JPH02246256A - Semiconductor element package - Google Patents

Semiconductor element package

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Publication number
JPH02246256A
JPH02246256A JP1066163A JP6616389A JPH02246256A JP H02246256 A JPH02246256 A JP H02246256A JP 1066163 A JP1066163 A JP 1066163A JP 6616389 A JP6616389 A JP 6616389A JP H02246256 A JPH02246256 A JP H02246256A
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JP
Japan
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package
lead
leads
solid
state imaging
Prior art date
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Pending
Application number
JP1066163A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiko Kadowaki
正彦 門脇
Akiya Izumi
泉 章也
Toshio Nakano
中野 寿夫
Hironobu Abe
広伸 阿部
Hideaki Abe
英明 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Japan Display Inc
Original Assignee
Hitachi Device Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Device Engineering Co Ltd, Hitachi Ltd, Hitachi Consumer Electronics Co Ltd filed Critical Hitachi Device Engineering Co Ltd
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Priority to KR1019900003756A priority patent/KR900015290A/en
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Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To mount a package readily and automatically by making facing leads parallel, and lowering the package into the pin-inserting holes of a board vertically. CONSTITUTION:Leads are held between a lower ceramic substrate LOW and an upper ceramic frame UPP and fixed with frit glass FLT. The outer leads OL are made to protrude horizontally from the parts between the lower and upper ceramic bodies LOW and UPP and bent downward. The facing outer leads OL are in parallel. An angle theta1 formed with the outer lead OL and the upper ceramic frame UPP is made to be 90-93 deg.. Therefore, a semiconductor package can be readily inserted into the pin inserting holes of a printed wiring board readily by only lowering the package vertically. Thus, the package can be mounted automatically without deforming the outer leads.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体素子を搭載する半導体素子パッケージ
に係り、特に、プリント配線基板等の外部応用回路への
自動実装に好適な半導体素子パッケージに関する。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor element package mounting a semiconductor element, and particularly relates to a semiconductor element package suitable for automatic mounting on an external application circuit such as a printed wiring board. .

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半導体集積回路のパッケージを材料で分類すると、樹脂
モールド技術を利用したプラスチック・パッケージ、セ
ラミック配線基板を利用したセラミック・パッケージ、
2枚のセラミック板間にリードをはざみ、低融点ガラス
で封止したガラス封止パッケージの3種類がある。リー
ドの並び方が2辺で平行になっているものは、DIL 
(デュアルインライン(Djal−In−Line) 
)と呼ばれ、最も普及している型であり、前述の3種類
のパッケージは、それぞれDILP、I)ILC,DI
LGとも呼ばれる。DILGは、別名で「サーデイツプ
」とも呼ばれる。コスト面からは、DILP、DILG
、DILCの順に安く、耐湿性等の信頼性面では、DI
LC,DILG、DILPの順に高い。
Semiconductor integrated circuit packages can be categorized by material: plastic packages using resin molding technology, ceramic packages using ceramic wiring boards,
There are three types of glass-sealed packages in which leads are sandwiched between two ceramic plates and sealed with low-melting glass. If the leads are arranged parallel on two sides, it is DIL.
(Dual-In-Line)
), and is the most popular type, and the three types of packages mentioned above are DILP, ILC, and DI, respectively.
Also called LG. DILG is also called ``Sardip''. From a cost perspective, DILP, DILG
, DILC, and in terms of reliability such as moisture resistance, DI
The highest order is LC, DILG, and DILP.

DILG、DILPのリードは、リードフレームの切断
、折り曲げ等の組立工程を含み、通常のリード(足)の
形状は、第4図に示すように、斜めに開いているものが
主流となっている。
DILG and DILP leads involve an assembly process such as cutting and bending the lead frame, and the shape of the normal lead (leg) is mainly one that opens diagonally, as shown in Figure 4. .

なお、固体撮像装置については1例えば、産業開発機構
(株)  1986年5月1日発行の映像情報25〜3
1頁に記載されている。
For solid-state imaging devices, see 1, for example, Video Information 25-3 published by Japan Industrial Development Corporation, May 1, 1986.
It is written on page 1.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

従来の半導体素子パッケージにおいては、パッケージ体
の2側面から水平に突出するアウタリードは、その少し
先で下方向に折り曲げられているが、対向するアウタリ
ードは第4図(従来の半導体素子パッケージの概略側面
図)に示すように「ハの字」形に開いている9図におい
て、LOWは下部セラミック基板、UPPは上部セラミ
ック枠体、FITはフリットガラス、OLはアウタリー
ドである。アウタリードOLと上部セラミック枠体UP
Pの上面とのなす角度θ1は、96〜1006である。
In a conventional semiconductor device package, the outer leads that protrude horizontally from the two sides of the package body are bent downward a little beyond the outer leads, but the opposing outer leads are In Figure 9, which is open in a "V" shape as shown in Figure 9, LOW is the lower ceramic substrate, UPP is the upper ceramic frame, FIT is the frit glass, and OL is the outer lead. Outer lead OL and upper ceramic frame UP
The angle θ1 between P and the upper surface is 96 to 1006.

