! , and each corner portion 13a of the cap 13 is chamfered into a curved shape.
そして、キャップ１３の各コーナ部位１３ａがダム３の
各コーナ部位３ａのダレ５より内側に位置されているこ
とにより、各コーナ部位３ａのダレ５やキャップ１３へ
の接着剤１２の塗布量の過不足、あるいは過多などによ
ってダム３とキャップ１３のコーナ部位３ａｌ １３
ａ間に生じる接着剤１２の隙間不良やコーナ部位３ａの
ダレ５に沿って生じる接着剤１２の垂れが防止されてい
る。Since each corner part 13a of the cap 13 is located inside the sag 5 of each corner part 3a of the dam 3, the sag 5 of each corner part 3a and the excessive amount of adhesive 12 applied to the cap 13 are prevented. Corner part 3al of dam 3 and cap 13 due to shortage or excess 13
This prevents the gap between the adhesive 12 and the adhesive 12 from sagging along the sag 5 at the corner portion 3a.
また、このように各コーナ部位３ａの接着剤１２の垂れ
が防止されるので、第１図に示すように接着剤１２をダ
ム３の上面においてコーナ部位３ａのダレ５近くまで外
側に延在させることができ、このため、ダム３とキャッ
プ１３のコーナ部位３ａ、１３ａ間の接着剤１２の隙間
不良が更に確実に防止されている。In addition, since the adhesive 12 at each corner portion 3a is prevented from dripping in this way, the adhesive 12 is extended outward on the upper surface of the dam 3 to near the sag 5 at the corner portion 3a, as shown in FIG. Therefore, a defective gap between the adhesive 12 between the corner portions 3a and 13a of the dam 3 and the cap 13 is more reliably prevented.
しかし、このように接着剤１２をコーナ部位３ａのダレ
５近くまで延在させた場合には、ダム３とキャップ１３
の外周辺３ｂ、１３ｂどうしが互いに一致する構造とす
ると、ダム３とキャップ１３の外周辺３ｂ、１３ｂ個所
に接着剤１２の垂れが生じるが、本実施例にふいては、
キャップ１３の各外周辺１３ｂが夫々に対応するダム３
の各外周辺３ｂより内側に位置されていることによりそ
のような接着剤１２の垂れが防止されている。However, when the adhesive 12 is extended to near the sag 5 of the corner portion 3a, the dam 3 and the cap 13
If the structure is such that the outer peripheries 3b and 13b of the dam 3 and the cap 13 coincide with each other, the adhesive 12 will drip at the outer peripheries 3b and 13b of the dam 3 and the cap 13, but in this embodiment,
Each outer periphery 13b of the cap 13 corresponds to a dam 3.
By being located inside each outer periphery 3b, such dripping of the adhesive 12 is prevented.
次に、本実施例の作用について説明する。Next, the operation of this embodiment will be explained.
先ず、キャップ１３のダム３上への被着に際しては、た
とえば、キャップ１３への接着剤１２の塗布面に対応し
てメツシュ部が形成されたスクリーン（図示せず）上に
接着剤１２をヘラ（図示せず）で塗布し、そのメツシュ
部を通じて該メツシュ部の下側に配置されたキャップ１
３の裏面に接着剤１２を塗布する。First, when attaching the cap 13 to the dam 3, for example, the adhesive 12 is applied with a spatula onto a screen (not shown) on which a mesh portion is formed corresponding to the surface on which the adhesive 12 is applied to the cap 13. (not shown) and placed on the underside of the mesh through the mesh.
Apply adhesive 12 to the back side of 3.
次いで、クリップ（図示せず）などによってキャップ１
３をダム３上に押接した後に、ベータしてキャップ１３
をダム３上に接合する。Then, the cap 1 is attached with a clip (not shown) or the like.
After pressing 3 onto the dam 3, beta and attach the cap 13.
is joined onto the dam 3.
このようにしてキャップ１３がダム３上に被着されるこ
とにより、パッケージ本体１ないの半導体ベレット７な
どが封止される。By fitting the cap 13 onto the dam 3 in this manner, the semiconductor pellet 7 and the like in the package body 1 are sealed.
この場合に、本実施例においては、キャップ１３の外形
寸法１＋、Ｒｘ は、ダム３の外径寸法１３１４より小
さく形成され、またキャップ１３の各コーナ部位１３ａ
は曲面形状に面取りされている。In this case, in this embodiment, the outer dimension 1+, Rx of the cap 13 is formed smaller than the outer diameter dimension 1314 of the dam 3, and each corner portion 13a of the cap 13 is formed smaller than the outer diameter dimension 1314 of the dam 3.
is chamfered into a curved shape.
