JPH02247390A - ドライエッチング装置 - Google Patents

ドライエッチング装置

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Publication number
JPH02247390A
JPH02247390A JP6868389A JP6868389A JPH02247390A JP H02247390 A JPH02247390 A JP H02247390A JP 6868389 A JP6868389 A JP 6868389A JP 6868389 A JP6868389 A JP 6868389A JP H02247390 A JPH02247390 A JP H02247390A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etched
lower electrode
heat conductive
gas
cooling medium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6868389A
Other languages
English (en)
Inventor
Taketoshi Mochizuki
望月 武利
Yasuhiro Onishi
泰寛 大西
Shigeki Ochi
越智 重貴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinmaywa Industries Ltd
Original Assignee
Shin Meiva Industry Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Shin Meiva Industry Ltd filed Critical Shin Meiva Industry Ltd
Priority to JP6868389A priority Critical patent/JPH02247390A/ja
Publication of JPH02247390A publication Critical patent/JPH02247390A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 、この発明は、被エツチング部材を低温状態に保持しつ
つドライエツチングする装置に関するものである。
(従来技術) 近時基板等の被エツチング部材を低温状態でドライエツ
チングする技術が注目されつつある。
前記被エツチング部材を低温状態に保持するには、例え
ば真空チャンバ内に支持する被エツチング部材の搭載テ
ーブル内に、冷凍装置の蒸発器を組み込み、前記テーブ
ルを直接冷却することにより前記被エツチング部材を低
温状態に保持することが考えられる。あるいはまた前記
テーブル内に冷却媒体をポンプにより強制循環させるこ
とにより前記低温を保持することも考えられる。
(解決しようとする課題) しかしながら前者の場合は、前記冷凍装置の故障が即座
に被エツチング部材の温度に変化を与え、ドライエツチ
ングに大きな影響を及ぼし、しかも該故障の場合の前記
冷凍装置の交換も困難を伴う。
また後者の場合は、ポンプ駆動による発熱分の熱負荷が
増大されるため、熱損失が大きい。
(課題を解決するための手段) この発明は前述事情に鑑みなされたものであって、真空
チャンバ内に支持され、かつ被エツチング部材を搭載可
能な下部電極に中空部を設けるとともに、該中空部の上
壁から熱伝導部材を吊設し、また前記中空部には冷却媒
体を封入して前記熱伝導部材の下部を該冷却媒体の液部
に浸漬させるとともに、前記中空部の下部には前記冷却
媒体の液供給管の先端を、上部には前記冷却媒体のガス
戻し管の先端を、それぞれ臨ませる一方、該液供給管お
よびガス戻し管の他端同志を接続して冷凍装置の低温部
とともに熱交換部を構成してなる、ドライエツチング装
置である。
(作用) 前記冷凍装置により前記熱交換部において冷却液化され
た冷却冷媒は、前記下部電極との間で自然循環し、該下
部電極を冷却し、前記被エツチング部材を間接的に冷却
、略一定の低温状態に保持しつつエツチング加工する。
(実施例) 1は真空チャンバであり、真空チャンバ1には弁2を介
して真空ポンプ3が配管されている。真空チャンバ1内
には上部電極4およびこれに対面する下部電極5が間隔
を有して支持されている。
そして上部電極4には公知のマツチング回路6および高
周波発振器7が接続される。一方下部電極5は、中空部
が設けられるとともに、その上面が1、基板等の被エツ
チング部材Wを搭載可能なテーク11号、1□ゎ、1カ
1.8.中ゆう。よゆヵ、85−/ は熱伝導部材8が吊設されている。また前記中空部には
冷却媒体を封入して熱伝導部材8の下部を該冷却媒体の
液部9aに浸漬させるとともに、下層の液部9aには液
供給管10の先端を、前記冷却媒体の上層のガス部9b
にはガス戻し管11の先端を、それぞれ臨ませる。そし
て両管10.11の他端同志は接続され、超低温冷凍装
置12の低温部(蒸発器)とともに熱交換部13として
構成される。なお14はエツチングガス供給部であり、
真空チャンバ1に配管される。
そこで真空ポンプ3により真空チャンバ1内の空気を排
気した後、エツチングガス供給部14からエツチングガ
スな真空チャンバ1内に導入する。
そしてエツチングガスの流量および前記排気の速度を制
御して真空チャンバ1内のガス圧を所定範囲内に保持し
つつ、高周波発振器7からの高周波を両を極4.5間に
印加する。するとエツチングガスは放電により解離して
イオンとラジカルにな化された冷却媒体は、供給管10
および戻し管11を介し、下部電極5との間で自然循環
する。よって基板等の被エツチング部材Wは間接的に冷
却され、被エツチング部材Wを略一定の低温状態に保持
しつつエツチング加工できる。
この低温保持の結果、温度に依存しない前記イオンは被
エツチフッ部材W上面に垂直に入射し、良好な垂直エツ
チング加工が行われることはもちろん、前記ラジカルの
化学反応(低温はど遅い)による被エツチング部材Wの
側壁のエツチング(サイドエツチング)が少な(なり、
加工精度が大幅に向上する。
(発明の効果) この発明は前述したとおりであるから、冷凍装置12の
蒸発器を下部電極に直接組み込んだものと違い、冷凍装
置12の故障が即座に被エツチング部材Wの温度を変化
させてドライエツチングに大きな影響を及ぼす可能性が
少ないし、しかも該故障の場合の冷凍装置の交換も容易
である。また冷却媒体をポンプで強制循環させるものに
比し、該ポンプの駆動による発熱分の熱負荷が軽減され
、熱損失が少な(て済む。さらに下部型@8.5はその
2〜たる。
【図面の簡単な説明】
図はこの発明装置の一実施?lJ w示す全体説明図で
ある。 1−・・真空チャンバ 3・・・真空ポンプ、4・・・
上部電極、5・・・下部電極、8・・熱伝導部材、9a
・・・冷却媒体の液部、9b・・・冷却媒体のガス部、
10・・・液供給管、11・・・ガス戻し管、12・・
・冷凍装置、13・・・熱交換s、14・・・エツチン
グガス供給部、W・・・被エツチング部材。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 真空チャンバ内に支持され、かつ被エッチング部材を搭
    載可能な下部電極に中空部を設けるとともに、該中空部
    の上壁から熱伝導部材を吊設し、また前記中空部には冷
    却媒体を封入して前記熱伝導部材の下部を該冷却媒体の
    液部に浸漬させるとともに、前記中空部の下部には前記
    冷却媒体の液供給管の先端を、上部には前記冷却媒体の
    ガス戻し管の先端を、それぞれ臨ませる一方、該液供給
    管およびガス戻し管の他端同志を接続して冷凍装置の低
    温部とともに熱交換部を構成してなる、ドライエッチン
    グ装置。
JP6868389A 1989-03-20 1989-03-20 ドライエッチング装置 Pending JPH02247390A (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62229947A (ja) * 1986-03-31 1987-10-08 Tokuda Seisakusho Ltd ドライエツチング装置
JPS6432628A (en) * 1986-09-05 1989-02-02 Hitachi Ltd Dry etching method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62229947A (ja) * 1986-03-31 1987-10-08 Tokuda Seisakusho Ltd ドライエツチング装置
JPS6432628A (en) * 1986-09-05 1989-02-02 Hitachi Ltd Dry etching method

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