例えば、D−RAM (ダイナミック・ラム)等の半導
体メモリ用の半導体素子パッケージをプリント配線基板
のような外部応用回路に自動インサータを用いて実装す
る場合、広がっている両アウタリードがパッケージ体の
上面に対して直角となるようにアウタリードの面外側か
ら自動インサータではさみ込み、プリント配線基板のピ
ン挿入孔に挿入し、パッケージ体の上面を押し込むこと
によって実装される。プリント配線基板に半導体素子パ
ッケージを挿入した後、弾力性を有するアウタリードは
、元の開いた状態に戻るので、半導体素子パッケージは
プリント配線基板から抜けにくくなり、半田付は等が容
易に自動的にできる。
For example, when mounting a semiconductor element package for semiconductor memory such as D-RAM (dynamic RAM) on an external application circuit such as a printed wiring board using an automatic inserter, both expanding outer leads are placed on the top surface of the package body. The package is mounted by inserting it with an automatic inserter from the outside of the surface of the outer lead so as to be perpendicular to the outer lead, inserting it into the pin insertion hole of the printed wiring board, and pushing the top surface of the package body. After inserting the semiconductor element package into the printed wiring board, the elastic outer leads return to the original open state, making it difficult for the semiconductor element package to come off the printed wiring board, and soldering etc. can be done easily and automatically. can.

しかし、固体撮像装置の場合は、プリント配線基板に実
装する前に、まず、センサホルダ(あるいはレンズユニ
ットとも称す)に固体撮像装置(半導体素子パッケージ
)を組み込む、これは、固体撮像チップのフォトダイオ
ードアレイの中心とレンズの光軸中心とを一致させて、
「画角けられ、像歪、像ぼけ」を防止したり、水晶板や
赤外カットフィルターをいっしょに実装するためのもの
である。従って、アウタリードを自動インサータではさ
み込むのは、ホルダが邪魔となり困難である。また、固
体撮像装置は、上述のように、パッケージ体の上面の中
央の大部分は窓ガラスが占めている。上述のように、自
動インサータは、パッケージ体の上面を押し込むことに
よって実装する。従って、固体撮像装置を直接プリント
基板に挿入する場合であっても、その上面を押・し込む
と、窓ガラスが傷付いたり、異物が付着しやすい、窓ガ
ラスに傷や異物が存在すると1画面上に黒傷となって現
われる。このように、固体撮像共5置をプリント配線基
板に自動的に挿入するのは困難である。
However, in the case of a solid-state imaging device, the solid-state imaging device (semiconductor element package) is first assembled into a sensor holder (also called a lens unit) before being mounted on a printed wiring board. Align the center of the array with the center of the optical axis of the lens,
This is to prevent ``field vignetting, image distortion, and image blur,'' and to mount a crystal plate and infrared cut filter together. Therefore, it is difficult to insert the outer lead with an automatic inserter because the holder gets in the way. Further, as described above, in the solid-state imaging device, most of the center of the upper surface of the package body is occupied by the window glass. As mentioned above, the automatic inserter is installed by pushing the top of the package. Therefore, even when inserting a solid-state imaging device directly into a printed circuit board, pushing the top surface of the device can easily damage the window glass or attract foreign matter. It appears as a black mark on the screen. As described above, it is difficult to automatically insert a solid-state imaging device into a printed wiring board.

本発明の目的は、プリント配線基板のような外部応用回
路に実装しやすい半導体素子パッケージを提供すること
にある。
An object of the present invention is to provide a semiconductor element package that is easy to mount on an external application circuit such as a printed wiring board.

本発明の別の目的は、自動実装しやすい固体撮像装置を
提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a solid-state imaging device that is easy to automatically mount.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記の目的を達成するために、本発明の半導体素子パッ
ケージは、半導体素子の電極と電気的に接続されるイン
ナリードとアウタリードを有するリード、上記半導体素
子と上記リードを保持するパッケージ体を有し、上記ア
ウタリードが上記パッケージ体の少なくとも2側面から
水平方向に突出し、下方向に曲げられ、対向する上記ア
ウタリードの少なくとも先端部が平行であることを特徴
とする。
In order to achieve the above object, a semiconductor element package of the present invention includes a lead having an inner lead and an outer lead electrically connected to electrodes of the semiconductor element, and a package body holding the semiconductor element and the lead. , the outer leads protrude horizontally from at least two side surfaces of the package body, are bent downward, and at least the tips of the opposing outer leads are parallel.

上記アウタリードの少なくとも先端部と上記パッケージ
体の上面とのなす角度は90〜936であるのが望まし
い。
It is desirable that the angle formed between at least the tip of the outer lead and the upper surface of the package body is 90 to 936 degrees.

また、上記アウタリードを、上記パッケージ体から突出
する箇所の近傍で上記下方向に開く方向に曲げ、かつ、
その少し先の部分で再び上記アウタリードを互いに対向
するアウタリードの方へ曲げ、残りの対向する上記アウ
タリードを平行にする構成としてもよい。
Further, the outer lead is bent in the downward direction in the vicinity of the portion protruding from the package body, and
The outer leads may be bent again toward the opposing outer leads at a portion slightly beyond that point, and the remaining opposing outer leads may be made parallel.

さらに、上記パッケージ体を上下2枚のパッケージ体で
構成し、上記2枚のパッケージ体の間から上記アウタリ
ードを突出させ、対向する上記アウタリードの間の下の
上記パッケージ体の幅を上の上記パッケージ体の幅より
小さく構成してもよい。
Furthermore, the package body is configured with two package bodies, an upper and a lower package body, and the outer leads are made to protrude from between the two package bodies, and the width of the lower package body between the opposing outer leads is equal to the width of the upper package body. It may be configured to be smaller than the width of the body.

