JPH02244658A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02244658A JPH02244658A JP6657289A JP6657289A JPH02244658A JP H02244658 A JPH02244658 A JP H02244658A JP 6657289 A JP6657289 A JP 6657289A JP 6657289 A JP6657289 A JP 6657289A JP H02244658 A JPH02244658 A JP H02244658A
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- cap
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- semiconductor device
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- Pending
Links
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Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
高密度実装パッケージのキャップの形状に関し、封止不
良を減少させることを目的とし、先端を鋸歯形状に加工
した周縁部を有するキャンプが接着されてなることを特
徴とする。
良を減少させることを目的とし、先端を鋸歯形状に加工
した周縁部を有するキャンプが接着されてなることを特
徴とする。
先端を薄く刃形状に加工した周縁部を有するキャップが
接着されてなることを特徴とする。
接着されてなることを特徴とする。
本発明は半導体装置のうち、特に高密度実装パッケージ
のキャップの形状に関する。
のキャップの形状に関する。
近年、小型化、薄形化の要求と高密度実装への要求のた
めにパッケージの形状・質が変化しており、溶接による
気密封止が困難になって、キャップを半田付けして気密
封止をおこなう形式が増加しており、本発明はそのよう
な気密封止方式における封止の信頼性向上に関している
。
めにパッケージの形状・質が変化しており、溶接による
気密封止が困難になって、キャップを半田付けして気密
封止をおこなう形式が増加しており、本発明はそのよう
な気密封止方式における封止の信頼性向上に関している
。
高密度実装するＩＣパッケージにはＤＩＰ（１）ｕａｌ
Ｉｎ１ｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプ、 ＰＧＡ
（Ｐｊｎ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプなどのビン
挿入タイプ、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ ０ｕｔｌｉｎｅ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）タイプ、 ＱＦ Ｐ （Ｑｕａｄ Ｆ
ｌａｔ Ｐａｅｋａｇｅ）タイプ、 Ｌ ＣＣ（Ｌｅ
ａｄＬｅｓｓ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）タイプなど
の表面実装タイプが知られているが、これらのパッケー
ジはいずれも矩形ないしは正方形の方形状で、キャップ
の形状も同じく方形状である。従って、キャップ封止型
パッケージでは溶接部分を均〜に加圧溶接して気密封止
づることが難しい。そのために、キャップを半田付けす
る方法が採られている。
Ｉｎ１ｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプ、 ＰＧＡ
（Ｐｊｎ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプなどのビン
挿入タイプ、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ ０ｕｔｌｉｎｅ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）タイプ、 ＱＦ Ｐ （Ｑｕａｄ Ｆ
ｌａｔ Ｐａｅｋａｇｅ）タイプ、 Ｌ ＣＣ（Ｌｅ
ａｄＬｅｓｓ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）タイプなど
の表面実装タイプが知られているが、これらのパッケー
ジはいずれも矩形ないしは正方形の方形状で、キャップ
の形状も同じく方形状である。従って、キャップ封止型
パッケージでは溶接部分を均〜に加圧溶接して気密封止
