JPH02250311A - 電子ビーム描画方法 - Google Patents
電子ビーム描画方法Info
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- JPH02250311A JPH02250311A JP7060789A JP7060789A JPH02250311A JP H02250311 A JPH02250311 A JP H02250311A JP 7060789 A JP7060789 A JP 7060789A JP 7060789 A JP7060789 A JP 7060789A JP H02250311 A JPH02250311 A JP H02250311A
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- aperture
- character
- electron beam
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Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 abstract description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
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- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野〕
本発明は電子ビーム描画装置に係り、特に周期性のある
パターンを高速に描画する電子ビーム描画方法に関する
。
パターンを高速に描画する電子ビーム描画方法に関する
。
電子ビーム描画のスループットを向上させる手段として
1例えば、特開昭61−183926号公報に記載され
ているような、キャラクタ−プロジェクション方式を用
いた描画装置の開発が、最近1行われてきている。該方
式は、繰返して現れるパターンを、予めアパーチャ上に
形成し、そのアパーチャ像を試料上に形成していく方式
である。
1例えば、特開昭61−183926号公報に記載され
ているような、キャラクタ−プロジェクション方式を用
いた描画装置の開発が、最近1行われてきている。該方
式は、繰返して現れるパターンを、予めアパーチャ上に
形成し、そのアパーチャ像を試料上に形成していく方式
である。
例えば、第2図(a)に示すが如き開口部を有するアパ
ーチャを設け、該アパーチャ像を、試料上に連続的に形
成することにより、同図(b)の如きパターンを描くこ
とができる。この方式によれば、複雑な図形を一回の照
射で描画できるため、従来の矩形ビームに比較して、数
倍のスループットを得ることが出来る。
ーチャを設け、該アパーチャ像を、試料上に連続的に形
成することにより、同図(b)の如きパターンを描くこ
とができる。この方式によれば、複雑な図形を一回の照
射で描画できるため、従来の矩形ビームに比較して、数
倍のスループットを得ることが出来る。
キャラクタープロジェクシ罵ン方式は、アパーチャ上の
パターンを試料上に所定の倍率で投影する方式であり、
このため、用いる倍率がパターン精度に重要な影響を及
ぼす0例えば、第2図(a)に示すキャラクタ−パター
ンの寸法が小さいと、同図(c)のごとく不良パターン
を描画することになる。このため、従来においては、少
なくとも一つ以上のパターンに対してテスト描画を繰返
し行い、その結果を目視により#価することによって調
整を行ってきており、高精度描画を行うには調整に多大
の時間を要するという問題があった。
パターンを試料上に所定の倍率で投影する方式であり、
このため、用いる倍率がパターン精度に重要な影響を及
ぼす0例えば、第2図(a)に示すキャラクタ−パター
ンの寸法が小さいと、同図(c)のごとく不良パターン
を描画することになる。このため、従来においては、少
なくとも一つ以上のパターンに対してテスト描画を繰返
し行い、その結果を目視により#価することによって調
整を行ってきており、高精度描画を行うには調整に多大
の時間を要するという問題があった。
本発明の目的は、キャラクタプロジェクション方式にお
けるかかる問題点を解決し、自動的に電子光学系を調整
する情報として、試料上のパターン寸法、回転、形状歪
などを検出し、高速高精度な描画を可能とする電子ビー
ム描画方法を提供することにある。
けるかかる問題点を解決し、自動的に電子光学系を調整
する情報として、試料上のパターン寸法、回転、形状歪
などを検出し、高速高精度な描画を可能とする電子ビー
ム描画方法を提供することにある。
上記問題点を解決するためは、キャラクタプロジェクシ
ョンに用いるパターンの一部で微小ビームを形成し、試
料上でのパターンの位置検出を行うことにより可能とな
る。
ョンに用いるパターンの一部で微小ビームを形成し、試
料上でのパターンの位置検出を行うことにより可能とな
る。
第1図は本発明に基づくパターン調整方法を説明したも
のである。同図においては、電子光学系を構成する電磁
レンズなどは省略しである。電子銃1から放射された電
子ビームは第1のアパーチャ3を通る。第1のアパーチ
ャの下には偏向器4が有り、これにより第1のアパーチ
ャの像を第2のアパーチャ5上の任意の位置へ偏向する
ことができる。第2のアパーチャ上には、繰返しの基本