【作用〕[Effect]

本発明の半導体素子パッケージでは、アウタリードがパ
ッケージ体の上面に対して直角に曲げられ、対向するア
ウタリード(以下、対向リードと称す)の少なくとも先
端部が平行であるので、半導体素子パッケージをプリン
ト配線基板のピン挿入孔に垂直に降ろすだけで容易に挿
入することができる。すなわち、従来、自動インサータ
により広がっている対向リードをはさみ込んで直角にし
てからの挿入が不用となり、アウタリードを変形となる
。また、センサホルダに組み込まれている固体撮像装置
においても、対向リードが平行なので、自動インサータ
によりホルダを保持することにより容易に自動実装がで
きる。従って、固体撮像装置のサーデイツプ化、プラス
チックパッケージ化が可能となり、従来一般的であった
高価な積層タイプのセラミックパッケージに比べ、大幅
な製品コストの低減が可能となる。
In the semiconductor device package of the present invention, the outer leads are bent at right angles to the top surface of the package body, and at least the tips of the opposing outer leads (hereinafter referred to as opposing leads) are parallel, so that the semiconductor device package can be connected to a printed wiring board. It can be easily inserted by simply lowering it vertically into the pin insertion hole. In other words, it is no longer necessary to insert the opposing leads, which have been spread out by an automatic inserter, so that they are at right angles, and the outer leads are deformed. Furthermore, since the opposing leads of the solid-state imaging device incorporated in the sensor holder are parallel, automatic mounting can be easily performed by holding the holder with an automatic inserter. Therefore, solid-state imaging devices can be made into solid-state imaging devices and made into plastic packages, and product costs can be significantly reduced compared to the expensive laminated type ceramic packages that have been common in the past.

また、アウタリードが、パッケージ体から突出する箇所
の近傍でパッケージ体の下方向に開く方向に曲げられ、
その先の部分で再び上記アウタリードが曲げられ、対向
リードが平行になっている構成でも、もちろん同様の効
果を有する。このような構成により、アウタリードの折
り曲げ部の強度を大きくすることができる。
Further, the outer lead is bent in the direction of opening downward from the package body near the point where it protrudes from the package body,
Of course, a similar effect can be obtained even if the outer lead is bent again at the tip thereof and the opposing leads are parallel to each other. With such a configuration, the strength of the bent portion of the outer lead can be increased.

さらに、パッケージ体を上下2枚のパッケージ体で構成
し、2枚のパッケージ体の間からアウタリードを突出さ
せ、対向リードの間の下パッケージ体の幅を上パッケー
ジ体の幅より小さく構成することにより、アウタリード
が「ハの字」形に開いた従来のリードフレームを利用し
、該リードフレームを上下パッケージ体の間に固定した
後、アウタリードを直角に曲げる場合、アウタリードの
折り曲げ肩部を保持する裕度を大きくすることができる
とともに、外形寸法の公差を小さくすることができる。
Furthermore, by configuring the package body with two package bodies, upper and lower, with the outer lead protruding from between the two package bodies, and by configuring the width of the lower package body between the opposing leads to be smaller than the width of the upper package body. When using a conventional lead frame in which the outer leads are opened in a "V" shape and bending the outer leads at a right angle after fixing the lead frame between the upper and lower package bodies, there is a margin to hold the bent shoulders of the outer leads. The degree of accuracy can be increased, and the tolerance of external dimensions can be reduced.

〔実施例〕〔Example〕

第5図(a)〜(d)は、本発明の半導体素子パッケー
ジを適用する固体撮像装置の構造を示す図であり、以下
、全体構造を固体撮像装置!DVC1固体撮像チップC
HIを除く固体撮像装置DVCの部分(容器)をパッケ
ージPKGと称する。
FIGS. 5(a) to 5(d) are diagrams showing the structure of a solid-state imaging device to which the semiconductor element package of the present invention is applied, and the overall structure will be described below. DVC1 solid-state imaging chip C
The portion (container) of the solid-state imaging device DVC excluding the HI is referred to as a package PKG.

同図において、(a)は固体撮像装置DVCをチップC
HIの受光面側から見たときの上面図である。上面図(
a)を基準にして、(b)は上側から見たときの側面図
、(c)はc−c切断線における断面図、(d)は右側
から見たときの側面図、(e)はe−a切断線における
断面図である。
In the same figure, (a) shows the solid-state imaging device DVC connected to the chip C.
FIG. 3 is a top view when viewed from the light-receiving surface side of the HI. Top view (
Based on a), (b) is a side view when viewed from above, (c) is a sectional view taken along the c-c cutting line, (d) is a side view when viewed from the right side, and (e) is a side view when viewed from the right side. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line e-a.

窓ガラスGLSは透光性の封止板であり、硼珪酸ガラス
(BsOs・Sin、)のようなガラス材から成る。
The window glass GLS is a translucent sealing plate and is made of a glass material such as borosilicate glass (BsOs.Sin).