づることが難しい。そのために、キャップを半田付けす
る方法が採られている。
第３図（ａ）、 （ｂ）はそのようなキャンプ半田付は
封止型のＰＧＡパッケージ半導体装置の断面図を例示し
ており、記号は共通して、土はキャップ、２はパッケー
ジ基板、３は半導体チップ、４はビン５はキャップ１と
パッケージ基板２とを接合しているＰｂ／Ｓｎ合金半田
（融点２８０°Ｃ１１１成Ｐｈ：５ｎ＝９：１）である
。この半田はＰｂ／Ｓｎ合金の他に、融点１８０°Ｃの
Ｐｂ／Ｓｎ共晶合金やＡｕ／Ｓｎ共品合金共融合金００
°Ｃ）も使用される。なお、第３図において、同図（ａ
）の半導体チップはタブリード付チップで、同図（ｂ）
の半導体チップはバンブ電極何チップであって、いずれ
もフェースダウンボンディング形式のものを図示してい
る。
封止型のＰＧＡパッケージ半導体装置の断面図を例示し
ており、記号は共通して、土はキャップ、２はパッケー
ジ基板、３は半導体チップ、４はビン５はキャップ１と
パッケージ基板２とを接合しているＰｂ／Ｓｎ合金半田
（融点２８０°Ｃ１１１成Ｐｈ：５ｎ＝９：１）である
。この半田はＰｂ／Ｓｎ合金の他に、融点１８０°Ｃの
Ｐｂ／Ｓｎ共晶合金やＡｕ／Ｓｎ共品合金共融合金００
°Ｃ）も使用される。なお、第３図において、同図（ａ
）の半導体チップはタブリード付チップで、同図（ｂ）
の半導体チップはバンブ電極何チップであって、いずれ
もフェースダウンボンディング形式のものを図示してい
る。
また、第４図は第３図（ａ）に示す従来のギャップの斜
視図を示しており、例えば、キャップ上は均一な厚さを
もった厚み０ 、５ｍｆｆ１のコバール材からなり、キ
ャップ周囲につば状の周縁部ｆ５が設けられて、キャッ
プ中央は隆起部７を形成しており、第３図に示すように
、この周縁部６とパッケージ基板２の相対的な位置が半
田付けされて気密封止されている。
視図を示しており、例えば、キャップ上は均一な厚さを
もった厚み０ 、５ｍｆｆ１のコバール材からなり、キ
ャップ周囲につば状の周縁部ｆ５が設けられて、キャッ
プ中央は隆起部７を形成しており、第３図に示すように
、この周縁部６とパッケージ基板２の相対的な位置が半
田付けされて気密封止されている。
ところで、上記のようなキャップの半田付は封止工程は
、還元性雰囲気（例えば、Ｎｚ ： Ｈｚ ＝５：１
ガス雰囲気）においてキャップ」二から重力を加える等
によって軽く加圧して封止しているが、このような封止
方法は封止不良が発生し易くて製造歩留が低下する問題
がある。その原因として、■キャップはコバール材を絞
り加工して作製するために半田付けするキャップ周縁部
６の平坦度が良くないこと、■半田溶融時に外気に触れ
た半田が酸化して、半田中にその酸化物が混入すること
等が考えられている。
、還元性雰囲気（例えば、Ｎｚ ： Ｈｚ ＝５：１
ガス雰囲気）においてキャップ」二から重力を加える等
によって軽く加圧して封止しているが、このような封止
方法は封止不良が発生し易くて製造歩留が低下する問題
がある。その原因として、■キャップはコバール材を絞
り加工して作製するために半田付けするキャップ周縁部
６の平坦度が良くないこと、■半田溶融時に外気に触れ
た半田が酸化して、半田中にその酸化物が混入すること
等が考えられている。
本発明はこれらの問題点を解消させて、封止不良を減少
させることを目的とし７た半導体装置壱提案するもので
ある。
させることを目的とし７た半導体装置壱提案するもので
ある。
その課題は、先端を鋸歯状に加工した周縁部を有するキ
ャップ、または、先端を薄く刃状に加工した周縁部を有
するキャップが接着された半導体装置によって解決され
る。
ャップ、または、先端を薄く刃状に加工した周縁部を有
するキャップが接着された半導体装置によって解決され
る。
即ら、本発明は、半田中に混入した酸化物が半田溶融時
に表面に浮きだし易いように先端を鋸歯形状に加工した
周縁部を有するキャップを半田付は接合するか、あるい
は、キャップとパッケージ基板とがなじみ昌いように先
端を薄く方形状に加工した周縁部を有するキャップを半
田付は接合する。そうすれば、従来よりも一層封止不良
を減少させることができる。
に表面に浮きだし易いように先端を鋸歯形状に加工した
周縁部を有するキャップを半田付は接合するか、あるい
は、キャップとパッケージ基板とがなじみ昌いように先
端を薄く方形状に加工した周縁部を有するキャップを半
田付は接合する。そうすれば、従来よりも一層封止不良
を減少させることができる。
（実 施 例）
以下に図面を参照しζ′実施例によって詳細に説明する
。
。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明にかかる実施例（１）を
示す図で、第１図（ａ）はキャップの斜視図、第１図Ｃ