そして、キャップ１３の各コーナ部位１３ａがダム３の
各コーナ部位３ａのダレ５より内側に位置されているこ
とにより、ダム３の各コーナ部位３ａのダレ５やキャッ
プ１３への接着剤１２の塗布量の過不足、あるいは過多
などなどによりダム３とキャップ１３のコーナ部位３ａ
、１３ａ間に生じる接着剤１２の隙間不良や該コーナ部
位３ａのダレ５に沿って生じる接着剤１２の垂れを防止
することができる。Since each corner portion 13a of the cap 13 is located inside the sag 5 of each corner portion 3a of the dam 3, the adhesive 12 can be applied to the sag 5 of each corner portion 3a of the dam 3 and the cap 13. The corner part 3a of the dam 3 and the cap 13 may be
, 13a and sagging of the adhesive 12 along the sag 5 at the corner portion 3a can be prevented.
特に、第１図に示すように接着剤１２をダム３の上面に
おいてコーナ部位３ａのダレ５近くまで外側に延在させ
ることにより、ダム３とキャップ１３のコーナ部位３ａ
、１３ａ間の接着剤１２の隙間不良を更に確実に防止す
ることができる。In particular, as shown in FIG. 1, by extending the adhesive 12 outward to the vicinity of the sag 5 of the corner part 3a on the upper surface of the dam 3, the corner part 3a of the dam 3 and the cap 13 is
, 13a can be more reliably prevented from forming a gap in the adhesive 12.
また、このように接着剤１２をコーナ部位３ａのダレ５
近くまで延在させても、キャップ１３の各外周辺１３ｂ
は夫々に対応するダム３の各外周辺３ｂより内側に位置
されているので、ダム３とキャップ１３の外周辺３ｂ、
１３ｂ個所における接着剤１２の垂れを確実に防止する
ことができる。In addition, in this way, the adhesive 12 is applied to the sag 5 at the corner part 3a.
Even if it is extended close to each outer periphery 13b of the cap 13,
are located inside each outer periphery 3b of the corresponding dam 3, so the outer periphery 3b of the dam 3 and the cap 13,
It is possible to reliably prevent the adhesive 12 from dripping at the location 13b.
更に、キャップ１３の各コーナ部位１３ａがアール状に
面取りされ、またダム３とキャップ１３のコーナ部位３
ａ、１３８間にふける接着剤１２の隙間不良が防止され
ていることにより、該コーナ部位１３ａの捲れなどの損
傷を防止することができる。Further, each corner portion 13a of the cap 13 is chamfered in a rounded shape, and the corner portion 3 of the dam 3 and the cap 13 is chamfered.
By preventing poor clearance of the adhesive 12 between the corners 13a and 138, damage such as curling of the corner portion 13a can be prevented.
このように、本実施例の半導体装置によれば、ダム３と
キャップ１３のコーナ部位３ａ、１３ａ間における接着
剤１２の隙間不良が防止され、各コーナ部位１３ａが曲
面形状に面取りされて該コーナ部位１３ａの損傷が防止
されているので、半導体装置の信頼性の向上を図ること
ができる。As described above, according to the semiconductor device of the present embodiment, a defective gap between the adhesive 12 between the corner parts 3a and 13a of the dam 3 and the cap 13 is prevented, and each corner part 13a is chamfered into a curved shape. Since damage to the portion 13a is prevented, the reliability of the semiconductor device can be improved.
また、ダム３の外周面に生じる接着剤１２の垂れが確実
に防止されているため、半導体装置の外観不良を防止す
ることができる。Furthermore, since the adhesive 12 is reliably prevented from dripping on the outer circumferential surface of the dam 3, it is possible to prevent the appearance of the semiconductor device from being defective.
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。As above, the invention made by the present inventor has been specifically explained based on Examples, but it should be noted that the present invention is not limited to the Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Not even.
［発明の効果］
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、次のとおりであ
る。[Effects of the Invention] Among the inventions disclosed in this application, the effects obtained by typical inventions are briefly explained below.
すなわち、前記キャップのコーナ部位がこのコーナ部位
に対応する前記キャップ被着部のコーナ部位より内側に
位置されているので、たとえば前記キャップ被着部のコ
ーナ部位に生じた打ち抜きによるダレや接合材の量のば
らつきなどによりキャップとキャップ被着部のコーナ部
位間に生じる接合材不足による隙間不良や該コーナ部位
に生じる接合材の垂れを確実に防止することができる。That is, since the corner part of the cap is located inside the corresponding corner part of the cap fitting part, for example, sagging due to punching or bonding material occurring at the corner part of the cap fitting part can be avoided. It is possible to reliably prevent a defective gap due to insufficient bonding material between the corner portion of the cap and the cap-attached portion due to variations in the amount, etc., and sag of the bonding material occurring at the corner portion.