固体撮像チップCHIは、モノリシック半導体集積回路
技術で作られ、窓ガラスGLS側の表面(受光面)には
フォトダイオードのような光電変換素子が複数個配列さ
れ、裏面は銀ペースト材のような接着剤で下部セラミッ
ク基板LOWにボンディングされている。
The solid-state imaging chip CHI is made using monolithic semiconductor integrated circuit technology, and has multiple photoelectric conversion elements such as photodiodes arranged on the surface (light receiving surface) on the window glass GLS side, and an adhesive such as silver paste material on the back surface. It is bonded to the lower ceramic substrate LOW using an adhesive.

下部セラミック基板LOWは、その中央に固体撮像チッ
プCHIを取り付けるための凹部であるマウント部MN
Tを有し、この凹部により、固体撮像チップCHIとイ
ンナリードILとの高さ関係が調整される。
The lower ceramic substrate LOW has a mount part MN, which is a recessed part for mounting the solid-state imaging chip CHI, in the center thereof.
This concave portion adjusts the height relationship between the solid-state imaging chip CHI and the inner lead IL.

上部セラミック枠体UPPは、中央部をくり抜いた受光
窓WDWを有し、外光が固体撮像チップCHIに当たる
ようになっている。
The upper ceramic frame UPP has a light-receiving window WDW cut out in the center so that external light hits the solid-state imaging chip CHI.

リードLDは、固体撮像チップCHIとプリント配線基
板のような外部応用回路との間を電気的に接続するため
のリードであり、上下セラミック体UPP、LOWの間
にフリットガラスFLTでCHIとの接続用のインナリ
ード部ILと外部回路との接続用のアウタリード部OL
を有し、両リード部はリードフレームREFと連続して
(一体に)形成されている。インナリードILは、同一
形状の先端形状を持ち、中側に位置する16個のインナ
リードILIと、中央部に丸穴があけられ。
The lead LD is a lead for electrically connecting between the solid-state imaging chip CHI and an external application circuit such as a printed wiring board, and is connected to the CHI using a frit glass FLT between the upper and lower ceramic bodies UPP and LOW. Inner lead part IL for connection and outer lead part OL for connection with external circuit
Both lead portions are formed continuously (integrally) with the lead frame REF. The inner lead IL has the same tip shape as the 16 inner leads ILI located in the middle and a round hole in the center.

太き目の先端形状を持ち、4隅に位置する4個のインナ
リードIL2の合計20個ある。このインナリードIL
2の特殊な形状は、自動ワイヤボンディング時のリード
位置パターン認識に有用である。
There are a total of 20 inner leads IL2, each with a thick tip shape and four inner leads located at the four corners. This inner lead IL
The special shape of No. 2 is useful for lead position pattern recognition during automatic wire bonding.

ボンディングワイヤWIRは、インナリード■Lと固体
撮像チップCHIのポンディングパッドとを電気的に接
続するための、AIやAu等から成る金属ワイヤである
。マウント部MNTの窪みのために、固体撮像チップC
HIの上表面がインナリードILの上表面より低い位置
にあるため、ボンディングワイヤWIRが垂れ下がって
固体撮像チップCHIの縁に接触して短絡するという下
床を未然に防止できる。
The bonding wire WIR is a metal wire made of AI, Au, etc., for electrically connecting the inner lead L and the bonding pad of the solid-state imaging chip CHI. Because of the recess of the mount MNT, the solid-state imaging chip C
Since the upper surface of HI is lower than the upper surface of inner lead IL, it is possible to prevent the bonding wire WIR from hanging down and coming into contact with the edge of solid-state imaging chip CHI, thereby causing a short circuit.

金属板REFIおよびREF2には、基準穴HL1およ
びHL2が形成されている。固体撮像チップCHIがマ
ウント部MNTに自動ダイボンディングされるとき、そ
の位置決めは基準穴HLI、HL2および/またはイン
ナリードIL2の穴を基準に行なわれるので、基準穴H
LI、HL2と固体撮像チップCHIとの相対位置は精
度良く設定される。従って、固体撮像装置DVSttV
TRカメラ等の応用製品に実装するとき、基準穴HL1
、HL2を位置決めの基準とすれば、応用製品のレンズ
の中心と固体撮像チップCHIのフォトダイオードアレ
イの中心とを精度良く合わせることができる。
Reference holes HL1 and HL2 are formed in the metal plates REFI and REF2. When the solid-state imaging chip CHI is automatically die-bonded to the mount part MNT, its positioning is performed based on the reference holes HLI, HL2 and/or the inner lead IL2.
The relative positions of LI, HL2 and solid-state imaging chip CHI are set with high precision. Therefore, the solid-state imaging device DVSttV
When mounting on applied products such as TR cameras, use the reference hole HL1.
, HL2 as a positioning reference, it is possible to align the center of the lens of the applied product with the center of the photodiode array of the solid-state imaging chip CHI with high precision.

凹部IDXは、上下セラミック体UPPおよびLOWに
設けた凹部であり、20個のアウタリードILLの回路
配置基準位置を・示すインデックスである。
The recess IDX is a recess provided in the upper and lower ceramic bodies UPP and LOW, and is an index indicating the circuit arrangement reference position of the 20 outer leads ILL.

次に、固体撮像装置DVSの組み立て方法を簡単に説明
する。
Next, a method for assembling the solid-state imaging device DVS will be briefly described.

まず、リードLDと基準食用金属板REFI。First, the lead LD and the reference edible metal plate REFI.