であるキャラクタ−パターンが複数個設けられている。
のである。同図においては、電子光学系を構成する電磁
レンズなどは省略しである。電子銃1から放射された電
子ビームは第1のアパーチャ3を通る。第1のアパーチ
ャの下には偏向器4が有り、これにより第1のアパーチ
ャの像を第2のアパーチャ5上の任意の位置へ偏向する
ことができる。第2のアパーチャ上には、繰返しの基本
であるキャラクタ−パターンが複数個設けられている。
第1図には、簡単のため、そのうちの1個のみを示しで
ある。第1のアパーチャ像をAのごとく偏向して投影す
ることにより微t’sビーム6を形成することができる
。
ある。第1のアパーチャ像をAのごとく偏向して投影す
ることにより微t’sビーム6を形成することができる
。
一方、Bのごとく偏向すると、微小ビーム7を形成する
ことができる。この6,7の二本の微小ビームは、キャ
ラクタパターンの両端の位置情報を含んでいる。従って
、この二本の微小ビームにより基準パターン位置を検出
し、該パターンの原点位置、寸法(倍率)、回転などの
情報を得、その後補正量を求める1本操作をキャラクタ
−パターンごとに行い、補正量を求め、記憶する6キヤ
ラクターパターンにより描画する際にには、上記補正量
から得られた補正データを第2アパーチヤ以後の電子光
学系に自動的にフィードバックして、高速、高精度に描
画することが出来る。
ことができる。この6,7の二本の微小ビームは、キャ
ラクタパターンの両端の位置情報を含んでいる。従って
、この二本の微小ビームにより基準パターン位置を検出
し、該パターンの原点位置、寸法(倍率)、回転などの
情報を得、その後補正量を求める1本操作をキャラクタ
−パターンごとに行い、補正量を求め、記憶する6キヤ
ラクターパターンにより描画する際にには、上記補正量
から得られた補正データを第2アパーチヤ以後の電子光
学系に自動的にフィードバックして、高速、高精度に描
画することが出来る。
キャラクタ−パターンの一部を用いて該パターンの原点
位置、寸法(倍率)、回転などの情報を求めるので、正
確なパターン調整が可能である。
位置、寸法(倍率)、回転などの情報を求めるので、正
確なパターン調整が可能である。
以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。
第3図は1本発明に基づく電子ビーム描画装置の概略構
成を示したものである。同図において、処理装置は偏向
回路14、及び偏向器4により第1のアパーチャ3の像
を偏向することにより、第2のアパーチャ5上に形成さ
れている複数個のキャラクタ−パターンのうち一種を選
択し、さらに、第1図Aに示すような状態を実現し、微
小ビーム6を得た0次に、偏向回路16.及び偏向器1
0により該ビームをステージ12に設けられた標準パタ
ーン13上を走査した。その後、検出器11及び信号変
換回路17により標準パターンからの信号を求め、これ
を処理して2選択したキャラクタ−パターンの基準位置
(X11. Y□□)を決定した。
成を示したものである。同図において、処理装置は偏向
回路14、及び偏向器4により第1のアパーチャ3の像
を偏向することにより、第2のアパーチャ5上に形成さ
れている複数個のキャラクタ−パターンのうち一種を選
択し、さらに、第1図Aに示すような状態を実現し、微
小ビーム6を得た0次に、偏向回路16.及び偏向器1
0により該ビームをステージ12に設けられた標準パタ
ーン13上を走査した。その後、検出器11及び信号変
換回路17により標準パターンからの信号を求め、これ
を処理して2選択したキャラクタ−パターンの基準位置
(X11. Y□□)を決定した。
次に、偏向器4を用いて第1図Bの状態を実現して、微
小ビーム7を形成し、先と同様に標準試料上を走査する
ことにより、第2のパターン座標(Xza* Y12)
を得た。処理装置は、(X 1x X 1t )から
試料上のパターン寸法(倍率)を求めるとともに、Xユ
、、xl、座標から、パターンの回転量を求めた。これ
らの値に基づき第2アパーチヤ以後の電子光学系を調整
し、該寸法、及び、回転量が許容値以下になるようにし
た。最後に、処理装置は第1図A状態による微小ビーム
6を再び形成し、該ビームの走査により選択したキャラ
クタ−パターンの基準位置(Xi−2Y1m)を求め、
その値を補正回路15に格納した。
小ビーム7を形成し、先と同様に標準試料上を走査する
ことにより、第2のパターン座標(Xza* Y12)
を得た。処理装置は、(X 1x X 1t )から
試料上のパターン寸法(倍率)を求めるとともに、Xユ
、、xl、座標から、パターンの回転量を求めた。これ
らの値に基づき第2アパーチヤ以後の電子光学系を調整
し、該寸法、及び、回転量が許容値以下になるようにし
た。最後に、処理装置は第1図A状態による微小ビーム
6を再び形成し、該ビームの走査により選択したキャラ
クタ−パターンの基準位置(Xi−2Y1m)を求め、
その値を補正回路15に格納した。
第2のアパーチャには、キャラクタ−パターンとして合
計9個のパターンが設けられていたので、これらの全て
のパターンにたいして同様にパターン基準位置 ((xt、、yi□) (i=1〜9 ))を求
め、それを補正回路15に記憶させた。描画時には、第
2のアパーチャから所定のパターンを選び描画を行った
が、その際、偏向データ(X。
計9個のパターンが設けられていたので、これらの全て