第１図は本発明の一実施例である半導体装置の第２図の
Ｉ−Ｉ線における断面図、
第２図はその半導体装置の平面図である。
１・・・パッケージ本体、２・・・基板、２ａ・・・グ
イパッド、２ｂ・・・配線パターン、３・・・ダム（キ
ャップ被着部）、３ａ・・・ダムのコーナ部位、３ｂ・
・・ダムの外周辺、４・・・接着剤、５・・・ダレ、６
・・・中央空間部、７・・・半導体ペレット、７ａ・・
・内部電極、９・・・ゲル状樹脂、１０・・・ボンディ
ングワ・・・接着剤
１３ａ・・・
・・キャップの
１２ ・・・キヤ
・・・ダムの外径寸
イヤ、１１・・・リードピン、１２
（接合材）、１３・・・キャップ、
キャップのコーナ部位、１３ｂ・
外周辺、１４・・・ダレ、１１
ツブの外径寸法、ｊ！３． ｉ’ａ
法。
第２図
３ｂ； タ゛ム／１タトｒ＠シＬ
１３ｔＨ１！−ｖフーａｌｌ−Ｈ”ＬFIG. 1 is a sectional view taken along line I--I in FIG. 2 of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the semiconductor device. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Package body, 2... Board, 2a... Gui pad, 2b... Wiring pattern, 3... Dam (cap attachment part), 3a... Corner part of dam, 3b...
...Around the outside of the dam, 4...Adhesive, 5...Sag, 6
...Central space, 7...Semiconductor pellet, 7a...
・Internal electrode, 9...gel-like resin, 10...bonding wire...adhesive 13a... 12 of the cap...carrier...outer diameter of the dam, 11... Lead pin, 12 (joint material), 13...cap, corner of cap, 13b/outer periphery, 14...sag, 11 outer diameter of knob, j! 3. i'a law. Figure 2 3b; Time/1 tat r@shi L 13tH1! -vfu all-H"L
Claims (1)
材により被着されて該パッケージ本体内に半導体ペレッ
トが封止されている半導体装置であって、前記キャップ
のコーナ部位がこのコーナ部位に対応する前記キャップ
被着部のコーナ部位より内側に位置されていることを特
徴とする半導体装置。 ２、前記キャップのコーナ部位が曲面形状に形成されて
前記キャップのコーナ部位がこのコーナ部位に対応する
前記キャップ被着部のコーナ部位より内側に位置されて
いることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 ３、前記キャップの外周辺がこの外周辺に対応する前記
キャップ被着部の外周辺より内側に位置されていること
を特徴とする請求項１、または２記載の半導体装置。[Scope of Claims] 1. A semiconductor device in which a cap is attached to a cap attachment portion of a package body with a bonding material and a semiconductor pellet is sealed within the package body, wherein a corner portion of the cap is A semiconductor device characterized in that the semiconductor device is located inside a corner portion of the cap attachment portion corresponding to the corner portion. 2. A corner portion of the cap is formed into a curved shape, and the corner portion of the cap is located inside a corresponding corner portion of the cap fitting portion. semiconductor devices. 3. The semiconductor device according to claim 1 or 2, wherein the outer periphery of the cap is located inside the outer periphery of the cap-attached portion corresponding to the outer periphery.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1070646A JPH02250359A (en) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1070646A JPH02250359A (en) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250359A true JPH02250359A (en) | 1990-10-08 |
Family
ID=13437624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1070646A Pending JPH02250359A (en) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02250359A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05226485A (en) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| US5779081A (en) * | 1993-08-03 | 1998-07-14 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic package lid having metallized layer with varying widths |
| US5825086A (en) * | 1993-08-27 | 1998-10-20 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic lid assembly for semiconductor packages |
| JP2003068900A (en) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Kyocera Corp | Package for housing electronic component |
-
1989
- 1989-03-24 JP JP1070646A patent/JPH02250359A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05226485A (en) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| US5779081A (en) * | 1993-08-03 | 1998-07-14 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic package lid having metallized layer with varying widths |
| US5825086A (en) * | 1993-08-27 | 1998-10-20 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic lid assembly for semiconductor packages |
| JP2003068900A (en) * | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Kyocera Corp | Package for housing electronic component |
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