REF2等が連なったリードフレームを1枚の金属板か
らプレス成型またはエツチングにより形成する。金属材
料としては、セラミックスとの相性の良い、例えば42
70イが選ばれる。
A lead frame in which REF2 etc. are connected is formed from a single metal plate by press molding or etching. As a metal material, for example, 42 is compatible with ceramics.
70i is selected.

次に、アウタリードOLをほぼ垂直方向に折り曲げたリ
ードフレームを、マウント部MNTの周辺の高い部分に
フリットガラスFLTを枠状に塗布した下部セラミック
基板LOWに載せ、上部セラミック枠体UPPではさん
で、それらをフリットガラスFLTにより融着する。
Next, a lead frame with the outer lead OL bent almost vertically is placed on the lower ceramic substrate LOW, which has frit glass FLT coated in a frame shape on the high part around the mount part MNT, and is sandwiched between the upper ceramic frame UPP. They are fused together using frit glass FLT.

次に、固体撮像チップCHIをマウント部MNTに自動
ダイボンディングし、インナリードILと固体撮像チッ
プCHIとの間をボンディングワイヤWIRにより自動
ワイヤボンディングする。
Next, the solid-state imaging chip CHI is automatically die-bonded to the mount portion MNT, and automatic wire bonding is performed between the inner lead IL and the solid-state imaging chip CHI using a bonding wire WIR.

次に、窓ガラスGLSを上部セラミック枠体Uppに有
機接着剤等で貼り付ける。
Next, the window glass GLS is attached to the upper ceramic frame Upp using an organic adhesive or the like.

最後に、リードフレームの不要部分を切断し。Finally, cut off the unnecessary parts of the lead frame.

20個の7ウタリードOLと基準食用金属板REF1.
REF2のそれぞれを分離する。(a)の上面図に示す
基準穴金属板REF1.REF2の凸部BRDは、不要
なブリッジ部分を取り除いた跡である。
20 7 Uta lead OLs and reference edible metal plate REF1.
Separate each of REF2. Reference hole metal plate REF1 shown in the top view of (a). The convex portion BRD of REF2 is the remains after removing an unnecessary bridge portion.

第1図は、このような固体撮像装置DVCに本発明を適
用した場合のその主要部を示す断面図である。(第2図
、第3図も同様で、上下セラミック板UPP、LOWお
よびアウタリードOL、フリットガラスFLTを中心に
図示しており、詳細な部分は第5図と同様) 本実施例の固体撮像装置DVCでは、固体撮像チップ(
図示省略)の電極と電気的に接続されるインナリードI
Lとそれに連続したアウタリードOLを有するリード、
固体撮像チップとリードを保持する上下セラミック体、
すなわち、下部セラミック基板LOWと上部セラミック
枠体UPPを有する。リードが下部セラミック基板LO
Wと上部セラミック枠体UPPとではさまれ、フリット
ガラスFLTで固着されている。アウタリードOLは上
下セラミック体LOWとUPPの間(すなわち、上下セ
ラミック体の2側面)から水平方向に突出し、下方向に
曲げられ、対向するアウタリ−ドOLが平行になってい
る。アウタリードOLと上部セラミック枠体UPPの上
面とのなす角度01は90〜93@である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the main parts of such a solid-state imaging device DVC when the present invention is applied thereto. (The same is true for FIGS. 2 and 3, which mainly shows the upper and lower ceramic plates UPP, LOW, outer lead OL, and frit glass FLT, and the detailed parts are the same as in FIG. 5.) The solid-state imaging device of this embodiment In DVC, solid-state imaging chips (
Inner lead I electrically connected to the electrode (not shown)
L and a lead having an outer lead OL continuous thereto,
Upper and lower ceramic bodies that hold the solid-state imaging chip and leads;
That is, it has a lower ceramic substrate LOW and an upper ceramic frame UPP. The lead is on the lower ceramic board LO
It is sandwiched between W and the upper ceramic frame UPP and fixed with frit glass FLT. The outer lead OL protrudes horizontally from between the upper and lower ceramic bodies LOW and UPP (that is, from the two side surfaces of the upper and lower ceramic bodies) and is bent downward, so that the opposing outer leads OL are parallel to each other. An angle 01 between the outer lead OL and the upper surface of the upper ceramic frame UPP is 90 to 93@.

リードは、例えば、肉厚0.25mmの4270イ材を
エツチングにより形成し、インナリードILにはAJを
蒸着により被覆した。平坦なリードフレームを上下セラ
ミック体LOWとUPPにはさんで固定してからアウタ
リードOLを折り曲げてもよいが、あらかじめアウタリ
ードOLが折り曲げ加工しであるリードフレームを用い
、上下セラミック体LOWとUPPにはさんで固定して
もよい。
The leads are formed by etching, for example, a 4270 material with a wall thickness of 0.25 mm, and the inner lead IL is coated with AJ by vapor deposition. A flat lead frame may be sandwiched and fixed between the upper and lower ceramic bodies LOW and UPP, and then the outer leads OL may be bent. You can also fix it with a sandwich.