のパターンにたいして同様にパターン基準位置 ((xt、、yi□) (i=1〜9 ))を求
め、それを補正回路15に記憶させた。描画時には、第
2のアパーチャから所定のパターンを選び描画を行った
が、その際、偏向データ(X。
Y)にたいして
x’=x−x飯。
Y′=Y−Yt、
の補正を行って描画した。
以上の手順により、キャラクタ−パターン描画を行い、
所定の精度を有する結果を得ることができた。
所定の精度を有する結果を得ることができた。
本発明によれば、描画に用いるキャラクタ−パターンそ
のものを用いて、パターン調整を容易に行うことができ
るので、寸法精度の良好なパターンを得ることが出来る
。
のものを用いて、パターン調整を容易に行うことができ
るので、寸法精度の良好なパターンを得ることが出来る
。
第1図は本発明に基づくパターン調整の方法を説明する
図、第2図はキャラクタ−パターン描画を説明する図、
第3図は本発明に基づく電子ビーム描画装置の概略構成
図である。 1・・・電子銃、2・・・電子ビーム、3・・・第1の
アパーチャ、4・・・偏向器、5・・・第2のアパーチ
ャ、6・・・微小ビーム、7・・・微小ビーム、1o・
・・偏向器、11・・・検出器、12・・・ステージ、
13・・・標準試料。 14・・・偏向回路、15・・・補正回路、16・・・
偏向回路、17・・・信号変換回路。 第1犯 亨 3 図 第 2品 (α) +b) w、11.11.ニー4
図、第2図はキャラクタ−パターン描画を説明する図、
第3図は本発明に基づく電子ビーム描画装置の概略構成
図である。 1・・・電子銃、2・・・電子ビーム、3・・・第1の
アパーチャ、4・・・偏向器、5・・・第2のアパーチ
ャ、6・・・微小ビーム、7・・・微小ビーム、1o・
・・偏向器、11・・・検出器、12・・・ステージ、
13・・・標準試料。 14・・・偏向回路、15・・・補正回路、16・・・
偏向回路、17・・・信号変換回路。 第1犯 亨 3 図 第 2品 (α) +b) w、11.11.ニー4
Claims (1)
- 1、描画パターン内に繰返し現れる図形を、一括して描
画するための開口を複数種類有するアパーチャと、前記
アパーチャより電子ビーム発生源側に設けられた、パタ
ーン選択用のアパーチャを具備する電子ビーム描画装置
において、前記2枚のアパーチャを用いて微小ビームを
形成し、該微小ビームを用いて、少なくとも、一つ以上
の上記アパーチャ上に形成したパターンに対し、該パタ
ーンの試料上での位置座標、寸法(倍率)、回転など情
報を求め、該情報に基づき電子光学系を調整する方法を
有することを特徴とする電子ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7060789A JPH02250311A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 電子ビーム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7060789A JPH02250311A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 電子ビーム描画方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02250311A true JPH02250311A (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=13436440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7060789A Pending JPH02250311A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 電子ビーム描画方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02250311A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03188616A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-16 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光装置 |
JPWO2009136441A1 (ja) * | 2008-05-09 | 2011-09-01 | 株式会社アドバンテスト | 電子線描画装置及び電子線描画方法 |
-
1989
- 1989-03-24 JP JP7060789A patent/JPH02250311A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03188616A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-16 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光装置 |
JPWO2009136441A1 (ja) * | 2008-05-09 | 2011-09-01 | 株式会社アドバンテスト | 電子線描画装置及び電子線描画方法 |
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