ｂ）はキャップの平面図、第１図（Ｃ）はそのキャップ
を接合した半導体装置の断面図を示している。図中の記
号ｎはキャップ、１６はキャップの周縁部。
示す図で、第１図（ａ）はキャップの斜視図、第１図Ｃ
ｂ）はキャップの平面図、第１図（Ｃ）はそのキャップ
を接合した半導体装置の断面図を示している。図中の記
号ｎはキャップ、１６はキャップの周縁部。
１．６Ｂは周縁部先端の鋸歯形状（ギザギザ形状）。
２はパッケージ基板、３は半導体チップ、４はビン、５
はＰｂ／Ｓｎ合金半田である。本実施例はキャップ月の
周縁部１６の先端を鋸歯形状１６Ｅに加工しており、こ
のようなキャップ且を還元性雰囲気においてキャップ」
二から軽く加圧し、全体を約３００１に加熱してＰｂ／
Ｓｎ合金半田５を溶融させて封止すると、キャップＵ先
端の鋸歯形状１６Ｈの部分に半田がなじみ昌く、しかも
、混入した酸化物が表出し易くなって半田中の酸化物が
減少する。そのために気密封止性が従来よりも改善され
て、半導体装置の製造歩留を向りさせることができる。
はＰｂ／Ｓｎ合金半田である。本実施例はキャップ月の
周縁部１６の先端を鋸歯形状１６Ｅに加工しており、こ
のようなキャップ且を還元性雰囲気においてキャップ」
二から軽く加圧し、全体を約３００１に加熱してＰｂ／
Ｓｎ合金半田５を溶融させて封止すると、キャップＵ先
端の鋸歯形状１６Ｈの部分に半田がなじみ昌く、しかも
、混入した酸化物が表出し易くなって半田中の酸化物が
減少する。そのために気密封止性が従来よりも改善され
て、半導体装置の製造歩留を向りさせることができる。
次に、第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明にかかる実施例（
ｎ）を示す図で、第２図（ａ）はＡ“ヤップの斜視図。
ｎ）を示す図で、第２図（ａ）はＡ“ヤップの斜視図。
第２図（ｂ）はギャップの断面図、第２図（Ｃ）はその
キャップを接合した半導体装置の断面図である。図中の
記号■はキャップ、２６はキャップの周縁部２６Ｆ、は
周縁部先端の方形状（薄片状）１２はパッケージ基板、
３は半導体デツプ１４はビン、５はＰｂ／Ｓｎ合金半田
である。本実施例はキャップ■の周縁部２６の先端を方
形状２６Ｅに形成してあり、例えば、キャップ２１の厚
みを０．５開とすると、固形状２６Ｅ部分は先端部を０
．１闘程度にするように段々と薄く加工しである。この
ような形４にのキャップ■を還元性雰囲気においてキャ
ップ上から軽く加圧し、全体を加熱してＰｂ／Ｓｎ合金
半田５を溶融させて封止すると、キャップ汎先端の方形
状２６Ｈの部分が変形してパッケージ基板２に密着し易
く、そのために、半田に混入した酸化物も密着点から除
かれ易くなる。そのため、封止性が従来よりも改善され
て、半導体装置の製造歩留の向上に役立゛つ 上記の例はキャップ半田付は封止型のＰＧＡパッケージ
半導体装置について説明したが１、その他のキャップ半
田イ１け封止型バラゲージにも適用できるものである。
キャップを接合した半導体装置の断面図である。図中の
記号■はキャップ、２６はキャップの周縁部２６Ｆ、は
周縁部先端の方形状（薄片状）１２はパッケージ基板、
３は半導体デツプ１４はビン、５はＰｂ／Ｓｎ合金半田
である。本実施例はキャップ■の周縁部２６の先端を方
形状２６Ｅに形成してあり、例えば、キャップ２１の厚
みを０．５開とすると、固形状２６Ｅ部分は先端部を０
．１闘程度にするように段々と薄く加工しである。この
ような形４にのキャップ■を還元性雰囲気においてキャ
ップ上から軽く加圧し、全体を加熱してＰｂ／Ｓｎ合金
半田５を溶融させて封止すると、キャップ汎先端の方形
状２６Ｈの部分が変形してパッケージ基板２に密着し易
く、そのために、半田に混入した酸化物も密着点から除
かれ易くなる。そのため、封止性が従来よりも改善され
て、半導体装置の製造歩留の向上に役立゛つ 上記の例はキャップ半田付は封止型のＰＧＡパッケージ
半導体装置について説明したが１、その他のキャップ半
田イ１け封止型バラゲージにも適用できるものである。
以」二の説明から明らかなように、本発明にかかるキャ
ップ半田付は封止型半導体装置によれば、封止不良が減
少して製造歩留の向上に顕著な効果が得られる。
ップ半田付は封止型半導体装置によれば、封止不良が減
少して製造歩留の向上に顕著な効果が得られる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明にかかる実施例（１）を
示す図、 第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明にかかる実施例（ＩＩ）
を示す図、 第３図（ａ）、 （ｂ）はキャップ半田イ」け封止型Ｐ