ここでは、後者の方法を用い、折り曲げ肩部Sの曲率半
径Rは約0.2m、肩部Sの肉厚は約0゜22■であっ
た。対向するアウタリードOLの間隔(以下、対向リー
ド間隔と称す)は、先端部の中心−中心で目標値20.
32に対して実際値は20.38閣、肩部Sから0.3
8閣下方の箇所の対向リード間隔は、同目標値に対して
20.27mであった。また、アウタリードOLの全長
は6.2mであり、対向リードは若干「ハの字」形に開
いているが、上部セラミック枠体UPPの上面とのなす
角度θ1は、90.51であった。アウタリードOLの
肩部Sを直角に折り曲げたので、リードの折り曲げ疲労
強度が懸念されたが、試験を実施したら、折り曲げ回数
は14回とJISで定められている規格3回以上を大き
く上回った(J I S C−7022A−11の方法
の試験のJ I S C−5035の試験)。
Here, the latter method was used, and the radius of curvature R of the bent shoulder S was about 0.2 m, and the wall thickness of the shoulder S was about 0°22㎜. The distance between the opposing outer leads OL (hereinafter referred to as the opposing lead distance) is the target value of 20.
Actual value is 20.38 for 32, 0.3 from shoulder S
The distance between the opposing leads at the 8th position was 20.27m against the same target value. Further, the total length of the outer lead OL was 6.2 m, and the opposing lead was slightly open in a "V" shape, but the angle θ1 formed with the upper surface of the upper ceramic frame UPP was 90.51. Since the shoulder S of the outer lead OL was bent at a right angle, there was concern about the bending fatigue strength of the lead, but when we conducted the test, the number of bends was 14, which was much higher than the standard of 3 or more specified by JIS ( JIS C-5035 test of JIS C-7022A-11 method test).

このパッケージPKGに、カラー固体撮像チップを搭載
し、窓ガラスで封止して、センサホルダに組み込み、プ
リント配線基板に実装した。その結果、アウタリードO
Lは、プリント配線基板のビン挿入孔にスムーズに入っ
た。なお、この場合、自動インサータはセンサホルダを
はさんで挿入した。
A color solid-state imaging chip was mounted on this package PKG, sealed with window glass, incorporated into a sensor holder, and mounted on a printed wiring board. As a result, outer lead O
L smoothly entered the bottle insertion hole of the printed wiring board. In this case, the automatic inserter was inserted with the sensor holder in between.

上記実施例では、エツチングにより形成したリードフレ
ーム(エツチングリード)を用いたが。
In the above embodiment, a lead frame (etched lead) formed by etching was used.

パッケージの原価を低減するために、単価の安いプレス
成型によって形成したリードフレーム(ブレスリード)
を用いた場合について説明する。リードフレームの形状
は、エツチングリードと同様である。アウタリードと上
部セラミック枠体の上面とのなす角度θ□は90.4@
であった。リード折り曲げ疲労強度を測定した結果、折
り曲げ回数は3回と、規格値ぎりぎりの値であった。そ
こで、さらに強度を向上させるために、リード折り曲げ
部の変更を試みた。
Lead frame (breath lead) formed by press molding with low unit cost to reduce package cost.
We will explain the case using . The shape of the lead frame is similar to that of an etched lead. The angle θ□ between the outer lead and the top surface of the upper ceramic frame is 90.4@
Met. As a result of measuring lead bending fatigue strength, the number of bending times was 3, which was just below the standard value. Therefore, in order to further improve the strength, we attempted to change the lead bending part.

強度の向上にはアウタリードの折り曲げ肩部Sの曲率半
径の増加、肩部の肉厚の増加により肩部のストレスを緩
和するのが有効である。エツチングリードの場合、肩部
の曲率半径Rは0.2閣であったので、今回はR=0.
3■で試作したところ、アウタリードと上部セラミック
枠体の上面とのなす角度θ1は96°となり、目標角度
90〜931 を満足しない、そこで、第2図(本発明
の第2の実施例の固体撮像装置の概略断面図、半分省略
)に示すように、アウタリードの肩部Sの下方約111
Iのスタンドオフ部SOの箇所で、再度、肩部Sから伸
びるリードに対して6〜15°折り曲げた。このとき、
アウタリードOLの先端部を含む残りの都度θ、は90
.7°であった。肩部Sの折り曲げ疲労強度を測定した
ところ、約6回と強度を向上させることができ、JIS
の上記規格値を十分上回った。このアウタリード形状を
有するパッケージに固体撮像チップを搭載し、窓ガラス
で封止した後、センサホルダに組み込み、プリント配線
基板に実装したところ、自動インサータによりスムーズ
に挿入できた。
In order to improve the strength, it is effective to alleviate the stress on the shoulder by increasing the radius of curvature of the bending shoulder S of the outer lead and increasing the wall thickness of the shoulder. In the case of the etching lead, the radius of curvature R of the shoulder was 0.2 degrees, so this time R=0.
3), the angle θ1 between the outer lead and the upper surface of the upper ceramic frame was 96°, which did not satisfy the target angle of 90 to 931. As shown in the schematic cross-sectional view of the imaging device (half omitted), approximately 111 points below the shoulder S of the outer lead.
At the standoff part SO of I, the lead extending from the shoulder part S was bent again by 6 to 15 degrees. At this time,
The remaining θ, including the tip of the outer lead OL, is 90.
.. It was 7°. When the bending fatigue strength of the shoulder S was measured, it was found that the strength was improved by about 6 times, and the JIS
The above standard values were well exceeded. After mounting a solid-state imaging chip in a package with this outer lead shape and sealing it with window glass, it was assembled into a sensor holder and mounted on a printed wiring board, and it could be inserted smoothly using an automatic inserter.