ＧＡパッケージ半導体装置の断面図、 第４図は従来のキャップの斜視図である。 図において１ 、、ｌ−、ｕ、、 Ｕはキャップ、 ２はパッケージ基板、 ３は半導体チップ、 ４はビン、 ５はＰｂ／Ｓｎ合金半田、 ６、１６．２６はキャップの周縁部、 １６Ｆ！は鋸歯形状、 ２６Ｆ、は方形状 を示している。
示す図、 第２図（ａ）〜（Ｃ）は本発明にかかる実施例（ＩＩ）
を示す図、 第３図（ａ）、 （ｂ）はキャップ半田イ」け封止型Ｐ
ＧＡパッケージ半導体装置の断面図、 第４図は従来のキャップの斜視図である。 図において１ 、、ｌ−、ｕ、、 Ｕはキャップ、 ２はパッケージ基板、 ３は半導体チップ、 ４はビン、 ５はＰｂ／Ｓｎ合金半田、 ６、１６．２６はキャップの周縁部、 １６Ｆ！は鋸歯形状、 ２６Ｆ、は方形状 を示している。
Claims (2)
- （１）先端を鋸歯形状（１６Ｅ）に加工した周縁部（１
６）を有するキャップ（１１）が接着されてなることを
特徴とする半導体装置。 - （２）先端を薄く刃形状（２６Ｅ）に加工した周縁部（
２６）を有するキャップ（２１）が接着されてなること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6657289A JPH02244658A (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6657289A JPH02244658A (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02244658A true JPH02244658A (ja) | 1990-09-28 |
Family
ID=13319808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6657289A Pending JPH02244658A (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02244658A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7142435B2 (en) | 2002-07-19 | 2006-11-28 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Lid for use in packaging an electronic device and method of manufacturing the lid |
| JP2019501538A (ja) * | 2015-12-16 | 2019-01-17 | アールエフ３６０ テクノロジー （ウーシー） カンパニー， リミテッドＲｆ３６０ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ （Ｗｕｘｉ） Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 電気デバイス用ハウジング及び電気デバイス用ハウジングの製造方法 |
-
1989
- 1989-03-16 JP JP6657289A patent/JPH02244658A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7142435B2 (en) | 2002-07-19 | 2006-11-28 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Lid for use in packaging an electronic device and method of manufacturing the lid |
| JP2019501538A (ja) * | 2015-12-16 | 2019-01-17 | アールエフ３６０ テクノロジー （ウーシー） カンパニー， リミテッドＲｆ３６０ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ （Ｗｕｘｉ） Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 電気デバイス用ハウジング及び電気デバイス用ハウジングの製造方法 |
| US10448530B2 (en) | 2015-12-16 | 2019-10-15 | Rf360 Technology (Wuxi) Co., Ltd. | Housing used for electric component and method for manufacturing same |
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