アウタリードを上部セラミック枠体の上面に対して直角
に折り曲げる方法としては、上述のように、あらかじめ
アウタリードが直角に折り曲げられたリードフレームを
上下セラミック体にはさんで固定する方法のほか、リー
ドフレームを上下セラミック体にはさんで固定した後、
アウタリードを直角に折り曲げる方法もある。
As a method for bending the outer leads at right angles to the upper surface of the upper ceramic frame, there are two methods, as described above, in which a lead frame with the outer leads bent at right angles is sandwiched and fixed between the upper and lower ceramic bodies. After fixing it between the upper and lower ceramic bodies,
Another method is to bend the outer lead at a right angle.

従来のリードフレームは上部セラミック枠体の上面に対
するアウタリードの角度θ3は96〜100′で「ハの
字」形に開いているが、これをそのまま用いて上下セラ
ミック体ではさんで固定した後。
In the conventional lead frame, the angle θ3 of the outer lead with respect to the upper surface of the upper ceramic frame body is 96 to 100' and opens in a "V" shape, but after using this as it is and fixing it by sandwiching it between the upper and lower ceramic bodies.

アウタリードの面外側から力を加え、アウタリ−ドを直
角に折り曲げる方法について説明する。この場合、アウ
タリードを融着しているフリットガラスに外力が加わり
、クラックが生じる可能性がある。このクラックを最小
限に押さえるためには、アウタリードの折り曲げ肩部S
を保持して力を加えればよいが、保持する部分の裕度が
必要となる。
A method of bending the outer lead at right angles by applying force from outside the surface of the outer lead will be explained. In this case, external force is applied to the frit glass to which the outer lead is fused, and cracks may occur. In order to minimize this crack, the bending shoulder S of the outer lead
It is sufficient to hold the part and apply force, but it is necessary to have some tolerance in the part to be held.

一般に対向リード間隔は2.54a (100膳i1)
の整数倍である。この間隔を維持し、上記の方法に対応
するために、対向リード間の下部セラミック基板の幅を
小さくした。上部セラミック枠体の幅も下部セラミック
基板に合せて小さくしてもよいが、窓ガラスによる封止
幅や封止裕度が小さくなり。
Generally, the spacing between opposing leads is 2.54a (100 sets i1)
is an integer multiple of In order to maintain this spacing and accommodate the above method, the width of the lower ceramic substrate between opposing leads was reduced. The width of the upper ceramic frame may also be made smaller to match the lower ceramic substrate, but the sealing width and sealing margin with the window glass will become smaller.

信頼性が低下するので、下部セラミック基板のみの幅を
小さくする方がよい、また、上部セラミック枠体の幅の
みが大きいと、以下に述べるような利点がある。すなわ
ち、上下セラミック体の外形寸法には、上部セラミック
枠体と下部セラミック基板との合わせ裕度も含まれる。
Since the reliability decreases, it is better to reduce the width of only the lower ceramic substrate, and if only the width of the upper ceramic frame is increased, there are advantages as described below. That is, the external dimensions of the upper and lower ceramic bodies also include the alignment tolerance between the upper ceramic frame and the lower ceramic substrate.

一般にセラミック単体における加工精度は約20mに対
し高々0.2閣であるが、上部セラミック枠体と下部セ
ラミック基板との組立精度は最大0.3mである。この
ため、上下セラミック体の外形寸法公差は、0.45鵬
程度必要となる。下部セラミック基板を−回り小さくす
ることにより(例えば、0.3■)組立精度が吸収され
るため、外形寸法の公差を小さくすることができ、上部
セラミック枠体の公差分である0、2■まで押さえるこ
とができる。また、この場合、上部セラミック枠体の端
面を基準として半導体チップの位置を精度良く設定する
ことができ、固体撮像チップのペレット付けにも有利と
なる。
Generally, the machining accuracy for a single ceramic is at most 0.2 m for about 20 m, but the assembly accuracy for the upper ceramic frame and the lower ceramic substrate is at most 0.3 m. Therefore, the outer dimension tolerance of the upper and lower ceramic bodies is required to be approximately 0.45 mm. By making the lower ceramic substrate smaller (for example, by 0.3 mm), the assembly precision is absorbed, so the tolerance of the external dimensions can be reduced, and the tolerance of the upper ceramic frame is 0.2 mm. You can hold up to. Further, in this case, the position of the semiconductor chip can be set with high precision with reference to the end face of the upper ceramic frame, which is also advantageous for pellet attachment of the solid-state imaging chip.

なお1本発明は、上記実施例に限定されるものではなく
、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であ
ることは勿論である。
Note that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and of course can be modified in various ways without departing from the gist thereof.

例えば、上記実施例では、固体撮像チップを実装し、光
学窓を有する固体撮像装置を例に挙げて説明したが、他
の半導体素子を実装する半導体素子パッケージにも適用
可能なのは勿論である。また、上記実施例では、上下2
枚のパッケージ体でパッケージを構成したが、1個のパ
ッケージ体から構成してもよい、また、パッケージの材
料もセラミックに限定されない。
For example, in the above embodiment, a solid-state imaging device mounted with a solid-state imaging chip and having an optical window was described as an example, but it is of course applicable to a semiconductor element package in which other semiconductor elements are mounted. In addition, in the above embodiment, the upper and lower 2
Although the package is made up of a single package body, it may be made up of a single package body, and the material of the package is not limited to ceramic.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明の半導体素子パッケージに
おいては、対向リードが平行なので、パッケージを外部
応用回路に実装する場合、パッケージを基板のピン挿入
孔に垂直に降ろすだけで容易に自動実装することができ
る。また、本発明のパッケージを固体撮像装置に適用す
る場合も、自動インサータにより容易に自動実装ができ
、固体撮像装置のサーデイツプ化、プラスチックパッケ
ージ化が可能となり、製品コストの大幅な低減が可能と
なる。
As explained above, in the semiconductor element package of the present invention, the opposing leads are parallel, so when mounting the package on an external application circuit, it can be easily and automatically mounted by simply lowering the package vertically into the pin insertion hole of the board. I can do it. Furthermore, when the package of the present invention is applied to a solid-state imaging device, it can be easily and automatically mounted using an automatic inserter, and the solid-state imaging device can be made into a solid-state imaging device or a plastic package, making it possible to significantly reduce product costs. .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明の半導体素子パッケージの第1の実施
例の固体撮像装置の概略断面図、第2図は1本発明の第
2の実施例の固体撮像装置の概略断面図、第3図は、本
発明の第3の実施例の固体撮像装置の概略断面図、第4
図は、従来の半導体素子パッケージの概略側面図、第5
図(a)〜(d)は、本発明の半導体素子パッケージを
適用する固体撮像装置を示す図で、(a)は固体撮像装
置の上面図、(b)は(a)の上側から見たときの側面
図、(c)は(a)のa −c切断線における断面図、
(d)は(a)の右側から見たときの側面図、(e)は
(a)のe−e切断線における断面図である。 LOW・・・下部セラミック基板 UPP・・・上部セラミック枠体 CHI・・・固体撮像チップ FLT・・・フリットガラス REFI、REF2・・・基準食用金属板OL・・・ア
ウタリード IL・・・インナリード S・・・折り曲げ肩部 So・・・スタンドオフ部 θい θ2、θ、・・・アウタリードとパッケージ体の
上面とのなす角度 第1 図 第2図
1 is a schematic cross-sectional view of a solid-state imaging device according to a first embodiment of a semiconductor element package of the present invention, FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a solid-state imaging device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. The figures are a schematic sectional view of a solid-state imaging device according to a third embodiment of the present invention;
The figure is a schematic side view of a conventional semiconductor element package.
Figures (a) to (d) are diagrams showing solid-state imaging devices to which the semiconductor element package of the present invention is applied, in which (a) is a top view of the solid-state imaging device, and (b) is a view from above of (a). (c) is a cross-sectional view taken along the a-c cutting line in (a),
(d) is a side view when seen from the right side of (a), and (e) is a sectional view taken along the line ee in (a). LOW...Lower ceramic substrate UPP...Upper ceramic frame CHI...Solid-state imaging chip FLT...Flit glass REFI, REF2...Reference edible metal plate OL...Outer lead IL...Inner lead S ...Bending shoulder part So...Standoff part θ θ2, θ, ...Angle between the outer lead and the top surface of the package body Fig. 1 Fig. 2

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 1. 半導体素子の電極と電気的に接続されるインナリ
ードとアウタリードを有するリード、上記半導体素子と
上記リードを保持するパッケージ体を有し、上記アウタ
リードが上記パッケージ体の少なくとも2側面から水平
方向に突出し、下方向に曲げられ、対向する上記アウタ
リードの少なくとも先端部が平行であることを特徴とす
る半導体素子パッケージ。
1. A lead having an inner lead and an outer lead electrically connected to an electrode of a semiconductor element, a package body holding the semiconductor element and the lead, the outer lead protruding horizontally from at least two side surfaces of the package body, A semiconductor device package characterized in that at least the tips of the opposing outer leads are parallel to each other and are bent downward.
2. 上記アウタリードが、上記パッケージ体から突出
する箇所の近傍で上記下方向に開く方向に曲げられ、か
つ、その少し先の部分で再び上記アウタリードが互いに
対向するアウタリードの方へ曲げられ、残りの対向する
上記アウタリーが平行になっていることを特徴とする請
求項1記載の半導体素子パッケージ。
2. The outer leads are bent in the downward opening direction near the point protruding from the package body, and a little beyond that, the outer leads are bent again toward the opposing outer leads, and the remaining opposing leads are bent again toward the opposing outer leads. 2. The semiconductor device package according to claim 1, wherein said outerries are parallel.
3. 上記パッケージ体が上下2枚のパッケージ体から
成り、上記2枚のパッケージ体の間から上記アウタリー
ドが突出し、対向する上記アウタリードの間の下の上記
パッケージ体の幅が上の上記パッケージ体の幅より小さ
いことを特徴とする請求項1または2記載の半導体素子
パッケージ。
3. The package body consists of two package bodies, an upper and a lower package body, and the outer lead protrudes from between the two package bodies, and the width of the lower package body between the opposing outer leads is greater than the width of the upper package body. 3. The semiconductor device package according to claim 1, wherein the semiconductor device package is small.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04246852A (en) * 1991-02-01 1992-09-02 Nec Corp Package for semiconductor device
JP2011044601A (en) * 2009-08-21 2011-03-03 Tokai Rika Co Ltd Lead frame, package type electronic component and electronic apparatus

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